JPH0683284A

JPH0683284A - Ｅｌ表示装置

Info

Publication number: JPH0683284A
Application number: JP4237042A
Authority: JP
Inventors: Kyoichi Yamamoto; 恭一山本; Shigeyuki Harada; 茂幸原田
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1992-09-04
Filing date: 1992-09-04
Publication date: 1994-03-25

Abstract

(57)【要約】【目的】薄膜ＥＬ(エレクトロ・ルミネッセンス)素子
を表示パネルとするＥＬ表示装置の印加電圧−輝度特性
の変化を抑えて、信頼性を向上させる。【構成】薄膜ＥＬ素子１０は、複数の走査側電極Ｙ₁
〜Ｙiと複数のデータ側電極Ｘ₁〜Ｘiとの間に発光層を
有しており、書込み電圧供給ライン４００を通して走査
側電極Ｙ₁〜Ｙiに書込み電圧パルスが線順次に印加され
る。書込み電圧供給ライン４００に流れる電流の大きさ
を検出する電流検知部１１１を備える。また、電流検知
部１１１が検出した電流値が大きいときは、書込み電圧
のパルス幅を狭くする一方、電流検知部１１１が検出し
た電流値が小さいときは上記書き込み電圧のパルス幅を
広くする制御を行うパルス幅調整部１１２を備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、ＥＬ(エレクトロル
ミネッセンス)表示装置に関し、より詳しくは、交流駆
動型容量性フラットマトリックスディスプレイパネルな
どの表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種のＥＬ表示装置は、図１３に示す
ように、二重絶縁型(または三層構造)薄膜ＥＬ素子から
なる表示パネル１０と、走査側高耐圧ＭＯＳドライバＩ
Ｃ(インテグレーテッド・サーキット)２０,３０,４０,
５０と、データ側ドライバＩＣ６０と、ソース電位切換
え回路８０,９０と、データ反転回路１００を備えてい
る。上記薄膜ＥＬ素子１０は、図１１に示すように、ガ
ラス基板１の上にＩn₂Ｏ₃からなる帯状の透明電極２を
平行に有している。この上に、例えばＹ₂Ｏ₃、Ｓi
₃Ｎ₄、ＳiＯ₂、ＴiＯ₃、Ａl₂Ｏ₃などからなる誘電物質
層３、Ｍnなどの活性剤をドープしたＺnＳからなるＥＬ
層４および上述したのと同じＹ₂Ｏ₃、Ｓi₃Ｎ₄、Ｓi
Ｏ₂、ＴiＯ₃、Ａl₂Ｏ₃などからなる誘電物質層３aが、
蒸着法、スパッタリング法のような薄膜技術を用いて順
次５００〜１０,０００Åの膜厚に積層されている(３層
構造)。その上に、上記透明電極２と直交する方向にＡl
などからなる帯状の背面電極５が平行に設けられてい
る。上記薄膜ＥＬ素子１０は、その電極２,５間に誘電
物質３,３aで挟持されたＥＬ層４を介在させたものであ
るから、等価回路的には容量性素子と見ることができ
る。また、この薄膜ＥＬ素子１０は、図１２に符号loで
示すような電圧−輝度特性(Ｌ−Ｖ特性)を示し、発光し
きい電圧ＶthがＶw(＝１９０Ｖ)より高い電圧であるも
のとする。したがって、この薄膜ＥＬ素子は２００Ｖ程
度の比較的高電圧を印加して駆動される。

【０００３】このＥＬ表示装置では、薄膜ＥＬ素子１０
の透明電極２,背面電極５の一方を走査側電極Ｙ₁〜Ｙ
i、他方をデータ側電極Ｘ₁〜Ｘiとする。すなわち、Ｎ
チャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ２０,３０およびＰ
チャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ４０,５０からなる
走査側駆動回路によって線順次に選択された走査側電極
Ｙに書込み電圧を印加すると同時に、同じくＮチャネル
高耐圧ＭＯＳドライバＩＣおよびＰチャネル高耐圧ＭＯ
ＳドライバＩＣからなるデータ側駆動回路６０によって
データ側電極Ｘに発光・非発光を決める表示データに応
じた変調電圧を印加することによって表示駆動が行われ
る。その表示駆動においては、薄膜ＥＬ素子１０が容量
性素子であることを考慮して走査側電極Ｙに正極性の書
込み電圧を印加するＰ駆動と、負極性の書込み電圧を印
加するＮ駆動とをフレーム毎に交互に行う交流駆動が採
用される。

【０００４】ソース電位切換え回路８０は、制御信号Ｐ
ＳＣによってオン,オフ制御されるＭＯＳＦＥＴ(電界効
果トランジスタ)らなる電圧切換え用スイッチＳＷ₁を有
している。このスイッチＳＷ₁の動作によって、上記走
査側Ｐチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ４０,５０の
全ＰチャネルＭＯＳトランジスタＰＴ₁〜ＰＴiのソース
電位を正極性の書込み電圧Ｖw＋Ｖm(＝２５０Ｖ)と０Ｖ
とに切り換えることができる。一方、ソース電位切換え
回路９０は、制御信号ＮＳＣによってオン,オフ制御さ
れるＭＯＳＦＥＴからなる電圧切換え用ＳＷ₂を有して
いる。このスイッチＳＷ₂の動作によって、上記走査側
Ｎチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ２０,３０の全Ｎ
チャネルＭＯＳトランジスタＮＴ₁〜ＮＴiのソース電位
を負極性の書込み電圧−Ｖw(＝−１９０Ｖ)と０Ｖとに
切り換えることができる。スイッチＳＷ₁,ＳＷ₂を、バ
イポーラ・トランジスタではなくＭＯＳＦＥＴで構成し
ている理由は、ＭＯＳＦＥＴの方がパルス動作時の通電
能力(飽和電流)を大きくでき、この結果、薄膜ＥＬ素子
１０に電圧を高速に印加して発光時間を確保できるから
である。例えば、パルス幅１msecで比較すると、バイポ
ーラ・トランジスタではコレクタ・エミッタ間電圧Ｖce
＝１００Ｖのとき飽和電流Ｉc＝０.３mＡ程度が得られ
るのに対して、ＭＯＳＦＥＴではソースドレイン間電圧
Ｖds＝１００Ｖのとき飽和電流Ｉd＝１２Ａ程度が得ら
れる。

【０００５】データ反転回路１００は、データ側ドライ
バＩＣ６０に入力されるデータＤＡＴＡを制御信号ＲＶ
Ｃによって反転処理するための回路であり、排他的論理
和ゲートなどによって構成されている。

