JPH068057B2 - サ−マルヘツドの製造方法 - Google Patents
サ−マルヘツドの製造方法Info
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- JPH068057B2 JPH068057B2 JP20401086A JP20401086A JPH068057B2 JP H068057 B2 JPH068057 B2 JP H068057B2 JP 20401086 A JP20401086 A JP 20401086A JP 20401086 A JP20401086 A JP 20401086A JP H068057 B2 JPH068057 B2 JP H068057B2
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- Japan
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- voltage
- heating resistor
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- resistance
- resistance value
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/35—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads providing current or voltage to the thermal head
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- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は発熱抵抗体の抵抗値を均一化させるサーマル
ヘツドの製造方法に関する。
ヘツドの製造方法に関する。
周知のように厚膜形のサーマルヘツドはペースト状の抵
抗材料にスクリーン印刷法等によつて所定のパターンに
印刷し、その後焼成することで発熱抵抗体を形成してい
る。そのため、厚膜形のサーマルヘツドは比較的短い製
造工程によつて安価に製造できる反面、発熱抵抗体の抵
抗値のばらつきが大きくなる欠点を持ち合せている。こ
の発熱抵抗体の抵抗値のばらつきは印字等の質に直接影
響を及ぼすものであるため、厚膜形のサーマルヘツドの
製造においては発熱抵抗体の抵抗値の均一化は極めて重
要な要因である。この発熱抵抗体の抵抗値の均一化とし
ては発熱抵抗体形成後、各発熱抵抗体に個別に比較的高
圧の電圧パルスを印加すると、その抵抗値が低下すると
いう現象を利用したトリミング処理がある。
抗材料にスクリーン印刷法等によつて所定のパターンに
印刷し、その後焼成することで発熱抵抗体を形成してい
る。そのため、厚膜形のサーマルヘツドは比較的短い製
造工程によつて安価に製造できる反面、発熱抵抗体の抵
抗値のばらつきが大きくなる欠点を持ち合せている。こ
の発熱抵抗体の抵抗値のばらつきは印字等の質に直接影
響を及ぼすものであるため、厚膜形のサーマルヘツドの
製造においては発熱抵抗体の抵抗値の均一化は極めて重
要な要因である。この発熱抵抗体の抵抗値の均一化とし
ては発熱抵抗体形成後、各発熱抵抗体に個別に比較的高
圧の電圧パルスを印加すると、その抵抗値が低下すると
いう現象を利用したトリミング処理がある。
このように従来のサーマルヘツドの製造方法は電圧値を
暫増させながら発熱抵抗体に電圧パルスを繰返し印加
し、発熱抵抗体の抵抗値をある目標値に設定させるよう
にするもので、実験により発熱抵抗体の抵抗値はその初
期値にかかわらず、印加する電圧パルスを暫増させてい
くときに変化率が一定の曲線上を推移していくことがわ
かつた。
暫増させながら発熱抵抗体に電圧パルスを繰返し印加
し、発熱抵抗体の抵抗値をある目標値に設定させるよう
にするもので、実験により発熱抵抗体の抵抗値はその初
