JPH0643374B2

JPH0643374B2 - 液晶性化合物

Info

Publication number: JPH0643374B2
Application number: JP61175796A
Authority: JP
Inventors: 仁近藤; 哲治岡崎; 信寿遠藤; 茂三橋; 明夫山口; 治樹鶴田; 進芥川
Original assignee: Takasago Perfumery Industry Co
Current assignee: Takasago International Corp
Priority date: 1986-07-28
Filing date: 1986-07-28
Publication date: 1994-06-08
Anticipated expiration: 2009-06-08
Also published as: JPS6333351A

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、複数の分枝を持つ光学活性基を導入した、画
像表示における高速応答性を示す液晶性化合物に関す
る。従って本発明は、液晶テレビジョン受像機などに使
用される画像表示装置あるいは光プリンターヘッドなど
に利用される。

［従来の技術］画像表示素子の一つとして、現在液晶は広く使用されて
きている。液晶材料を用いた一般的な画像表示方式とし
ては、捩じれネマチック型（ＴＮ型）及びゲスト−ホス
ト型（G-H型）が広く採用されているが、いずれもネマ
チック液晶を利用しており、他の画像表示材料であるＣ
ＲＴ，プラズマディスプレー，エレクトロルミネッセン
スディスプレーなどと比べて応答速度が遅いのが現実で
ある。

しかし、液晶による画像表示は、受光型の表示であるこ
とから、発光型ディスプレーと比べ眼の疲労が少なく、
また、消費電力も少ないなどの長所をもっている。近
年、更に高密度で大型のディスプレーへのニーズが高ま
っていることから、薄型で軽量のディスプレーを構成し
うる液晶表示素子の応答の高速化が益々求められてい
る。こうした高速の応答性を示す液晶材料として、近頃
強誘電性液晶が開発され、その速い光スイッチング現象
を利用した画像表示装置が提案されている。強誘電性液
晶は、R.B.Meyerらにより1975年に報告され（J.de Phy
s.Lett.,36,69,1975）、液晶分類上、カイラルスメクチ
ックＣ相（Ｓ_C ^*相）あるいはカイラルスメクチックＧ相
（Ｓ_G ^*相）に属するといわれている。また、N.A.Clark
らは（Appl.Phys.Lett.,36,899.1980）において、この
強誘電性液晶化合物の一種であるｐ−デシルオキシベン
ジリデン−ｐ′−アミノ−２−メチルブチルシンナメー
ト（DOBAMBCと略記する）を薄膜セルに入れ、マイクロ
セカンド・オーダーの光スイッチング現象を観察してい
る。強誘電性液晶のこうした高速応答性を利用した液晶
テレビ，光プリンターヘッド，非線形光学素子などのオ
プトエレクトロニクス材料への応答が既に検討され始め
ている。しかし、DOBAMBCをはじめとする従来開発され
た強誘電性液晶化合物は、強誘電性を示す温度範囲が室
温よりもかなり高く、実用的ではなかった。最近、より
室温に近い温度範囲で強誘電性を示す液晶性化合物が
“Liquid Crystals and Ordered Fluids”J.W.Goodby a
nd T.M.Leslie；Vol.４、２〜31頁や特開昭59-128357
号，特開昭60-32748号などに報告されている。しかし、
これらの強誘電性液晶化合物の室温付近での応答速度は
１〜２msecで、強誘電性液晶としては応答速度が遅い。

［発明が解決しようとする問題点］かかる現状に鑑み、室温付近において安定なＳ_C ^*相をも
ち、且つ100μsec前後の高速応答性を示す液晶性化合物
の出現が待望されている。本発明は、この期待に応えよ
うとしたものである。

［問題点を解決するための手段］強誘電性液晶を得るための基本的条件は、分子が光学活
性体であること、分子長軸と垂直な双極子モーメントが
存在すること、及びＳ_C ^*相，Ｓ_G ^*相あるいはカイラルス
メクチックＩ相（Ｓ_I ^*）をとることであると考えられて
いる。これらの条件を満足する液晶性化合物を求めて、
多くの化合物が研究開発されつつあるが、いずれの化合
物も高温においては、数μsec〜数10μsecで応答するも
のの、室温付近では、その応答速度はmsecオーダーに低
下してしまっている。

