JPH0655701B2 - アミノ酸誘導体 - Google Patents
アミノ酸誘導体Info
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- JPH0655701B2 JPH0655701B2 JP1245199A JP24519989A JPH0655701B2 JP H0655701 B2 JPH0655701 B2 JP H0655701B2 JP 1245199 A JP1245199 A JP 1245199A JP 24519989 A JP24519989 A JP 24519989A JP H0655701 B2 JPH0655701 B2 JP H0655701B2
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Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、新規な液晶を呈する化合物、その製造法お
よびこれら化合物を使用した液晶素子を提供するもので
ある。
よびこれら化合物を使用した液晶素子を提供するもので
ある。
[従来の技術] 液晶化合物として数多く知られているものに、ネマチッ
ク液晶と呼ばれているものがある。このものは、現在液
晶表示装置に使用される化合物又は組成物の主流を成し
ているけれども、短所の一つに、応答速度が遅く、数ms
ecのオーダーの応答速度しか得られないということがあ
り、そのため表示の大型化に対して限界に近づいている
といわれている。
ク液晶と呼ばれているものがある。このものは、現在液
晶表示装置に使用される化合物又は組成物の主流を成し
ているけれども、短所の一つに、応答速度が遅く、数ms
ecのオーダーの応答速度しか得られないということがあ
り、そのため表示の大型化に対して限界に近づいている
といわれている。
このような従来型の液晶表示素子の欠点を改善するもの
として、双安定性を有する液晶の使用がクラーク及びラ
ガウェルにより提案されている(特開昭56-107216
号)。この双安定性を有する液晶は、強誘電性液晶と呼
ばれ、高速応答性とメモリ性が得られることが注目さ
れ、特に近年において、その実用化の検討が活発であ
り、実用強誘電性液晶物質の開発が急務になっている。
として、双安定性を有する液晶の使用がクラーク及びラ
ガウェルにより提案されている(特開昭56-107216
号)。この双安定性を有する液晶は、強誘電性液晶と呼
ばれ、高速応答性とメモリ性が得られることが注目さ
れ、特に近年において、その実用化の検討が活発であ
り、実用強誘電性液晶物質の開発が急務になっている。
一般に、強誘電性液晶は、光学活性部位を有する化合物
で、かつその分子長軸が層の法線方向からチルトした分
子配向を有する一連のスメクチック相において発現され
る。中でも、キラルスメクチックC(以下SC *と略記す
る)相は、比較的低電圧動作性のため実用上優位とされ
る。
で、かつその分子長軸が層の法線方向からチルトした分
子配向を有する一連のスメクチック相において発現され
る。中でも、キラルスメクチックC(以下SC *と略記す
る)相は、比較的低電圧動作性のため実用上優位とされ
る。
このように強誘電性液晶は、自発分極を有するために非
常に速い応答速度を有する上に、メモリ性のある双安定
状態を発現させることができ、さらに視野角が優れてい
ることから、大容量画面のディスプレイ用材料として適
している。
常に速い応答速度を有する上に、メモリ性のある双安定
状態を発現させることができ、さらに視野角が優れてい
ることから、大容量画面のディスプレイ用材料として適
している。
このような強誘電性液晶として1975年、R.B.Meyerらに
より合成された4−(4−n−デシルオキシベンジリデ
ンアミノ)桂皮酸−2−メチルブチルエステル(以下D
OBAMBCと略記する。)が知られている(J.Physiq
ue 36 L-69(1975))。
より合成された4−(4−n−デシルオキシベンジリデ
ンアミノ)桂皮酸−2−メチルブチルエステル(以下D
OBAMBCと略記する。)が知られている(J.Physiq
ue 36 L-69(1975))。
このDOBAMBCは、シッフベースを構造内に含むた
め、その化学的安定性に難がある。そこで、強誘電性液
晶材料として、物理的、化学的に安定な種々の化合物が
探索され、現在、4−(4−nアルキルオキシフェニ
ル)−1−カルボン酸−2−メチルブチルエステル(以
下CNと略記する。)を始めとするエステル系化合物の
探索にその主力が移ってきている。しかし、このCNを
始めとするエステル系化合物は、SC *相を示さないか、
示したとしてもそのSC *相を示す温度範囲が狭く、しか
も液晶を加熱、冷却したときで異なる相系列を示すモノ
トロピック液晶であるため、実用に耐えるものは少ない
(Liquid Crystals and Ordered Fluids 4(1984))。
め、その化学的安定性に難がある。そこで、強誘電性液
晶材料として、物理的、化学的に安定な種々の化合物が
探索され、現在、4−(4−nアルキルオキシフェニ
ル)−1−カルボン酸−2−メチルブチルエステル(以
下CNと略記する。)を始めとするエステル系化合物の
探索にその主力が移ってきている。しかし、このCNを
始めとするエステル系化合物は、SC *相を示さないか、