期値にかかわらず、印加する電圧パルスを暫増させてい
くときに変化率が一定の曲線上を推移していくことがわ
かつた。
この変化率は で近似的に表わすことができる。なお、(1)式中Ｖは印
加電圧、Ｒは発熱抵抗体の抵抗値、Ｒ0は発熱抵抗体の
初期抵抗値、Ｖ0は抵抗値に変化が現われ始める印加電
圧の境界値、ΔＶは印加電圧の変化ステツプ、α，βは
サーマルヘツドの構造，ドツト密度等で決まる定数であ
る。
加電圧、Ｒは発熱抵抗体の抵抗値、Ｒ0は発熱抵抗体の
初期抵抗値、Ｖ0は抵抗値に変化が現われ始める印加電
圧の境界値、ΔＶは印加電圧の変化ステツプ、α，βは
サーマルヘツドの構造，ドツト密度等で決まる定数であ
る。
第２図はこのような方法によつて電圧パルスを発熱抵抗
体に印加した場合の発熱抵抗体の抵抗値の減少を示す線
図であり、トリミング前にはＲ1，Ｒ2，Ｒ3と大きくば
らついていた抵抗値がトリミング処理により目標値Ｒ0
よりわずかに低い狭い範囲内に均一化される。図におい
て、ＶSは電圧パルスの初期値であり、電圧パルスの印
加によつて発熱抵抗体の抵抗値が減少を始める境界電圧
が通常は２５Ｖ近傍にあるため、例えば２５Ｖに設定さ
れている。また、ΔＶは電圧パルスの電圧値の増し分で
あり、発熱抵抗体の抵抗値が減少し過ぎないように例え
ば2.5Ｖに設定して徐々に抵抗値を減少させるようにし
ている。
体に印加した場合の発熱抵抗体の抵抗値の減少を示す線
図であり、トリミング前にはＲ1，Ｒ2，Ｒ3と大きくば
らついていた抵抗値がトリミング処理により目標値Ｒ0
よりわずかに低い狭い範囲内に均一化される。図におい
て、ＶSは電圧パルスの初期値であり、電圧パルスの印
加によつて発熱抵抗体の抵抗値が減少を始める境界電圧
が通常は２５Ｖ近傍にあるため、例えば２５Ｖに設定さ
れている。また、ΔＶは電圧パルスの電圧値の増し分で
あり、発熱抵抗体の抵抗値が減少し過ぎないように例え
ば2.5Ｖに設定して徐々に抵抗値を減少させるようにし
ている。
第３図は、横軸に電圧パルスによる印加電圧値が、縦軸
に電圧パルス印加による発熱抵抗体の抵抗変化率が目盛
られた線図である。そして、第３図は第２図と同一デー
タで第２図の縦軸を抵抗変化率で表わしたもので、個々
の発熱抵抗体の初期抵抗値はばらつきを呈していても変
化率の曲線は第３図に破線で示す如く初期抵抗値には関
係なくほぼ一定の曲線Ｙ上をたどる発熱抵抗体の抵抗値
の減少を示す線図が描ける。
に電圧パルス印加による発熱抵抗体の抵抗変化率が目盛
られた線図である。そして、第３図は第２図と同一デー
タで第２図の縦軸を抵抗変化率で表わしたもので、個々
の発熱抵抗体の初期抵抗値はばらつきを呈していても変
化率の曲線は第３図に破線で示す如く初期抵抗値には関
係なくほぼ一定の曲線Ｙ上をたどる発熱抵抗体の抵抗値
の減少を示す線図が描ける。
このようなサーマルヘツドの製造方法では１ドツトの発
熱抵抗体のトリミングには２０〜３０回の電圧パルスの
印加および抵抗値の測定をしなければならず、発熱抵抗
体の抵抗値の均一化には多大な時間を要することにな
る。
熱抵抗体のトリミングには２０〜３０回の電圧パルスの
印加および抵抗値の測定をしなければならず、発熱抵抗
体の抵抗値の均一化には多大な時間を要することにな
る。
このため、近時はサーマルヘツド内のサンプルドツトの
測定によつて抵抗値降下曲線を近似し、トリミングに際
してこの抵抗値降下曲線を用いてドツトの発熱抵抗体の
初期抵抗体と到達させるべき抵抗値とより印加する電圧
パルスと電圧値を決定して１回の電圧パルスの印加で発
熱抵抗体の抵抗値を目標値に減少させるようにした抵抗
値の均一化方法が考えられるに至つた。
測定によつて抵抗値降下曲線を近似し、トリミングに際
してこの抵抗値降下曲線を用いてドツトの発熱抵抗体の
初期抵抗体と到達させるべき抵抗値とより印加する電圧
パルスと電圧値を決定して１回の電圧パルスの印加で発
熱抵抗体の抵抗値を目標値に減少させるようにした抵抗
値の均一化方法が考えられるに至つた。
すなわち、第４図は従来のサーマルヘツドの製造方法を
