JPH06349976A - 高密度配線基板とその製造方法 - Google Patents
高密度配線基板とその製造方法Info
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- JPH06349976A JPH06349976A JP15634093A JP15634093A JPH06349976A JP H06349976 A JPH06349976 A JP H06349976A JP 15634093 A JP15634093 A JP 15634093A JP 15634093 A JP15634093 A JP 15634093A JP H06349976 A JPH06349976 A JP H06349976A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 多層配線基板の製品部の外側に検査用電極領
域が設けられ、基板に形成した高密度配線の端子が該検
査用電極領域に導かれ、配線間隔を広げた検査用電極を
形成していることを特徴とする高密度配線基板。 【効果】 ファインピッチ配線でも、検査用電極を用い
ることによって、現用の接触型検査機によって配線を検
査できるので、従来の多層基板製造技術によって高密度
配線を有する多層配線基板を容易に製造することができ
る。検査用電極は使用後に切除するので、製品上の問題
を生じない。
域が設けられ、基板に形成した高密度配線の端子が該検
査用電極領域に導かれ、配線間隔を広げた検査用電極を
形成していることを特徴とする高密度配線基板。 【効果】 ファインピッチ配線でも、検査用電極を用い
ることによって、現用の接触型検査機によって配線を検
査できるので、従来の多層基板製造技術によって高密度
配線を有する多層配線基板を容易に製造することができ
る。検査用電極は使用後に切除するので、製品上の問題
を生じない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体のマルチチップ
モジュール（ＭＣＭ）の高密度実装が可能なファインピ
ッチ配線を有する多層配線基板に関する。
モジュール（ＭＣＭ）の高密度実装が可能なファインピ
ッチ配線を有する多層配線基板に関する。
【０００２】
【従来技術とその問題点】電子機器の小型化・高性能化
に伴ない、半導体チップの実装基板についても、高密度
化が求められており、その対応策として、高密度配線基
板上に半導体チップをケ−ジングせずに直接基板上に搭
載するベアチップ直接実装が行なわれるようになってい
る。この典型的な例として、一つの基板上に多数のベア
チップを搭載するマルチチップモジュール（ＭＣＭ）が
知られている。このＭＣＭは高密度配線基板の上に半導
体チップを直接搭載することによってパッケージ伝達の
遅れ排除し、基板上でのチップ間の信号伝達を最小限に
して高速化を図ろうとするものである。
に伴ない、半導体チップの実装基板についても、高密度
化が求められており、その対応策として、高密度配線基
板上に半導体チップをケ−ジングせずに直接基板上に搭
載するベアチップ直接実装が行なわれるようになってい
る。この典型的な例として、一つの基板上に多数のベア
チップを搭載するマルチチップモジュール（ＭＣＭ）が
知られている。このＭＣＭは高密度配線基板の上に半導
体チップを直接搭載することによってパッケージ伝達の
遅れ排除し、基板上でのチップ間の信号伝達を最小限に
して高速化を図ろうとするものである。
【０００３】上記ＭＣＭは基板の材質および構造に基づ
き、一般に (a)ＭＣＭ−Ｄ、 (b)ＭＣＭ−Ｃ、 (d)ＭＣ
Ｍ−Ｌの３種に分類されている。ＭＣＭ−Ｄは、金属基
板やセラミック基板上に、ポリイミドなどの有機絶縁材
と金属導体を用い、薄膜技術(deposition)により多層構
造の高密度配線を形成したものであり、ＭＣＭ−Ｃはセ
ラミックや低温焼成可能な低誘電率のガラス・セラミッ
ク基板を用い、またＭＣＭ−Ｌは樹脂質積層板を用い、
プリント配線技術によって高密度配線を形成したもので
ある。このようなＭＣＭにおける課題として、基板配線
の多層化とファインピッチ化が挙げられる。高密度実装