【０００６】上記ＥＬ表示装置に適用される従来の駆動
方法では、Ｐ駆動時の書込み電圧として発光しきい電圧
より低い電圧Ｖw(＝＋１９０Ｖ)に一定電圧Ｖmを加えた
電圧Ｖw＋Ｖmが設定され、Ｎ駆動時の書込み電圧として
負極性の一定電圧−Ｖwが設定される。また、この場合
の電圧Ｖmとして６０Ｖが設定される。したがって、Ｐ
駆動時の書込み電圧はＶw＋Ｖm＝１９０Ｖ＋６０Ｖ＝２５０Ｖ …(１) であり、Ｎ駆動時の書込み電圧は −Ｖw＝−１９０Ｖ …(２) となっている。

【０００７】一方、変調電圧については、発光表示に相
当する変調電圧としてＰ駆動時には０Ｖ、Ｎ駆動時には
Ｖm(＝６０Ｖ)の電圧が設定され、また非発光表示に相
当する変調電圧としてＰ駆動時にはＶm(＝６０Ｖ)、Ｎ
駆動時には０Ｖの電圧が設定される。したがって、絵素
には走査側電極の電位を基準にして発光表示においてＰ
駆動時に０Ｖ−Ｖw＝０Ｖ−２５０Ｖ＝−２５０Ｖ …(３) の電圧が印加され、Ｎ駆動時にＶm−Ｖw＝６０Ｖ−(−１９０Ｖ)＝−２５０Ｖ …(４) の電圧が印加される。また、非発光表示においてＰ駆動
時にＶm−(Ｖw＋Ｖm)＝６０Ｖ−２５０Ｖ＝−１９０Ｖ …(５) の電圧が印加され、Ｎ駆動時に０Ｖ−Ｖw＝０Ｖ−(−１９０Ｖ)＝＋１９０Ｖ …(６) の電圧が印加される。なお、図１２では、上記各電圧Ｖ
w、Ｖm、(Ｖw＋Ｖm)を横軸の対応する位置に記してい
る。

【０００８】このように、非発光絵素には、発光しきい
電圧Ｖth以下の電圧Ｖwが印加され、発光絵素には、Ｖt
hを超える電圧Ｖw'(＝Ｖw＋Ｖm)が印加される(このよう
にＶwまたは(Ｖw＋Ｖm)を印加するやり方については、
特開昭６３−１６８９９８号公報などに詳しく述べられ
ている。)。この時、発光絵素に印加される電圧Ｖw'と
非発光表示に印加される電圧Ｖwとの差(Ｖw'−Ｖw)(＝
Ｖm)を変調電圧Ｖmと称する。

【０００９】なお、従来、i番目のＸ電極とj番目のＹ電
極の交点の絵素に印加される印加電圧のパルス幅は、図
示しないクロックに基づいて、一定の幅に設定されてい
る。

【００１０】また、一般に、薄膜ＥＬ素子のＬ−Ｖ特性
は、Ｖthを超える印加電圧(この場合は(Ｖw＋Ｖm))が印
加され発光を呈した累積時間が増すにつれて、高電圧側
へシフトすることが知られている(例えば、特公昭６１
−３９７１８号公報)。つまり、図１２において、初期
のＬ−Ｖ特性を表わす曲線loに対し、一定の累積時間発
光を呈した後のＬ−Ｖ特性を表わす曲線はlo'となる。
この特性シフトの結果、(Ｖw＋Ｖm)なる電圧を印加した
発光絵素(初期にはＬoなる輝度を呈していた)は、一定
の累積時間の後にはＬo'(＜Ｌo)なる輝度を呈すること
になり、次第に輝度が低下する。したがって、輝度の低
下を防止する観点からは、発光絵素に印加される電圧が
できるだけ高電圧側になってＬ−Ｖ特性曲線の傾きのゆ
るやかな領域に達するように、変調電圧を大きくとるこ
とが望ましい(輝度の値そのものが大きくなる。)。とこ
ろが、先に述べたように、薄膜ＥＬ素子１０は容量性素
子という一面をもつため、変調駆動に要する消費電力
(全体の５０％以上を占める)は、変調電圧Ｖmの自乗Ｖm
²に比例する。したがって、消費電力を低減する観点か
らは、変調電圧を小さくすることが望ましい。通常、上
記２つの相反する要請の折中として、変調電圧Ｖmは３
０〜７０Ｖの間に設定されている(上の例では６０Ｖで
あった)。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】ところで、図１１に示
した薄膜ＥＬ素子１０については、そのＥＬ層４の材料
やドープ剤を変えたり、このＥＬ層を挾持する誘電体層
３,３aの材料を変えたり、あるいは３層の膜厚構成を変
えるなどして、発光効率が高くかつ高輝度な特性を実現
すべく研究・改良の努力が続けられている。このような
高発光効率で高輝度特性のＥＬ素子が実現した場合、図
６に示すように、そのＬ−Ｖ特性は曲線l₁で表わされる
としよう。この場合、曲線l₂で表わされる通常のＥＬ素
子に比して小さい変調電圧Ｖm'(＜Ｖm)で、より高い発
光輝度を得ることができ、したがって、消費電力を少な
くすることができる。しかしながら、一定累積時間後の
輝度変化(Ｌ₁′−Ｌ₁)は、曲線loで表わされる特性をも
つ素子の輝度変化(Ｌo′−Ｌo)に比して、はるかに大き
いという問題が生じる。

【００１２】そこで、この発明は、この問題点を解決
し、高発光効率で高輝度特性を有する薄膜ＥＬ素子の輝
度の低下を有効に防止して、信頼性を高めることができ
るＥＬ表示装置を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、第１の発明は、互いに交差する方向に配列した複数
の走査側電極と複数のデータ側電極との間に発光層を有
する薄膜ＥＬ素子と、上記データ側電極に発光表示およ
び非発光表示に対応する変調電圧を印加するデータ側駆
動回路と、電圧切換え用スイッチを有し、上記走査側電
極につながる書込み電圧供給ラインに駆動モードに応じ
て異なるレベルの書込み電圧を供給する電位切換え回路
と、上記書込み電圧供給ラインに設けられ、上記走査側
電極に書込み電圧パルスを線順次に印加する走査側駆動
回路を備えて、上記走査側電極とデータ側電極との交差
部からなる各絵素に対して発光表示時には発光層の発光
しきい電圧を超える電圧を印加して駆動し、非発光表示
時には発光しきい電圧以下の電圧を印加して駆動するよ
うにしたＥＬ表示装置において、上記書込み電圧供給ラ
インに流れる電流の大きさを検出する電流検知部と、上
記電流検知部が検出した電流値が大きいときは、上記書
込み電圧のパルス幅を狭くする一方、上記電流検知部が
検出した電流値が小さいときは上記書き込み電圧のパル
ス幅を広くする制御を行うパルス幅調整部を備えたこと
を特徴としている。