示すフローチヤートである。同図において、ＳＴ１は初
期設定のステツプ、ＳＴ２は上記ステツプＳＴ１に続く
サンプルの抵抗変化測定のステツプ、ＳＴ３は上記ステ
ツプＳＴ２に続く抵抗値降下曲線近似のステツプ、ＳＴ
４は上記ステツプＳＴ３に続く抵抗値測定のステツプ、
ＳＴ５は上記ステツプＳＴ４に続く印加電圧決定のステ
ツプ、ＳＴ６は上記ステツプＳＴ５に続く電圧パルス印
加のステツプ、ＳＴ７は上記ステツプＳＴ６に続くトリ
ミングの全ドツト終了検出のステツプであり、このステ
ツプＳＴ７の分岐からはステツプＳＴ４に処理が戻され
る。
示すフローチヤートである。同図において、ＳＴ１は初
期設定のステツプ、ＳＴ２は上記ステツプＳＴ１に続く
サンプルの抵抗変化測定のステツプ、ＳＴ３は上記ステ
ツプＳＴ２に続く抵抗値降下曲線近似のステツプ、ＳＴ
４は上記ステツプＳＴ３に続く抵抗値測定のステツプ、
ＳＴ５は上記ステツプＳＴ４に続く印加電圧決定のステ
ツプ、ＳＴ６は上記ステツプＳＴ５に続く電圧パルス印
加のステツプ、ＳＴ７は上記ステツプＳＴ６に続くトリ
ミングの全ドツト終了検出のステツプであり、このステ
ツプＳＴ７の分岐からはステツプＳＴ４に処理が戻され
る。
第５図はこのサーマルヘツドの製造方法を実施する装置
の一例を示すブロツク図であり、図において、１はトリ
ミング処理が行われるサーマルヘツド、２はこのサーマ
ルヘツド１の各発熱抵抗体の端子にプローブを押し当て
るプロービング装置、３はこのプロービング装置２に接
続されて上記発熱抵抗体の選択を行うリレー網、４はこ
のリレー網３に接続されて電圧パルスの印加と抵抗値の
測定とを切換えるスイツチ、５はこのスイツチ４の一方
に接続されて指定された電圧値の電圧パルスを送出する
パルス発生器、６はスイツチ４の他方に接続された抵抗
計、７は入出力部８、中央処理部（以下、ＣＰＵとい
う）９、メモリ１０、キーボード１１等を備えて上記諸
装置の制御を行なうとともに所要の演算処理を行う制御
演算部、１２はこの制御演算部７に接続されたプリンタ
である。
の一例を示すブロツク図であり、図において、１はトリ
ミング処理が行われるサーマルヘツド、２はこのサーマ
ルヘツド１の各発熱抵抗体の端子にプローブを押し当て
るプロービング装置、３はこのプロービング装置２に接
続されて上記発熱抵抗体の選択を行うリレー網、４はこ
のリレー網３に接続されて電圧パルスの印加と抵抗値の
測定とを切換えるスイツチ、５はこのスイツチ４の一方
に接続されて指定された電圧値の電圧パルスを送出する
パルス発生器、６はスイツチ４の他方に接続された抵抗
計、７は入出力部８、中央処理部（以下、ＣＰＵとい
う）９、メモリ１０、キーボード１１等を備えて上記諸
装置の制御を行なうとともに所要の演算処理を行う制御
演算部、１２はこの制御演算部７に接続されたプリンタ
である。
次に動作について説明する。まず、第４図においてステ
ツプＳＴ１で初期設定が行われ、次いでステツプＳＴ２
でサンプルの抵抗変化測定が行われる。すなわち、リレ
ー網３を制御してサーマルヘツド１のサンプルとして指
定されたドツトの発熱抵抗体を選択し、スイツチ４を切
換えて抵抗計６へ接続して抵抗値を測定し、その測定値
を制御演算部７へ送り、制御演算部７のＣＰＵ９はこれ
をメモリ１０へ格納する。次に、スイツチ４を切換えて
パルス発生器５より所定の電圧値の電圧パルスを上記発
熱抵抗体に印加する。ここで、この電圧パルスは例えば
幅が２μｓｅｃのパルスが１５個、周期５０μsecで連
続するパルス列である。次に、再度スイツチ４を切換え
て電圧パルスが印加された発熱抵抗体を抵抗計６に接続
して抵抗値を測定し、制御演算部７へ送る。制御演算部
７のＣＰＵ９はそれを印加した電圧パルスの電圧値とと
もにメモリ１０に格納する。以下、同様にして電圧パル
スの電圧値を適宜上昇させながら、これらの処理を繰返
す。この処理は少くとも３回繰返して実行され、リレー
網３を切換えていくつかのサンプルについて実行され
る。
ツプＳＴ１で初期設定が行われ、次いでステツプＳＴ２
