JPH0641234U - 単安定マルチバイブレータ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 電気信号を光信号に変換する発光素子と、光
信号を電気信号に変換する受光素子とを電気的絶縁状態
に保って一つの系に組合せてなるホト・カプラの受光素
子を、単安定マルチバイブレータの入力部に並列に２つ
配置した。 【効果】 ＰＮＰセンサ及びＮＰＮセンサが共に使用で
き、汎用性を広げることができる。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、２個の電子デバイスのうちどちらか一方の電子デバイスがオンのと き、動作が安定する単安定マルチバイブレータに関する。

【０００２】

【従来の技術】

従来、ワークを加工する加工設備は一工程づつ単独で稼働して、その工程のつ なぎ、例えばワークの移動、設備へのワークの取付け等を人が行なっていた。し かし近年、加工時間の短縮、人員削減等の目的により、加工設備の自動化が進ん できた。このような自動化された加工設備の制御には、図５に示す如くセンサ１ ３１とシーケンサ１３２の組合せで構成されることが多い。例えばセンサ１３１ の前をワークが通過した時、センサ１３１は内部スイッチをオンし、シーケンサ １３２はその内部スイッチのオン状態を読込み、これによりシーケンサ１３２が 検査ステーションに指示信号を出力して、ワークの検査を実施させていた。この ようなシーケンサ１３２の制御は検査ステーションに限らず、ワークの脱着、ラ ンプの点燈等多くの制御を行なうことができる。

【０００３】 上記制御は、シーケンサ１３２がセンサ１３１の内部スイッチのオン状態を読 込んだ時、シーケンサ１３２は次の動作を指示するが、シーケンサ１３２の読込 みは時分割、例えば１０ｍｓに１回の割合で読込みを行なうため、センサ１３１ の前を通過するワークのスピードが高速になると、図６に示す如くセンサ１３１ の内部スイッチのオン状態ｈが１０ｍｓより短くなり、シーケンサ１３２の読込 みｓの間にセンサ１３１の内部スイッチのオン状態が終了し、シーケンサ１３２ がセンサ１３１の内部スイッチがオンになったことを読込みできないということ が発生してしまう。このようにシーケンサ１３２に読み込みされずにワークが通 過してしまうと、後工程での処理が施されず、不良品が発生したり設備に異常が 発生し、自動化された設備が停止してしまう等の不具合が起こる。

【０００４】 そこで上述の如き、シーケンサ１３２がセンサ１３１の内部スイッチがオンに なったことを読込みできないということを無くすため、図１に示す如くセンサ１ ３１とシーケンサ１３２との間に一般的な単安定マルチバイブレータ１０１を追 加することが考えられる。単安定マルチバイブレータ１０１は図７に回路図で示 すように、センサ１３１の発光素子１０７に組合わされる受光素子１０８と、２ つのトランジスタ１１３，１２３、コンデンサ１１６，１２１、複数の抵抗１１ ５，１１８，１２０，１２２及び可変抵抗１１９とからなり、単安定マルチバイ ブレータ１０１の作用としては、図２に示す如く、センサ１３１の内部スイッチ のオン状態ｈをある一定の長さ（１０ｍｓ以上）のパルス幅ｉに変換して出力す るものである。従ってどんなに高速にワークがセンサ１３１の前を通過しても、 単安定マルチバイブレータ１０１がセンサ１３１の内部スイッチのオン状態を検 知し、シーケンサ１３２の読込みｓ間隔より長い信号ｉをシーケンサ１３２に出 力するため、シーケンサ１３２はワークの通過を見逃すことがない。

【０００５】

【考案が解決しようとする課題】

上述の如き単安定マルチバイブレータ１０１に接続されるセンサ１３１にはＰ ＮＰセンサとＮＰＮセンサの２種類があり、その２種類のセンサ１３１は単安定 マルチバイブレータ１０１の電流の流れる方向により使い分けがされ、図７に示 す如き回路にはＰＮＰセンサのみが使用可能で、ＮＰＮセンサは使用できない。 また逆にＮＰＮセンサが使用される回路では、ＰＮＰセンサが使用できず、この 点において汎用性が低いという問題があった。

【０００６】 従って本考案は上述の如き問題を解決し、ＰＮＰセンサ及びＮＰＮセンサ共に 使用可能な単安定マルチバイブレータを提供することを目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】

本考案の構成は以下のとおりである。

【０００８】 電気信号を光信号に変換する発光素子と、光信号を電気信号に変換する受光素 子とを電気的絶縁状態に保って一つの系に組合せてなるホト・カプラの受光素子 を、単安定マルチバイブレータの入力部に並列に２つ配置した。

【０００９】

【実施例】

本考案の実施例を図１乃至図４を基に説明する。

【００１０】 図１は本考案の単安定マルチバイブレータ１が使用される構成を表し、ワーク が通過している間内部スイッチをオンとするセンサ３１と、センサ３１の内部ス イッチのオン状態をある一定の長さの信号に変換して出力する単安定マルチバイ ブレータ１と、単安定マルチバイブレータ１が出力した信号を検知し、その後の 処理を指示するシーケンサ３２とからなる。ここで単安定マルチバイブレータ１ が変換する信号の長さを図２を基に説明すると、センサ３１の前をワークが通過 したときセンサ３１の内部スイッチはオンされるがシーケンサ３２が必ずその信 号ｈを検知できるように、単安定マルチバイブレーター１がシーケンサ３２の読 込みｓ間隔より長い信号ｉに変換しシーケンサ３２に出力するようにする。これ によりシーケンサ３２はワークの通過を見逃すことがない。

【００１１】 続いてセンサ３１と単安定マルチバイブレータ１、及びその接続を図３の回路 図を基に説明する。

【００１２】 図において、単安定マルチバイブレータ１は２つのトランジスタ１３，２３で 構成されるコレクタ結合形で、上述の如く、出力端子２５においてパルス幅（出 力する時間）を調整可能としている。２４は正電源端子、２１，１６はコンデン サ、１５，１８，２０，２２は抵抗、１９は可変抵抗である。このうち、コンデ ンサ２１及び可変抵抗１９が、出力端子２５におけるパルス幅を決める時定数コ ンデンサ及び時定数抵抗である。

【００１３】 またセンサ３１はＰＮＰセンサを使用し、２は正電源端子、３はグランドであ る。そしてこのセンサ３１と前記単安定マルチバイブレータ１との接続は並列に 配置されたホト・カプラ６，９のうち、設定された一方ホト・カプラ６により行 われる。ホト・カプラ６，９は電気信号を光信号に変換する発光素子７，１０と 、光信号を電気信号に変換する受光素子８，１１とを１つの系に組合せたもので 、発光素子７，１０としては発光ダイオードが一般的に使用され、受光素子８， １１としてはホト・トランジスタが使用されることが多い。しかし発光素子７， １０、受光素子８，１１は上記種類に限定されるものではない。

【００１４】 次に、上述のセンサ３１、単安定マルチバイブレータ１、シーケンサ３２の動 きを説明する。

【００１５】 まずスイッチを入れて電圧をセンサ３１、単安定マルチバイブレータ１、シー ケンサ３２に供給する。このとき単安定マルチバイブレータ１は一方トランジス タ１３がオフ、他方トランジスタ２３がオンとなる安定状態で静止する。この状 態でセンサ３１の前をワークが通過すると、センサ３１の内部スイッチがオンさ れ、ホト・カプラ６の発光素子７はそのオン状態を検知した時点で、電気信号を 光信号に変換し、受光素子８に発信する。そして光信号を受信した受光素子８は 、光信号を電気信号に変換し、単安定マルチバイブレーター１内部に出力する。 そして電気信号がトランジスタ１３にかかると、トランジスタ１３，２３のオン 、オフが逆転して出力端子２５に出力パルスが発生する。この逆転は、時定数コ ンデンサ２１の容量値と、時定数抵抗１９の抵抗値によって決まる時間（Ｔ＝０ ．７×時定数コンデンサの容量値×時定数抵抗の抵抗値）の間、継続され、その 後安定状態になる。以後は、センサ３１から電気信号がくるたびに上記の動きを 繰返すことになる。上記時間Ｔが、出力端子２５に発生する出力パルスのパルス 幅である。このパルスを受けてシーケンサ３２が次の動作を指示する。このとき 、パルス幅は単安定マルチバイブレータ１によりシーケンサ３２の読込み時間よ り長く設定されるため、シーケンサ３２の読込みの間にパルスが発生すればその パルスが発生したことを見逃すということはない。

【００１６】 上記説明ではＰＮＰセンサを用いたが、これに対しＮＰＮセンサを用いた例を図 ４に示す。

【００１７】 ＮＰＮセンサは、前記ＰＮＰセンサを接続した一方ホト・カプラ６と並列に配 置された他方ホト・カプラ９と接続する。この他方ホト・カプラ９とＮＰＮセン サとが接続された場合、ＰＮＰセンサが接続されない一方ホト・カプラ６は稼働 しない。そして前記ＰＮＰセンサを接続した場合と同様に、ＮＰＮセンサを接続 しても、単安定マルチバイブレータ１、シーケンサ３２は同じ動きをする。

【００１８】 従って、ＰＮＰセンサを使用するときは単安定マルチバイブレータ１の一方ホ ト・カプラ６、ＮＰＮセンサを使用するときは単安定マルチバイブレータ１の他 方ホト・カプラ９に接続することにより、各々センサを使用することができる。

【００１９】

【考案の効果】

以上のように本考案によれば、電気信号を光信号に変換する発光素子と、光信 号を電気信号に変換する受光素子とを電気的絶縁状態に保って一つの系に組合せ てなるホト・カプラの受光素子を、単安定マルチバイブレータの入力部に並列に ２つ配置したので、ＰＮＰセンサ及びＮＰＮセンサが共に使用でき、汎用性を広 げることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】単安定マルチバイブレータを用いた装置を表す
構成図である。

【図２】単安定マルチバイブレータを用いた装置による
タイムチャートを表すグラフである。

【図３】本考案の単安定マルチバイブレータとＰＮＰセ
ンサを用いた装置を表す回路図である。

【図４】本考案の単安定マルチバイブレータとＮＰＮセ
ンサを用いた装置を表す回路図である。

【図５】単安定マルチバイブレータを使用しない従来の
装置を表す構成図である。

【図６】単安定マルチバイブレータを使用しない従来の
装置によるタイムチャートを表すグラフである。

【図７】単安定マルチバイブレータを使用した従来の装
置を表す回路図である。

【符号の説明】

１ 単安定マルチバイブレータ ６，９ ホト・カプラ ７，１０ 発光素子 ８，１１ 受光素子

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 電気信号を光信号に変換する発光素子
   （７），（１０）と、光信号を電気信号に変換する受光
   素子（８），（１１）とを電気的絶縁状態に保って一つ
   の系に組合せてなるホト・カプラ（６），（９）の受光
   素子（８），（１１）を、単安定マルチバイブレータ
   （１）の入力部に並列に２つ配置したことを特徴とする
   単安定マルチバイブレータ。