を達成するには、基板上に搭載された多数のチップに適
応した高密度の配線が必要であり、基板の配線ピッチ
は、実装密度を直接に制約する要因となる。例えば半導
体チップの電極端子が0.1 〜0.15mm程度のピッチに形成
できても、実装基板上のチップ用電極の配線ピッチがこ
れより広い限り、このピッチに応じた高密度実装を実現
しえない。
き、一般に (a)ＭＣＭ−Ｄ、 (b)ＭＣＭ−Ｃ、 (d)ＭＣ
Ｍ−Ｌの３種に分類されている。ＭＣＭ−Ｄは、金属基
板やセラミック基板上に、ポリイミドなどの有機絶縁材
と金属導体を用い、薄膜技術(deposition)により多層構
造の高密度配線を形成したものであり、ＭＣＭ−Ｃはセ
ラミックや低温焼成可能な低誘電率のガラス・セラミッ
ク基板を用い、またＭＣＭ−Ｌは樹脂質積層板を用い、
プリント配線技術によって高密度配線を形成したもので
ある。このようなＭＣＭにおける課題として、基板配線
の多層化とファインピッチ化が挙げられる。高密度実装
を達成するには、基板上に搭載された多数のチップに適
応した高密度の配線が必要であり、基板の配線ピッチ
は、実装密度を直接に制約する要因となる。例えば半導
体チップの電極端子が0.1 〜0.15mm程度のピッチに形成
できても、実装基板上のチップ用電極の配線ピッチがこ
れより広い限り、このピッチに応じた高密度実装を実現
しえない。
【０００４】従来、スクリーン印刷による微細配線形成
の限界、配線材料として用いられていたＡｇのマイグレ
ーションによる配線間隔の限界、及び多層配線基板材料
として用いられるグリーンシートにおけるビアホール径
の微細化の限界等により、基板配線のファインピッチ化
が制限されてきた。しかし、製版技術の進歩やスクリー
ン印刷用ペーストの改良により線幅／ピッチ＝５０／５
０μm の配線印刷も可能となり、メッキによるＮｉのよ
うな耐マイグレーション性にすぐれた良導体の使用や、
グリーンシートの加工性の向上などにより、0.1 〜0.15
mm程度の高密度配線基板も製造可能となりつつある。そ
こで、こうした高密度配線基板について、基板上の導体
配線検査が問題となっている。
の限界、配線材料として用いられていたＡｇのマイグレ
ーションによる配線間隔の限界、及び多層配線基板材料
として用いられるグリーンシートにおけるビアホール径
の微細化の限界等により、基板配線のファインピッチ化
が制限されてきた。しかし、製版技術の進歩やスクリー
ン印刷用ペーストの改良により線幅／ピッチ＝５０／５
０μm の配線印刷も可能となり、メッキによるＮｉのよ
うな耐マイグレーション性にすぐれた良導体の使用や、
グリーンシートの加工性の向上などにより、0.1 〜0.15
mm程度の高密度配線基板も製造可能となりつつある。そ
こで、こうした高密度配線基板について、基板上の導体
配線検査が問題となっている。
【０００５】半導体基板上の配線検査の方法として、一
般に、コンタクトプローブを用いた検査が行われてい
る。これは、基板の表面配線に位置合わせした複数のプ
ローブを基板に直接接触させるか、または検査を必要と
するパターンに応じて孔開けされた絶縁マスクを基板に
被せた上で上記プローブを基板に押し当て、一括または
適当なプログラムに従ってプロ−ブに電圧を引加して通
電状態を検査する方法である。しかし、従来使用されて
いるプローブはそのプローブ間のピッチ限界が0.3mm 程
度であり、ピッチが0.1 〜0.15mm程度のファインピッチ
配線を検査できない。また基本的にはプローブで配線を
傷付ける可能性があるので可能な限り配線に接触しない
検査方法が望まれる。このような非接触式の検査装置も
知られているが、これによれば上記間隔の配線検査も可
能であるが、この種の装置は高価であり、また操作も繁
雑であるため一般には使用し難い。
般に、コンタクトプローブを用いた検査が行われてい
る。これは、基板の表面配線に位置合わせした複数のプ
ローブを基板に直接接触させるか、または検査を必要と
するパターンに応じて孔開けされた絶縁マスクを基板に
被せた上で上記プローブを基板に押し当て、一括または
適当なプログラムに従ってプロ−ブに電圧を引加して通
電状態を検査する方法である。しかし、従来使用されて