示したとしてもそのSC *相を示す温度範囲が狭く、しか
も液晶を加熱、冷却したときで異なる相系列を示すモノ
トロピック液晶であるため、実用に耐えるものは少ない
(Liquid Crystals and Ordered Fluids 4(1984))。
[発明が解決しようとする課題] 従来、強誘電性液晶として用いられている化合物は、光
学活性部位の原料として、光学活性アルコール、具体的
には2−メチルブタノール、3−メチルペンタノールな
どを用いている。しかし、これらのアルコールは高価で
あり、生産コストの面で問題がある。そこで、より安価
で入手しやすいアミノ酸を光学活性原料として使用した
液晶の例がある(特開昭62-89648参照)。しかし該物質
は高温でスメクチックA相を示すことが報告されている
のみであり、実用に耐えられるものではない。
学活性部位の原料として、光学活性アルコール、具体的
には2−メチルブタノール、3−メチルペンタノールな
どを用いている。しかし、これらのアルコールは高価で
あり、生産コストの面で問題がある。そこで、より安価
で入手しやすいアミノ酸を光学活性原料として使用した
液晶の例がある(特開昭62-89648参照)。しかし該物質
は高温でスメクチックA相を示すことが報告されている
のみであり、実用に耐えられるものではない。
本発明は、光学活性部位の原料として安価で入手しやす
いアミノ酸を用い、常温に近い温度でしかも広い温度範
囲でスメクチック液晶、特に強誘電性のSC *相を含むス
メクチック相を示す新規な化合物およびその製造方法を
提供することを目的とする。
いアミノ酸を用い、常温に近い温度でしかも広い温度範
囲でスメクチック液晶、特に強誘電性のSC *相を含むス
メクチック相を示す新規な化合物およびその製造方法を
提供することを目的とする。
本発明によって提供される液晶を呈する化合物は、単独
で強誘電性、特にSC *相を呈する化合物を含み、電気光
学的スイッチング素子として使用される強誘電性液晶表
示素子の構成成分となり得る新規液晶化合物を提供する
ものである。
で強誘電性、特にSC *相を呈する化合物を含み、電気光
学的スイッチング素子として使用される強誘電性液晶表
示素子の構成成分となり得る新規液晶化合物を提供する
ものである。
[課題を解決するための手段] 本発明によって提供される化合物は、一般式 〔式中Rは炭素数6〜16の直鎖アルキル基を表わし、X
は炭素数1〜6の直鎖アルキル基を表わし、YはC
H3,CH2CH(CH3)2,CH(CH3)2又は、CH
(CH3)CH2CH3を表わし、ZはCN,CH3又はH
のうちの1種を表わし、C*は不斉炭素原子を表わす〕 で表わされる新規なアミノ酸誘導体である。
は炭素数1〜6の直鎖アルキル基を表わし、YはC
H3,CH2CH(CH3)2,CH(CH3)2又は、CH
(CH3)CH2CH3を表わし、ZはCN,CH3又はH
のうちの1種を表わし、C*は不斉炭素原子を表わす〕 で表わされる新規なアミノ酸誘導体である。
本発明のアミノ酸誘導体の構造は、光学活性源としての
アミノ酸部分 とコア部分としての桂皮酸誘導体部分 の2つに分けられ、この2つがペプチド結合により結び
付いている。
アミノ酸部分 とコア部分としての桂皮酸誘導体部分 の2つに分けられ、この2つがペプチド結合により結び
付いている。
まずアミノ酸部分は、不斉炭素C*に、水素、Y,−C
OOXが結合しており、アミン部分がペプチド結合を形
成している。Xは炭素数1〜6の直鎖アルキル基を表わ
し、特に炭素数1〜3が好ましい。炭素数が7以上であ
ると、原料入手が困難であり、合成も困難である。
OOXが結合しており、アミン部分がペプチド結合を形
成している。Xは炭素数1〜6の直鎖アルキル基を表わ
し、特に炭素数1〜3が好ましい。炭素数が7以上であ
ると、原料入手が困難であり、合成も困難である。
YはCH3,CH2CH(CH3)2,CH(CH3)2,又
はCH(CH3)CH2CH3のうちの1種を表わす。ア
ミノ酸部分を形成する原料となるアミノ酸としては、光
学活性アミノ酸であれば良く、具体的にはL−アラニ
ン、ロイシン、L−バリン、イソロイシン等が挙げられ
る。特にL−バリン、イソロイシン等を用いた場合、強
誘電性液晶の性質を示し好ましい。また光学活性アミノ
酸は、D体、L体のどちらでも良い。
はCH(CH3)CH2CH3のうちの1種を表わす。ア
ミノ酸部分を形成する原料となるアミノ酸としては、光
学活性アミノ酸であれば良く、具体的にはL−アラニ
ン、ロイシン、L−バリン、イソロイシン等が挙げられ
る。特にL−バリン、イソロイシン等を用いた場合、強
誘電性液晶の性質を示し好ましい。また光学活性アミノ
酸は、D体、L体のどちらでも良い。
次に桂皮酸誘導体部分は、まず桂皮酸 の不飽和炭化水素基のα位の炭素にZが結合し、カルボ
ン酸部分はアミノ酸部分のアミンとペプチド結合を形成
している。ZはCN,CH3,Hのうちの1種を表わ
す。桂皮酸のベンゼン環のパラ位には、エステル結合を
介してビフェニル基が結合し、そのビフェニル基の4′
位にはエーテル結合を介してRが結合している。ここで
ビフェニル基を導入したことにより、液晶相が安定化
し、強誘電性を示すという効果が得られる。Rは炭素数
6〜16の直鎖アルキル基を表わし、特に炭素数12〜14が
好ましい。炭素数が6未満であると、液晶相を示す温度