でサンプルの抵抗変化測定が行われる。すなわち、リレ
ー網３を制御してサーマルヘツド１のサンプルとして指
定されたドツトの発熱抵抗体を選択し、スイツチ４を切
換えて抵抗計６へ接続して抵抗値を測定し、その測定値
を制御演算部７へ送り、制御演算部７のＣＰＵ９はこれ
をメモリ１０へ格納する。次に、スイツチ４を切換えて
パルス発生器５より所定の電圧値の電圧パルスを上記発
熱抵抗体に印加する。ここで、この電圧パルスは例えば
幅が２μｓｅｃのパルスが１５個、周期５０μsecで連
続するパルス列である。次に、再度スイツチ４を切換え
て電圧パルスが印加された発熱抵抗体を抵抗計６に接続
して抵抗値を測定し、制御演算部７へ送る。制御演算部
７のＣＰＵ９はそれを印加した電圧パルスの電圧値とと
もにメモリ１０に格納する。以下、同様にして電圧パル
スの電圧値を適宜上昇させながら、これらの処理を繰返
す。この処理は少くとも３回繰返して実行され、リレー
網３を切換えていくつかのサンプルについて実行され
る。
次に、ステツプＳＴ３において、測定された抵抗変化に
基づく抵抗値降下曲線の近似が行われる。すなわち、制
御演算部７のＣＰＵ９はメモリ１０に格納しておいた抵
抗変化から電圧パルスによる各印加電圧における抵抗変
化率ΔＲ＝（Ｒ−Ｒ0）／Ｒ0を求め、これを上記(1)式
に代入する。これによつて各サンプル毎にそれぞれα，
β，Ｖ0を未知数とする方程式を作成してこれを解く。
ここで三つの未知数に対して四つ以上の方程式がある場
合にはこれを統計的に処理して解を得る。得られた解は
さらに各サンプル間で統計的に処理され、得られた定数
α，β、境界電圧値Ｖ0が(1)式に代入されて抵抗変化率
ΔＲと印加電圧Ｖとの関係を示す第６図の抵抗値降下曲
線Ａが近似される。
基づく抵抗値降下曲線の近似が行われる。すなわち、制
御演算部７のＣＰＵ９はメモリ１０に格納しておいた抵
抗変化から電圧パルスによる各印加電圧における抵抗変
化率ΔＲ＝（Ｒ−Ｒ0）／Ｒ0を求め、これを上記(1)式
に代入する。これによつて各サンプル毎にそれぞれα，
β，Ｖ0を未知数とする方程式を作成してこれを解く。
ここで三つの未知数に対して四つ以上の方程式がある場
合にはこれを統計的に処理して解を得る。得られた解は
さらに各サンプル間で統計的に処理され、得られた定数
α，β、境界電圧値Ｖ0が(1)式に代入されて抵抗変化率
ΔＲと印加電圧Ｖとの関係を示す第６図の抵抗値降下曲
線Ａが近似される。
これで準備段階を終了してステツプＳＴ４よりトリミン
グの処理に入る。まず、ステツプＳＴ４において、リレ
ー網３でトリミングを実施するドツトを選択し、スイツ
チ４によつてこれを抵抗計６に接続してその抵抗値を測
定する。次に、ステツプＳＴ５ではＣＰＵ９によつて得
られた抵抗値を目標値まで降下させるための抵抗変化率
ΔRnが算出され、さらに前述の抵抗値降下曲線Ａを用い
て電圧パルスの印加電圧Vnを決定する。すなわち、上記
α，β，Ｖ0が代入された関係式に抵抗変化率ΔRnを代
入して印加電圧Vnを算出する。得られた印加電圧Vnは制
御演算部７よりパルス発生器５へ送られる。ステツプＳ
Ｔ６でスイツチ４が切換えられると、パルス発生器５か
らは電圧がVnの電圧パルスが送出され、トリミングを実
施するドツトの発熱抵抗体に印加される。これによつて
当該発熱抵抗体の抵抗値は目標値以下に降下する。以下
ステツプＳＴ７が全ドツトのトリミングの終了を検出す
るまでステツプＳＴ４以後の処理を繰返す。
グの処理に入る。まず、ステツプＳＴ４において、リレ
ー網３でトリミングを実施するドツトを選択し、スイツ
チ４によつてこれを抵抗計６に接続してその抵抗値を測
定する。次に、ステツプＳＴ５ではＣＰＵ９によつて得
られた抵抗値を目標値まで降下させるための抵抗変化率
ΔRnが算出され、さらに前述の抵抗値降下曲線Ａを用い
て電圧パルスの印加電圧Vnを決定する。すなわち、上記
α，β，Ｖ0が代入された関係式に抵抗変化率ΔRnを代
入して印加電圧Vnを算出する。得られた印加電圧Vnは制
御演算部７よりパルス発生器５へ送られる。ステツプＳ