そこで、本発明者らは、光学活性基も含めて強誘電性液
晶化合物の分子構造を検討し、室温付近で強誘電性を示
し、その温度領域で約100μsecまたはそれ以下の高速応
答性を持つ液晶性化合物について多くの研究を続けてき
た。その結果として、炭素数９以上の光学活性基で、複
数の分枝を持つ光学活性基を導入することにより、得ら
れた化合物の多くが室温付近でＳ_C ^*相をとり、100μsec
前後の高速で応答することを見出し、本発明を完成する
に至ったものである。

即ち、本発明は、一般式（式中、Ｒは炭素数６〜12のアルキル基を示し、Ｒ^＊は
複数の分枝を持つアルキル基で、全炭素数が９〜１５
で、かつ不斉炭素原子を有するものを示し、ｌは１また
は２であり、m,nは０あるいは１である）で表わされる
液晶性化合物を提供するものである。

上記一般式（Ｉ）で表わされる化合物における光学活性
基は、複数の分枝を持つアルキル基で、全炭素数が９〜
１５で、かつ不斉炭素原子を有するものである。このよ
うな光学活性基を使用すると、特に安定したＳ_C ^*相の出
現が観察される。炭素数16以上の光学活性基においても
同様にＳ_C ^*相は出現するが、粘性の関係で応答速度に影
響を及ぼし、実用上あまり好ましいものとは考えられな
い。

本発明において適当な光学活性基を例示するならば、次
の通りである。

2,3−ジメチルヘプチル基、2,4−ジメチルヘプチル基、
2,5−ジメチルヘプチル基、2,6−ジメチルヘプチル基、
3,4−ジメチルヘプチル基、3,5−ジメチルヘプチル基、
3,6ジメチルヘプチル基、2,3−ジメチルオクチル基、2,
4−ジメチルオクチル基、2,5−ジメチルオクチル基、2,
6−ジメチルオクチル基、2,7−ジメチルオクチル基、3,
6−ジメチルオクチル基、3,7−ジメチルオクチル基、3,
6,6−トリメチルオクチル基、2,3−ジメチルノニル基、
2,4−ジメチルノニル基、2,5−ジメチルノニル基、2,6
−ジメチルノニル基、2,7−ジメチルノニル基、2,8−ジ
メチルノニル基、3,4−ジメチルノニル基、3,5−ジメチ
ルノニル基、3,6−ジメチルノニル基、3,7−ジメチルノ
ニル基、3,8−ジメチルノニル基、2,3−ジメチルデシル
基、2,4−ジメチルデシル基、2,5−ジメチルデシル基、
2,6−ジメチルデシル基、2,7−ジメチルデシル基、2,8
−ジメチルデシル基、2,9−ジメチルデシル基、3,4−ジ
メチルデシル基、3,5−ジメチルデシル基、3,6−ジメチ
ルデシル基、3,7−ジメチルデシル基、3,8−ジメチルデ
シル基、3,9−ジメチルデシル基、2,3,4−トリメチルヘ
キシル基、2,3,5−トリメチルヘキシル基、2,4,5−トリ
メチルヘキシル基、3,4,5−トリメチルヘキシル基、2,
6,6−トリメチルヘキシル基、2,3,4−トリメチルヘプチ
ル基、2,3,5−トリメチルヘプチル基、2,3,6−トリメチ
ルヘプチル基、2,4,5−トリメチルヘプチル基、2,4,6−
トリメチルヘプチル基、3,7−ジメチル−７−メトキシ
オクチル基、3,7−ジメチル−６−オクテニル基、3,7,1
1−トリメチル−ドデシル基等がある。一般に2,6−ジメ
チルヘプチル基は高速応答性に優れ、また3,7−ジメチ
ルオクチル基は強誘電性を示す温度範囲が広く、好まし
いものである。

一方、一般式（Ｉ）においてRO-で表わされるアルコキ
シ基のＲは、炭素数６〜12のアルキル基であり、炭素数
５以下あるいは13以上のアルキル基を導入すると、Ｓ_C ^*
相の温度範囲が狭まるので好ましくない。

なお、液晶性化合物は２種以上を混合使用することによ
り、一般にその性能を引き上げることができる。そこで
Ｓ_C ^*相を有する液晶性化合物であれば、本発明の化合物
以外のものでも本発明の化合物と混合して使用すること
ができる。