【００１４】また、第２の発明は、互いに交差する方向
に配列した複数の走査側電極と複数のデータ側電極との
間に発光層を有する薄膜ＥＬ素子と、上記データ側電極
に発光表示および非発光表示に対応する変調電圧を印加
するデータ側駆動回路と、電圧切換え用スイッチを有
し、上記走査側電極につながる書込み電圧供給ラインに
駆動モードに応じて異なるレベルの書込み電圧を供給す
る電位切換え回路と、上記書込み電圧供給ラインに設け
られ、上記走査側電極に書込み電圧パルスを線順次に印
加する走査側駆動回路を備えて、上記走査側電極とデー
タ側電極との交差部からなる各絵素に対して発光表示時
には発光層の発光しきい電圧を超える電圧を印加して駆
動し、非発光表示時には発光しきい電圧以下の電圧を印
加して駆動するようにしたＥＬ表示装置において、上記
電位切換え回路の電圧切換え用スイッチは、バイポーラ
・トランジスタからなることを特徴としている。

【００１５】

【作用】第１の発明のＥＬ表示装置では、電流検知部が
書込み電圧供給ラインに流れる電流の大きさを検出す
る。そして、パルス幅調整部が、上記電流検知部が検出
した電流値が大きいときは、上記書込み電圧のパルス幅
を狭くする一方、上記電流検知部が検出した電流値が小
さいときは上記書き込み電圧のパルス幅を広くする制御
を行う。すなわち、書込み電圧の波高値が高い程、その
パルス幅が狭くなる。また、薄膜ＥＬ素子の発光に伴う
上記電流値が大きくなる程、パルス幅が狭くなる。した
がって、薄膜ＥＬ素子が高発光効率で高発光輝度を呈す
る程、上記パルス幅が狭くなる。この結果、高発光効率
で高発光輝度を示す薄膜ＥＬ素子の高電圧側でのＬ−Ｖ
特性曲線を緩慢にする事で、その発光累積時間による輝
度の低下が抑制され、信頼性が高まる。

【００１６】第２の発明のＥＬ表示装置では、電位切換
え回路の電圧切換え用スイッチがバイポーラ・トランジ
スタからなるので、従来に比して、パルス動作時の飽和
電流が１桁程度小さいものを選択することが可能とな
る。この場合、書込み電圧のパルス幅を実効的に減少さ
せることができる。特に、薄膜ＥＬ素子が高発光効率で
高発光輝度を呈する程、発光電流が大きくなることか
ら、書込み電圧パルスの立ち上がり波形を有効に鈍らせ
ることができる。したがって、高発光効率で高発光輝度
を示す薄膜ＥＬ素子の高電圧側でのＬ−Ｖ特性曲線を緩
慢にする事で、その発光累積時間による輝度の低下が抑
制され、信頼性が高まる。

【実施例】

【００１７】以下、この発明のＥＬ表示装置を実施例に
より詳細に説明する。図１はこの発明の一実施例のＥＬ
表示装置を示している。このＥＬ表示装置は、発光しき
い電圧ＶthがＶw(＝１９０Ｖ)より高い値をもつ薄膜Ｅ
Ｌ素子１０からなる表示パネルを備えている(簡単のた
め、図１３に示した従来のものと同一の構成部品は同一
符号で示している)。表示パネル１０は、Ｘ方向に並ぶ
データ側電極Ｘ₁〜Ｘiと、Ｙ方向に並ぶ走査側電極Ｙ₁
〜Ｙiを有している。また、走査側高耐圧ＭＯＳドライ
バＩＣ２０,３０,４０,５０と、データ側ドライバＩＣ
６０と、ソース電位切換え回路８０,９０と、データ反
転回路１００を備えている。

【００１８】走査側Ｎチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩ
Ｃ２０,３０は走査側電極の奇数ラインおよび偶数ライ
ンにそれぞれ対応付けられるプルダウン駆動回路であ
り、プルダウンスイッチング素子であるＮチャネルＭＯ
ＳトランジスタＮＴ₁〜ＮＴiやシフトレジスタなどの論
理回路２１,３１が含まれる。

【００１９】走査側Ｐチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩ
Ｃ４０,５０は走査側電極の奇数ラインおよび偶数ライ
ンにそれぞれ対応付けられるプルアップ駆動回路であっ
て、プルアップスイッチング素子であるＰチャネルＭＯ
ＳトランジスタＰＴ₁〜ＰＴiやシフトレジスタなどの論
理回路４１,５１が含まれる。

【００２０】データ側ドライバＩＣ６０はデータ側電極
に対応付けられるプッシュプル駆動回路であって、一方
の端子を電圧がＶm(＝６０Ｖ)の電源側に接続したプル
アップ機能を有するトランジスタＵＴ₁〜ＵＴi、一方の
端子を接地したプルダウン機能を有するトランジスタＤ
Ｔ₁〜ＤＴi、これらのトランジスタと逆方向に電流を流
すためのダイオードＵＤ₁〜ＵＤi、ＤＤ₁〜ＤＤiおよび
上記各トランジスタをオン・オフ制御するシフトレジス
タなどの論理回路７０が含まれる。

【００２１】ソース電位切換え回路８０は、上記走査側
Ｐチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ４０,５０の全Ｐ
チャネルＭＯＳトランジスタＰＴ₁〜ＰＴiのソース電位
を正極性の書込み電圧Ｖw＋Ｖm(＝２５０Ｖ)と０Ｖとに
切り換えるための回路であって、制御信号ＰＳＣによっ
て開閉するＭＯＳＦＥＴからなるスイッチＳＷ₁と、、
放電用ダイオードＤＤ₈₀によって構成されている。

【００２２】ソース電位切換え回路９０は、上記走査側
Ｎチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ２０,３０の全Ｎ
チャネルＭＯＳトランジスタＮＴ₁〜ＮＴiのソース電位
を負極性の書込み電圧−Ｖw(＝−１９０Ｖ)と０Ｖとに
切り換えるための回路であって、制御信号ＮＳＣによっ
て開閉するＭＯＳＦＥＴからなるスイッチＳＷ₂と、放
電用ダイオードＤＤ₉₀によって構成されている。

【００２３】データ反転回路１００は、データ側ドライ
バＩＣ７０に入力されるデータＤＡＴＡを制御信号ＲＶ
Ｃによって反転処理するための回路であり、排他的論理
和ゲートなどによって構成されている。

【００２４】電流−パルス位相調整回路２００は、書込
み電圧のライン４００に流れる電流を検地する電流検知
部１１１と、この電流検知部１１１が検知した電流の大
きさに基づいて制御信号ＮＣＬ′の位相を調整するパル
ス幅調整部１１２からなっている。詳しくは、パルス幅
調整部１１２は、信号ＰＳＣのタイミングを基準として
信号ＮＣＬの位相をずらした制御信号ＮＣＬ′を発生す
る。検出した電流値が大きいときは、制御信号ＰＳＣが
ハイレベル(以下、「Ｈレベル」という。)になってから制
御信号ＮＣＬ'がＨレベルになるまでの時間を短くする
一方、検出した電流値が小さいときは、制御信号ＰＳＣ
がＨレベルになってから制御信号ＮＣＬ′がＨレベルに
なるまでの時間を長くする。これらの制御信号ＮＣＬ,
ＮＣＬ′は、ＡＮＤ(論理積)回路３００によって合成さ
れ、トランジスタＮＴ₁〜ＮＴiのオン,オフ制御に用い
られる。これにより、書込み電圧パルスの波高値が大き
い程、そのパルス幅が小さくなる。