範囲が狭くなる。炭素数17以上であると、原料入手が困
難である。
ン酸部分はアミノ酸部分のアミンとペプチド結合を形成
している。ZはCN,CH3,Hのうちの1種を表わ
す。桂皮酸のベンゼン環のパラ位には、エステル結合を
介してビフェニル基が結合し、そのビフェニル基の4′
位にはエーテル結合を介してRが結合している。ここで
ビフェニル基を導入したことにより、液晶相が安定化
し、強誘電性を示すという効果が得られる。Rは炭素数
6〜16の直鎖アルキル基を表わし、特に炭素数12〜14が
好ましい。炭素数が6未満であると、液晶相を示す温度
範囲が狭くなる。炭素数17以上であると、原料入手が困
難である。
以上のように本発明は、スメクチック液晶の光学活性源
としてアミノ酸を用いると共に、コア部分としてGoodby
らにより研究され、一般に液晶原料として知られている
桂皮酸誘導体(USP4613209,特開昭52-89643参照)
を導入し、さらにビフェニル基を結合させたことが特徴
である。
としてアミノ酸を用いると共に、コア部分としてGoodby
らにより研究され、一般に液晶原料として知られている
桂皮酸誘導体(USP4613209,特開昭52-89643参照)
を導入し、さらにビフェニル基を結合させたことが特徴
である。
すなわち、光学活性源としてアミノ酸を用いた場合、生
じるペプチド結合は分子間力が強く液晶性を発現するこ
とが困難であったが、桂皮酸誘導体を導入することによ
って、常温に近い温度で幅広い温度範囲においてSC *相
を示すことが可能になった。
じるペプチド結合は分子間力が強く液晶性を発現するこ
とが困難であったが、桂皮酸誘導体を導入することによ
って、常温に近い温度で幅広い温度範囲においてSC *相
を示すことが可能になった。
本発明の化合物は、上記理由により応答性、メモリ性に
優れた液晶表示素子の利用可能性を有する新規なアミノ
酸誘導体である。
優れた液晶表示素子の利用可能性を有する新規なアミノ
酸誘導体である。
また一般に、不斉炭素の近傍がかさ高い方が強誘電性を
示しやすいといわれている。本発明においても、不斉炭
素の置換基部分(一般式(I)において、Y部分)が分
枝したかさ高い化合物が強誘電性を示している。本発明
の化合物で強誘電性を示すものは、強誘電性液晶素子と
して、使用できる。又本発明の化合物は強誘電性を示す
ものも示さないものも、既に知られている強誘電性液晶
と配合して強誘電性を示す温度領域を上下に広げたり、
応答性を改善したりすることができ、又光学活性でない
液晶に配合して強誘電性を持たせたりすることができ
る。
示しやすいといわれている。本発明においても、不斉炭
素の置換基部分(一般式(I)において、Y部分)が分
枝したかさ高い化合物が強誘電性を示している。本発明
の化合物で強誘電性を示すものは、強誘電性液晶素子と
して、使用できる。又本発明の化合物は強誘電性を示す
ものも示さないものも、既に知られている強誘電性液晶
と配合して強誘電性を示す温度領域を上下に広げたり、
応答性を改善したりすることができ、又光学活性でない
液晶に配合して強誘電性を持たせたりすることができ
る。
本発明者らは先に強誘電性アミノ酸誘導体として、特願
平1-82760号を提案した。この中で示されるアミノ酸誘
導体は、キラルネマチック液晶を示すが、単独で液晶素
子として使用することは困難であり、主に他の液晶化合
物と配合して使用することが多い。
平1-82760号を提案した。この中で示されるアミノ酸誘
導体は、キラルネマチック液晶を示すが、単独で液晶素
子として使用することは困難であり、主に他の液晶化合
物と配合して使用することが多い。
本願発明のアミノ酸誘導体は、前出化合物のコア部分で
ある桂皮酸誘導体部分のベンゼン環をより硬直なビフェ
ニル基に代えることにより、スメクチック液晶相を安定
化し、強誘電性を示すようになった。
ある桂皮酸誘導体部分のベンゼン環をより硬直なビフェ
ニル基に代えることにより、スメクチック液晶相を安定
化し、強誘電性を示すようになった。
この誘導体は、たとえば45℃〜125℃という比較的低温
で広い温度範囲で強誘電性を示し、特に76〜125℃で有
用なSC *相を示す。(実施例1,5参照) また、本発明は、単独で液晶素子として使用することが
できると共に他の液晶化合物と配合して使用することも
可能である。
で広い温度範囲で強誘電性を示し、特に76〜125℃で有
用なSC *相を示す。(実施例1,5参照) また、本発明は、単独で液晶素子として使用することが
できると共に他の液晶化合物と配合して使用することも
可能である。
本発明によって提供される液晶を呈する化合物は、単独
で強誘電性、とくにSC *相を呈する化合物を含み、電気
光学的スイッチング素子として使用される強誘電性液晶
表示素子の構成成分となり得る新規液晶化合物を提供す
るものである。
で強誘電性、とくにSC *相を呈する化合物を含み、電気
光学的スイッチング素子として使用される強誘電性液晶
表示素子の構成成分となり得る新規液晶化合物を提供す
るものである。
本発明に係る化合物は、次の製造法に従って製造するこ
とができる。
とができる。
まず、一般式 〔式中ZはCN,CH3又はHのうちの1種を表わす〕 で表わされる化合物と一般式 〔式中Xは炭素1〜6の直鎖アルキル基を表わし、Yは
CH3,CH2CH(CH3)2,CH(CH3)2又は、C