次に、本発明の液晶性化合物の一般的製造方法を以下に
簡単に述べる。

エステル化合物４−ヒドロキシ安息香酸及びアルキル置換アルカノール
より常法により４−ヒドロキシ安息香酸のエステルとす
る。一方、４−アルキルオキシ安息香酸に塩化チオニル
を反応せしめて酸クロライドとなし、前記の４−ヒドロ
キシ安息香酸のエステルと反応せしめて目的化合物の粗
製物を得る。これをカラムクロマトグラフィー及び再結
晶により精製する。

エーテル化合物アルキル置換アルカノールとｐ−トルエンスルホニルク
ロライドを反応せしめて相当するスルホネートとなし、
アルカリ性にてハイドロキノンと反応せしめてアルキル
オキシフェノールを得る。このフェノール化合物にアル
キルオキシベンゾイルクロライドを反応せしめて目的化
合物の粗製物を得る。これをカラムクロマトグラフィー
及び再結晶により精製する。

ビフェニル誘導体ヒドロキシビフェニルカルボン酸のアルカリ金属塩に、
ハロゲン化アルキルを反応せしめてアルキルオキシビフ
ェニルカルボン酸を得、これに塩化チオニルを反応せし
めて酸クロライドとする。ヒドロキシ安息香酸のアルキ
ルエステルと前記酸クロライドとを反応せしめて目的化
合物の粗製物を得る。これをカラムクロマトグラフィー
及び再結晶により精製する。

三環性安息香酸誘導体アルキルオキシ安息香酸を酸クロライドとなし、これと
ヒドロキシベンツアルデヒドとを反応せしめてアルキル
オキシベンツアルデヒドとする。このアルデヒドを酸化
して安息香酸誘導体となし、さらに塩化チオニルと反応
せしめて酸クロライドを得る。ヒドロキシ安息香酸のア
ルキルエステルと、この酸クロライドを反応せしめて目
的化合物の粗製物を得る。これをカラムクロマトグラフ
ィー及び再結晶により精製する。

［実施例］以下に実施例及び応用例を以て本発明を更に具体的に説
明する。

実施例−１４−（４′−オクチルオキシベンゾイルオキシ）安息香
酸−2,6−ジメチルヘプチルエステル４−ヒドロキシ安
息香酸26.5ｇ，トルエン300ml,2,6−ジメチルヘプタノ
ール（▲α²⁵ _D▼−9.52）30ｇ及び硫酸1.5ｇを加熱還流
し、10時間かけて水抜きを行った。反応終了後、希炭酸
ナトリウム水溶液にて洗浄し、水洗を行い、トルエンを
留去し、濃縮物48.2ｇを得た。これをｎ−ヘプタン96ｇ
に溶解させ、−20℃にて静置再結晶を行い、４−ヒドロ
キシ安息香酸−2,6−ジメチルヘプチルエステル44.6ｇ
を得た。

一方、４−オクチルオキシ安息香酸12.5ｇと塩化チオニ
ル37mlを３時間加熱還流させた後、過剰の塩化チオニル
を留去し、酸クロライド13.2ｇを得た。これを、トルエ
ン20mlに溶解した。この酸クロライド−トルエン溶液
を、先に合成した４−ヒドロキシ安息香酸−2,6−ジメ
チルヘプチルエステル13.2ｇ，ピリジン19.9ｇ及びトル
エン50mlの中に５℃にて１時間かけて滴下した。その
後、室温にて８時間撹拌し、反応を行った。反応終了
後、希塩酸水溶液にて洗浄し、さらに水洗を行い、硫酸
マグネシウムにて脱水した後、トルエンを留去し粗製物
23.9ｇを得た。

これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホ
ルムを展開溶媒として使用した）により分離し、白色結
晶21.3ｇを得た。このものをエタノールにより再結晶
し、融点31.8℃の４−（４′−オクチルオキシベンゾイ
ルオキシ）安息香酸−2,6−ジメチルヘプチルエステル1
3.1ｇを得た。