【００２５】上記ＥＬ表示装置の表示パネル１０におけ
る走査側電極Ｙ₁上の絵素Ａおよび走査側電極Ｙ₂上の絵
素Ｂは、図２に示すタイミングチャートにしたがって駆
動される。なお、ここでは１走査ライン毎に絵素に印加
する電圧の極性を反転させるライン反転駆動を行うが、
以下の説明では走査側電極Ｙに正極性の書込み電圧Ｖw
＋Ｖmを印加する１走査ラインの駆動をＰ駆動と呼び、
走査側電極Ｙに負極性の書込み電圧−Ｖwを印加する１
走査ラインの駆動をＮ駆動と呼ぶものとする。

【００２６】図２のタイミングチャートにおいて、符号
Ｈ(上段に示す)は水平同期信号を示し、その波形のＨレ
ベルの期間はデータ有効期間を示している。符号Ｖは垂
直同期信号を示し、この信号の立ち上がり時点から１フ
レームの駆動が開始される。符号ＤＬＳはデータラッチ
信号を示し、この信号は１走査ライン分のデータ転送が
終了した後に出力される。符号ＲＶＣはデータ反転信号
を示し、その波形はＰ駆動を行う１走査ライン分のデー
タ転送期間にＨレベルとなり、この期間中のデータを全
て反転させる。符号ＤＡＴＡは表示データの信号を示
し、符号Ｄ₁〜Ｄiはデータ側ドライバＩＣ６０のトラン
ジスタＵＴ₁〜ＵＴi、ＤＴ₁〜ＤＴiに入力されるデータ
を示している。その他の信号ＮＳＣ〜ＰＤＡＤＡの意味
は表１に説明している。

【表１】

【００２７】データ側の駆動は、基本的には表示データ
に応じて水平期間の周期で各データ側電極Ｘ₁〜Ｘiに印
加する変調電圧を、Ｖm(＝６０Ｖ)と０Ｖに切り換える
ことによって行われる。なお、表示データはＨレベルが
発光に、ローレベル(以下「Ｌレベル」という。)が非発光
に対応付けられている。

【００２８】次に、その変調電圧の切換えタイミングを
図３(a)を参照して説明する。図３(a)は論理回路７０の
内部構成を示している。この論理回路７０では、ある走
査ラインの駆動が実行されている期間に、データ反転コ
ントロール回路１００によってもたらされる次の走査ラ
インの表示データＤＡＴＡと制御信号ＲＶＣとの排他的
論理和出力(ＤＡＴＡ)＊(ＲＶＣ)が順次、１走査ライン
分の記憶容量を持つシフトレジスタ７１に入力される。
シフトレジスタ７１に入力されたデータは、１走査ライ
ン分のデータ転送終了後に入力される信号ＤＬＳによっ
てラッチ回路７２に取り込まれ、以後、その駆動タイミ
ングの終了時までラッチ回路７２に記憶される。このラ
ッチ回路７２の出力によってトランジスタＵＴ₁〜ＵＴ
i、ＤＴ₁〜ＤＴiのオン・オフが制御され、その結果、
データ側電極Ｘ₁〜Ｘiの電圧は信号ＤＬＳの入力毎に１
水平期間の周期で切り換わることになる。

【００２９】また、データ反転コントロール回路１００
に入力される制御信号ＲＶＣは、Ｐ駆動を実行する走査
ラインのデータ転送期間中にＨレベルとなり、この期間
中にデータ反転コントロール回路１００に入力される表
示データＤＡＴＡを反転させるための信号である。この
ようにＰ駆動時の表示データＤＡＴＡを反転させるのは
以下の理由による。すなわち、Ｐ駆動ではＰチャネル高
耐圧ＭＯＳドライバＩＣ４０,５０のトランジスタをオ
ンにし選択された走査側電極Ｙの電位をＶw＋Ｖmに引き
上げる一方、選択されたデータ側電極Ｘつまり発光させ
るべき絵素を含むデータ側電極Ｘの電位を０Ｖに設定す
ることによって、その選択データ側電極Ｘと選択走査側
電極Ｙとの交差部の絵素に電圧が印加され発光駆動が行
われる。このとき、絵素に印加される上記電圧は、走査
電極側を基準として０Ｖ−(Ｖw＋Ｖm)＝０Ｖ−２５０Ｖ＝−２５０Ｖ …(７) である。一方、非選択データ側電極Ｘ、つまり、発光さ
せない絵素を含むデータ側電極Ｘの電位はＶm(＝６０
Ｖ)に設定され、この非選択データ側電極Ｘと上記設定
走査側電極Ｙの交差部の絵素には電圧Ｖm−(Ｖw＋Ｖm)
が印加される。すなわち、絵素に印加される上記電圧はＶm−(Ｖw＋Ｖm)＝６０Ｖ−２５０v＝−１９０Ｖ …(８）と発光しきい電圧Ｖｔｈ以下になり、その絵素は発光し
ない。このような駆動を実行するために、選択データ側
電極Ｘnに接続されているトランジスタＵＴnはオフ、ト
ランジスタＤＴnはオンにそれぞれ設定される。また、
非選択データ側電極Ｘmに接続されているトランジスタ
ＵＴmはオン、トランジスタＤＴmはオフにそれぞれ設定
される。つまり、選択データ側電極Ｘnに対応する入力
データＤnはＬレベル、非選択データ側電極Ｘmに対応す
る入力データＤmはＨレベルと設定しなければならな
い。この場合のレベルはデータ反転コントロール回路１
００に入力される表示データＤＡＴＡのレベルとは逆の
関係になる。そこで、このときの表示データＤＡＴＡを
反転するために制御信号ＲＶＣを必要とするのである。

【００３０】以上の駆動によるデータ側電極Ｘ₂への印
加波形を、データ側Ｘ₂として図２に示している。

【００３１】次に、走査側の駆動を図３(b),(c)を参照
して説明する。図３(b)はＮチャネル高耐圧ＭＯＳドラ
イバＩＣ２０,３０の内部構成を示し、同図(c)はＰチャ
ネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ４０,５０の内部構成を
示している。また、Ｎチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩ
Ｃ２０,３０の論理回路の真理値表を表２に、Ｐチャネ
ル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ４０,５０の論理回路の真
理値表を表３に示す。

【表２】

【表３】

【００３２】上記Ｎチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ
２０,３０およびＰチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ
４０,５０は相補型の回路構成からなり、論理は全て互
いに逆になるが構成は同一となっている。ここではＮチ
ャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ２０,３０についての
み説明する。