Ｔ６でスイツチ４が切換えられると、パルス発生器５か
らは電圧がVnの電圧パルスが送出され、トリミングを実
施するドツトの発熱抵抗体に印加される。これによつて
当該発熱抵抗体の抵抗値は目標値以下に降下する。以下
ステツプＳＴ７が全ドツトのトリミングの終了を検出す
るまでステツプＳＴ４以後の処理を繰返す。
従来のサーマルヘツドの製造方法は以上のように構成さ
れているので、任意の発熱抵抗体に電圧パルスを印加し
た場合、第７図に示すように隣接する発熱抵抗体１３は
放電により電圧が印加された状態となり、その抵抗値が
降下してしまう。このため、放電により影響を受けた発
熱抵抗体１３をトリミングしようとするとき、測定され
る初期抵抗値は既に若干降下した値であり、印加すべき
正確な電圧を算出できないという問題点があつた。
れているので、任意の発熱抵抗体に電圧パルスを印加し
た場合、第７図に示すように隣接する発熱抵抗体１３は
放電により電圧が印加された状態となり、その抵抗値が
降下してしまう。このため、放電により影響を受けた発
熱抵抗体１３をトリミングしようとするとき、測定され
る初期抵抗値は既に若干降下した値であり、印加すべき
正確な電圧を算出できないという問題点があつた。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、全ての発熱抵抗体に対して印加すべき正確な
電圧が算出できるようにしたサーマルヘツドの製造方法
を得ることを目的とする。。
たもので、全ての発熱抵抗体に対して印加すべき正確な
電圧が算出できるようにしたサーマルヘツドの製造方法
を得ることを目的とする。。
この発明に係るサーマルヘツドの製造方法は発熱抵抗体
の電圧値の異なる電圧パルスを低圧のものから順次印加
してその抵抗値を降下させ、印加電圧と抵抗変化との関
係を示す抵抗値降下曲線を近似し、この抵抗値降下曲線
を用いて上記各発熱抵抗体へ印加する上記電圧パルスの
電圧値を当該発熱抵抗体の初期抵抗値に基づいて算出
し、算出された電圧値を上記発熱抵抗体に印加してその
抵抗値を降下させて均一化する方法であつて、上記全て
の発熱抵抗体の初期抵抗値をトリミング前に予め測定し
てメモリに格納し、次いでトリミング時に各ドツトの発
熱抵抗体を選択すると共に、選択された発熱抵抗体の初
期抵抗値を読出し、上記抵抗値降下曲線を用いて当該発
熱抵抗体の初期抵抗値を目標値まで降下させる抵抗変化
率より当該発熱抵抗体へ印加させる上記電圧パルスの電
圧値を算出する方法である。
の電圧値の異なる電圧パルスを低圧のものから順次印加
してその抵抗値を降下させ、印加電圧と抵抗変化との関
係を示す抵抗値降下曲線を近似し、この抵抗値降下曲線
を用いて上記各発熱抵抗体へ印加する上記電圧パルスの
電圧値を当該発熱抵抗体の初期抵抗値に基づいて算出
し、算出された電圧値を上記発熱抵抗体に印加してその
抵抗値を降下させて均一化する方法であつて、上記全て
の発熱抵抗体の初期抵抗値をトリミング前に予め測定し
てメモリに格納し、次いでトリミング時に各ドツトの発
熱抵抗体を選択すると共に、選択された発熱抵抗体の初
期抵抗値を読出し、上記抵抗値降下曲線を用いて当該発
熱抵抗体の初期抵抗値を目標値まで降下させる抵抗変化
率より当該発熱抵抗体へ印加させる上記電圧パルスの電
圧値を算出する方法である。
この発明におけるサーマルヘツドの製造方法はサーマル
ヘツドのサンプルドツトの測定によつて抵抗値降下曲線
を近似し、トリミングに際して全ての発熱抵抗体の初期
抵抗値を予め測定してメモリに格納し、次いで発熱抵抗
体を選択して当該発熱抵抗体の初期抵抗値を読出し、上
記抵抗値降下曲線を表わす式を用いて抵抗変化率より発
熱抵抗体に印加する電圧パルスの電圧値を算出する。
ヘツドのサンプルドツトの測定によつて抵抗値降下曲線
を近似し、トリミングに際して全ての発熱抵抗体の初期
抵抗値を予め測定してメモリに格納し、次いで発熱抵抗
体を選択して当該発熱抵抗体の初期抵抗値を読出し、上
記抵抗値降下曲線を表わす式を用いて抵抗変化率より発