本化合物の物理恒数及び分析値は以下の通りであった。

▲α²⁰ _D▼−3.32 MS：496(M⁺) NMR：0.89(3H,d,J＝6.6)0.90(6H,t,J＝6.9)1.06(3H,d,J
＝6.8)1.15〜1.60(17H,m)1.82(2H,m)1.95(1H,m)4.02(2
H,t,J＝6.5)4.19(2H,m)6.98(2H,m)7.26(2H,m)8.12(4H,
m) 実施例−２４−（４′−ノニルオキシベンゾイルオキシ）安息香酸
−2,6−ジメチルヘプチルエステル実施例−１の４−オ
クチルオキシ安息香酸に代えて、４−ノニルオキシ安息
香酸8.8ｇを用い、実施例−１と同様の方法にて合成
し、融点52.8℃の４−（４′−ノニルオキシベンゾイル
オキシ）安息香酸−2,6−ジメチルヘプチルエステル6.6
ｇを得た。

実施例−３４−（４′−デシルオキシベンゾイルオキシ）安息香酸
−2,6−ジメチルヘプチルエステル実施例−１の４−オ
クチルオキシ安息香酸に代えて、４−デシルオキシ安息
香酸13.9ｇを用い、実施例−１と同様の方法にて合成
し、融点42.6℃の４（４′−デシルオキシベンゾイルオ
キシ）安息香酸−2,6−ジメチルヘプチルエステル18.5
ｇを得た。

本化合物の物理恒数及び分析値は以下の通りであった。

▲α²⁰ _D▼−1.39 MS：524(M⁺) NMR：0.88(3H,d,J＝6.7)0.91(6H,t,J＝6.9)1.03(3H,d,J
＝7.0)1.17〜1.60(23H,m)1.84(2H,m)1.95(1H,m)4.03(2H
t,J＝6.5)4.19(2H,m)6.97(2H,m)7.28(2H,m)8.11(4H,m) 実施例−４４−（４′−ウンデシルオキシベンゾイルオキシ）安息
香酸−2,6−ジメチルヘプチルエステル実施例−１の４
−オクチルオキシ安息香酸に代えて、４−ウンデシルオ
キシ安息香酸9.7ｇを用い、実施例−１と同様の方法に
て合成し、融点55.2℃の４−（４′−ウンデシルオキシ
ベンゾイルオキシ）安息香酸−2,6−ジメチルヘプチル
エステル10.2ｇを得た。

実施例−５４−（４′−ドデシルオキシベンゾイルオキシ）安息香
酸−2,6−ジメチルヘプチルエステル実施例−１の４−
オクチルオキシ安息香酸に代えて、４−ドデシルオキシ
安息香酸10.2ｇを用い、実施例−１と同様の方法にて合
成し、融点55.3℃の４−（４′−ドデシルオキシベンゾ
イルオキシ）安息香酸−2,6−ジメチルヘプチルエステ
ル8.2ｇを得た。

本化合物の物理恒数及び分析値は以下の通りであった。

▲α²⁰ _D▼−0.52 MS：552(M⁺) NMR：0.88(3H,d,J＝6.5)0.90(6H,t,J＝6.9)1.16〜1.60
(27H,m)1.84(2H,m)1.95(1H,m)4.03(2H,t,J＝6.8)4.19(2
H,m)7.00(2H,m)7.30(2H,m)8.13(4H,m) 実施例−６４−（４′−オクチルオキシベンゾイルオキシ）安息香
酸−3,7−ジメチルオクチルエステル４−ヒドロキシ安
息香酸69.0ｇ，トルエン500ml,3,7−ジメチルオクタノ
ール（▲α²⁵ _D▼−4.87）86.9ｇ及び硫酸3.5ｇを加熱還
流し、10時間かけて水抜きを行った。反応終了後、希炭
酸ナトリウム水溶液にて洗浄し、水洗を行い、トルエン
を留去し、濃縮物174.2ｇを得た。これをｎ−ヘプタン3
00ｇに溶解させ、−20℃にて静置再結晶を行い、４−ヒ
ドロキシ安息香酸−3,7−ジメチルオクチルエステル12
8.1ｇを得た。

一方、４−オクチルオキシ安息香酸50ｇと塩化チオニル
145mlを３時間加熱還流させた後、過剰の塩化チオニル
を留去し、酸クロライド53.7ｇを得た。これを、トルエ
ン60mlに溶解した。この酸クロライド−トルエン溶液
を、先に合成した４−ヒドロキシ安息香酸−3,7−ジメ
チルオクチルエステル55.6ｇ，ピリジン79.0ｇ及びトル
エン150mlの中に５℃にて１時間かけて滴下した。その
後、室温にて８時間撹拌し、反応を行った。反応終了
後、希塩酸水溶液にて洗浄し、さらに水洗を行い、硫酸
マグネシウムにて脱水した後、トルエンを留去し粗製物
101.9ｇを得た。

これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホ
ルムを展開溶媒として使用した）により分離し、白色結
晶81.5ｇを得た。このものをエタノールにより再結晶
し、融点41.9℃の４−（４−′オクチルオキシベンゾイ
ルオキシ）安息香酸−3,7−ジメチルオクチルエステル6
9.8ｇを得た。

本化合物の分析値は以下の通りであった。

ＮＭＲ：０．８６（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．７）０．９０
（６Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．９）1.00(3H,d,J＝6.6)1.12〜1.9
1((22H,m)4.00(2H,t,J＝6.8)4.39((2H,m)7.00(2H,m)7.3
4(2H,m)8.16(4H,m) 実施例−７４−（４′−デシルオキシベンゾイルオキシ）安息香酸
−3,7−ジメチルオクチルエステル実施例−６の４−オ
クチルオキシ安息香酸に代えて、４−デシルオキシ安息
香酸16.2ｇを用い、実施例−６と同様の方法にて合成
し、融点43.0℃の４−（４′−デシルオキシベンゾイル
オキシ）安息香酸−3,7−ジメチルオクチルエステル16.
9ｇを得た。本化合物の旋光度は▲α²⁰ _D▼−2.31であっ
た。

実施例−８４−（４−′ドデシルオキシベンゾイルオキシ）安息香
酸−3,7−ジメチルオクチルエステル実施例−６の４−
オクチルオキシ安息香酸に代えて、４−ドデシルオキシ
安息香酸15.3ｇを用い、実施例−６と同様の方法にて合
成し、融点33.0℃の４−（４′−ドデシルオキシベンゾ
イルオキシ）安息香酸−3,7−ジメチルオクチルエステ
ル11.2ｇを得た。

本化合物の物理恒数及び分析値は以下の通りであった。

▲α²⁰ _D▼−2.32 MS：566(M⁺) NMR：0.88(3H,d,J＝6.6)0.90(6H,t,J＝7.0)0.97(3H,d,J
＝6.5)1.14〜1.72(27H,m)1.85(3H,m)4.06(2H,m)4.37(2
H,m)6.96(2H,m)7.27(2H,m)8.11(4H,m) 実施例−９４−（４′−デシルオキシベンゾイルオキシ）安息香酸
−3,7,11−トリメチルドデシルエステル実施例−６の４
−オクチルオキシ安息香酸に代えて、４−デシルオキシ
安息香酸1.2ｇを、3,7−ジメチルオクタノールに代え
て、3,7,11−トリメチルドデカノール1.0ｇを用い、実
施例−６と同様の方法にて合成し、融点40.0℃の４−
（４′−デシルオキシベンゾイルオキシ）安息香酸−3,
7,11−トリメチルドデシルエステル1.2ｇを得た。

実施例−10 ４−（４′−オクチルオキシベンゾイルオキシ）フェニ
ル3,7−ジメチルオクチルエーテル3,7−ジメチルオクタ
ノール60ｇ，ピリジン120ｇの混合物を５〜10℃に冷却
し、ｐ−トルエンスルホニルクロライド80ｇを滴下し
た。その後、室温にて一夜反応させた後、氷水中に反応
物を投入し、ベンゼンにて抽出し、これを水洗した後、
硫酸マグネシウムで乾燥した。ベンゼンを留去し、残留
物をｎ−ヘキサン50mlに加温、溶解し、不溶解物別し
た後、ｎ−ヘキサンを回収し、3,7−ジメチルオクチル
−ｐ−トルエンスルホネート106.5ｇを得た。

ハイドロキノン75ｇ，苛性カリ23.6ｇ，水８ml及びエタ
ノール500mlの混合物に、3,7−ジメチルオクチル−ｐ−
トルエンスルホネート106.5ｇを加え、５時間還流下に
反応せしめた。エタノールを減圧下に回収後、水500ml
を加えて塩酸酸性とした後、トルエン150mlで抽出し
た。水洗を２回行った後、トルエンを留去した。残留物
を減圧蒸留して沸点135℃／２mmHgの留分４−（3,7−ジ
メチルオクチルオキシ）フェノール43.6ｇを得た。