H(CH3)CH2CH3を表わし、C*は不斉炭素原子を
表わす〕 で表わされる化合物の反応誘導体を反応させて、 一般式 〔式中Xは炭素数1〜6の直鎖アルキル基を表わし、Y
はCH3,CH2CH(CH3)2,CH(CH3)2又はC
H(CH3)CH2CH3を表わし、ZはCN,CH3,又
はHのうちの1種を表わし、C*は不斉炭素原子を表わ
す〕 で表わされる化合物を得る。
CH3,CH2CH(CH3)2,CH(CH3)2又は、C
H(CH3)CH2CH3を表わし、C*は不斉炭素原子を
表わす〕 で表わされる化合物の反応誘導体を反応させて、 一般式 〔式中Xは炭素数1〜6の直鎖アルキル基を表わし、Y
はCH3,CH2CH(CH3)2,CH(CH3)2又はC
H(CH3)CH2CH3を表わし、ZはCN,CH3,又
はHのうちの1種を表わし、C*は不斉炭素原子を表わ
す〕 で表わされる化合物を得る。
さらに化合物(IV)に一般式 〔式中Rは炭素数6〜16の直鎖アルキル基を表わす〕 で表わされる化合物を反応させると、 一般式 〔式中Rは炭素数6〜16の直鎖アルキル基を表わし、X
は炭素数1〜6の直鎖アルキル基を表わし、YはC
H3,CH2CH(CH3)2,CH(CH3)2又はCH
(CH3)CH2CH3を表わし、ZはCN,CH3,又は
Hのうちの1種を表わし、C*は不斉炭素原子を表わ
す〕 で表わされるアミノ酸誘導体を製造することができる。
は炭素数1〜6の直鎖アルキル基を表わし、YはC
H3,CH2CH(CH3)2,CH(CH3)2又はCH
(CH3)CH2CH3を表わし、ZはCN,CH3,又は
Hのうちの1種を表わし、C*は不斉炭素原子を表わ
す〕 で表わされるアミノ酸誘導体を製造することができる。
本発明に係る化合物の製造法は2段階に分けて考えるこ
とができる。すなわち、 先ず一般式(II)で表わされる化合物と一般式(III)
で表わされる化合物を反応させて一般式(IV)で表わさ
れる化合物に至る経路(以下反応Aと呼ぶ)と、一般式
(IV)で表わされる化合物と一般式(V)で表わされる
化合物を反応させて一般式(I)で表わされる化合物に
至経路(以下反応Bと呼ぶ)の2段階からなる。
とができる。すなわち、 先ず一般式(II)で表わされる化合物と一般式(III)
で表わされる化合物を反応させて一般式(IV)で表わさ
れる化合物に至る経路(以下反応Aと呼ぶ)と、一般式
(IV)で表わされる化合物と一般式(V)で表わされる
化合物を反応させて一般式(I)で表わされる化合物に
至経路(以下反応Bと呼ぶ)の2段階からなる。
反応Aについて 一般式 〔式中ZはCN,CH3又はHのうちの1種を表わ
す。〕 で表わされる化合物は、ZがCNかあるいはHの場合、
市販のものを使用することができる。ZがCH3の場合
は、従来公知の以下に示される方法により合成される。
すなわち、4−ヒドロキシベンズアルデヒドとプロピオ
ン酸無水物にプロピオン酸カリウムを反応させることに
より得られる。
す。〕 で表わされる化合物は、ZがCNかあるいはHの場合、
市販のものを使用することができる。ZがCH3の場合
は、従来公知の以下に示される方法により合成される。
すなわち、4−ヒドロキシベンズアルデヒドとプロピオ
ン酸無水物にプロピオン酸カリウムを反応させることに
より得られる。
一般式 〔式中Xは炭素数1〜6の直鎖アルキル基を表わし、Y
はCH3,CH2CH(CH3)2,CH(CH3)2又はC
H(CH3)CH2CH3を表わし、C*は不斉炭素原子を
表わす〕 で示される化合物の反応誘導体とは、一般式(III)で
示される化合物の塩酸塩を指す。製造法は、Xの炭素数
が2以下の場合は市販のものを用いることができ、3以
上の場合は合成により得られる。合成法としては、たと
えば市販のアミノ酸と、伸長したい長さの炭素鎖を持つ
アルコールに塩化チオニルを作用させることにより、必
要なアミノ酸アルキルエステル塩酸塩を得ることができ
る。
はCH3,CH2CH(CH3)2,CH(CH3)2又はC
H(CH3)CH2CH3を表わし、C*は不斉炭素原子を
表わす〕 で示される化合物の反応誘導体とは、一般式(III)で
示される化合物の塩酸塩を指す。製造法は、Xの炭素数
が2以下の場合は市販のものを用いることができ、3以
上の場合は合成により得られる。合成法としては、たと
えば市販のアミノ酸と、伸長したい長さの炭素鎖を持つ
アルコールに塩化チオニルを作用させることにより、必
要なアミノ酸アルキルエステル塩酸塩を得ることができ
る。
一般式(II)と一般式(III)で示される化合物の反応
は、適宜、溶媒中(例えばジクロロメタン、四塩化炭
素、ベンゼン等)において、結合剤としてN,N′-ジシク
ロヘキシルカルボジイミド(以下DCCと省略する)を
用いて行う(以下DCC法と呼ぶ)。この反応により、
一般式 の化合物が得られる。
は、適宜、溶媒中(例えばジクロロメタン、四塩化炭
素、ベンゼン等)において、結合剤としてN,N′-ジシク
ロヘキシルカルボジイミド(以下DCCと省略する)を
用いて行う(以下DCC法と呼ぶ)。この反応により、
一般式 の化合物が得られる。
従来の方法は、一般式(II)で表わされる化合物のp−
ヒドロキシ桂皮酸の水酸基に保護基を付けた後、酸クロ
ライド法によりエステル化し、脱保護をする必要があっ
た。しかし、従来法では脱保護の段階で桂皮酸の二重結
合も一緒に還元されてしまい、目的の化合物が得られな