【００３３】シフトレジスタ１１０は選択走査ラインを
記憶しておくための回路であり、クロック信号ＣＬＯＣ
ＫがＨレベルの期間で転送用データＮＤＡＴＡを取り込
み、クロック信号ＣＬＯＣＫがＬレベルの期間でそのデ
ータを転送する機能を持つ。転送用データＮＤＡＴＡ
は、図２に示すように、１フレームに１回、すなわち、
垂直同期信号Ｖの立ち上がりの後に入力される最初のク
ロック信号ＮＳＴodd,ＮＳＴevenがＨレベルの期間だけ
Ｌレベルとなる信号である。また、このＥＬ表示装置で
は、クロック信号ＣＬＯＣＫとして、奇数側Ｎチャネル
高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ２０には信号ＮＳＴoddが、
偶数側Ｎチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ３０には信
号ＮＳＴevenがそれぞれ入力される。図２に示したよう
に２回の水平期間に対して１回の割合でクロック信号Ｎ
ＳＴodd,ＮＳＴevenを入力するのは、１走査ライン毎に
Ｎ駆動とＰ駆動を交互に繰り返すためである。その結
果、Ｎチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ２０,３０に
入力するクロック信号ＣＬＯＣＫとＰチャネル高耐圧Ｍ
ＯＳドライバＩＣ４０,５０に入力するクロック信号Ｃ
ＬＯＣＫの位相は、１水平期間分ずらされる。また、奇
数の走査ラインに対してＮ駆動が実行されるフィールド
をＮＰフィールド、偶数の走査ラインに対してＮ駆動が
実行されるフィールドをＰＮフィールドと呼ぶものとす
ると、ＮＰフィールドでは信号ＮＳＴoddのみが、ま
た、ＰＮフィールドでは信号ＮＳＴevenのみがクロック
信号としてそれぞれ対応するシフトレジスタ１１０に入
力される。

【００３４】論理回路１２０は、入力される２つの信号
ＮＳＴ, ＮＣＬで、Ｎチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩ
Ｃ２０,３０のトランジスタＮＴ₁〜ＮＴiをシフトレジ
スタ１１０のデータに応じて３つの状態に切り換えるた
めの回路であり、その論理は表２の真理値に従う。

【００３５】以上の動作を表４に示す。

【表４】

【００３６】つまり、この薄膜ＥＬ表示装置の動作は、
上述した通り大きく分けてＮＰフィールドとＰＮフィー
ルドの２種類のタイミングで行われ、この２つのフィー
ルドの実行を完了することにより、全絵素に対して発光
に必要な交流パルスを閉じるものである。さらに、それ
ぞれのフィールドではＰ駆動とＮ駆動の２種類の駆動が
行われ、ＮＰフィールドでは奇数番目の選択走査ライン
に対してＮ駆動が、偶数番目の選択走査ラインに対して
Ｐ駆動が実行され、ＰＮフィールドではその逆の駆動が
実行される。また、Ｎ駆動およびＰ駆動は、それぞれ変
調期間と書込み期間とを持つ。変調期間として約１０μ
secを、また、書込み期間として３０μsecをそれぞれ与
えることによって、１水平期間は約４０μsecに設定さ
れる。

【００３７】表４におけるＮchソース電位およびＰchソ
ース電位は、図１に示したＮチャネル高耐圧ＭＯＳドラ
イバＩＣ２０,３０およびＰチャネル高耐圧ＭＯＳドラ
イバＩＣ４０,５０のトランジスタのソース電位であ
り、ＮＰフィールドおよびＰＮフィールドにおいて絵素
を発光させ得る完全対称交流波形の電圧を印加するのに
必要とされる。

【００３８】また、信号ＮＳＣは、Ｎチャネル高耐圧Ｍ
ＯＳドライバＩＣ２０,３０に対するソース電位切換え
回路９０の制御信号であり、この信号がＨレベルのと
き、つまりソース電位切換え回路９０のスイッチＳＷ₂
がオンのときソース電位は−Ｖw(＝−１９０Ｖ)とな
り、スイッチＳＷ₂がオフのときソース電位は０Ｖとな
る。

【００３９】信号ＰＳＣは、Ｐチャネル高耐圧ＭＯＳド
ライバＩＣ４０,５０に対するソース電位切換え回路８
０の制御信号であり、この信号がＨレベルのとき、つま
りソース電位切換え回路８０のスイッチＳＷ₁がオンの
ときソース電位はＶw＋Ｖm(＝２５０Ｖ)となり、スイッ
チＳＷ₁がオフのときソース電位は０Ｖとなる。

【００４０】表４における符号ＮＴoddは、ドライバＩ
Ｃ２０内のトランジスタ、符号ＮＴevenはドライバＩＣ
３０内のトランジスタ、符号ＰＴoddはドライバＩＣ４
０内のトランジスタであり、オン・オフは各タイミング
におけるそれらのトランジスタのオン・オフ動作を示し
ている。ただし、(オン)のように括弧を付したものは、
選択走査ラインに対応するトランジスタのみがオンとな
ることを意味している。これらのトランジスタのオン・
オフ、(オン)を制御するのが信号ＮＣＬodd, ＮＳＴod
d, ＮＣＬeven, ＮＳＴeven, ＰＣＬodd, ＰＳＴodd,
ＰＣＬeven, ＰＳＬevenであり、各タイミングでのそれ
ぞれの論理は表４に示す通りである。

【００４１】また、変調期間では、信号ＮＳＣ, ＰＳＣ
によりスイッチＳＷ₁, ＳＷ₂がオフとなって、走査側の
ドライバＩＣ２０,３０,４０,５０の全てのトランジス
タがオンにされ、全走査側電極Ｙの電位が０Ｖにされ
る。このとき、データ側電極Ｘには表示データＤＡＴＡ
に応じて、Ｖm(＝６０Ｖ)が０Ｖの変調電圧が印加され
る。その結果、データ側電極Ｘのうち、Ｖm(＝６０Ｖ)
の変調電圧が印加されている電極では、Ｎチャネル高耐
圧ＭＯＳドライバＩＣ２０,３０のトランジスタを充電
路として絵素に対し、走査側電極Ｙを基準として正極性
の電圧Ｖm(＝６０Ｖ)が充電され、０Ｖの変調電圧が印
加されている電極は走査側電極Ｙを基準として０Ｖの電
位に保たれる。

【００４２】このように、変調期間では、データ側電極
Ｘに印加する変調電圧を表示データＤＡＴＡに応じて０
ＶとＶm(＝６０Ｖ)のいずれかに選択する一方、全走査
側電極Ｙには０Ｖを印加することによって、走査側電極
Ｙを基準としてデータ側電極Ｙの電位がＶm(＝６０Ｖ)
となるように充電されるか、または０Ｖに保持されるこ
とになる。しかも、Ｎ駆動とＰ駆動では、同一表示デー
タＤＡＴＡでも信号ＲＶＣによって極性が反転するの
で、絵素への印加電圧波形はＮＰフィールドとＰＮフィ
ールドとを交互に実行することによって完全対称交流波
形となる。

