JPH0637496B2 - 第4級カルバペネム誘導体の製造方法 - Google Patents

第4級カルバペネム誘導体の製造方法

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JPH0637496B2
JPH0637496B2 JP61131047A JP13104786A JPH0637496B2 JP H0637496 B2 JPH0637496 B2 JP H0637496B2 JP 61131047 A JP61131047 A JP 61131047A JP 13104786 A JP13104786 A JP 13104786A JP H0637496 B2 JPH0637496 B2 JP H0637496B2
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Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明は第4級カルバペネム誘導体の製造方法に関す
る。
アリルオキシカニボニル基をカルボン酸に対する保護基
として使用すること、すなわち、カルボン酸をアリルア
ルコールでエステル化することおよびその後それがその
保護機能を受持った後に除去してアリルオキシカルボニ
ル基をカルボン酸基に転化してもとの形態に戻すことが
良く知られている。例えば、オータニ(Ohtani)らはジ
ャーナル・オブ・オルガニック・ケミストリー(Journa
l of Organic Chemistry)、1984、Vol.49、pp.
5271〜5272にカルバペネム類の合成における1
つの極めて重要な階段がC−3エステル官能基の最後の
脱保護段階であることを報告し、1例としてパラジウム
(O)の作用によるアリルエステル基の開裂に言及して
いる。
次の参照文献はすべて触媒量のテトラスキス(トリフェ
ニルホスフィン)パラジウム(O)およびトリフェニル
ホスフィンの存在下に2−エチルヘキサン酸カリウムを
用いるカルボキシル保護β−ラクタム誘導体、例えばペ
ニシリン類、セファロスポリン類およびカルバペネム類
中のアリルオキシカルボニル官能基の開裂を開示してい
る: ジェフリ(Jeffrey)ら、ジャーナル・オブ・オルガニ
ック・ケミストリー(Journal of Organic Chemistry)
1982、Vol.47、pp587〜590、 米国特許第4,314,942号、 米国特許出願第2,128,187A号(1984年4月26日
公表)、実施例21。
クンツ(Kunz)らは、アンゲバンテ・ヘミー・インタナ
ショナル・エディション・イン・イングリッシュ(Ange
w.Chem.Int.Ed.Engl.)、1984、Vol.23、pp
71〜72に不安定なO−グリコペプチド類の合成に対
する除去可能なカルボキシ保護基としてアリル基の使用
について報告している。この論文は約10モルパーセン
トのテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム
(O)で、アルゴン下にテトラヒドロフラン中で、受容
体求核試薬として10倍過剰のモルホリンの存在下に反
応させることによりアリルエステル部分を開裂すること
について報告している。
本発明の目的は従来技術法よりも相当する第4級化カル
バペネム誘導体の高い収率を生ずるカルバペネム誘導体
のアリルエステルの脱アリル化法を提供することであ
る。
さらに本発明の目的は従来技術法よりも低い温度でより
短い反応時間で行なうことができる方法を提供し、それ
により、より高い温度およびより長い反応時間を含む反
応条件のもとで分解するかもしれない鋭敏な構造特徴を
有するカルバペネム誘導体のアリルエステルに対する適
用を可能にすることである。
発明の概要 本発明の目的はカルバペネム誘導体のアリルエステルを
ピロリジンおよび触媒量の、配位ホスフィン配位子を有
する有機可溶性パラジウム錯体で反応させてアリル部分
を開裂させることを含む方法により構成される。次いで
生成したカルバペネム誘導体が回収される。
発明の詳細な説明 本発明の方法は式、 (式中、AはC〜Cの直鎖または枝分れ鎖アルキレ
ン基を表わし、Rは、低級アルキル基を表わし、R
は水素又は低級アルキル基を表わし、 は環炭素原子でアルキレン基Aに結合し置換基Rによ
り第4級化された窒素含有芳香族複素環を表わす) で表わされる第4級カルバペネム誘導体の製造方法であ
って、そのような誘導体は英国特許出願第2,128,187A
号に詳細に記載され、その開示は参照により本明細書に
加入される。
即ち、本発明は、 1)式、 CFSO の低級アルキルトリフルオロメタンスルホネートを、 式、 のカルバペネム誘導体のアリルエステルに添加し、 2)前記カルバペネム誘導体のアリルエステルを、1.0
〜1.5モル比のピロリジンおよび触媒量の配位ホスフィ
ン配位子を有する有機可溶性パラジウム錯体と、不活性
有機溶媒中で、−5℃〜30℃の温度で10分〜4時間
反応させて、アリル部分を開裂させ、 3)得られたカルバペネム誘導体を回収することから成
る第4級カルバペネム誘導体の製造方法。
本発明の方法に有用な好ましい有機可溶性パラジウム錯