かった。そこでDCC法によりエステル化を行なうと、
保護基を必要とせず、一段階で室温の反応で目的の化合
物を得ることができた。また収率も約80%と高かった。
ヒドロキシ桂皮酸の水酸基に保護基を付けた後、酸クロ
ライド法によりエステル化し、脱保護をする必要があっ
た。しかし、従来法では脱保護の段階で桂皮酸の二重結
合も一緒に還元されてしまい、目的の化合物が得られな
かった。そこでDCC法によりエステル化を行なうと、
保護基を必要とせず、一段階で室温の反応で目的の化合
物を得ることができた。また収率も約80%と高かった。
反応Bについて 次に、反応Aにより得られた中間体(IV)から目的とす
るアミノ酸誘導体を得る反応について説明する。
るアミノ酸誘導体を得る反応について説明する。
一般式 〔式中Rは炭素数6〜16の直鎖アルキル基を表わす〕 で表わされる化合物はp−ヒドロキシビフェニルカルボ
ン酸とアルキルブロマイドをアルカリ溶液中で反応させ
ることにより得られる。反応Aにより得られた一般式
(IV)の化合物と一般式(V)の化合物の反応は、まず
一般式(V)の化合物を塩化チオニルと加熱還流して酸
クロライド化を行なった後、一般式(IV)の化合物と溶
媒中(ベンゼン、エーテル等)ピリジンと加熱還流を行
なうことにより、最終生成物である、一般式 〔式中Rは炭素数6〜16の直鎖アルキル基を表わし、X
は炭素数1〜6の直鎖アルキル基を表わし、YはC
H3,CH2CH(CH3)2,CH(CH3)2又はCH
(CH3)CH2CH3を表わし、ZはCN,CH3,又は
Hのうちの1種を表わし、C*は不斉炭素原子を表わ
す〕 で表わされるアミノ酸誘導体が得られる。
ン酸とアルキルブロマイドをアルカリ溶液中で反応させ
ることにより得られる。反応Aにより得られた一般式
(IV)の化合物と一般式(V)の化合物の反応は、まず
一般式(V)の化合物を塩化チオニルと加熱還流して酸
クロライド化を行なった後、一般式(IV)の化合物と溶
媒中(ベンゼン、エーテル等)ピリジンと加熱還流を行
なうことにより、最終生成物である、一般式 〔式中Rは炭素数6〜16の直鎖アルキル基を表わし、X
は炭素数1〜6の直鎖アルキル基を表わし、YはC
H3,CH2CH(CH3)2,CH(CH3)2又はCH
(CH3)CH2CH3を表わし、ZはCN,CH3,又は
Hのうちの1種を表わし、C*は不斉炭素原子を表わ
す〕 で表わされるアミノ酸誘導体が得られる。
なお一般式(I)で表わされる化合物は、光学活性なア
ミノ酸誘導体であるが、原料のアミノ酸としてラセミ体
を用いた場合に得られる同一構造式の光学不活性なアミ
ノ酸誘導体も、液晶材料として用いることができる。
ミノ酸誘導体であるが、原料のアミノ酸としてラセミ体
を用いた場合に得られる同一構造式の光学不活性なアミ
ノ酸誘導体も、液晶材料として用いることができる。
[作用] 本発明における一般式(I)の化合物は、コア部分とし
てビフェニル基を有する桂皮酸誘導体を用い、光学活性
源としてアミノ酸を用いたスメクチック液晶化合物とし
て有用な新規なアミノ酸誘導体である。
てビフェニル基を有する桂皮酸誘導体を用い、光学活性
源としてアミノ酸を用いたスメクチック液晶化合物とし
て有用な新規なアミノ酸誘導体である。
アミノ酸を光学活性基として導入した場合に生じるペプ
チド結合は、分子間力が強力なため、融点の上昇を促
し、液晶化合物として不適当であったが、コア部分とし
て桂皮酸誘導体を用いたことにより、炭素鎖のバラン
ス、エステル結合等の働きによって分極を促し、液晶配
列をとりやすくなったと考えられる。また不斉炭素の近
傍にシアノ基を導入した場合(一般式(I)においてZ
=CNの場合)も、分子間の水素結合を阻害し、同様に
寄与すると考えられる。
チド結合は、分子間力が強力なため、融点の上昇を促
し、液晶化合物として不適当であったが、コア部分とし
て桂皮酸誘導体を用いたことにより、炭素鎖のバラン
ス、エステル結合等の働きによって分極を促し、液晶配
列をとりやすくなったと考えられる。また不斉炭素の近
傍にシアノ基を導入した場合(一般式(I)においてZ
=CNの場合)も、分子間の水素結合を阻害し、同様に
寄与すると考えられる。
また、桂皮酸誘導体部分にビフェニル基を導入すること
により、液晶相が安定化してSX *,SC *相が現出し、強
誘電性を示すようになった。
により、液晶相が安定化してSX *,SC *相が現出し、強
誘電性を示すようになった。
[実施例] 以下、実施例により本発明の化合物について更に詳細に
説明するが、本発明はこれらの実施例により限定される
ものではない。
説明するが、本発明はこれらの実施例により限定される
ものではない。
以下、Cry,Ch,Iso,SA,SC *,SX *相はそれぞ
れ結晶、コレステリック相、等方相、スメクチックA
相、キラルスメクチックC相、キラルスメクチックX相
を示す。
れ結晶、コレステリック相、等方相、スメクチックA
相、キラルスメクチックC相、キラルスメクチックX相
を示す。
本発明の化合物の精製は、シリカゲルクロマトグラフィ
ー及びエーテル、ヘキサンによる再結晶にて行なった。
以下に示す相転移点の測定値は、物質の純度により若干
の影響を受けることもある。
ー及びエーテル、ヘキサンによる再結晶にて行なった。
以下に示す相転移点の測定値は、物質の純度により若干
の影響を受けることもある。