【００４３】次に、上述した４種類の書込み期間の動作
を、図４(a)〜(h)に示す等価回路を参照して説明する。

【００４４】(１)ＮＰフィールドＮ駆動での書込み期間Ｎチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ２０,３０のトラ
ンジスタのソース電位を−Ｖw(＝−１９０Ｖ)にするた
めに、信号ＮＳＣはスイッチＳＷ₂をオンにするＨレベ
ルに設定される。一方、Ｐチャネル高耐圧ＭＯＳドライ
バＩＣ４０,５０のトランジスタのソース電位を０Ｖに
するために、信号ＰＳＣはスイッチＳＷ_１をオフにする
Ｌレベルに設定される。また、奇数側の１走査ラインを
選択するために、Ｎチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ
２０のトランジスタＮＴｏｄｄの中から論理回路２１に
おけるシフトレジスタのデータに応じて１走査ラインに
対応するトランジスタがオンとされ、他の走査ラインに
対応するトランジスタはオフとされる。このとき、トラ
ンジスタＮＴeven, ＰＴeven, ＰＴoddはすべてオフと
される。また、データ側電極Ｘでは、変調期間の駆動が
継続する。

【００４５】図４(a),(b)はこの状態での表示パネル１
０の等価回路を示している。そのうち、図４(a)は図１
に示した絵素Ａを発光させるときの等価回路であり、デ
ータ側電極Ｘ₂と選択走査側電極Ｙ₁との交差部の絵素Ａ
にのみ、走査側電極Ｙ₁を基準にしてデータ側電極Ｘ₂に
正極性の電圧Ｖm−(−Ｖw)＝６０Ｖ−(−１９０Ｖ)＝２５０Ｖ …(９) が印加されて発光する。図４(b)は絵素Ａを発光させな
いときの等価回路であり、絵素Ａに印加される電圧は０Ｖ−(−Ｖw)＝０Ｖ−(−１９０Ｖ)＝１９０Ｖ …(１０) と発光しきい電圧Ｖth以下の値となるので発光しない。

【００４６】(２)ＮＰフィールドＰ駆動での書込み期間Ｎチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ２０,３０のトラ
ンジスタのソース電位を０Ｖにするために、信号ＮＳＣ
はスイッチＳＷ₂をオンにするＨレベルに設定される。
一方、Ｐチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ４０,５０
のトランジスタのソース電位をＶw＋Ｖm(＝２５０Ｖ)に
するために、信号ＰＳＣはスイッチＳＷ₁をオンにする
Ｈレベルに設定される。また、偶数側の１走査ラインを
選択するために、Ｐチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ
５０のトランジスタＰＴevenの中から論理回路５１にお
けるシフトレジスタのデータに応じて１走査ラインに対
応するトランジスタがオンとされ、他の走査ラインに対
応するトランジスタはオフとされる。このとき、トラン
ジスタＰＴodd, ＮＴodd, ＮＴevenはすべてオフされ
る。また、データ側電極Ｘでは、変調期間の駆動が継続
する。

【００４７】図４(c),(d)はこの状態での表示パネル１
０の等価回路を示している。そのうち、図４(c)は図１
に示した絵素Ｂを発光させるときの等価回路であり、デ
ータ側電極Ｘ₂と選択走査側電極Ｙ₂との交差部の絵素Ｂ
にのみ、走査側電極Ｙ₂を基準にしてデータ側電極Ｘ₂に
負極性の電圧０Ｖ−(Ｖw＋Ｖm)＝０Ｖ−２５０Ｖ＝−２５０Ｖ …(１１) が印加されて発光する。第４図(d)は絵素Ｂを発光させ
ないときの等価回路であり、絵素Ｂに印加される電圧はＶm−(Ｖw＋Ｖm)＝６０Ｖ−２５０Ｖ＝−１９０Ｖ …(１２) と発光しきい電圧Ｖth以下の値となるので発光しない。

【００４８】(３)ＰＮフィールドＰ駆動での書込み期間Ｎチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ２０,３０のトラ
ンジスタのソース電位を０Ｖにするために、信号ＮＳＣ
はスイッチＳＷ₂をオフにするＬレベルに設定される。
一方、Ｐチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ４０,５０
のトランジスタのソース電位をＶw＋Ｖm(＝２５０Ｖ)に
するために、信号ＰＳＣはスイッチＳＷ₁をオンにする
Ｈレベルに設定される。また、奇数側の１走査ラインを
選択するために、Ｐチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ
４０のトランジスタＰＴoddの中から論理回路４１にお
けるシフトレジスタのデータに応じて１走査ラインに対
応するトランジスタがオンとされ、他の走査ラインに対
応するトランジスタはオフとされる。このとき、トラン
ジスタＰＴeven, ＮＴeven, ＮＴoddはすべてオフとさ
れる。また、データ側電極Ｘでは、変調期間の駆動が継
続する。

【００４９】図４(e),(f)はこの状態での表示パネル１
０の等価回路を示している。そのうち、図４(e)は図１
に示した絵素Ａを発光させるときの等価回路であり、デ
ータ側電極Ｘ₂と選択走査側電極Ｙ₁との交差部の絵素Ａ
にのみ、走査側電極Ｙ₁を基準にしてデータ側電極Ｘ₂に
負極性の電圧０Ｖ−(Ｖw＋Ｖm)＝０Ｖ−２５０Ｖ＝−２５０Ｖ (１３) が印加されて発光する。図４(f)は絵素Ａを発光させな
いときの等価回路であり、絵素Ａに印加される電圧はＶm−(Ｖw＋Ｖm)＝６０Ｖ−２５０Ｖ＝−１９０Ｖ (１４) と発光しきい電圧Ｖth以下の値となるので発光しない。

【００５０】(４)ＰＮフィールドＮ駆動での書込み期間
Ｎチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ２０,３０のトラ
ンジスタの電位を−Ｖw＝(＝−１９０Ｖ)にするため
に、信号ＮＳＣはスイッチＳＷ₂をオンにするＨレベル
に設定される。一方、Ｐチャネル高耐圧ＭＯＳドライバ
ＩＣ４０,５０のトランジスタの電位を０Ｖにするため
に、信号ＰＳＣはスイッチＳＷ₁をオフにするＬレベル
に設定される。また、偶数側の１走査ラインを選択する
ために、Ｎチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ３０のト
ランジスタＮＴevenの中から論理回路３１におけるシフ
トレジスタのデータに応じて１走査ラインに対応するト
ランジスタがオンとされ、他の走査ラインに対応するト
ランジスタはオフとされる。このとき、トランジスタＮ
Ｔodd, ＰＴodd, ＰＴevenはすべてオフとされる。ま
た、データ側電極Ｘでは、変調期間の駆動が継続する。