体触媒はテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジ
ウム(O)であり、好ましくは遊離トリフェニルホスフ
ィンの存在下に使用される。触媒0.01〜0.1モルをアリ
ル−エステル1モルについて使用することが好ましい。
また1.5〜5モルのトリフェニルホスフィンをテトラキ
ス(トリフェニルホスフィン)パラジウム1モルについ
て使用することが好ましい。
反応に使用するピロリジンの量はアリル−エステル1モ
ルについて1.0〜1.5モルである。
脱アリル化反応は、好ましくは不活性溶媒例えばジクロ
ロメタン、クロロホルム、エチルエーテル、ベンゼン、
トルエン、酢酸エチル、アセトニトリルなどの中で行な
われる。−5℃から30℃の温度で10分〜4時間、反
応を行なう。
次の実施例は本発明の実施を意図する最良の方法の例示
である。
実施例1 トリフルオロメタンスルホン酸メチル(1.05等量)を英
国特許出願第2,128,187A号の実施例21、段階Fに記
載されたように得られた化合物Iのアセトニトリル中の
氷冷懸濁液に加えた。20分後、トリフェニルホスフィ
ン(5モル%)、テトラキス(トリフェニルホスフィ
ン)パラジウム(O)(2.5モル%)およびピロリジン
(1.05重量)を加えた。沈殿が速やかに生じ、生じたス
ラリーを0℃で10分間攪拌した。アセトンを加えた
後、粗固体を分離し、メタノールから結晶化すると所望
生成物IIが70%収率で90〜93%純度で得られた。
2−エチルヘキサン酸カリウムを実施例1中のピロリジ
ンの代りに用いると生成物が得られない。
実施例2 乾燥アセトニトリル6ml中のアリルエチレン、化合物II
I(0.350g、0.936ミリモル)の溶液を−5℃に冷却
し、トリフルオロメタンスルホン酸メチル(0.111ml、
0.983ミリモル)を加えた。15分後に、テトラキス
(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0.027g、2.5
モル%)およびトリフェニルホスフィン(0.027g)の
塩化メチレン1ml中の溶液を加えた。反応混合物を5分
間攪拌した後、ピロリジン(0.082ml、0.983ミリモル)
を滴加した。生じた褐色溶液から固体が徐々に分離し始
めた。混合物を0℃で20分間激しく攪拌し、次いで冷
(0℃)アセトン15mlを徐々に加え、攪拌を0℃で2
0分間続けた。生じた懸濁液を濾過し、残留物を冷アセ
トンで洗浄し、次いで真空で乾燥するとベージュ色粉末
0.345gが得られた。この物質をpH7のリン酸塩緩衝液
(0.05M)少量に溶解し、短い逆相[C18ボンダパク
(BondaPak)]カラムに適用した。HOで溶出し、適
当な画分を凍結乾燥すると淡黄色固体0.255gが得られ
た。この物質を前記のように再びクロマトグラフにかけ
ると(凍結乾燥後)純化合物IV(0.195g、収率60
%)が淡黄色固体として得られた:1Hnmr(D2O)δ8.58,
7.83(ABq,J=6.4Hz,2H),7.87(s,1H),4.32-3.95
(m,2H),4.22(s,2H),4.17(s,3H),3.32(dd,J1=2.
6Hz,J2=6.1Hz,1H),3.06-2.93(m,2H),2.74(s,3
H),1.22(d,J=6.4Hz,3H);ir(KBr)1757,1590cm-1
uv(リン酸塩緩衝液、pH7.4)296nm(ε7446)。
実施例3 アリルエステル、化合物V(0.582g、0.0015モル)の
乾燥アセトニトリル15ml中の溶液にトリフルオロメタ
ンスルホン酸メチル(0.178ml、1.575ミリモル)を−5
℃でN下に添加した。15分後、テトラキス(トリフ
ェニルホスフィン)パラジウム(0.035g、2モル%)
およびトリフェニルホスフィン(0.035g)の塩化メチ
レン1ml中の溶液を加え、次に5分後にピロリジン0.13
1ml(1.575ミリモル)を加えた。生じた混合物を0℃で
20分間攪拌し、次いで冷(0℃)セセトン30mlを加
えた。混合物を0℃で15分間激しく攪拌し、次いで沈
殿を濾過により捕集し、冷アセトンで冷却し、減圧下に
乾燥するとベージュ色粉末0.520gが得られた。濾液を
エーテルで希釈することによりさらに粗生成物0.041g
が得られた。固体を合わせ、少量のpH7.4のリン酸塩緩
衝液(0.05M)に溶解し、逆相(C18ボンダパク)カ
ラムに適用した。HO、次いで2%アセトニトリル−
Oで溶出し、凍結乾燥後化合物IV(0.413g、収率
76%)が黄色固体として得られた:1 Hnmr(D2O)δ8.55,7.76(ABq,J=6.3Hz,2H),7.81
(s,1H),4.4-3.7(m,2H),4.19(s,2H),4.16(s 3H),
3.47-3.14(m,2H),2.73(s,3H),1.24(d,J=6.4Hz,3
H),1.16(d,J=7.3Hz,3H),ir(KBr)1750,1590cm-1
uv(リン酸塩緩衝液、pH7.4)293nm(ε7170)。
実施例4 アリルエステル、化合物VII(10.00g、26.7ミリモル)
のアセトニトリル100ml中の氷冷懸濁液にトリフルオ