なお、以下の実施例においては原料の光学活性アミノ酸
として、L体のものだけを使用した例のみを記載する
が、D体のアミノ酸を原料とした場合にも夫々同一の相
転移温度のものが得られることは理論上からも明らかで
ある。
として、L体のものだけを使用した例のみを記載する
が、D体のアミノ酸を原料とした場合にも夫々同一の相
転移温度のものが得られることは理論上からも明らかで
ある。
[実施例1] N−{4−オキシカルボニル(4′−n−テトラデシル
オキシビフェニル)α−シアノシンナモイル}−L−イ
ソロイシンメチルエステルの合成 (1−1) N−(4−ヒドロキシ−α−シアノシンナモイル)−L
−イソロイシンメチルエステルの合成 市販のα−シアノ−4−ヒドロキシ桂皮酸1.04g(5.5mm
ole)を冷ジクロロメタン10m中で攪拌し、反応液は0
〜5℃にした。これにDCC1.13g(5.5mmole)を投入し
た。約20分後市販のL−イソロイシンメチルエステル塩
酸塩0.91(5mmole)、トリエチルアミン0.7m(5mmole)
を投入し、0℃で2時間、室温で1晩攪拌した。溶媒を
留去しその後酢酸エチル30mに溶かし、不溶のNN′−
ジシクロヘキシルウレアを濾過により除去し、濾液を10
%クエン酸(30m)、水(30m)、4%炭酸水素ナ
トリウム(30m)、水(30m)で順次洗浄した。有
機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、蒸発乾固した後粗生
成のエステルを得た。
オキシビフェニル)α−シアノシンナモイル}−L−イ
ソロイシンメチルエステルの合成 (1−1) N−(4−ヒドロキシ−α−シアノシンナモイル)−L
−イソロイシンメチルエステルの合成 市販のα−シアノ−4−ヒドロキシ桂皮酸1.04g(5.5mm
ole)を冷ジクロロメタン10m中で攪拌し、反応液は0
〜5℃にした。これにDCC1.13g(5.5mmole)を投入し
た。約20分後市販のL−イソロイシンメチルエステル塩
酸塩0.91(5mmole)、トリエチルアミン0.7m(5mmole)
を投入し、0℃で2時間、室温で1晩攪拌した。溶媒を
留去しその後酢酸エチル30mに溶かし、不溶のNN′−
ジシクロヘキシルウレアを濾過により除去し、濾液を10
%クエン酸(30m)、水(30m)、4%炭酸水素ナ
トリウム(30m)、水(30m)で順次洗浄した。有
機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、蒸発乾固した後粗生
成のエステルを得た。
収率は95%であった。未精製のまま次反応へ使用した。
(1−2) 4′−n−テトラデシルオキシビフェニル−4−カルボ
ン酸の合成 p−ヒドロキシビフェニルカルボン酸2.14g、水酸化カ
リウム1.12gをエタノール300m、水40mの混合溶
液に溶解し、さらにテトラデシルブロマイド3.02mを
加え、12時間加熱還流した。その後、反応液に2モル塩
酸13.5mを加え晶析濾過し、4′−n−テトラデシル
オキシビフェニル−4−カルボン酸2.20gを得た。
ン酸の合成 p−ヒドロキシビフェニルカルボン酸2.14g、水酸化カ
リウム1.12gをエタノール300m、水40mの混合溶
液に溶解し、さらにテトラデシルブロマイド3.02mを
加え、12時間加熱還流した。その後、反応液に2モル塩
酸13.5mを加え晶析濾過し、4′−n−テトラデシル
オキシビフェニル−4−カルボン酸2.20gを得た。
(1−3) N−{4−オキシカルボニル(4′−n−テトラデシル
オキシビフェニル)α−シアノシンナモイル}−L−イ
ソロイシンメチルエステルの合成 テトラデシルオキシビフェニルカルボン酸1.94g、塩化
チオニル3.44m、DMF1dropを約2時間加熱還流
し、酸クロライド化する。塩化チオニルを留去し(1−
1)で合成した化合物1.5g、ピリジン1.91m、エー
テル12mを加え約5時間加熱還流しエステル化を終了
した。
オキシビフェニル)α−シアノシンナモイル}−L−イ
ソロイシンメチルエステルの合成 テトラデシルオキシビフェニルカルボン酸1.94g、塩化
チオニル3.44m、DMF1dropを約2時間加熱還流
し、酸クロライド化する。塩化チオニルを留去し(1−
1)で合成した化合物1.5g、ピリジン1.91m、エー
テル12mを加え約5時間加熱還流しエステル化を終了
した。
後処理後、n−ヘキサン:酢酸エチル=5:1混合液を
溶離液としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーによ
り精製し、粗結晶の化合物を1.25g得た。さらに再結晶
により精製し、目的の化合物を得た。
溶離液としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーによ
り精製し、粗結晶の化合物を1.25g得た。さらに再結晶
により精製し、目的の化合物を得た。
取得物について以下に指示通り、赤外線吸収スペクト
ル、元素分析、1H−NMRの測定により構造を確認し
た。
ル、元素分析、1H−NMRの測定により構造を確認し
た。
赤外線吸収スペクトルデータを第1図に示す。
2220cm-1の吸収からCNの存在が認められる。
1H−NMR〔ppm〕 0.91,1.00,1.28,1.48,1.83,2.05,3.81,4.02,4.