【００５１】図４(g),(h)はこの状態での表示パネル１
０の等価回路を示している。そのうち、図４(g)は図１
に示した絵素Ｂを発光させるときの等価回路であり、デ
ータ側電極Ｘ₂と選択走査側電極Ｙ₂との交差部の絵素Ｂ
にのみ、走査側電極Ｙ₂を基準にしてデータ側電極Ｘ₂に
正極性の電圧Ｖm−(−Ｖw)＝６０Ｖ＋１９０Ｖ＝２５０Ｖ …(１５) が印加されて発光する。図４(h)は絵素Ｂを発光させな
いときの等価回路であり、絵素Ｂに印加される電圧は０Ｖ−(−Ｖw)＝０Ｖ＋１９０Ｖ＝１９０Ｖ …(１６) と発光しきい電圧Ｖth以下の値となるので発光しない。

【００５２】このＥＬ表示装置では、走査側電極から印
加される書込み電圧のパルス幅は、次に述べるような過
程で決まっている。Ｐ駆動の場合は、まず、選択された
電極Ｙに対応するトランジスタＰＴi(図１に示す)がオ
ンとなり、ＳＷ₁を介してＶw+Vm(＝２５０Ｖ)が印加さ
れ、一定時間(数μ秒〜数十μ秒)その状態が維持され
る。この後、ＳＷ₁がオフとなり、続いてＮＴ₁〜ＮＴi
がオンとなって、絵素に充電された電荷が回路９０内の
ダイオードを通してグランドＧＮＤへ放電する。書込み
電圧のパルス幅はこのような過程で決まっている。Ｎ駆
動の場合は、選択された電極Ｙに対応するＮＴiがオン
となり、ＳＷ₂を介して−Ｖw(＝−１９０Ｖ)が印加さ
れ、一定時間(数μ秒〜数十μ秒)その状態が維持され
る。この後、ＳＷ₂がオフとなり、続いてＰＴ₁〜ＰＴi
がオンとなって、絵素に充電された電荷が回路８０内の
ダイオードを通してグランドＧＮＤへ放電する。書込み
電圧のパルス幅はこのような過程で決まっている。ここ
で、このＥＬ表示装置では、電流−パルス位相調整回路
２００の電流検知部１１１がＳＷ₁を通して流れる電流
(書込み電圧のライン４００を流れる電流)を検知し、検
知した電流値に基づいて、図５(b)に示すように、信号
ＮＣＬ'がＨレベルになるタイミング(位相)を調整す
る。つまり、検出した電流値が大きいときは、信号ＰＳ
ＣがＨレベルになってから信号ＮＣＬ'がＨレベルにな
るまでの時間を短くする一方、検出した電流値が小さい
ときは、信号ＰＳＣがＨレベルになってから信号ＮＣ
Ｌ′がＨレベルになるまでの時間を長くする。これによ
り、書込み電圧パルスの波高値が大きい程、そのパルス
幅が小さくなる。また、発光に伴い電流が流れることか
ら、発光輝度が増す程パルス幅が狭くなることになる。
つまり、図５(a)に示すように、書込み電圧が高くなる
程あるいは発光輝度が高くなる程、パルス幅が狭くな
る。したがって、図６中に示した特性曲線ｌ₁のような
急端な発光輝度対印加電圧特性を本来もっている薄膜Ｅ
Ｌ素子が、同図の特性曲線ｌ₂なるみかけ上の発光輝度
対印加電圧特性を示す。従って、発光累積時間による輝
度低下が抑制され、つまり、(Ｌ₂−Ｌ₂′)＜(Ｌ₁−
Ｌ₁′)となって、信頼性が高まる。

【００５３】なお、これまでＰ駆動の場合について述べ
たが、Ｎ駆動の場合も全く同様に考えることができる。
すなわち、図７に示すように、上記電流−パルス位相調
整回路２００に代えて、または、上記回路２００ととも
に、電流−パルス位相調整回路２２０を備える。この回
路２２０は、書込み電圧供給ライン４２０に流れる電流
値を検知する電流検知部１２１と、この電流検知部１２
１が検知した電流値に基づいて、制御信号ＰＣＬの位相
を調整するパルス幅調整部１２２からなっている。パル
ス幅調整部１２２は、制御信号ＮＳＣのタイミングを基
準として信号ＰＣＬの位相をずらした制御信号ＰＣＬ′
を発生する。検出した電流値が大きいときは、制御信号
ＮＳＣがＨレベルになってから制御信号ＰＣＬ'がＨレ
ベルになるまでの時間を短くする一方、検出した電流値
が小さいときは、制御信号ＮＳＣがＨレベルになってか
ら制御信号ＰＣＬ′がＨレベルになるまでの時間を長く
する。これらの信号ＰＣＬ,ＰＣＬ′は、ＡＮＤ回路３
２０によって合成され、トランジスタＰＴ₁〜ＰＴiのオ
ン,オフ制御に用いられる。この電流−パルス位相調整
回路２２０の動作によって、Ｐ駆動の場合と全く同様
に、書込み電圧が高くなる程、また、発光輝度が高くな
る程、書込み電圧パルスの幅が狭くすることができ、し
たがって、図６中に示した特性曲線ｌ₁のような急端な
発光輝度対印加電圧特性を本来もっている薄膜ＥＬ素子
が、同図の特性曲線ｌ₂なるみかけ上の発光輝度対印加
電圧特性を示す。従って、発光累積時間による輝度低下
が抑制され、つまり、(Ｌ₂−Ｌ₂′)＜(Ｌ₁−Ｌ₁′)とな
って、信頼性が高まる。

【００５４】また、次に述べるように、上記電位切換え
回路８０,９０を構成するスイッチＳＷ₁,ＳＷ₂を、ＭＯ
ＳＦＥＴではなく、バイポーラ・トランジスタとしても
良い。すなわち、Ｎチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ
２０,３０のトランジスタのソース電位を切り換えるた
めのスイッチＳＷ₂と、Ｐチャネル高耐圧ＭＯＳドライ
バＩＣ４０,５０のトランジスタのソース電位を切り換
えるためのスイッチＳＷ₁として、図８に示すような電
流−電圧特性を持つバイポーラトランジスタを採用す
る。このバイポーラ・トランジスタの特性曲線は、概ね
直線領域Ａと、飽和領域(定電流領域)Ｂとに近似されて
いる。例として、スイッチＳＷ₁としてバイポーラ・ト
ランジスタを用いた場合のＰ駆動について説明する。図
９(a)に示すように、制御信号ＰＳＣがＨレベルとなっ
てＳＷ₁が導通状態になり、走査側電極のうち１ライン
Ｙiが選択され、それにつながるトランジスタＰＴiがオ
ンになっているものとする(その他はオフになってい
る。)。このとき、走査側電極Ｙiの電位Ｖの経時変化
は、まず、同図(b)に示すように、図８に示した特性曲
線の領域Ｂに対応して、時間と共に直線的に電位が増し
ていく(領域Ｃ)。次に、図８の特性曲線の領域Ａに対応
して指数関数的に電位が増して行く(領域Ｄ)。今、Ｐ駆
動の場合を考えているのであるから、前述したように、
制御信号ＰＳＣがＨレベルとなり、走査側電極ＹiにＶw
＋Ｖmなる書込み電圧が印加された後、一定時間後、Ｎ
Ｔ₁〜ＮＴiが導通状態となって、書込み電圧が回路９０
のダイオードを介してグランドＧＮＤへ放電される。し
たがって、図１０に示すように、書込み電圧(Ｖw＋Ｖm)
が高電圧(Ｖw＋Ｖm)′になる程、ピーク付近のパルス幅
が狭くなる。また、高輝度発光を呈して発光電流が流れ
る程、領域Ｄの始まり部分の傾きが穏やかとなり、やは
りパルス幅が狭くなる。したがって、高発光効率で高発
光輝度を示す薄膜ＥＬ素子の高電圧側でのＬ−Ｖ特性曲
線を緩慢にする事で、その発光累積時間による輝度の低
下を抑制し、信頼性を高める事ができる。

【００５５】なお、スイッチＳＷ₁,ＳＷ₂をバイポーラ
・トランジスタとした場合の上記作用は、たとえＶw(＝
２５０Ｖ)を供給する電源が定電流電源であったとして
も得ることができる。

【００５６】

【発明の効果】以上より明らかなように、この発明のＥ
Ｌ表示装置は、書込み電圧供給ラインに流れる電流の大
きさを検出する電流検知部と、上記電流検知部が検出し
た電流値が大きいときは、上記書込み電圧のパルス幅を
狭くする一方、上記電流検知部が検出した電流値が小さ
いときは上記書き込み電圧のパルス幅を広くする制御を
行うパルス幅調整部を備えているので、書込み電圧パル
スの波高値が大きい程、そのパルス幅を狭くすることが
できる。また、薄膜ＥＬ素子の発光に伴って上記電流値
が大きくなることから、薄膜ＥＬ素子が高発光輝度を呈
する程、上記パルス幅を狭くすることができる。したが
って、高発光効率で高発光輝度を示す薄膜ＥＬ素子の高
電圧側でのＬ−Ｖ特性曲線を緩慢にする事で、その発光
累積時間による輝度の低下を抑制し、信頼性を高める事
ができる。

【００５７】また、この発明のＥＬ表示装置は、電位切
換え回路を構成する電圧切換え用スイッチをバイポーラ
・トランジスタからなるものとしているので、書込み電
圧パルスの波高値が大きい程、そのパルス幅を狭くする
ことができる。また、薄膜ＥＬ素子の発光に伴って上記
電流値が大きくなることから、薄膜ＥＬ素子が高発光輝
度を呈する程、上記パルス幅を狭くすることができる。
したがって、上の場合と同様に、したがって、高発光効
率で高発光輝度を示す薄膜ＥＬ素子の高電圧側でのＬ−
Ｖ特性曲線を緩慢にする事で、その発光累積時間による
輝度の低下を抑制し、信頼性を高める事ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例のＥＬ表示装置の構成を
示す図である。

【図２】上記ＥＬ表示装置の動作タイミングを示す図
である。

【図３】上記ＥＬ表示装置における論理回路の構成を
示す図である。

【図４】上記ＥＬ表示装置を構成する薄膜ＥＬ素子の
動作状態における等価回路を示す図である。

【図５】上記ＥＬ表示装置における書込み電圧の波形
を示す図である。

【図６】高輝度薄膜ＥＬ素子と通常の薄膜ＥＬ素子の
印加電圧−輝度特性を示す図である。

【図７】上記ＥＬ表示装置の変形例を示す図である。

【図８】電位切換え回路に含まれるバイポーラ・トラ
ンジスタからなる電圧切換え用スイッチの電流−電圧特
性を示す図である。

【図９】上記バイポーラ・トランジスタからなる電圧
切換え用スイッチを備えたＥＬ表示装置の動作を説明す
る図である。

【図１０】上記バイポーラ・トランジスタからなる電
圧切換え用スイッチを備えたＥＬ表示装置の動作を説明
する図である。

【図１１】薄膜ＥＬ素子の一部切欠き断面を示す図で
ある。

【図１２】薄膜ＥＬ素子の印加電圧−輝度特性を示す
図である。

【図１３】従来の薄膜ＥＬ表示装置の構成を示す図で
ある。

【符号の説明】

１０表示パネル２０,３０Ｎチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ４０,５０Ｐチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ６０データ側ドライバＩＣ８０,９０ソース電位切換え回路１１１電流検知部１１２パルス幅調整部２００,２２０電圧−パルス位相調整回路３００,３２０ＡＮＤ回路４００,４２０書込み電圧供給ラインＳＷ₁,ＳＷ₂ 電圧切換え用スイッチＸ₁〜Ｘi データ側電極Ｙ₁〜Ｙi 走査側電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】互いに交差する方向に配列した複数の走
査側電極と複数のデータ側電極との間に発光層を有する
薄膜ＥＬ素子と、上記データ側電極に発光表示および非
発光表示に対応する変調電圧を印加するデータ側駆動回
路と、電圧切換え用スイッチを有し、上記走査側電極に
つながる書込み電圧供給ラインに駆動モードに応じて異
なるレベルの書込み電圧を供給する電位切換え回路と、
上記書込み電圧供給ラインに設けられ、上記走査側電極
に書込み電圧パルスを線順次に印加する走査側駆動回路
を備えて、上記走査側電極とデータ側電極との交差部か
らなる各絵素に対して発光表示時には発光層の発光しき
い電圧を超える電圧を印加して駆動し、非発光表示時に
は発光しきい電圧以下の電圧を印加して駆動するように
したＥＬ表示装置において、上記書込み電圧供給ラインに流れる電流の大きさを検出
する電流検知部と、上記電流検知部が検出した電流値が大きいときは、上記
書込み電圧のパルス幅を狭くする一方、上記電流検知部
が検出した電流値が小さいときは上記書き込み電圧のパ
ルス幅を広くする制御を行うパルス幅調整部を備えたこ
とを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項２】互いに交差する方向に配列した複数の走
査側電極と複数のデータ側電極との間に発光層を有する
薄膜ＥＬ素子と、上記データ側電極に発光表示および非
発光表示に対応する変調電圧を印加するデータ側駆動回
路と、電圧切換え用スイッチを有し、上記走査側電極に
つながる書込み電圧供給ラインに駆動モードに応じて異
なるレベルの書込み電圧を供給する電位切換え回路と、
上記書込み電圧供給ラインに設けられ、上記走査側電極
に書込み電圧パルスを線順次に印加する走査側駆動回路
を備えて、上記走査側電極とデータ側電極との交差部か
らなる各絵素に対して発光表示時には発光層の発光しき
い電圧を超える電圧を印加して駆動し、非発光表示時に
は発光しきい電圧以下の電圧を印加して駆動するように
したＥＬ表示装置において、上記電位切換え回路の電圧切換え用スイッチは、バイポ
ーラ・トランジスタからなることを特徴とするＥＬ表示
装置。