この４−（3,7−ジメチルオクチルオキシ）フェノール1
0ｇ，トルエン50ml、及びピリジン3.5ｇの混合物に、５
〜10℃でオクチルオキシベンゾイルクロライド10.7ｇ及
びトルエン50mlの溶液を滴下した。その後、室温にて一
晩撹拌反応せしめた後、水200ml中に投入した。分液
後、トルエン層を水洗、炭酸水素ナトリウム水溶液にて
洗浄し、再度水洗を行い、トルエンを留去して粗生成物
21ｇを得た。粗生成物をクロロホルムにてシリカゲルカ
ラムクロマト分離し、エタノールにて再結晶して融点4
7.3℃の４−（４′−オクチルオキシベンゾイルオキ
シ）フェニル3,7−ジメチルオクチルエーテル11.9ｇを
得た。

本化合物の物理恒数及び分析値は以下の通りであった。

▲α²⁰ _D▼−2.36 NMR：0.88(3H,d,J＝6.6)0.90(6H,t,J＝6.9)0.97(3H,d,J
＝6.5)1.12〜1.74(23H,m)1.82(3H,m)4.02(4H,m)6.94(4
H,m)7.12(2H,m)8.11(2H,m) 実施例−11 ４−（４′−デシルオキシベンゾイルオキシ）フェニル
2,6−ジメチルヘプチルエーテル実施例−９の3,7−ジメ
チルオクタノールに代えて、2,6−ジメチルヘプタノー
ル56.4ｇを用い、実施例−10と同様の方法にて合成し、
中間体４−（2,6−ジメチルヘプチルオキシ）フェノー
ル38.4ｇを得た。この中間体5.6ｇを用い、オクチルオ
キシベンゾイルクロライドに代えて、デシルオキシベン
ゾイルクロライドを用いて実施例−10と同様に行い、融
点38.2℃の４−（４′−デシルオキシベンゾイルオキ
シ）フェニル2,6−ジメチルヘプチルエーテル8.6ｇを得
た。

本化合物の分析値は以下の通りであった。

ＮＭＲ：０．８６（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．８）0.90(6H,t,
J＝7.0)0.99(3H,d,J＝0.64)1.14〜2.02(26H,m)4.06(2H,
m)4.38(2H,m)6.97(2H,m)７．３０（２Ｈ，ｍ）８．１２
（４Ｈ，ｍ）実施例−12 ４−（４″−オクチルオキシビフェニル−４′−カルボ
ニルオキシ）安息香酸−3,7−ジメチルオクチルエステ
ル４′−ヒドロキシビフェニル−４−カルボン酸15.0ｇ，
85％水酸化カリウム9.3ｇ，水150ml及びエタノール1500
mlを混合し、加熱還流させた。これに、臭化−ｎ−オク
チル14.9ｇを滴下した後、17時間還流を続けた。反応終
了後、冷却し、析出した結果を過し、酢酸250mlにて
再結晶して４′−オクチルオキシビフェニル−４−カル
ボン酸15.9ｇを得た。４′−オクチルオキシビフェニル
−４−カルボン酸8.0ｇに塩化チオニル20mlを加え、３
時間還流した後、濃縮して70mlのトルエンに溶解し、酸
クロライド−トルエン溶液を調製した。４−ヒドロキシ
安息香酸−3,7−ジメチルオクチルエステル6.8ｇ及びピ
リジン2.3ｇをトルエン80mlに溶解し、これに、先に調
製した酸クロライド−トルエン溶液を滴下し、室温にて
15時間撹拌、反応せしめた。反応終了後、水洗し、硫酸
マグネシウムで乾燥した後、濃縮、乾固した。得られた
粗結晶をクロロホルムを溶出液としてシリカゲルクロマ
トグラフィーにかけた後、エタノールより再結晶して融
点75.9℃の４−（４″−オクチルオキシビフェニル−
４′−カルボニルオキシ）安息香酸−3,7−ジメチルオ
クチルエステル9.0ｇを得た。