71,6.86,7.01,7.41,7.62,7.72,8.06,8.24,8.34 次に、この物質の相転移温度を測定した結果を表1に示
す。相転移温度は、偏光顕微鏡による目視観察と示差走
査熱量計を併用して判定した。また、第2図に自発分極
の温度依存性を示した。
71,6.86,7.01,7.41,7.62,7.72,8.06,8.24,8.34 次に、この物質の相転移温度を測定した結果を表1に示
す。相転移温度は、偏光顕微鏡による目視観察と示差走
査熱量計を併用して判定した。また、第2図に自発分極
の温度依存性を示した。
さらに、表1に応答速度を示した。自発分極と、応答速
度の測定は以下の方法に依った。
度の測定は以下の方法に依った。
(自発分極の測定) 化合物を加熱して等方性液体とした後、厚さ3.3μのポ
リエチレンテレフタレートフィルムを介した2枚のガラ
ス基板(ITO透明電極付き)間に真空注入法により注
入し、薄膜液晶セルを作製した。然る後、スペーサエッ
ジ法(Ishikawa et al.,Japanese Journal of Applied P
hysics,Vol.23,No.4,p.L211,1984)により温度勾配をか
けながら徐冷するとによりSA相を配向させ、更にSA−
SC *転移温度まで低下させた。
リエチレンテレフタレートフィルムを介した2枚のガラ
ス基板(ITO透明電極付き)間に真空注入法により注
入し、薄膜液晶セルを作製した。然る後、スペーサエッ
ジ法(Ishikawa et al.,Japanese Journal of Applied P
hysics,Vol.23,No.4,p.L211,1984)により温度勾配をか
けながら徐冷するとによりSA相を配向させ、更にSA−
SC *転移温度まで低下させた。
この状態から温度を低下させながら、三角波電圧印加法
(Miyasato et al.,Japanese Journal of Applied Physi
cs,Vol.22,No.10,p.L661,1983)により自発分極値を測定
し(印加電圧30Vp-p,50Hz)、第2図曲線1に示すよう
な自発分極の温度変化を得た。
(Miyasato et al.,Japanese Journal of Applied Physi
cs,Vol.22,No.10,p.L661,1983)により自発分極値を測定
し(印加電圧30Vp-p,50Hz)、第2図曲線1に示すよう
な自発分極の温度変化を得た。
(応答速度の測定) 上記と同じ薄膜液晶セルにSA−SC *転移温度以下の温
度で矩形波電圧(40〜50Vp-p,200〜1000Hz)を印加し
ておき、偏光顕微鏡下(クロスニコル下)でHe−Ne
レーザ光(632.8nm)を照射し、透過光量が10%から90%
に立ち上がるのに要する時間、あるいは90%から10%に
立ち下がるのに要する時間を測定することにより、表1
に併記するような応答速度を得た。
度で矩形波電圧(40〜50Vp-p,200〜1000Hz)を印加し
ておき、偏光顕微鏡下(クロスニコル下)でHe−Ne
レーザ光(632.8nm)を照射し、透過光量が10%から90%
に立ち上がるのに要する時間、あるいは90%から10%に
立ち下がるのに要する時間を測定することにより、表1
に併記するような応答速度を得た。
[実施例2〜9] 一般式(I)においてR,X,及びYが表1に示す基で
ある実施例2〜9の化合物を実施例1と同様にしてそれ
ぞれ合成した。
ある実施例2〜9の化合物を実施例1と同様にしてそれ
ぞれ合成した。
また、得られた化合物が目的の構造をもつ化合物である
ことは実施例1と同様に赤外線吸収スペクトル及び1H−
NMRによって確認した。これらの物質について実施例
1と同様にして相転移温度、自発分極の温度依存性およ
び応答速度を測定した。表1に、実施例2〜9の相転移
温度と応答速度の例を併記して示す。
ことは実施例1と同様に赤外線吸収スペクトル及び1H−
NMRによって確認した。これらの物質について実施例
1と同様にして相転移温度、自発分極の温度依存性およ
び応答速度を測定した。表1に、実施例2〜9の相転移
温度と応答速度の例を併記して示す。
第2図に自発分極の温度依存性を示す。
これらの結果から本発明によるアミノ酸誘導体は20〜17
9℃という比較的低温でしかも広い温度範囲でスメクチ
ック相を示すことがわかる。これらのスメクチック相の
うち強誘電性を示し特に有用なキラルスメクチックC相
(SC *相)は、より低温で高い自発分極値を示すものほ
ど有利である。
9℃という比較的低温でしかも広い温度範囲でスメクチ
ック相を示すことがわかる。これらのスメクチック相の
うち強誘電性を示し特に有用なキラルスメクチックC相
(SC *相)は、より低温で高い自発分極値を示すものほ
ど有利である。
また、本発明のSC *相を呈するアミノ酸誘導体は、液晶
素子にした場合の応答速度が60〜410μsecと従来のもの
にくらべ約1/10程度に短縮されている。
素子にした場合の応答速度が60〜410μsecと従来のもの
にくらべ約1/10程度に短縮されている。
[比較例] 現在まで知られているアミノ酸を骨格に含む液晶の例を
取り上げ比較する。
取り上げ比較する。
比較例はスメクチック相の出現する温度が176℃であ
り、本発明に比較してはるかに高温である。
り、本発明に比較してはるかに高温である。
[発明の効果] 以上例示したように、本発明の化合物は光学活性部位の
原料として、安価で入手しやすいアミノ酸を用い比較的
常温に近く広い温度範囲においてスメクチック相およ
び、特に有用なSC *を呈する。したがって、単独にある
いは他のネマチック、スメクチックあるいは強誘電性液
晶と適切に配合させることにより実用温度領域において
電気光学的効果を応用した液晶表示素子の材料として、
有用な新規な化合物を簡単に廉価に提供することができ
る。
原料として、安価で入手しやすいアミノ酸を用い比較的
常温に近く広い温度範囲においてスメクチック相およ
び、特に有用なSC *を呈する。したがって、単独にある
いは他のネマチック、スメクチックあるいは強誘電性液
晶と適切に配合させることにより実用温度領域において
電気光学的効果を応用した液晶表示素子の材料として、
有用な新規な化合物を簡単に廉価に提供することができ
る。
第1図は、本発明の実施例1で得られる化合物の赤外線
吸収スペクトルを示す。第2図は、自発分極の温度依存
性を示し、図中1,2,4,5,6はそれぞれ実施例
1,2,4,5,6に対応する。
吸収スペクトルを示す。第2図は、自発分極の温度依存
性を示し、図中1,2,4,5,6はそれぞれ実施例
1,2,4,5,6に対応する。
フロントページの続き (72)発明者 白根 浩朗 東京都大田区多摩川2―24―25 昭和電工 株式会社総合技術研究所内 (72)発明者 井上 長三 東京都大田区多摩川2―24―25 昭和電工 株式会社生化学研究所内
Claims (3)
- 【請求項1】一般式 〔式中Rは炭素数6〜16の直鎖アルキル基を表わし、X
は炭素数1〜6の直鎖アルキル基を表わし、YはC
H3,CH2CH(CH3)2,CH(CH3)2又はCH
(CH3)CH2CH3を表わし、ZはCN,CH3,又は
Hのうちの1種を表わし、C*は不斉炭素原子を表わ
す〕 で表わされる光学活性なアミノ酸誘導体。 - 【請求項2】一般式 〔式中ZはCN,CH3又はHのうちの1種を表わす〕 で表わされる化合物と一般式 〔式中Xは炭素数1〜6の直鎖アルキル基を表わし、Y