熱抵抗体に印加する電圧パルスの電圧値を算出する。
以下この発明の一実施例を図について説明する。第１図
において、ＳＴ１１は初期抵抗値保存のステツプ、ＳＴ
１２は上記ステツプＳＴ１１に続く初期抵抗値読出しの
ステツプ、ＳＴ１３は上記ステツプＳＴ１２に続く印加
電圧算出のステツプ、ＳＴ１４は上記ステツプＳＴ１３
に続く電圧パルス印加のステツプ、ＳＴ１５は上記ステ
ツプＳＴ１４に続く抵抗値測定のステツプ、ＳＴ１６は
上記ステツプＳＴ１５に続く目標値比較のステツプ、Ｓ
Ｔ１７は上記ステツプＳＴ１６に続くプリンタ出力情報
演算のステツプ、ＳＴ１８は、上記ステツプＳＴ１７に
続くトリミングの全ドツト終了検出のステツプであり、
このステツプＳＴ１８の分岐からはステツプＳＴ１２に
処理が戻される。また、ステツプＳＴ１６の分岐からは
ステツプＳＴ１９へ処理が進み、このステツプＳＴ１９
はステツプＳＴ１４の処理へ戻る。
において、ＳＴ１１は初期抵抗値保存のステツプ、ＳＴ
１２は上記ステツプＳＴ１１に続く初期抵抗値読出しの
ステツプ、ＳＴ１３は上記ステツプＳＴ１２に続く印加
電圧算出のステツプ、ＳＴ１４は上記ステツプＳＴ１３
に続く電圧パルス印加のステツプ、ＳＴ１５は上記ステ
ツプＳＴ１４に続く抵抗値測定のステツプ、ＳＴ１６は
上記ステツプＳＴ１５に続く目標値比較のステツプ、Ｓ
Ｔ１７は上記ステツプＳＴ１６に続くプリンタ出力情報
演算のステツプ、ＳＴ１８は、上記ステツプＳＴ１７に
続くトリミングの全ドツト終了検出のステツプであり、
このステツプＳＴ１８の分岐からはステツプＳＴ１２に
処理が戻される。また、ステツプＳＴ１６の分岐からは
ステツプＳＴ１９へ処理が進み、このステツプＳＴ１９
はステツプＳＴ１４の処理へ戻る。
しかして、この発明のサーマルヘツドの製造方法を実施
する装置は、第５図に示す装置を使用する。
する装置は、第５図に示す装置を使用する。
次に動作について説明する。まず、ステツプＳＴ１１で
トリミングによる電圧パルス印加前の全ての発熱抵抗体
の初期抵抗値を測定保存する。すなわち、スイツチ４を
切換えて抵抗計６へ接続して初期抵抗値を測定し、その
測定値を制御演算部７に送り、制御演算部７のＣＰＵ９
はこれをメモリ１０へ格納する。次にステツプＳＴ１２
においてサーマルヘツド１の各発熱抵抗体の端子にフロ
ービング装置２のプローブを押当てリレー網３によつて
発熱抵抗体を選択し（この実施例の場合６４コ）、この
選択された発熱抵抗体の初期低抗値をメモリ１０より読
出す。次いで、ステツプＳＴ１３において、抵抗値降下
曲線を表わす(1)式を用いて選択された発熱抵抗体に印
加する電圧パルスの電圧値を演算する。すなわち、制御
演算部７のＣＰＵ９はメモリ１０に格納しておいた初期
抵抗値と目標とする抵抗値の抵抗変化から電圧パルスに
よる印加電圧における抵抗変化率ΔＲ（Ｒ−Ｒ0）／Ｒ0
を求め、これを(1)式に代入して印加電圧を演算する。
得られた印加電圧は制御演算部７よりパルス発生器５へ
送られる。そして、ステツプＳＴ１４でスイツチ４が切
換えられると、パルス発生器５からは電圧パルスが送出
され、トリミングを実施しているドツトの発熱抵抗体に
印加される。
トリミングによる電圧パルス印加前の全ての発熱抵抗体
の初期抵抗値を測定保存する。すなわち、スイツチ４を
切換えて抵抗計６へ接続して初期抵抗値を測定し、その
測定値を制御演算部７に送り、制御演算部７のＣＰＵ９
はこれをメモリ１０へ格納する。次にステツプＳＴ１２
においてサーマルヘツド１の各発熱抵抗体の端子にフロ
ービング装置２のプローブを押当てリレー網３によつて
発熱抵抗体を選択し（この実施例の場合６４コ）、この
選択された発熱抵抗体の初期低抗値をメモリ１０より読
出す。次いで、ステツプＳＴ１３において、抵抗値降下
曲線を表わす(1)式を用いて選択された発熱抵抗体に印
加する電圧パルスの電圧値を演算する。すなわち、制御
演算部７のＣＰＵ９はメモリ１０に格納しておいた初期
抵抗値と目標とする抵抗値の抵抗変化から電圧パルスに
よる印加電圧における抵抗変化率ΔＲ（Ｒ−Ｒ0）／Ｒ0