いるプローブはそのプローブ間のピッチ限界が0.3mm 程
度であり、ピッチが0.1 〜0.15mm程度のファインピッチ
配線を検査できない。また基本的にはプローブで配線を
傷付ける可能性があるので可能な限り配線に接触しない
検査方法が望まれる。このような非接触式の検査装置も
知られているが、これによれば上記間隔の配線検査も可
能であるが、この種の装置は高価であり、また操作も繁
雑であるため一般には使用し難い。
【０００６】
【課題の解決手段】本発明は、上記問題を解決した高密
度配線基板とその製造方法を提供するものであり、基板
の外周に配線検査用電極を設けることにより、従来の検
査用プローブを用いても精度良く配線検査を行えるよう
にしたものである。
度配線基板とその製造方法を提供するものであり、基板
の外周に配線検査用電極を設けることにより、従来の検
査用プローブを用いても精度良く配線検査を行えるよう
にしたものである。
【０００７】
【発明の構成】本発明によれば、以下の高密度配線多層
基板とその製造方法が提供される。 （１） 配線基板製品部の外側に検査用電極領域が設け
られ、基板に形成した高密度配線の端子が該検査用電極
領域に導かれ、該領域で配線間隔を広げた検査用電極が
形成されていることを特徴とする高密度配線基板。 （２） 配線基板の上記検査用電極領域の外側にメッキ
用電極領域が形成され、上記検査用電極を形成する配線
端子が該メッキ用電極領域に導かれてメッキ用電極が形
成されていることを特徴とする上記(1) の高密度配線基
板。 （３） 配線基板製品部の外側に検査用電極領域を設
け、基板に形成した高密度配線の端子を該検査用電極領
域に導くと共に該端子を検査用電極領域の外側に形成し
たメッキ用電極領域に導いてメッキ用電極を形成し、該
メッキ用電極を用いて配線をメッキ処理した後にメッキ
用電極領域を切除し、その後、検査用電極を用いて配線
検査を行い、検査後、検査用電極領域を切除して製品基
板とする高密度配線基板の製造方法。
基板とその製造方法が提供される。 （１） 配線基板製品部の外側に検査用電極領域が設け
られ、基板に形成した高密度配線の端子が該検査用電極
領域に導かれ、該領域で配線間隔を広げた検査用電極が
形成されていることを特徴とする高密度配線基板。 （２） 配線基板の上記検査用電極領域の外側にメッキ
用電極領域が形成され、上記検査用電極を形成する配線
端子が該メッキ用電極領域に導かれてメッキ用電極が形
成されていることを特徴とする上記(1) の高密度配線基
板。 （３） 配線基板製品部の外側に検査用電極領域を設
け、基板に形成した高密度配線の端子を該検査用電極領
域に導くと共に該端子を検査用電極領域の外側に形成し
たメッキ用電極領域に導いてメッキ用電極を形成し、該
メッキ用電極を用いて配線をメッキ処理した後にメッキ
用電極領域を切除し、その後、検査用電極を用いて配線
検査を行い、検査後、検査用電極領域を切除して製品基
板とする高密度配線基板の製造方法。
【０００８】
【発明の具体的な態様】以下、図面を参照して本発明を
詳細に説明する。なお図示する実施例は本発明の例示で
あり、発明の範囲を限定するものではない。図１及び図
２は本発明に係る多層配線基板を模式的に示す概略平面
図であり、図１は表面層、図２は表面層の下側の配線層
を示す。また図３はその模式断面図であり、２層構造の
例を示す。なお基板構造は２層に限らない。図示する基
板１０は、下層１１と上層１３の間に内部配線１２が形
成されており、該内部配線１２は層間を貫くビア１４な
どによって層間が導通され、上層１３の表面に形成した
電極１５、１６、１７に接続している。また該上層１３
の表面には絶縁性樹脂などからなる保護層１８が設けら
れている。上記基板１０には、図１に示すように、中央
に製品部Ｃが形成され、該製品部Ｃの周囲に検査用電極
領域Ｂが形成されており、該領域Ｂの外側にメッキ用電
極領域Ａが設けられている。図２に示すように、製品部
Ｃの内部配線１２は間隔が約0.1 〜0.15mm程度の高密度
配線であり、その表面には搭載した半導体チップ（図示
せず）の端子に接続するための電極１７が形成されてお
り、該電極１７はビア１４によって内部配線１２に接続
されている。該内部配線１２の外側端部１２ａは次第に
