JPH06417B2 - サーマルヘッドの抵抗値調整装置 - Google Patents
サーマルヘッドの抵抗値調整装置Info
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- JPH06417B2 JPH06417B2 JP61204009A JP20400986A JPH06417B2 JP H06417 B2 JPH06417 B2 JP H06417B2 JP 61204009 A JP61204009 A JP 61204009A JP 20400986 A JP20400986 A JP 20400986A JP H06417 B2 JPH06417 B2 JP H06417B2
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- heating resistor
- voltage
- value
- resistance value
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/35—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads providing current or voltage to the thermal head
- B41J2/355—Control circuits for heating-element selection
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は発熱抵抗体の抵抗値を均一化させるサーマル
ヘッドの抵抗値調整装置に関する。
ヘッドの抵抗値調整装置に関する。
周知のように厚膜形のサーマルヘツドはペースト状の抵
抗材料にスクリーン印刷法等によつて所定のパターンに
印刷し、その後焼成することで発熱抵抗体を形成してい
る。そのため、厚膜形のサーマルヘツドは比較的短い製
造工程によつて安価に製造できる反面、発熱抵抗体の抵
抗値のばらつきが大きくなる欠点を持ち合せている。こ
の発熱抵抗体の抵抗値のばらつきは印字等の質に直接影
響を及ぼすものであるため、厚膜形のサーマルヘツドの
製造においては発熱抵抗体の抵抗値の均一化は極めて重
要な要因である。この発熱抵抗体の抵抗値の均一化とし
ては、発熱抵抗体形成後、各発熱抵抗体に個別に比較的
高圧の電圧パルスを印加すると、その抵抗値が低下する
という現象を利用したトリミング処理がある。
抗材料にスクリーン印刷法等によつて所定のパターンに
印刷し、その後焼成することで発熱抵抗体を形成してい
る。そのため、厚膜形のサーマルヘツドは比較的短い製
造工程によつて安価に製造できる反面、発熱抵抗体の抵
抗値のばらつきが大きくなる欠点を持ち合せている。こ
の発熱抵抗体の抵抗値のばらつきは印字等の質に直接影
響を及ぼすものであるため、厚膜形のサーマルヘツドの
製造においては発熱抵抗体の抵抗値の均一化は極めて重
要な要因である。この発熱抵抗体の抵抗値の均一化とし
ては、発熱抵抗体形成後、各発熱抵抗体に個別に比較的
高圧の電圧パルスを印加すると、その抵抗値が低下する
という現象を利用したトリミング処理がある。
このように従来のサーマルヘツドの製造方法は電圧値を
漸増させながら発熱抵抗体に電圧パルスを繰返し印加
し、発熱抵抗体の抵抗値をある目標値に設定させるよう
にするもので、実験により発熱抵抗体の抵抗値はその初
期値にかかわらず、印加する電圧パルスを漸増させてい
くときに変化率が一定の曲線上を推移していくことがわ
かつた。
漸増させながら発熱抵抗体に電圧パルスを繰返し印加
し、発熱抵抗体の抵抗値をある目標値に設定させるよう
にするもので、実験により発熱抵抗体の抵抗値はその初
期値にかかわらず、印加する電圧パルスを漸増させてい
くときに変化率が一定の曲線上を推移していくことがわ
かつた。
この変化率は、 で近似的に表わすことができる。なお、(1)式中、Ｖは
印加電圧、Ｒは発熱抵抗体の抵抗値、Ｒ０は発熱抵抗体
の初期抵抗値、Ｖ０は抵抗値に変化が現われ始める印加
電圧の境界値、ΔＶは印加電圧の変化ステップ、α，β
はサーマルヘツドの構造、ドツト密度等で決まる定数で
ある。
印加電圧、Ｒは発熱抵抗体の抵抗値、Ｒ０は発熱抵抗体
の初期抵抗値、Ｖ０は抵抗値に変化が現われ始める印加
電圧の境界値、ΔＶは印加電圧の変化ステップ、α，β
はサーマルヘツドの構造、ドツト密度等で決まる定数で
ある。
第３図はこのような方法によつて電圧パルスを発熱抵抗
体に印加した場合の発熱抵抗体の抵抗値の減少を示す線
図であり、トリミング前にはＲ１，Ｒ２，Ｒ３と大きく