を求め、これを(1)式に代入して印加電圧を演算する。
得られた印加電圧は制御演算部７よりパルス発生器５へ
送られる。そして、ステツプＳＴ１４でスイツチ４が切
換えられると、パルス発生器５からは電圧パルスが送出
され、トリミングを実施しているドツトの発熱抵抗体に
印加される。
次いで、ステツプＳＴ１６において、当該発熱抵抗体の
抵抗値が目標値に近い値であるか否かの判定をし、目標
値に極めて近い値であればステツプＳＴ１７に進み、目
標値に対してまだ開きがある場合はステツプＳＴ１９に
進む。そして、ステツプＳＴ１９において、選択された
発熱抵抗体に印加された電圧パルスと同電圧の電圧パル
スあるいは印加された電圧パルスの電圧値より１ステツ
プ昇圧した電圧を再度印加する。
抵抗値が目標値に近い値であるか否かの判定をし、目標
値に極めて近い値であればステツプＳＴ１７に進み、目
標値に対してまだ開きがある場合はステツプＳＴ１９に
進む。そして、ステツプＳＴ１９において、選択された
発熱抵抗体に印加された電圧パルスと同電圧の電圧パル
スあるいは印加された電圧パルスの電圧値より１ステツ
プ昇圧した電圧を再度印加する。
以下、ステツプＳＴ１８全ドツトのトリミングを終了す
るまでステツプＳＴ１２以後の処理が繰返されることに
なる。
るまでステツプＳＴ１２以後の処理が繰返されることに
なる。
なお、上記実施例では電圧パルスに所定数連続したパル
ス列を用いたが、単一パルスであつてもよく、上記実施
例と同様の効果を奏する。
ス列を用いたが、単一パルスであつてもよく、上記実施
例と同様の効果を奏する。
以上のようにこの発明によれば全ての発熱抵抗体の初期
抵抗値をトリミング前に予め測定してメモリに格納し、
次いでトリミング時に各ドツトの発熱抵抗体を選択する
と共に、選択された発熱抵抗体の初期抵抗値を読出し、
印加電圧と抵抗変化との関係を近似させた抵抗値降下曲
線を用いて当該発熱抵抗体の初期抵抗値を目標値まで降
下させるときの抵抵抗値変化率より発熱抵抗体へ印加さ
せる上記電圧パルスの電圧値を算出する構成であるの
で、先のトリミング時にそのドツトの発熱抵抗体に印加
された電圧パルスで隣接する発熱抵抗体の抵抗値が下つ
ても当該発熱抵抗体の初期抵抗値が測定してあるから全
ての発熱抵抗体に対して印加すべき正確な電圧が算出で
きるという効果が得られる。
抵抗値をトリミング前に予め測定してメモリに格納し、
次いでトリミング時に各ドツトの発熱抵抗体を選択する
と共に、選択された発熱抵抗体の初期抵抗値を読出し、
印加電圧と抵抗変化との関係を近似させた抵抗値降下曲
線を用いて当該発熱抵抗体の初期抵抗値を目標値まで降
下させるときの抵抵抗値変化率より発熱抵抗体へ印加さ
せる上記電圧パルスの電圧値を算出する構成であるの
で、先のトリミング時にそのドツトの発熱抵抗体に印加
された電圧パルスで隣接する発熱抵抗体の抵抗値が下つ
ても当該発熱抵抗体の初期抵抗値が測定してあるから全
ての発熱抵抗体に対して印加すべき正確な電圧が算出で
きるという効果が得られる。
第１図は、この発明の一実施例によるサーマルヘツドの
製造方法を示すフローチヤート、第２図は発熱抵抗体の
抵抗値の減少を示す線図、第３図は抵抗値降下曲線の一
例を示す線図、第４図は従来のサーマルヘツドの製造方
法を示すフローチヤート、第５図はそれを実施するため
の装置の一例を示すブロツク図、第６図はその抵抗値降
下曲線の一例を示す線図、第７図(a)，(b)は任意の発熱
抵抗体に電圧パルスを印加する状態を示す概念図であ
る。 １はサーマルヘツド、１０はメモリ、 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。
製造方法を示すフローチヤート、第２図は発熱抵抗体の
抵抗値の減少を示す線図、第３図は抵抗値降下曲線の一
例を示す線図、第４図は従来のサーマルヘツドの製造方
法を示すフローチヤート、第５図はそれを実施するため
の装置の一例を示すブロツク図、第６図はその抵抗値降
下曲線の一例を示す線図、第７図(a)，(b)は任意の発熱