ロメタンスルホン酸メチル(3.17ml、28.05ミリモル)
を加えた。生じた均一な黄色溶液を20℃で攪拌した。
トリフェニルホスフィン(350mg、1.33ミリモル)およ
び塩化メチレン20ml中のテトラキス(トリフェニルホ
スフィン)パラジウム(770ml、0.66ミリモルを順次加
え、混合物を5分間攪拌し、次いでピロリジン(2.4m
l、28.05ミリモル)のアセトニトリル15ml中の溶液を
5分間にわたって加えた。結晶化が起り、生じたスラリ
ーを0℃で10分間攪拌した。予め冷却したセセトン
(150ml)を加え、混合物を15分間攪拌した。生じた
黄色固体を捕集し、アセトン60mlで2回洗浄した。乾
燥後、黄色固体を冷(0℃)メタノール50ml中で30
分間摩砕した。生じたベージュ色のペーストを濾過し、
部分乾燥し、冷水20mlに溶解した。生じた混合物を速
やかに濾過し、冷エタノール100mlを加えた。0℃で
約10分間攪拌した後に結晶化が起り、生じた混合物を
さらに1.3時間攪拌した。固体を捕集し、高真空下に3
時間乾燥すると化合物VIII、4.82g、収率51.8%、
が得られた。
実施例5 アリルエステル、化合物IX(12.63g、33.707ミリモ
ル)のアセトニトリル124ml中の溶液を、0〜5℃で
窒素雰囲気下にトリフルオロメタンスルホン酸メチル
(4.055ml、35.349ミリモル)を滴加することにより処
理した。透明な黄色反応混合物を15分間0〜5℃で攪
拌した。0〜5℃に維持したこの反応混合物にトリフェ
ニルホスフィン(429.44mg、1.661ミリモル)を一度に
加え、次にテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラ
ジウム(959.56mg、0.831ミリモル)の塩化メチレン3
3ml中の溶液を加えた。透明な橙色反応混合物を0〜5
℃で5分間攪拌した。次いでピロリジン(3.03ml、33.7
07ミリモル)のアセトニトリル(41.3ml)中の溶液を滴
加した。
0〜5℃で5分間攪拌したこの透明な暗橙色反応混合物
に、一部ずつ、激しく攪拌しながら、氷冷アセトン(2
50ml)、次いで無水ジエチルエーテル(150ml)を
加えた。0〜5℃で5分間攪拌を続け、次いで懸濁液を
窒素流下に速やかに濾過した。固体残留物を無水ジエチ
ルエーテル(50ml)で洗浄し、真空乾燥すると化合物
X、11.05g(33.12ミリモル、収率96.6%)が粗黄色吸
湿性固体として得られた。固体を氷冷リン酸塩緩衝液
(75ml;pH7.0)に溶解し、ジエチルエーテル50ml
部で2回洗浄した。水性層を45分間攪拌しながら減圧
に引き、逆相クロマトグラフィーにより精製した。精製
し、凍結乾燥した後、化合物X、9.63g(27.617ミリモ
ル、収率81.0%)が得られた。
実施例6および7 実施例1〜5に記載したと同様の手順を用い、上記反応
を行なった。化合物XIIが72%収率で得られ、化合物X
IVが61%収率で得られた。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】式、 (式中、AはC〜Cの直鎖または枝分れ鎖アルキレ
    ン基を表わし、Rは、低級アルキル基を表わし、R
    は水素又は低級アルキル基を表わし、 は環炭素原子でアルキレン基Aに結合し置換基Rによ
    り第4級化された窒素含有芳香族複素環を表わす) で表わされる第4級化カルバペネム誘導体の製造方法で
    あって、 1)式、 CFSO の低級アルキルトリフルオロメタンスルホネートを、 式、 のカルバペネム誘導体のアリルエステルに添加し、 2)前記カルバペネム誘導体のアリルエステルを、1.0
    〜1.5モル比のピロリジンおよび触媒量の配位ホスフィ
    ン配位子を有する有機可溶性パラジウム錯体と、不活性
    有機溶媒中で、−5℃〜30℃の温度で10分〜4時間
    反応させて、アリル部分を開裂させ、 3)得られたカルバペネム誘導体を回収することから成
    る第4級化カルバペネム誘導体の製造方法。
  2. 【請求項2】配位ホスフィン配位子を有する有機可溶性
    パラジウム錯体がテトラキス(トリフェニルホスフィ
    ン)パラジウム(O)である、特許請求の範囲第(1)項
    記載の方法。
  3. 【請求項3】0.01〜0.1モルのテトラキス(トリフェニ
    ルホスフィン)パラジウム(O)をアリルエステルの1
    モル当り使用する、特許請求の範囲第(2)項記載の方
    法。
  4. 【請求項4】テトラキス(トリフェニルホスフィン)パ
    ラジウム(O)を、遊離トリフェニルホスフィンの存在
    下に使用する、特許請求の範囲第(2)項記載の方法。
  5. 【請求項5】1.5〜5モルのトリフェニルホスフィンを
    テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム
    (O)の1モル当り使用する、特許請求の範囲第(4)項
    記載の方法。
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