配線間隔を広げて周囲の検査用電極領域Ｂに延び、該領
域Ｂでは0.5〜1.0mm のピッチで配列されている。図示
する例では、製品部Ｃのチップ搭載領域を囲んで配線１
２が形成され、該配線１２から周辺に向かって放射状に
配線端部１２ａが延び、領域Ｂにおいて一定間隔に並列
されている。領域Ｂの表面には多数の検査用電極１５が
現用の配線検査プローブを使用できる間隔を保って形成
されており、該電極１５はビア１４を通じて内部配線１
２に接続している。なお、検査用電極１５は互いに接触
しないように、２列に形成し、交互に内側の列と外側の
列に設けると良い。
詳細に説明する。なお図示する実施例は本発明の例示で
あり、発明の範囲を限定するものではない。図１及び図
２は本発明に係る多層配線基板を模式的に示す概略平面
図であり、図１は表面層、図２は表面層の下側の配線層
を示す。また図３はその模式断面図であり、２層構造の
例を示す。なお基板構造は２層に限らない。図示する基
板１０は、下層１１と上層１３の間に内部配線１２が形
成されており、該内部配線１２は層間を貫くビア１４な
どによって層間が導通され、上層１３の表面に形成した
電極１５、１６、１７に接続している。また該上層１３
の表面には絶縁性樹脂などからなる保護層１８が設けら
れている。上記基板１０には、図１に示すように、中央
に製品部Ｃが形成され、該製品部Ｃの周囲に検査用電極
領域Ｂが形成されており、該領域Ｂの外側にメッキ用電
極領域Ａが設けられている。図２に示すように、製品部
Ｃの内部配線１２は間隔が約0.1 〜0.15mm程度の高密度
配線であり、その表面には搭載した半導体チップ（図示
せず）の端子に接続するための電極１７が形成されてお
り、該電極１７はビア１４によって内部配線１２に接続
されている。該内部配線１２の外側端部１２ａは次第に
配線間隔を広げて周囲の検査用電極領域Ｂに延び、該領
域Ｂでは0.5〜1.0mm のピッチで配列されている。図示
する例では、製品部Ｃのチップ搭載領域を囲んで配線１
２が形成され、該配線１２から周辺に向かって放射状に
配線端部１２ａが延び、領域Ｂにおいて一定間隔に並列
されている。領域Ｂの表面には多数の検査用電極１５が
現用の配線検査プローブを使用できる間隔を保って形成
されており、該電極１５はビア１４を通じて内部配線１
２に接続している。なお、検査用電極１５は互いに接触
しないように、２列に形成し、交互に内側の列と外側の
列に設けると良い。
【０００９】基板上の配線は、主にＡｇ、Ａｇ−Ｐｄな
どの導体によって形成されるが、半導体チップを搭載す
る際の耐ハンダ性を高め、また通電時のＡｇのマイグレ
ーションを防止するために、一般的に配線上にＮｉメッ
キが施される。また必要に応じてさらにＡｕメッキが施
される。このメッキ処理のためにメッキ用電極が形成さ
れる。図示する例では、検査用電極領域Ｂの外側にメッ
キ用電極を設ける領域Ａが形成されており、該領域Ａに
メッキ用電極１６が形成されている。なお、上記検査用
電極１５は個々の配線１２およびビア１４の導通を検査
するために配線ごとに電極１５が必要となるが、メッキ
処理の際には配線全体に一時に通電されれば良いので、
配線ごとに独立した電極を設ける必要はない。そこで本
例では、電流密度が均一となるように複数の配線端部１
２ａを回線１３によって結合し、その端子が領域Ａにお
いて複数のメッキ用電極１６を形成している。
どの導体によって形成されるが、半導体チップを搭載す
る際の耐ハンダ性を高め、また通電時のＡｇのマイグレ
ーションを防止するために、一般的に配線上にＮｉメッ
キが施される。また必要に応じてさらにＡｕメッキが施
される。このメッキ処理のためにメッキ用電極が形成さ
れる。図示する例では、検査用電極領域Ｂの外側にメッ
キ用電極を設ける領域Ａが形成されており、該領域Ａに
メッキ用電極１６が形成されている。なお、上記検査用
電極１５は個々の配線１２およびビア１４の導通を検査
するために配線ごとに電極１５が必要となるが、メッキ
処理の際には配線全体に一時に通電されれば良いので、
配線ごとに独立した電極を設ける必要はない。そこで本
例では、電流密度が均一となるように複数の配線端部１
２ａを回線１３によって結合し、その端子が領域Ａにお