はCH3,CH2CH(CH3)2,CH(CH3)2,又
は、CH(CH3)CH2CH3を表わし、C*は不斉炭素
原子を表わす〕 で表わされる化合物の反応誘導体を反応させて、 一般式 〔式中Xは炭素数1〜6の直鎖アルキル基を表わし、Y
はCH3,CH2CH(CH3)2,CH(CH3)2又はC
H(CH3)CH2CH3を表わし、ZはCN,CH3,又
はHのうちの1種を表わし、C*は不斉炭素原子を表わ
す〕 で表わされる化合物を得、さらに化合物(IV)に一般式 〔式中Rは炭素数6〜16の直鎖アルキル基を表わす〕 で表わされる化合物を反応させることを特徴とする一般
式 〔式中Rは炭素数6〜16の直鎖アルキル基を表わし、X
は炭素数1〜6の直鎖アルキル基を表わし、YはC
H3,CH2CH(CH3)2,CH(CH3)2又はCH
(CH3)CH2CH3を表わし、ZはCN,CH3又はH
のうちの1種を表わし、C*は不斉炭素原子を表わす〕 で表わされるアミノ酸誘導体の製造方法。 - 【請求項3】一般式(I) 〔式中Rは炭素数6〜16の直鎖アルキル基を表わし、X
は炭素数1〜6の直鎖アルキル基を表わし、YはC
H3,CH2CH(CH3)2,CH(CH3)2又は、CH
(CH3)CH2CH3を表わし、ZはCN,CH3又はH
のうちの1種を表わし、C*は不斉炭素原子を表わす〕 で表わされる光学活性なアミノ酸誘導体を少なくとも1
種配合成分として含有することを特徴とする液晶素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1245199A JPH0655701B2 (ja) | 1989-09-22 | 1989-09-22 | アミノ酸誘導体 |
| US07/501,220 US5041602A (en) | 1989-09-22 | 1990-03-29 | Amino acid derivative having liquid crystal property and process for production of the same |
| DE4010295A DE4010295A1 (de) | 1989-03-31 | 1990-03-30 | Neue aminosaeurederivate und verfahren zu ihrer herstellung |
| US07/701,906 US5091557A (en) | 1989-03-31 | 1991-05-17 | Amino acid derivative having liquid crystal property and process for production of the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1245199A JPH0655701B2 (ja) | 1989-09-22 | 1989-09-22 | アミノ酸誘導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03109366A JPH03109366A (ja) | 1991-05-09 |
| JPH0655701B2 true JPH0655701B2 (ja) | 1994-07-27 |
Family
ID=17130098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1245199A Expired - Lifetime JPH0655701B2 (ja) | 1989-03-31 | 1989-09-22 | アミノ酸誘導体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5041602A (ja) |
| JP (1) | JPH0655701B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
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|---|---|---|---|---|
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| US7255874B1 (en) * | 2001-12-21 | 2007-08-14 | Closure Medical Corporation | Biocompatible polymers and adhesives: compositions, methods of making and uses related thereto |
| WO2005045485A1 (en) * | 2003-11-06 | 2005-05-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Dichroic guest-host polarizer comprising an oriented polymer film |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4550981A (en) * | 1982-09-30 | 1985-11-05 | Hoffmann-La Roche Inc. | Liquid crystalline esters and mixtures |
| DE3408041A1 (de) * | 1982-10-21 | 1985-09-05 | VEB Werk für Fernsehelektronik im VEB Kombinat Mikroelektronik, DDR 1160 Berlin | Kristallin-fluessige nematische gemische |
| DE3332691A1 (de) * | 1983-09-10 | 1985-03-28 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Anisotrope verbindungen und fluessigkristallmischungen |
| GB8524879D0 (en) * | 1985-10-09 | 1985-11-13 | Secr Defence | N-substituted amino acid derivatives |
| GB8520714D0 (en) * | 1985-08-19 | 1985-09-25 | Secr Defence | Amino acid derivatives |
-
1989
- 1989-09-22 JP JP1245199A patent/JPH0655701B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-03-29 US US07/501,220 patent/US5041602A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03109366A (ja) | 1991-05-09 |
| US5041602A (en) | 1991-08-20 |
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