本化合物の物理恒数及び分析値は以下の通りであった。

▲α²⁰ _D▼−2.32 MS：586(M⁺) NMR：0.88(3H,d,J＝6.7)0.91(6H,t,J＝6.9)0.99(3H,d,J
＝6.4)1.16〜1.70(21H,m)1.82(3H,m)4.03(2H,m)4.40(2
H,m)6.99(2H,m)7.31(2H,m)7.58(2H,m)7.70(2H,m)8.13(2
H,m)8.25(2H,m) 実施例−13 ４−（４″−デシルオキシビフェニル−４′−カルボニ
ルオキシ）安息香酸−2,6−ジメチルヘプチルエステル実施例−12の臭化−ｎ−オクチルに代え、臭化−ｎ−デ
シル5.7ｇを４−ヒドロキシ安息香酸−3,7−ジメチルオ
クチルエステルに代えて、４−ヒドロキシ安息香酸−2,
6−ジメチルヘプチルエステル4.2ｇを用い、実施例−12
と同様の方法で合成を行い、融点61.5℃の４−（４″−
デシルオキシビフェニル−４′−カルボニルオキシ）安
息香酸−2,6−ジメチルヘプチルエステル2.2ｇを得た。

本化合物の分析値は以下の通りであった。

NMR：0.87(3H,d,J＝6.7)0.88(6H,t,J＝6.9)1.01(3H,d,J
＝6.7)1.13〜1.56(21H,m)1.78(2H,m)1.93(1H,m)3.97(2
H,t,J＝6.6)4.12(2H,m)6.97(2H,m)7.30(2H,m)7.57(2H,
m)7.18(2H,m)8.09(2H,m)8.22(2H,m) 実施例−14 ４−｛４′−（４″−オクチルオキシベンゾイルオキ
シ）ベンゾイルオキシ｝安息香酸−3,7−ジメチルオク
チルエステル４−オクチルオキシ安息香酸100ｇに塩化チオニル250ml
を加え、３時間還流した後、濃縮し、ベンゼン200mlに
溶解し、酸クロライド溶液を調製した。４−ヒドロキシ
ベンツアルデヒド48.8ｇ及びピリジン37.9ｇをベンゼン
700mlに溶解し、先に調製した酸クロライド溶液を滴下
した後、２時間還流した。反応終了後、冷却し、水洗
し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、濃縮、乾固した。
エタノール及びｎ−ヘキサンにて再結晶して４−（４′
−オクチルオキシベンゾイルオキシ）ベンツアルデヒド
72.0ｇを得た。

４−（４′−オクチルオキシベンゾイルオキシ）ベンツ
アルデヒド15.0ｇをエーテル80mlに溶解し、これに重ク
ロム酸ナトリウム12.6ｇ及び硫酸17.3ｇに水を加えて65
mlとしたものを滴下した。ゆるく還流させながら、３時
間撹拌し、結晶を析出せしめ、この結晶を過採取し
た。これをベンゼン100mlより再結晶して４−（４′−
オクチルオキシベンゾイルオキシ）安息香酸9.1ｇを得
た。

４−（４′−オクチルオキシベンゾイルオキシ）安息香
酸8.8ｇに塩化チオニル20mlを加え、３時間還流した
後、濃縮し、トルエン70mlに溶解し、酸クロライド溶液
を調製した。４−ヒドロキシ安息香酸−3,7−ジメチル
オクチルエステル6.6ｇとピリジン2.3ｇをトルエン80ml
に溶解し、これに先に調製した酸クロライド溶液を滴下
し、室温で15時間撹拌、反応せしめた。反応終了後、水
洗し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、濃縮、乾固し
た。得られた結晶をクロロホルムを溶出液としてシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーにかけた後、エタノール
より再結晶して融点87℃の４−｛４′−（４″−オクチ
ルオキシベンゾイルオキシ）ベンゾイルオキシ｝安息香
酸−3,7−ジメチルオクチルエステル9.5ｇを得た。

実施例−15 ４−｛４′−（４″−デシルオキシベンゾイルオキシ）
ベンゾイルオキシ｝安息香酸−3,7−ジメチルオクチル
エステル実施例−14の４−オクチルオキシ安息香酸に代え、４−
デシルオキシ安息香酸18.8ｇを用い、実施例−14と同様
の方法で合成を行い、融点84℃の４−｛４′−（４″−
デシルオキシベンゾイルオキシ）ベンゾイルオキシ｝安
息香酸−3,7−ジメチルオクチルエステル7.0ｇを得た。