ばらついていた抵抗値がトリミング処理により目標値Ｒ
０よりわずかに低い狭い範囲内に均一化される。図にお
いて、Ｖｓは電圧パルスの初期値であり、電圧パルスの
印加によつて発熱抵抗体の抵抗値が減少を始める境界電
圧が通常は２５Ｖ近傍にあるため、例えば２５Ｖに設定
されている。また、ΔＶは電圧パルスの電圧値の増し分
であり、発熱抵抗体の抵抗値が減少し過ぎないように例
えば２．５Ｖに設定して徐々に抵抗値を減少させるよう
にしている。
体に印加した場合の発熱抵抗体の抵抗値の減少を示す線
図であり、トリミング前にはＲ１，Ｒ２，Ｒ３と大きく
ばらついていた抵抗値がトリミング処理により目標値Ｒ
０よりわずかに低い狭い範囲内に均一化される。図にお
いて、Ｖｓは電圧パルスの初期値であり、電圧パルスの
印加によつて発熱抵抗体の抵抗値が減少を始める境界電
圧が通常は２５Ｖ近傍にあるため、例えば２５Ｖに設定
されている。また、ΔＶは電圧パルスの電圧値の増し分
であり、発熱抵抗体の抵抗値が減少し過ぎないように例
えば２．５Ｖに設定して徐々に抵抗値を減少させるよう
にしている。
第４図は、横軸に電圧パルスによる印加電圧値が、縦軸
に電圧パルス印加による発熱抵抗体の抵抗変化率が目盛
られた線図である。そして、第４図は第３図と同一デー
タで第３図の縦軸を抵抗変化率で表わしたもので、個々
の発熱抵抗体の初期抵抗値はばらつきを呈していても変
化率の曲線は第４図に破線で示す如く初期抵抗値には関
係なくほぼ一定の曲線Ｙ上をたどる発熱抵抗体の抵抗値
の減少を示す線図が描ける。
に電圧パルス印加による発熱抵抗体の抵抗変化率が目盛
られた線図である。そして、第４図は第３図と同一デー
タで第３図の縦軸を抵抗変化率で表わしたもので、個々
の発熱抵抗体の初期抵抗値はばらつきを呈していても変
化率の曲線は第４図に破線で示す如く初期抵抗値には関
係なくほぼ一定の曲線Ｙ上をたどる発熱抵抗体の抵抗値
の減少を示す線図が描ける。
このようなサーマルヘツドの製造方法では１ドツトの発
熱抵抗体のトリミングには２０〜３０回の電圧パルスの
印加および抵抗値の測定をしなければならず、発熱抵抗
体の抵抗値の均一化には多大な時間を要することにな
る。
熱抵抗体のトリミングには２０〜３０回の電圧パルスの
印加および抵抗値の測定をしなければならず、発熱抵抗
体の抵抗値の均一化には多大な時間を要することにな
る。
このため、近時はサーマルヘツド内のサンプルドツトの
測定によつて抵抗値降下曲線を近似し、トリミングに際
してこの抵抗値降下曲線を用いてドツトの発熱抵抗体の
初期抵抗値と到達させるべき抵抗値とより印加する電圧
パルスの電圧値を決定して１回の電圧パルスの印加で発
熱抵抗値の抵抗値を目標値に減少させるようにした抵抗
値の均一化方法が考えられるに至つた。
測定によつて抵抗値降下曲線を近似し、トリミングに際
してこの抵抗値降下曲線を用いてドツトの発熱抵抗体の
初期抵抗値と到達させるべき抵抗値とより印加する電圧
パルスの電圧値を決定して１回の電圧パルスの印加で発
熱抵抗値の抵抗値を目標値に減少させるようにした抵抗
値の均一化方法が考えられるに至つた。
すなわち、第５図は従来のサーマルヘツドの製造方法を
示すフローチヤートである。同図において、ＳＴ１は初
期設定のステツプ、ＳＴ２は上記ステツプＳＴ１に続く
サンプルの抵抗変化測定のステツプ、ＳＴ３は上記ステ
ツプＳＴ２に続く抵抗値降下曲線近似のステツプ、ＳＴ
４は上記ステツプＳＴ３に続く抵抗値測定のステツプ、
ＳＴ５は上記ステツプＳＴ４に続く印加電圧決定のステ
ツプ、ＳＴ６は上記ステツプＳＴ５に続く電圧パルス印
加のステツプ、ＳＴ７は上記ステツプＳＴ６に続くトリ
ミングの全ドツト終了検出のステツプであり、このステ
ツプＳＴ７の分岐からはステツプＳＴ４に処理が戻され
る。
示すフローチヤートである。同図において、ＳＴ１は初
期設定のステツプ、ＳＴ２は上記ステツプＳＴ１に続く
サンプルの抵抗変化測定のステツプ、ＳＴ３は上記ステ
ツプＳＴ２に続く抵抗値降下曲線近似のステツプ、ＳＴ
４は上記ステツプＳＴ３に続く抵抗値測定のステツプ、
ＳＴ５は上記ステツプＳＴ４に続く印加電圧決定のステ
ツプ、ＳＴ６は上記ステツプＳＴ５に続く電圧パルス印
加のステツプ、ＳＴ７は上記ステツプＳＴ６に続くトリ
ミングの全ドツト終了検出のステツプであり、このステ
ツプＳＴ７の分岐からはステツプＳＴ４に処理が戻され
る。
第６図はこのサーマルヘツドの製造方法を実施する装置
の一例を示すブロツク図であり、図において、１はトリ
ミング処理が行われるサーマルヘツド、２はこのサーマ
ルヘツド１の各発熱抵抗体の端子にプローブを押し当て
るプロービング装置、３はこのプロービング装置２に接
続されて上記発熱抵抗体の選択を行うリレー網、４はこ