いて複数のメッキ用電極１６を形成している。
【００１０】メッキ用電極１６を利用して配線１２にＮ
ｉ電気メッキを施した後、該基板表面に絶縁性樹脂から
なる表面層１８を被せて配線層を保護し、フォトエッチ
ング後、必要に応じてＡｕメッキもしくはハンダメッキ
などを施す。なおメッキの良否は顕微鏡下の実態観察に
よって判定することができる。
ｉ電気メッキを施した後、該基板表面に絶縁性樹脂から
なる表面層１８を被せて配線層を保護し、フォトエッチ
ング後、必要に応じてＡｕメッキもしくはハンダメッキ
などを施す。なおメッキの良否は顕微鏡下の実態観察に
よって判定することができる。
【００１１】表面の保護層を設けた後、メッキ用電極領
域Ａを切除してメッキ用電極１６および配線端部１２ａ
を結ぶ回線１９を取り除く。これにより各配線１２は独
立した状態となる。この状態で、各配線の端部に形成さ
れている検査用電極１５を利用して各配線の断線や短絡
を検査する。具体的には、例えば、配線検査用プローブ
を電極１５に接触し、個々の配線の通電状態を検査す
る。配線検査の後に検査用電極領域Ｂを切除して製品基
板とする。
域Ａを切除してメッキ用電極１６および配線端部１２ａ
を結ぶ回線１９を取り除く。これにより各配線１２は独
立した状態となる。この状態で、各配線の端部に形成さ
れている検査用電極１５を利用して各配線の断線や短絡
を検査する。具体的には、例えば、配線検査用プローブ
を電極１５に接触し、個々の配線の通電状態を検査す
る。配線検査の後に検査用電極領域Ｂを切除して製品基
板とする。
【００１２】本例では、半導体の搭載部分を中央に設け
た例を示したが、複数の半導体チップを搭載する基板に
おいては、半導体の搭載部分を中央に限らず適宜の位置
に設け、各々の半導体チップに対応した内部配線１２を
多層構造の各層に形成し、各層の内部配線を検査用する
検査用電極を基板表面の領域Ｂに形成しても良い。な
お、メッキ用電極１６を設けずに検査用電極１５を利用
し、メッキ時に複数の検査用電極１５を結ぶ補助導体を
該電極１５に当てがって通電しても良い。
た例を示したが、複数の半導体チップを搭載する基板に
おいては、半導体の搭載部分を中央に限らず適宜の位置
に設け、各々の半導体チップに対応した内部配線１２を
多層構造の各層に形成し、各層の内部配線を検査用する
検査用電極を基板表面の領域Ｂに形成しても良い。な
お、メッキ用電極１６を設けずに検査用電極１５を利用
し、メッキ時に複数の検査用電極１５を結ぶ補助導体を
該電極１５に当てがって通電しても良い。
【００１３】上記配線基板１０は、低温焼成基板材料な
どの常用される基板材料を用いて製造することができ
る。また上記配線検査用電極やメッキ用電極の部分を除
き通常の製造工程に従って製造できる。
どの常用される基板材料を用いて製造することができ
る。また上記配線検査用電極やメッキ用電極の部分を除
き通常の製造工程に従って製造できる。
【００１４】
【発明の効果】本発明の配線基板は、配線の間隔が0.1
〜0.15mm程度のファインピッチでも、検査用電極を用
い、現用の接触型検査機によって配線を検査できるの
で、従来の多層基板製造技術によって高密度配線を有す
る多層配線基板を容易に製造することができる。また、
本発明の基板に形成される検査用電極は使用後に切除す
るので、製品上の問題を生じない。
〜0.15mm程度のファインピッチでも、検査用電極を用
い、現用の接触型検査機によって配線を検査できるの
で、従来の多層基板製造技術によって高密度配線を有す
る多層配線基板を容易に製造することができる。また、
本発明の基板に形成される検査用電極は使用後に切除す
るので、製品上の問題を生じない。
【図１】 本発明に係る多層配線基板の概略を示す模式
平面図。
平面図。
【図２】 上記基板の配線層を示す模式平面図。
【図３】 上記基板の多層構造を模式的に示す断面図。
【符号の説明】 １０−多層基板、 １１−下層、 １２−内部配線、
１３−上層、１４−ビア、 １５−検査用電極、 １６
−メッキ用電極、１７−製品部電極、 １８−表面層 Ａ−メッキ用電極領域、 Ｂ−検査用電極領域、 Ｃ
−製品部
１３−上層、１４−ビア、 １５−検査用電極、 １６