抵抗体に電圧パルスを印加する状態を示す概念図であ
る。 １はサーマルヘツド、１０はメモリ、 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 尾崎 裕 兵庫県尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三 菱電機株式会社通信機製作所内 (72)発明者 高瀬 弥平 兵庫県尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三 菱電機株式会社通信機製作所内 (56)参考文献 特開 昭61−131404（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】複数のドツトの発熱抵抗体中から選択した
サンプルドツトに電圧値の異なる電圧パルスを低圧のも
のから順次印加して、印加電圧と抵抗値変化との関係を
抵抗値降下曲線として近似させ、この抵抗値降下曲線を
用い、トリミング時にそれぞれのドツトの発熱抵抗体の
初期抵抗値に基づいて各ドツトの発熱抵抗体に印加する
電圧パルスの電圧値を各別に算出し、算出された電圧値
を上記トリミングを実施するドツトの発熱抵抗体に印加
してその抵抗値を降下させて均一化するサーマルヘツド
の製造方法において、上記全てのドツトの発熱抵抗体の
初期抵抗値をトリミング前に予め測定してメモリに格納
し、次いでトリミング時に各ドツトの発熱抵抗体を選択
すると共に、選択されたドツトの発熱抵抗体の初期抵抗
値をメモリより読出し、上記抵抗値降下曲線を用いて当
該ドツトの発熱抵抗体の初期抵抗値を日標値まで降下さ
せた抵抗変化率より当該ドツトの発熱抵抗体へ印加させ
る上記電圧パルスの電圧値を算出することを特徴とする
サーマルヘツドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20401086A JPH068057B2 (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | サ−マルヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20401086A JPH068057B2 (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | サ−マルヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6359557A JPS6359557A (ja) | 1988-03-15 |
| JPH068057B2 true JPH068057B2 (ja) | 1994-02-02 |
Family
ID=16483275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20401086A Expired - Lifetime JPH068057B2 (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | サ−マルヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH068057B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05177860A (ja) * | 1991-12-28 | 1993-07-20 | Kyocera Corp | サーマルヘッドの抵抗体トリミング装置 |
-
1986
- 1986-08-29 JP JP20401086A patent/JPH068057B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6359557A (ja) | 1988-03-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |