JPH0638360B2 - 薄膜el表示装置の駆動方法 - Google Patents

薄膜el表示装置の駆動方法

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JPH0638360B2
JPH0638360B2 JP62066829A JP6682987A JPH0638360B2 JP H0638360 B2 JPH0638360 B2 JP H0638360B2 JP 62066829 A JP62066829 A JP 62066829A JP 6682987 A JP6682987 A JP 6682987A JP H0638360 B2 JPH0638360 B2 JP H0638360B2
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Description

【発明の詳細な説明】 <産業上の利用分野> 本発明は、交流駆動型容量性フラット・マトリックスデ
ィスプレイパネル、即ち薄膜EL(エレクトロ・ルミネ
ッセンス)表示装置の駆動回路に関するものである。
<発明の概要> 本発明は、EL層を互いに交叉する方向に配列した走査
側電極とデータ側電極との間に介設して構成し、前記デ
ータ側電極を奇数側と偶数側に分けて相互に両端から取
り出してなり、前記走査側電極には書き込み電圧または
OVが、前記データ側電極には変調電圧またはOVが印
加されてなる薄膜EL表示装置の駆動方法において、前
記データ側電極に変調電圧を印加し、該変調電圧の印加
による変調電流が前記EL層に流れ終わるまでの期間を
おいて、前記走査側電極に書き込み電圧を印加すること
により、書き込み駆動時にEL層に流れる電流を低減
し、データ側電極抵抗の電圧降下による横方向の各絵素
に生じる輝度むらを低減するものである。
<従来の技術> 例えば、二重絶縁型(又は三層構造)薄膜EL素子は次
のように構成される。
第5図のように、ガラス基板1の上にIn2O3よりなる帯
状の透明電極2を平行に設け、この上に例えばY2O3,Si
3N4,Al2O3等の誘電物質3、Mn等の活性剤をドープし
たZnSよりなるEL層4及び上記と同じくY2O3,Si3N
4,TiO2,Al2O3等の誘電物質3′を蒸着法,スパッタリ
ング法などの薄膜技術を用いて順次500〜10000Åの膜厚
に積層して3層構造にし、その上に上記透明電極2と直
交する方向にAl2O3よりなる帯状の背面電極5を平行に
設けている。
上記薄膜EL素子はその電極間に誘電物質3,3′で挾
持されたEL物質4を介在させたものであるから、等価
回路的に容量性素子と見ることができる。また、この薄
膜EL素子は第6図に示す電圧−輝度特性から明らかな
如く、200V程度の比較的高電圧を印加して駆動され
る。この薄膜EL素子は交流電界によって高輝度発光
し、しかも長寿命であるという特徴を有している。
従来、このような薄膜EL素子を用いた表示装置のため
本出願人は変調消費電力の低減を目的とし、走査側電極
の駆動回路として、データ側電極に対して負荷性の電圧
を印加するトランジスタと正極性の電圧を印加するトラ
ンジスタとからなる走査側ドライバーICを備え、デー
タ側電極の駆動回路としてEL層に変調電圧分を充電す
るトランジスタ及び放電するトランジスタと、それぞれ
のトランジスタの電流方向と逆向きにダイオードを接続
したデータ側ドライバーICを備え、データ側では表示
データに従って充電及び放電するトランジスタを用いて
変調駆動を行う一方、走査側ではNchのトランジスタ
とPchのトランジスタを用いてフィールド反転駆動を
行い、更には1走査線毎に絵素に加わる書き込み波形の
極性を反転させながら線順次駆動を行うことで、1水平
期間の駆動時間が短く、しかもEL層に対して対称性の
良い交流パルスが印加でき信頼性にも優れた駆動装置を
提案した。
<発明が解決しようとする問題点> しかしながら、上記駆動装置を実現する場合において、
データ側電極はIn2O3等の透明電極で構成されている
為、走査側電極のアルミに比べ比較的大きな抵抗をもっ
ており、データ側電極を奇数と偶数に分けて交互に両端
から取り出す構成にした薄膜EL表示装置の場合、薄膜
EL素子の両端部分ではデータ側ドライバーICの出力
より近い絵素と遠い絵素、つまりデータ側ドライバーIC
の出力から絵素までの電極抵抗が小さい絵素と大きい絵
素が横方向に配列されている構成になる。この構成にお
いて走査側から横1ラインに書き込み電圧を印加した場
合、データ側ドライバーICの出力が、同電位でも各絵
素に印加される実際の電圧はIn2O3の抵抗分による電圧
降下分の差を生じる。各絵素間の電位差はそのまま輝度
むらに影響し、表示品質を悪くするものである。
従来の駆動では、データ側から変調電圧を印加するタイ
ミングと走査側から書き込み電圧を印加するタイミング
がほぼ同時であった。変調電圧の印加時には、EL素子
の全容量が負荷となる為、横1本分の容量負荷である書
き込み電圧の印加時に比べかなり大きな電流が流れる。
この為、従来の駆動のように、変調駆動と書き込み駆動
を同時に行なった場合、データ側電極に流れる電流が大
きくなり電極抵抗の電圧降下による各絵素間の電位差も
大きく、従って輝度むらも大きいと言う問題点があっ
た。
そこで、本発明は書き込み電圧印加時、従来の駆動と同
様に変調電圧を印加し、データ側電位を固定しておくが
変調電圧を印加するタイミングは書き込み電圧の印加と
同時ではなく、それより早く印加しておき変調の電流が
EL層に流れ終り、つまり充電が終了後に走査側から書
き込み電圧を印加することにより、書き込み時のEL層
に流れる電流を低減しデータ側電極抵抗の電圧降下を原
因とする輝度むらをなくし、表示品質を向上させること
を目的とする。
<問題点を解決するための手段> 本発明は、EL層を互いに交叉する方向に配列した走査
側電極とデータ側電極との間に介設して構成し、前記デ
ータ側電極を奇数側と偶数側に分けて交互に両端から取
り出してなり、前記走査側電極には書き込み電圧または
OVが、前記データ側電極には変調電圧またはOVが印
加されてなる薄膜EL表示装置の駆動方法において、前
記データ側電極に変調電圧を印加し、該変調電圧の印加
による変調電流が前記EL層に流れ終わるまでの期間を
おいて、前記走査側電極に書き込み電圧を印加すること
を特徴とする。
<作用> 変調電流がEL層に流れ終った後で書き込み電圧を印加
することで書き込み電圧印加時にデータ側電極に、流れ
る電流が低減される。該電流が少なくなるとデータ側電
極抵抗による電圧降下も小さくなり各絵素に印加される
電圧がそろってくる為、輝度むらがなくなる。
<実施例> 以下、図面を用いて本発明の一実施例を詳細に説明す
る。
第1図は本発明の一実施例を示す駆動回路構成図であ
る。
10は発光しきい値電圧190V(Vw)の薄膜EL表
示装置を示し、この図ではX方向電極をデータ側電極と
し、Y方向電極を走査側電極として電極のみを示してい
る。
20,30は上記薄膜EL表示装置10のY方向電極の
奇数ラインと偶数ラインにそれぞれ対応する走査側高耐
圧ドライバーIC(第1スイッチング回路に相当し、以
下走査側ドライバーICと言う)であり、奇数ラインに
は、データ側電極に対して負極性の電圧を印加するトラ
ンジスタNToddおよび正極性の電圧を印加するトラ
ンジスタPToddが接続され、また、それぞれのトラ
ンジスタNPodd,PToddには逆方向に電流を流
すためのダイオードNDodd,PDoddが接続され
ている。また、偶数ラインには、データ側電極に対して
負極性の電圧を印加するトランジスタNTevenおよび正
極性の電圧を印加するトランジスタPTevenが接続さ
れ、またそれぞれのトランジスタNPeven,PTevenに
は逆方向に電流を流すためのダイオードNDeven,PD
evenが接続されている。21,31は上記各走査側ドラ
イバーIC20,30中のシフトレジスタ等の論理回路
である。
40,50は上記薄膜EL表示装置10のX方向電極に
対応するデータ側高耐圧ドライバーIC(第2スイッチ
ング回路に相当し、以下データ側ドライバーICと言
う)であり、各ラインには片側が変調電源に接続されプ
ルアップ機能を有するPchMOSFET,サイリス
タ,PNP型トランジスタなどのスイッチング素子UT
〜UTi(以下、単にトランジスタと言う)、片側が
接地されプルダウン機能を有するNchMOSFET,
サイリスタ,NPN型トランジスタなどのスイッチング
素子DT〜DTi(以下、単にトランジスタと言
う)、及びそれぞれのトランジスタUT,DTと逆方向
に電流を流すためのダイオードUD〜UDi,DD
DDiで構成され、それぞれが上記データ側ドライバー
IC40,50のシフトレジスタ等の論理回路41,5
1によって制御される。
100は上記走査側ドライバーIC20,30のプルダ
ウン共通線電位を切り換える回路(第3スイッチング回
路に相当)であり、制御信号“NSC”により負極性の
書き込み電圧−160V(−Vw+1/2Vm)とOV
に切り換えるスイッチSW1により構成されている。
200は上記走査側ドライバーIC20,30のプルア
ップ共通線電位を切り換える回路(第4スイッチング回
路に相当)であり、制御信号“PSC”により正極性の
書込み電圧220V(Vw+1/2Vm)とOVに切り
換えるスイッチSW2により構成されている。
300は制御信号“T2”によりスイッチSW4を“O
N”にしてコンデンサCmに1/2変調電圧30V(1
/2Vm)を充電し、充電後、制御信号“T2”により
スイッチSW4を“OFF”、制御信号“T1”,“T
3”によりスイッチSW3,W5を“ON”にすること
で、データ側ドライバーIC40に変調電圧60V(V
m)を供給する回路(第5スイッチング回路に相当)で
あり、制御信号“T3”により制御されるスイッチSW
5を通じてデータ側ドライバーIC40に接続される。
一方薄膜EL表示装置10が発光した後に制御信号“T
2”によりスイッチSW4を“ON”にすることで、上
記薄膜EL表示装置10に蓄積されたエネルギーの一部を
スイッチとしてのダイオードDrを通じて上記コンデン
サCmに電荷を蓄積する回路でもある。
400はデータ反転コントロール回路である。
次に第2図のタイムチャートを用いて、第1図の動作に
ついて説明する。
ここでは線順次駆動で絵素Aを含むYの走査電極が選
択走査電極として選択されるものとする。また、この駆
動装置では1ライン毎に絵素に印加される書き込み電圧
の極性を反転して駆動されるが、走査側選択電極に接続
されている上記走査側ドライバーIC20,30のプル
ダウン用トランジスタNTnのみを“ON”にして、そ
の電極ライン上の絵素に負の書き込みパルスを印加する
1ラインの駆動タイミングをN駆動タイミングと呼び、
一方、選択電極に接続されている上記走査側ドライバー
IC20,30のプルアップ用トランジスタPTnのみ
を“ON”にして、その電極ライン上の絵素に正の書き
込みパルスを印加する1ラインの駆動タイミングをP駆
動タイミングと呼ぶことにする。
データ側の駆動は、基本的には表示データ“DATA”
に従って、1水平期間の周期で各データ側ラインに印加
する電圧をVmとOVに切り換えることにより行なう。
次に、その切り換えるタイミングについて説明する。
第2図に示すように、1ラインのデータ転送後制御信号
“DLS”によってデータがラッチされ、そのラッチさ
れたデータにより、データ側ドライバーIC40のトラ
ンジスタUT,DTの“ON”,しても、すぐに変調電
圧Vmは印加されず、上記第5スイッチング回路300
により電位1/2Vmから電位Vmへと段階状の充電を行
ない、変調時の消費電力を3/4に低減し、かつ電位1
/2Vm時にEL層に蓄積されている電荷の一部をダイオ
ードDrを通じて外部コンデンサCmに充電し、次に変
調電圧Vmを印加するときの駆動エネルギーの一部とし
て再利用することによって、さらに変調時の消費電力を
低減している。
このような駆動回路の動作は、大きく分けてNPフィー
ルドとPNフィールドの2種類のタイミングから構成さ
れ、この2つのフィールドの実行を完了することによ
り、薄膜EL表示装置の全絵素に対して発光に必要な交
流パルスを閉じるものである。更に、それぞれのフィー
ルド(画面)はN駆動とP駆動の2種類のタイミングか
ら構成されており、NPフィールドでは走査側の奇数番
目選択ラインに対してN駆動をし、偶数番目選択ライン
に対してP駆動を実行する。またPNフィールドではそ
の逆の駆動をする。そして更にN駆動およびP駆動はそ
れぞれ放電期間と書き込み期間によって構成されてい
る。
次にそれぞれの駆動期間について説明する。
(A) NPフィールド 1. N駆動における放電期間(TN) 制御信号“NSC”,“PSC”によりスイッチSW
1,SW2を“OFF”にして共通線をOVにした後、
走査側ドライバーIC20,30の全トランジスタN
T,PTを“OFF”することにより走査側全電極をフ
ローティング状態とする。この時データ側では制御信号
“T1”,“T3”によりスイッチSW3,SW5を
“OFF”にし、制御信号“T2”によりスイッチSW
4を“ON”することで、EL層に蓄積された電荷の一
部がダイオードDrを通して、また1/2Vm電源から
ダイオードDmを通してコンデンサCmに充電される。
そして、データ側電極の選択絵素に接続された電極電位
は1/2Vmになる。この後、制御信号“DLS”が入
力され、データ側ドライバーIC40のトランジスタU
T,DTの“ON”,“OFF”が切り換わった時点で
制御信号“T3”によりスイッチSW5を“OFF”に
し、変調電源Vcc2をフローティングにする。それと同
時に走査側全トランジスタPT,NTを“ON”にする
と、EL層の電荷が放電して走査側電極電位はOVにな
る。
2. N駆動における書き込み期間(TN) データ側ドライバーIC40は上述のN駆動における放
電期間(TN)の駆動を継続し、上記第5スイッチン
グ回路300によって変調電源Vccは、制御信号“T
3”によりスイッチSW5を“ON”にし、フローティ
ングから電位1/2Vmに切り換え、次に制御信号“T
2”によりスイッチSW3を“OFF”、制御信号“T
1”によりスイッチSW4を“ON”にして電位Vmに
引き上げる。この変調電圧にVmによる充電電流が流れ
終った後、選択走査電極に接続されているドライバーの
みトランジスタNTnを“ON”し、他の走査側ドライ
バーIC20,30のトランジスタNT,PTは全て
“OFF”にする。同時に走査側ドライバーIC20,
30のプルアップ共通線には制御信号“PSC”により
スイッチSW2を“OFF”にしてOVを印加する。ま
た、走査側全ドライバーIC20,30のプルダウン共
通線には制御信号“NSC”によりスイッチSW1を
“ON”にすることにより負極性の書き込み電圧−Vw
+1/2Vmを印加する。
これにより、データ側の選択絵素を含む電極電位はVm
となる。これと同時に選択走査電極には負極性の書き込
み電圧−Vw+1/2Vmが印加されるため、選択絵素
にはVm−(−Vw+1/2Vm)=Vw+1/2Vmが
印加され発光する。また、非選択絵素はデータ側電極電
位がOVであり、上述のように選択走査電極には負極性
の書き込み電圧−Vw+1/2Vmが印加されるため、
非選択絵素にOV−(−Vw+1/2Vm)=Vw−1
/2Vmが印加されるが、発光しきい値電圧Vw以下な
ので発光しない。
また、走査側非選択電極ライン上の絵素については、走
査側電極がフローティングであるので、データ側の選択
電極と非選択電極の比率によってOVから60Vまで変
化する。
3. P駆動における放電期間(TP) 表示データの反転データに従ってデータ側ドライバーI
C40のトランジスタUT,DTを“ON”,“OFF”
させる以外は、NPフィールドN駆動における放電期間
(TN)と同様の駆動を行なう。
4. P駆動における書き込み期間(TP) データ側ドライバーIC40は上述のP駆動における放
電期間(TP)の駆動を継続し上記第5スイッチング
回路300によって、変調電源Vcc2は、制御信号“T
3”によりスイッチSW5を“ON”にし、フローティ
ングから電位1/2Vmに切り換え、次に制御信号“T
2”によりスイッチSW3を“OFF”、制御信号“T
1”によりスイッチSW4を“ON”にし、電位Vmに
引き上げる。この変調電圧Vmによる充電電流がEL層
に流れ終った後、選択走査電極に接続されているドライ
バーのみトランジスタTPnを“ON”し、他の走査側ド
ライバーIC20,30のトランジスタUT,PTは全
て“OFF”にする。同時に走査側ドライバーIC2
0,30のプルアップ共通線には制御信号“PSC”に
よりスイッチSW2を“ON”にして正極性の書き込み
電圧Vw+1/2Vmを印加する。また、走査側ドライ
バーIC20,30のプルダウン共通線には制御信号
“NSC”によりスイッチSW1を“OFF”にすること
によりOVを印加する。
これにより、データ側の選択絵素を含む電極電位はOV
となる。これと同時に選択操作電極には正極性の書き込
み電圧Vw+1/2Vmが印加されるため、選択絵素に
は(Vw+1/2Vm)−OV=Vw+1/2Vmが上
述のN駆動の書き込み電圧とは逆極性で印加され発光す
る。また、非選択絵素はデータ側電極電位がVmであ
り、上述のように選択走査電極には正極性の書き込み電
圧Vw+1/2Vmが印加されるため、非選択絵素には
(Vw+1/2Vm)−Vm=Vw−1/2Vmが印加
されるが発光しきい値電圧Vw以下なので発光しない。
(B) PNフィールド 5. P駆動における放電期間(TP) NPフィールドP駆動における放電期間(TP1)と同様
の駆動を行なう。
6. P駆動における書き込み期間(TP) 走査側の選択電極が奇数側から選択される以外は、NP
フィールドP駆動における書き込み期間(TP)と同
様の駆動を行なう。
7. N駆動における放電期間(TN) NPフィールドN駆動における放電期間(TN1)と同様
の駆動を行なう。
8. N駆動における書き込み期間(TN) 走査側の選択電極が偶数側から選択される以外は、NP
フィールドN駆動における書き込み期間(TN)と同
様の駆動を行なう。
ところで、従来の駆動ではデータ側から変調電圧を印加
するタイミングと走査側から書き込み電圧を印加するタ
イミングがほぼ同時であった。しかし、この実施例にお
ける駆動方法では、書き込み電圧印加時、データ側を変
調電圧でクランプしておくことは同じであるが、走査側
から書き込み電圧を印加するタイミングを、変調駆動よ
り後にし、しかも変調電流がEL層に流れ終った後(容
量性負荷である為一定時間充電電流が流れると電流は止
まる。)に行なっている。
第3図は、EL素子の等価回路を示すものである。
第4図は従来の駆動(a)と本発明の駆動(b)による各波形
の違いを示す図であるA点,B点は第3図のA点,B点
に相当する。第4図(a)に示すように従来の駆動では同
じ変調電圧であるVm(=60V)のデータ側電極X
1,X2に印加した場合でも、変調電圧Vmと書き込み
電圧(−Vw+1/2Vm)の印加が同タイミングである
為データ側電極X1,X2に流れる電流iと電極抵抗r
による電圧降下でB点の絵素に印加される電圧は、A点
の絵素より立ち上がり部分がなまった波形となる。この
為、B点の絵素はA点の絵素より輝度が暗くなる。
一方、第4図(b)に示すように本発明の駆動では第4図
(a)に示す電流と同じ変調電流iが流れ終わる期間の分
だけ遅らせている為、A点及びB点の絵素に印加される
電圧波形に変化はない。実際には書き込み電圧による電
流がこの時流れるがEL素子の全容量が負荷になる変調
電流に比べ横1ラインの容量が負荷となる書き込み電流
は、かなり小さな値で輝度にほとんど影響をあたらない
程度である。
<発明の効果> 以上のように本発明によれば、薄膜EL素子のデータ側
電極の抵抗による電圧降下を原因とする輝度むらが著し
く低減でき表示品質を向上することが可能となる有用な
薄膜EL表示装置の駆動方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す薄膜EL表示装置の駆
動回路図、第2図は第1図の動作を説明するタイムチャ
ート、第3図はEL素子の等価回路、第4図(a)は従来
駆動の各波形を示す波形図、第4図(b)は本発明による
駆動回路の波形を示す波形図、第5図は薄膜EL表示装
置の一部切欠き斜視図、第6図は薄膜EL表示装置の印
加電圧に対する輝度特性を示す図である。 10……薄膜EL表示装置、20,30……走査側高耐
圧ドライバーIC(第1スイッチング回路)、40……
データ側高耐圧ドライバーIC(第2スイッチング回
路)、100……走査側高耐圧ドライバーのプルダウン
共通線電位切換回路(第3スイッチング回路)、200
……走査側高耐圧ドライバーのプルアップ共通線電位切
換回路(第4スイッチング回路)、300……変調電圧
ステップ充電回路(第5スイッチング回路)、400…
…データ反転コントロール回路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 原田 茂幸 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−143096(JP,A)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】EL層を互いに交叉する方向に配列した走
    査側電極とデータ側電極との間に介設して構成し、前記
    データ側電極を奇数側と偶数側に分けて交互に両端から
    取り出してなり、前記走査側電極には書き込み電圧また
    はOVが、前記データ側電極には変調電圧またはOVが
    印加されてなる薄膜EL表示装置の駆動方法において、 前記データ側電極に変調電圧を印加し、該変調電圧の印
    加による変調電流が前記EL層に流れ終わるまでの期間
    をおいて、前記走査側電極に書き込み電圧を印加するこ
    とを特徴とする薄膜EL表示装置の駆動方法。
JP62066829A 1987-03-20 1987-03-20 薄膜el表示装置の駆動方法 Expired - Lifetime JPH0638360B2 (ja)

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