−メッキ用電極、１７−製品部電極、 １８−表面層 Ａ−メッキ用電極領域、 Ｂ−検査用電極領域、 Ｃ
−製品部
Claims (3)
- 【請求項１】 配線基板製品部の外側に検査用電極領域
が設けられ、基板に形成した高密度配線の端子が該検査
用電極領域に導かれ、該領域で配線間隔を広げた検査用
電極が形成されていることを特徴とする高密度配線基
板。 - 【請求項２】 配線基板の上記検査用電極領域の外側に
メッキ用電極領域が形成され、上記検査用電極を形成す
る配線端子が該メッキ用電極領域に導かれてメッキ用電
極が形成されていることを特徴とする請求項１の高密度
配線基板。 - 【請求項３】 配線基板製品部の外側に検査用電極領域
を設け、基板に形成した高密度配線の端子を該検査用電
極領域に導くと共に該端子を検査用電極領域の外側に形
成したメッキ用電極領域に導いてメッキ用電極を形成
し、該メッキ用電極を用いて配線をメッキ処理した後に
メッキ用電極領域を切除し、その後、検査用電極を用い
て配線検査を行い、検査後、検査用電極領域を切除して
製品基板とする高密度配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15634093A JPH06349976A (ja) | 1993-06-03 | 1993-06-03 | 高密度配線基板とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15634093A JPH06349976A (ja) | 1993-06-03 | 1993-06-03 | 高密度配線基板とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06349976A true JPH06349976A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=15625635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15634093A Pending JPH06349976A (ja) | 1993-06-03 | 1993-06-03 | 高密度配線基板とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06349976A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005317866A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0290552A (ja) * | 1988-09-27 | 1990-03-30 | Matsushita Electric Works Ltd | Ｐｇａ用基板 |
| JPH02133943A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-05-23 | Contraves Ag | 高集積回路及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-06-03 JP JP15634093A patent/JPH06349976A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02133943A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-05-23 | Contraves Ag | 高集積回路及びその製造方法 |
| JPH0290552A (ja) * | 1988-09-27 | 1990-03-30 | Matsushita Electric Works Ltd | Ｐｇａ用基板 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005317866A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
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