のリレー網３に接続されて電圧パルスの印加と抵抗値の
測定とを切換えるスイツチ、５はこのスイツチ４の一方
に接続されて指定された電圧値の電圧パルスを送出する
パルス発生器、６はスイツチ４の他方に接続された抵抗
計、７は入出力部８、中央処理部（以下、ＣＰＵとい
う）９、メモリ１０、キーボード１１等を備えて上記諸
装置の制御を行なうとともに所要の演算処理を行う制御
演算部、１２はこの制御演算部７に接続されたプリンタ
である。
の一例を示すブロツク図であり、図において、１はトリ
ミング処理が行われるサーマルヘツド、２はこのサーマ
ルヘツド１の各発熱抵抗体の端子にプローブを押し当て
るプロービング装置、３はこのプロービング装置２に接
続されて上記発熱抵抗体の選択を行うリレー網、４はこ
のリレー網３に接続されて電圧パルスの印加と抵抗値の
測定とを切換えるスイツチ、５はこのスイツチ４の一方
に接続されて指定された電圧値の電圧パルスを送出する
パルス発生器、６はスイツチ４の他方に接続された抵抗
計、７は入出力部８、中央処理部（以下、ＣＰＵとい
う）９、メモリ１０、キーボード１１等を備えて上記諸
装置の制御を行なうとともに所要の演算処理を行う制御
演算部、１２はこの制御演算部７に接続されたプリンタ
である。
次に動作について説明する。まず、ステツプＳＴ１で初
期設定が行われ、次いでステツプＳＴ２でサンプルの抵
抗変化測定が行われる。すなわち、リレー網３を制御し
てサーマルヘツド１のサンプルとして指定されたドツト
の発熱抵抗体を選択し、スイツチ４を切換えて抵抗計６
へ接続して抵抗値を測定し、その測定値を制御演算部７
へ送り、制御演算部７のＣＰＵ９はこれをメモリ１０へ
格納する。次に、スイツチ４を切換えてパルス発生器５
より所定の電圧値を電圧パルスを上記発熱抵抗体に印加
する。ここで、この電圧パルスは例えば幅が２μsecの
パルスが１５個、周期５０μsecで連続するパルス列で
ある。次に、再度スイツチを切換えて電圧パルスが印加
された発熱抵抗体を抵抗計６に接続して抵抗値を測定
し、制御演算部７へ送る。制御演算部７のＣＰＵ９はそ
れを印加した電圧パルスの電圧値とともにメモリ１０に
格納する。以下、同様にして電圧パルスの電圧値を適宜
上昇させながら、これらを処理を繰返す。この処理は少
なくとも３回繰返して実行され、リレー網３を切換えて
いくつかのサンプルについて実行される。
期設定が行われ、次いでステツプＳＴ２でサンプルの抵
抗変化測定が行われる。すなわち、リレー網３を制御し
てサーマルヘツド１のサンプルとして指定されたドツト
の発熱抵抗体を選択し、スイツチ４を切換えて抵抗計６
へ接続して抵抗値を測定し、その測定値を制御演算部７
へ送り、制御演算部７のＣＰＵ９はこれをメモリ１０へ
格納する。次に、スイツチ４を切換えてパルス発生器５
より所定の電圧値を電圧パルスを上記発熱抵抗体に印加
する。ここで、この電圧パルスは例えば幅が２μsecの
パルスが１５個、周期５０μsecで連続するパルス列で
ある。次に、再度スイツチを切換えて電圧パルスが印加
された発熱抵抗体を抵抗計６に接続して抵抗値を測定
し、制御演算部７へ送る。制御演算部７のＣＰＵ９はそ
れを印加した電圧パルスの電圧値とともにメモリ１０に
格納する。以下、同様にして電圧パルスの電圧値を適宜
上昇させながら、これらを処理を繰返す。この処理は少
なくとも３回繰返して実行され、リレー網３を切換えて
いくつかのサンプルについて実行される。
次に、ステツプＳＴ３において、測定された抵抗変化に
基づく抵抗値降下曲線の近似が行われる。すなわち、制
御演算部７のＣＰＵ９はメモリ１０に格納しておいた抵
抗変化から電圧パルスによる各印加電圧における抵抗変
化率ΔR=(R-R0)/R0を求め、これを上記(1)式に代入す
る。これによつて各サンプル毎にそれぞれα，β，Ｖ０
を未知数とする方程式を作成してこれを解く。ここで三
つの未知数に対して四つ以上の方程式がある場合にはこ
れを統計的に処理して解を得る。得られた解はさらに各
サンプル間で統計的に処理され、得られた定数α，β、
境界電圧値Ｖ０が(1)式に代入されて抵抗変化率ΔＲと
印加電圧Ｖとの関係を示す第２図の抵抗値降下曲線Ａが
近似される。
基づく抵抗値降下曲線の近似が行われる。すなわち、制
御演算部７のＣＰＵ９はメモリ１０に格納しておいた抵
抗変化から電圧パルスによる各印加電圧における抵抗変
化率ΔR=(R-R0)/R0を求め、これを上記(1)式に代入す
る。これによつて各サンプル毎にそれぞれα，β，Ｖ０
を未知数とする方程式を作成してこれを解く。ここで三
つの未知数に対して四つ以上の方程式がある場合にはこ
れを統計的に処理して解を得る。得られた解はさらに各