実施例−16 ４−｛４′−（４″−オクチルオキシベンゾイルオキ
シ）ベンゾイルオキシ｝安息香酸−2,6−ジメチルヘプ
チルエステル実施例−14の４−ヒドロキシ安息香酸−3,7−ジメチル
オクチルエステルに代えて、４−ヒドロキシ−2,6−ジ
メチルヘプチルエステル3.8ｇを用い、実施例−14と同
様の方法で合成を行い、融点81℃の４−｛４′−（４″
−オクチルオキシベンゾイルオキシ）ベンゾイルオキ
シ｝安息香酸−2,6−ジメチルヘプチルエステル4.4ｇを
得た。

本化合物の分析値は以下の通りであった。

MS：616(M⁺) NMR：0.88(3H,d,J＝6.6)0.90(6H,t,J＝6.6)1.05(3H,d,J
＝6.7)1.18〜1.61(17H,m)1.86(2H,m)1.96(1H,m)4.06(2
H,m)4.18(2H,m)7.00(2H,m)7.32(2H,m)7.40(2H,m)8.15(4
H,m)8.37(2H,m) 実施例−17 ４−｛４′−（４″−デシルオキシベンゾイルオキシ）
ベンゾイルオキシ｝安息香酸−2,6−ジメチルヘプチル
エステル実施例−14の４−オクチルオキシ安息香酸に代え、４−
デシルオキシ安息香酸4.0ｇを４−ヒドロキシ安息香酸
−3,7−ジメチルオクチルエステルに代えて、４−ヒド
ロキシ安息香酸−2,6−ジメチルヘプチルエステル3.8ｇ
を用い、実施例−14と同様の方法で合成を行い、融点82
℃の４−｛４′−（４″−デシルオキシベンゾイルオキ
シ）ベンゾイルオキシ｝安息香酸−2,6−ジメチルヘプ
チルエステル5.1ｇを得た。

次に、本発明化合物について液晶諸特性を測定した。な
お、液晶諸特性の測定は以下の通り行った。

液晶セルとしては、ガラス板上に透明電極を設け、更に
高分子膜をコーティングし、一定方向にラビングした
後、２枚の基板のラビング方向が平行になるようにして
スペーサーを用いて一定の厚さに組み立てたものを用い
た。セル間隔は３μｍである。このセルに前述の液晶材
料たる化合物を注入し、ヘリウム−ネオンレーザー及び
光電子増倍管を用い、±20Ｖの矩形波の交流を印加し
て、電気光学効果を観察したところ、明確なコントラス
トに加え、高速な応答が確認され、液晶表示素子として
使用可能であることがわかった。

応答速度の測定は、室温付近あるいはＴ_Ｃ−Ｔ＝５℃で
行った。（Ｔ_ＣはＳ_C ^*相からＳ_Ａ相への転移温度であ
る。）また、相転移温度は示差走査熱量計および偏光顕
微鏡による観察で求めた。Ｓ_１は未判定の液晶相であ
る。代表例について、これらの結果を表−１及び表−２
に示した。

表−１の相転移温度において、（）内の数値は加熱時
には転移せず、冷却時にのみ相転移するモノトロピック
の相転移温度を示す。

応用例１〜５表示装置の実際の使用温度のより広い範囲にわたり、高
速応答性を示す液晶組成物を得る目的で、各種の液晶性
化合物を混合し、その性能を調べた。また、実施例によ
り得た液晶性化合物を用いて、液晶表示素子としての応
答特性を評価した。その代表例につき、表−２にその一
部を記した。

［発明の効果］本発明の液晶性化合物は、画像表示における高速応答性
を示し、且つ広範囲、特に室温付近の低作動温度域で強
誘電性を示すので、今度の高密度で大型のディスプレー
用素材としての需要に応えることのできるものである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者三橋茂東京都大田区蒲田５−36−31 高砂香料工業株式会社蒲田事業所内 (72)発明者山口明夫東京都大田区蒲田５−36−31 高砂香料工業株式会社蒲田事業所内 (72)発明者鶴田治樹東京都大田区蒲田５−36−31 高砂香料工業株式会社蒲田事業所内 (72)発明者芥川進東京都大田区蒲田５−36−31 高砂香料工業株式会社蒲田事業所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一般式（式中、Ｒは炭素数６〜１２のアルキル基を示し、Ｒ^＊
は複数の分枝を持つアルキル基で、全炭素数が９〜１５
で、かつ不斉炭素原子を有するものを示し、ｌは１また
は２であり、m,nは０あるいは１である。）で表わされ
る液晶性化合物。