サンプル間で統計的に処理され、得られた定数α，β、
境界電圧値Ｖ０が(1)式に代入されて抵抗変化率ΔＲと
印加電圧Ｖとの関係を示す第２図の抵抗値降下曲線Ａが
近似される。
これで準備段階を終了してステツプＳＴ４よりトリミン
グの処理に入る。まず、ステツプＳＴ４において、リレ
ー網３でトリミングを実施するドツトを選択し、スイツ
チ４によつてこれを抵抗計６に接続してその抵抗値を測
定する。次に、ステツプＳＴ５ではＣＰＵ９によつて得
られた抵抗値を目標値まで降下させるための抵抗変化率
ΔＲｎが算出され、さらに前述の抵抗値降下曲線Ａを用
いて電圧パルスの印加電圧Ｖｎを決定する。すなわち、
上記α，β，Ｖ０が代入された関係式に抵抗変化率ΔＲ
ｎを代入して印加電圧Ｖｎを算出する。得られた印加電
圧Ｖｎは制御演算部７よりパルス発生器５へ送られる。
ステツプＳＴ６でスイツチ４が切換えられると、パルス
発生器５からは電圧がＶｎの電圧パルスが送出され、ト
リミングを実施するドツトの発熱抵抗対に印加される。
これによつて当該発熱抵抗体の抵抗値は目標値近傍に降
下する。以下ステツプＳＴ７が全ドツトのトリミングの
終了を検出するまでステツプＳＴ４以後の処理を繰返
す。
グの処理に入る。まず、ステツプＳＴ４において、リレ
ー網３でトリミングを実施するドツトを選択し、スイツ
チ４によつてこれを抵抗計６に接続してその抵抗値を測
定する。次に、ステツプＳＴ５ではＣＰＵ９によつて得
られた抵抗値を目標値まで降下させるための抵抗変化率
ΔＲｎが算出され、さらに前述の抵抗値降下曲線Ａを用
いて電圧パルスの印加電圧Ｖｎを決定する。すなわち、
上記α，β，Ｖ０が代入された関係式に抵抗変化率ΔＲ
ｎを代入して印加電圧Ｖｎを算出する。得られた印加電
圧Ｖｎは制御演算部７よりパルス発生器５へ送られる。
ステツプＳＴ６でスイツチ４が切換えられると、パルス
発生器５からは電圧がＶｎの電圧パルスが送出され、ト
リミングを実施するドツトの発熱抵抗対に印加される。
これによつて当該発熱抵抗体の抵抗値は目標値近傍に降
下する。以下ステツプＳＴ７が全ドツトのトリミングの
終了を検出するまでステツプＳＴ４以後の処理を繰返
す。
従来のサーマルヘツドの製造方法は以上のように構成さ
れているので、第２図に示した抵抗値降下曲線Ａを使つ
て算出した電圧を発熱抵抗体に印加した場合に実際に発
生した抵抗値変化率を示した○印からも明らかなように
抵抗値降下曲線Ａを中心に分布している。また、この抵
抗値降下曲線Ａは印加電圧値が高くなるに随つてその曲
線が急峻になる。このため、抵抗値変化率の絶対量の抵
抗値降下曲線Ａからのずれも大きくなるので、１回の電
圧パルスを印加させるだけで目標とする抵抗値近傍に発
熱抵抗体の抵抗値を精度よく到達させることは困難で過
剰に抵抗値が降下してしまうという問題点があつた。
れているので、第２図に示した抵抗値降下曲線Ａを使つ
て算出した電圧を発熱抵抗体に印加した場合に実際に発
生した抵抗値変化率を示した○印からも明らかなように
抵抗値降下曲線Ａを中心に分布している。また、この抵
抗値降下曲線Ａは印加電圧値が高くなるに随つてその曲
線が急峻になる。このため、抵抗値変化率の絶対量の抵
抗値降下曲線Ａからのずれも大きくなるので、１回の電
圧パルスを印加させるだけで目標とする抵抗値近傍に発
熱抵抗体の抵抗値を精度よく到達させることは困難で過
剰に抵抗値が降下してしまうという問題点があつた。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、発熱抵抗体の抵抗値の均一化を短時間にしか
も精度よく行えるようにしたサーマルヘッドの抵抗値調
整装置を得ることを目的とする。
たもので、発熱抵抗体の抵抗値の均一化を短時間にしか
も精度よく行えるようにしたサーマルヘッドの抵抗値調
整装置を得ることを目的とする。
この発明に係るサーマルヘッドの抵抗値調整装置は、サ
ンプルとして選ばれた発熱抵抗体に電圧値の異なる電圧
パルスを低圧のものから順次印加してその抵抗値を降下
させ、印加電圧と抵抗変化との関係を近似的に示す抵抗
値降下曲線を急峻な曲線に補正し、この補正した抵抗値
降下曲線を用いて各発熱抵抗体の初期抵抗値を目標値ま
で降下させるための抵抗値変化率より上記各発熱抵抗体
へ印加する上記電圧パルスの電圧値を決定し、この決定
した電圧値を上記各発熱抵抗体に印加してその抵抗値を
降下させて均一化させるものである。
ンプルとして選ばれた発熱抵抗体に電圧値の異なる電圧
パルスを低圧のものから順次印加してその抵抗値を降下
させ、印加電圧と抵抗変化との関係を近似的に示す抵抗
値降下曲線を急峻な曲線に補正し、この補正した抵抗値
降下曲線を用いて各発熱抵抗体の初期抵抗値を目標値ま
で降下させるための抵抗値変化率より上記各発熱抵抗体
へ印加する上記電圧パルスの電圧値を決定し、この決定
した電圧値を上記各発熱抵抗体に印加してその抵抗値を
降下させて均一化させるものである。
この発明におけるサーマルヘッドの抵抗値調整装置は、
サーマルヘツド内のサンプルドツトの測定によつて抵抗
値降下曲線を近似し、トリミングに際してこの抵抗値降
下曲線を急峻に補正した曲線を用いて測定したそのドツ
トの発熱抵抗体の抵抗値より印加する電圧パルスの電圧
値を決定して１回の電圧パルスの印加で発熱抵抗体の抵
抗値を目標値より降下しない範囲に近づけるようにす
る。
サーマルヘツド内のサンプルドツトの測定によつて抵抗
値降下曲線を近似し、トリミングに際してこの抵抗値降
下曲線を急峻に補正した曲線を用いて測定したそのドツ
トの発熱抵抗体の抵抗値より印加する電圧パルスの電圧
値を決定して１回の電圧パルスの印加で発熱抵抗体の抵
抗値を目標値より降下しない範囲に近づけるようにす
る。
以下この発明の一実施例を図について説明する。第１図
において、ＳＴ１１は初期設定のステツプ、ＳＴ１２は
上記ステツプＳＴ１１に続くサンプルの抵抗変化測定の
ステツプ、ＳＴ１３は上記ステツプＳＴ１２に続く抵抗
値降下曲線近似のステツプ、ＳＴ１４は上記ステツプＳ
Ｔ１３に続く抵抗値降下曲線補正のステツプ、ＳＴ１５
は上記ステツプＳＴ１４に続く抵抗値測定のステツプ、
ＳＴ１６は上記ステツプＳＴ１５に続く印加電圧決定の
ステツプ、ＳＴ１７は上記ステツプＳＴ１６に続く電圧
パルス印加のステツプ、ＳＴ１８は上記ステツプＳＴ１
７に続く目標値比較のステツプ、ＳＴ１９は上記ステツ
プＳＴ１８に続く抵抗値測定のステツプ、ＳＴ２０は上
記ステツプＳＴ１９に続く印加電圧決定のステツプ、Ｓ
Ｔ２１は上記ステツプＳＴ２０に続く電圧パルス印加の
ステツプ、ＳＴ２２は上記ステツプＳＴ２１に続くトリ
ミングの全ドツト終了検出のステツプであり、このステ
ツプＳＴ２２の分岐からはステツプＳＴ１５に処理が戻
される。また、ステツプＳＴ１８の分岐からはステツプ
ＳＴ２２へ処理が進む。
において、ＳＴ１１は初期設定のステツプ、ＳＴ１２は
上記ステツプＳＴ１１に続くサンプルの抵抗変化測定の
ステツプ、ＳＴ１３は上記ステツプＳＴ１２に続く抵抗
値降下曲線近似のステツプ、ＳＴ１４は上記ステツプＳ
Ｔ１３に続く抵抗値降下曲線補正のステツプ、ＳＴ１５
は上記ステツプＳＴ１４に続く抵抗値測定のステツプ、
ＳＴ１６は上記ステツプＳＴ１５に続く印加電圧決定の
ステツプ、ＳＴ１７は上記ステツプＳＴ１６に続く電圧
パルス印加のステツプ、ＳＴ１８は上記ステツプＳＴ１
７に続く目標値比較のステツプ、ＳＴ１９は上記ステツ
プＳＴ１８に続く抵抗値測定のステツプ、ＳＴ２０は上
記ステツプＳＴ１９に続く印加電圧決定のステツプ、Ｓ
Ｔ２１は上記ステツプＳＴ２０に続く電圧パルス印加の
ステツプ、ＳＴ２２は上記ステツプＳＴ２１に続くトリ
ミングの全ドツト終了検出のステツプであり、このステ
ツプＳＴ２２の分岐からはステツプＳＴ１５に処理が戻
される。また、ステツプＳＴ１８の分岐からはステツプ
ＳＴ２２へ処理が進む。
なお、ステップＳＴ１８に続くステップ〜ステップＳＴ
２１は不要となる。」とあるのを「ステップＳＴ１８に
続くＮＯのステップとしては抵抗値測定のステップＳＴ
１５であってもよい。この場合、ステップＳＴ１９，Ｓ
Ｔ２０，ＳＴ２１は不要となり、またステップＳＴ１８
の判定により、抵抗値は目標値に到達するまで絞り込ま
れていく。但し、ＳＴ１８に続くＮＯからＳＴ１５への
分岐が無限ループと形成しないように、ループ回数の制
限を予め設けておく必要がある。
２１は不要となる。」とあるのを「ステップＳＴ１８に
続くＮＯのステップとしては抵抗値測定のステップＳＴ
１５であってもよい。この場合、ステップＳＴ１９，Ｓ
Ｔ２０，ＳＴ２１は不要となり、またステップＳＴ１８
の判定により、抵抗値は目標値に到達するまで絞り込ま
れていく。但し、ＳＴ１８に続くＮＯからＳＴ１５への
分岐が無限ループと形成しないように、ループ回数の制
限を予め設けておく必要がある。
しかして、この発明のサーマルヘッドの抵抗値調整装置
を実施する装置は第６図に示す装置を使用する。
を実施する装置は第６図に示す装置を使用する。
次に動作について説明する。第２図は上記抵抗値降下曲
線の一例を示す線図であり、図中実線Ａがその抵抗値降
下曲線で、横軸には電圧パルスによる印加電圧値が、縦
軸には電圧パルス印加による発熱抵抗体の抵抗変化率が
目盛られている。
線の一例を示す線図であり、図中実線Ａがその抵抗値降
下曲線で、横軸には電圧パルスによる印加電圧値が、縦
軸には電圧パルス印加による発熱抵抗体の抵抗変化率が
目盛られている。
この実施例では、まずステツプＳＴ１１で初期設定が行
われ、次いでステツプＳＴ１２でサンプルの抵抗変化測
定が行われる。すなわち、リレー網３を制御してサーマ
ルヘツド１のサンプルとして指定されたドツトの発熱抵
抗体を選択し、スイツチ４を切換えて抵抗計６へ接続し
て抵抗値を測定し、その測定値を制御演算部７へ送り、
制御演算部７のＣＰＵ９はこれをメモリ１０へ格納す
る。次に、スイツチ４を切換えてパルス発生器５より所
定の電圧値の電圧パルスを上記発熱抵抗体に印加する。
次に、再度スイツチ４を切換えてこの電圧パルスが印加
された発熱抵抗体を抵抗計６に接続して抵抗値を測定
し、制御演算部７へ送る。制御演算部７のＣＰＵ９はそ
れを印加した電圧パルスの電圧値とともにメモリ１０に
格納する。
われ、次いでステツプＳＴ１２でサンプルの抵抗変化測
定が行われる。すなわち、リレー網３を制御してサーマ
ルヘツド１のサンプルとして指定されたドツトの発熱抵
抗体を選択し、スイツチ４を切換えて抵抗計６へ接続し
て抵抗値を測定し、その測定値を制御演算部７へ送り、
制御演算部７のＣＰＵ９はこれをメモリ１０へ格納す
る。次に、スイツチ４を切換えてパルス発生器５より所
定の電圧値の電圧パルスを上記発熱抵抗体に印加する。
次に、再度スイツチ４を切換えてこの電圧パルスが印加
された発熱抵抗体を抵抗計６に接続して抵抗値を測定
し、制御演算部７へ送る。制御演算部７のＣＰＵ９はそ
れを印加した電圧パルスの電圧値とともにメモリ１０に
格納する。
以下、同様にして電圧パルスの電圧値を適宜上昇させな
がら、これらの処理を繰返す。この処理は少なくとも３
回繰返して実行され、リレー網３を切換えていくつかの
サンプルについて実行される。次に、ステツプＳＴ１３
において、メモリ１０に格納しておいた抵抗変化から、
電圧パルスによる各印加電圧における抵抗変化率ΔＲを
ＣＰＵ９によつて求め、これを上記(1)式に代入する。
これによつて各サンプル毎にそれぞれα，β，Ｖ０を未
知数とする方程式を作成してこれを解く。得られた解は
さらに各サンプル間で統計的に処理され、得られた定数
α，β、境界電圧値Ｖ０が(1)式に代入されて抵抗値降
下曲線Ａが近似される。次に、ステツプＳＴ１４におい
て算出したα，βの数値を例えばα′＝α×１．１のよ
うに補正することにより補正した抵抗値降下曲線Ａ′を
得る。
がら、これらの処理を繰返す。この処理は少なくとも３
回繰返して実行され、リレー網３を切換えていくつかの
サンプルについて実行される。次に、ステツプＳＴ１３
において、メモリ１０に格納しておいた抵抗変化から、
電圧パルスによる各印加電圧における抵抗変化率ΔＲを
ＣＰＵ９によつて求め、これを上記(1)式に代入する。
これによつて各サンプル毎にそれぞれα，β，Ｖ０を未
知数とする方程式を作成してこれを解く。得られた解は
さらに各サンプル間で統計的に処理され、得られた定数
α，β、境界電圧値Ｖ０が(1)式に代入されて抵抗値降
下曲線Ａが近似される。次に、ステツプＳＴ１４におい
て算出したα，βの数値を例えばα′＝α×１．１のよ
うに補正することにより補正した抵抗値降下曲線Ａ′を
得る。
これで準備段階を終了してステツプＳＴ１５よりトリミ
ングの処理に入る。まず、ステツプＳＴ１５において、
リレー網３でトリミングを実施するドツトを選択し、ス
イツチ４によつてこれを抵抗計６に接続してその抵抗値
を測定する。次に、ステツプＳＴ１６ではＣＰＵ９によ
つて得られた抵抗値を目標値まで降下させるための抵抗
変化率ΔＲｎが算出され、さらに前述の抵抗値降下曲線
Ａ′を用いて電圧パルスの印加電圧Ｖｎを決定する。そ
して、ステツプＳＴ１７でスイツチ４が切換えられる
と、パルス発生器５からは電圧がＶｎの電圧パルスが送
出され、当該発熱抵抗体に印加される。いま、例えば抵
抗変化率が−３０％の変化を必要とする発熱抵抗体に対
する印加電圧は１０６Ｖとの答えを得るが、この電圧を
印加した場合に実際に発熱抵抗体の抵抗値の変化する量
の平均値は−２２％である。その差８％が１回目のパル
ス印加で降下するときのばらつきに関するマージンとな
る。つまり、この補正を行うことにより１回目のパルス
印加で目標値よりも過剰に抵抗値が下がりすぎる発熱抵
抗体の発生を防ぐことができる。そして、ステツプＳＴ
１８において、当該発熱抵抗体の抵抗値が目標値に近い
値にあるか否かの判定をし、極めて近い値であればステ
ツプＳＴ２２に進み、目標値に対してまだ開きがある場
合はステツプＳＴ１９に進む。そして、ステツプ１９に
おいて、再度当該発熱抵抗体の抵抗値を前述と同様の手
段で測定し、ステツプＳＴ２０によつて得られた抵抗値
を目標値まで降下させるための印加電圧を決定する。次
に、ステツプＳＴ２１において、パルス発生器５からの
電圧パルスを送出して発熱抵抗体に電圧を印加する。こ
の場合の印加電圧が１回目の電圧と同じ値であれば、当
該発熱抵抗体の抵抗値はわずかに降下させることができ
る。このようにして、当該発熱抵抗体の抵抗値を目標値
に精度良く近づけることができる。以下、ステツプＳＴ
２２が全ドツトのトリミングの終了を検出するまで、ス
テツプＳＴ１５以後の処理が繰返される。
ングの処理に入る。まず、ステツプＳＴ１５において、
リレー網３でトリミングを実施するドツトを選択し、ス
イツチ４によつてこれを抵抗計６に接続してその抵抗値
を測定する。次に、ステツプＳＴ１６ではＣＰＵ９によ
つて得られた抵抗値を目標値まで降下させるための抵抗
変化率ΔＲｎが算出され、さらに前述の抵抗値降下曲線
Ａ′を用いて電圧パルスの印加電圧Ｖｎを決定する。そ
して、ステツプＳＴ１７でスイツチ４が切換えられる
と、パルス発生器５からは電圧がＶｎの電圧パルスが送
出され、当該発熱抵抗体に印加される。いま、例えば抵
抗変化率が−３０％の変化を必要とする発熱抵抗体に対
する印加電圧は１０６Ｖとの答えを得るが、この電圧を
印加した場合に実際に発熱抵抗体の抵抗値の変化する量
の平均値は−２２％である。その差８％が１回目のパル
ス印加で降下するときのばらつきに関するマージンとな
る。つまり、この補正を行うことにより１回目のパルス
印加で目標値よりも過剰に抵抗値が下がりすぎる発熱抵
抗体の発生を防ぐことができる。そして、ステツプＳＴ
１８において、当該発熱抵抗体の抵抗値が目標値に近い
値にあるか否かの判定をし、極めて近い値であればステ
ツプＳＴ２２に進み、目標値に対してまだ開きがある場
合はステツプＳＴ１９に進む。そして、ステツプ１９に
おいて、再度当該発熱抵抗体の抵抗値を前述と同様の手
段で測定し、ステツプＳＴ２０によつて得られた抵抗値
を目標値まで降下させるための印加電圧を決定する。次
に、ステツプＳＴ２１において、パルス発生器５からの
電圧パルスを送出して発熱抵抗体に電圧を印加する。こ
の場合の印加電圧が１回目の電圧と同じ値であれば、当
該発熱抵抗体の抵抗値はわずかに降下させることができ
る。このようにして、当該発熱抵抗体の抵抗値を目標値
に精度良く近づけることができる。以下、ステツプＳＴ
２２が全ドツトのトリミングの終了を検出するまで、ス
テツプＳＴ１５以後の処理が繰返される。
なお、上記実施例では１つのサンプルに対して少なくと
も３回の電圧パルスの印加を行つて抵抗値降下曲線を近
似するものを示したが、抵抗値に変化が現われ始める印
加電圧の境界値Ｖ０を２５Ｖとして固定的に与えてしま
えば２回の電圧パルス印加で抵抗値降下曲線を近似する
ことも可能である。
も３回の電圧パルスの印加を行つて抵抗値降下曲線を近
似するものを示したが、抵抗値に変化が現われ始める印
加電圧の境界値Ｖ０を２５Ｖとして固定的に与えてしま
えば２回の電圧パルス印加で抵抗値降下曲線を近似する
ことも可能である。
また、上記実施例では電圧パルスに所定数連続したパル
ス列を用いたが単一パルスであつてもよく、上記実施例
と同様の効果を奏する。
ス列を用いたが単一パルスであつてもよく、上記実施例
と同様の効果を奏する。
以上のように、この発明によれば、発熱抵抗体中からサ
ンプルを複数選び、電圧値の異なる電圧パルスを低いも
のから順次前記サンプルに印加し、各印加電圧と抵抗変
化の関係を示す抵抗降下曲線を求めると共に、その抵抗
降下曲線を１回の電圧パルスの印加で発熱抵抗体の抵抗
値が目標値より降下しないように補正し、前記発熱抵抗
体に印加する前記電圧パルスの電圧値を、その発熱抵抗
体の初期抵抗値に基づいて前記補正された抵抗降下曲線
を用いて決定するように構成したので発熱抵抗体の抵抗
値を過剰に降下させてしまうことがなく、しかも短時間
に均一化できるという効果がある。
ンプルを複数選び、電圧値の異なる電圧パルスを低いも
のから順次前記サンプルに印加し、各印加電圧と抵抗変
化の関係を示す抵抗降下曲線を求めると共に、その抵抗
降下曲線を１回の電圧パルスの印加で発熱抵抗体の抵抗
値が目標値より降下しないように補正し、前記発熱抵抗
体に印加する前記電圧パルスの電圧値を、その発熱抵抗
体の初期抵抗値に基づいて前記補正された抵抗降下曲線
を用いて決定するように構成したので発熱抵抗体の抵抗
値を過剰に降下させてしまうことがなく、しかも短時間
に均一化できるという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例によるサーマルヘツドの製
造方法を示すフローチヤート、第２図はその抵抗値降下
曲線の一例を示す線図、第３図は発熱抵抗体の抵抗値の
減少を示す線図、第４図は抵抗値降下曲線の他の例を示
す線図、第５図は従来のサーマルヘツドの製造方法の一
例を示すフローチヤート、第６図はそれを実施するため
の装置の一例を示すブロツク図である。 １はサーマルヘツド、Ａ，Ａ′は抵抗値降下曲線。
造方法を示すフローチヤート、第２図はその抵抗値降下
曲線の一例を示す線図、第３図は発熱抵抗体の抵抗値の
減少を示す線図、第４図は抵抗値降下曲線の他の例を示
す線図、第５図は従来のサーマルヘツドの製造方法の一
例を示すフローチヤート、第６図はそれを実施するため
の装置の一例を示すブロツク図である。 １はサーマルヘツド、Ａ，Ａ′は抵抗値降下曲線。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 尾崎 裕 兵庫県尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三 菱電機株式会社通信機製作所内 (72)発明者 高瀬 弥平 兵庫県尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三 菱電機株式会社通信機製作所内 (56)参考文献 特開 昭61−131404（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】サーマルヘッドの各々の発熱抵抗体に電圧
パルスを印加し、その抵抗値を降下させて均一化するサ
ーマルヘッドの抵抗値調整装置において、前記各々の発
熱抵抗体に接続されるプロービング装置と、そのプロー
ビング装置に接続され前記発熱抵抗体の選択を行うと共
に、パルス発生器によるその発熱抵抗体への電圧パルス
の印加と抵抗計によるその発熱抵抗体の抵抗測定とを切
り換えるスイッチ回路と、前記発熱抵抗体中からサンプ
ルを複数選び、電圧値の異なる電圧パルスを低いものか
ら順次前記サンプルに印加し、各印加電圧と抵抗変化の
関係を示す抵抗降下曲線を求めると共に、その抵抗降下
曲線を１回の電圧パルスの印加で発熱抵抗体の抵抗値が
目標値より降下しないように補正し、前記発熱抵抗体に
印加する前記電圧パルスの電圧値を、その発熱抵抗体の
初期抵抗値に基づいて前記補正された抵抗降下曲線を用
いて決定する制御演算部とを備えたことを特徴とするサ
ーマルヘッドの抵抗値調整装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61204009A JPH06417B2 (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | サーマルヘッドの抵抗値調整装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61204009A JPH06417B2 (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | サーマルヘッドの抵抗値調整装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6359556A JPS6359556A (ja) | 1988-03-15 |
| JPH06417B2 true JPH06417B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=16483258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61204009A Expired - Lifetime JPH06417B2 (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | サーマルヘッドの抵抗値調整装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06417B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61131404A (ja) * | 1984-11-29 | 1986-06-19 | ロ−ム株式会社 | サ−マルヘツドにおけるパルストリミング法 |
-
1986
- 1986-08-29 JP JP61204009A patent/JPH06417B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6359556A (ja) | 1988-03-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |