JPH064590Y2 - 集積回路装置 - Google Patents

集積回路装置

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JPH064590Y2
JPH064590Y2 JP3056187U JP3056187U JPH064590Y2 JP H064590 Y2 JPH064590 Y2 JP H064590Y2 JP 3056187 U JP3056187 U JP 3056187U JP 3056187 U JP3056187 U JP 3056187U JP H064590 Y2 JPH064590 Y2 JP H064590Y2
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JP
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integrated circuit
wiring
circuit device
layer
substrate
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JP3056187U
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雅文 仲野
吾彦 植村
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Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は集積回路装置に関し、特に集積回路の最上層の
配線層に対するシールド構造を有する集積回路装置に関
する。
〔従来の技術〕
従来、高周波用の増幅器や微少信号を扱う回路の様に外
来雑音が回路の動作に悪影響を与える場合、外来雑音を
遮断する手段として例えばGNDレベルの様に高周波的
に安定している電位と等電位の導体で回路全体を被うシ
ールド技術が良く使用される。かかるシールド技術は高
周波用の集積回路装置にも応用されている。
第3図はかかる従来の集積回路にシールド技術を応用し
た一例の平面図である。
第3図に示す様に、集積回路基板11上に形成された集
積回路16、および信号パッドあるいは電源パッド17
に接続される配線14をSiO2膜等を介した平板状の金属
層12で覆う。すなわち、上層の金属層12で下層に構
成されている集積回路全体16を覆い、上層の金属層1
2をGND電位に接続してシールド効果を得ている。
〔考案が解決しようとする問題点〕
かかる従来の集積回路上のシールド金属層は、下層の回
路を覆う時に上層の金属層を下層の金属層から絶縁する
ため窒化膜や酸化膜等を層間に挿入している。このため
に、上・下層および層間膜とは等価的にコンデンサーを
形成し、特に下層に構成されている集積回路にはこのコ
ンデンサーが寄生容量として付加される。この寄生容量
は高周波増幅器の極を作る節点に付加された場合、極の
周波数を下げる方向に働き増幅器の周波数特性を劣化さ
せるという欠点がある。又、ディジタル回路においては
寄生容量への充・放電の時間分だけ遅延時間が長くなる
という欠点がある。
本考案の目的はかかる寄生容量の少なくディジタル回路
での遅延時間も短かくし得る集積回路装置を提供するこ
とにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本考案の集積回路装置は、基板上で複数層よりなる集積
回路の最上層に形成した配線層と、前記基板上の前記集
積回路の周囲に形成した所定電位保持金属層と、前記金
属層に接続され且つ前記配線層上に空気を介して隔絶す
るように立体的に配設した格子配線とを備えるように構
成される。
〔実施例〕
次に、本考案の実施例について図面を参照して説明す
る。
第1図は本考案の第一の実施例を示す集積回路装置の斜
視図である。
第1図に示すように、かかる集積回路装置は例えばGaAs
基板1上にGaAsFETを用いた帰還型の増幅器が構成さ
れている。このGaAs基板1に形成された増幅器の最上層
の配線層4の上には空気を介して隔絶するように立体的
に格子配線2が形成される。これら格子配線2はGaAs基
板1上の集積回路の周囲に形成された所定電位、ここで
はGND電位に設定された金属層3に接続されている。
これら格子配線2の格子は、格子の目の寸法よりも波長
の長い外来雑音に対してシールド効果を有しており、本
実施例では100〜200μmの目の寸法であるから1
500〜3000GHzより低い周波数に対してシールド
効果を持つことになる。
また、本考案では、上層のシールド用の格子配線2と下
層の増幅器を構成している集積回路とは空気で隔絶され
ている。このために、下層の増幅器へ付加される寄生容
量は誘電体が間にある場合の1/εr(εrは誘電体の
比誘電率)に軽減される。尚、回路的に寄生容量が問題
になる節点に対しては、格子の配線がその節点の真上に
配置されない様にエッチング等で除去すれば、この問題
は解決される。
更に、この第一の実施例においては、集積回路の最上層
の配線層4とシールド用の上層の格子配線2とはすべて
空気により隔絶されているが、電源部の様に特に寄生容
量が問題にならない場合には部分的に誘電体を挿入して
強度的に補強すればより有効になる。
第2図(a),(b)はそれぞれ本考案の第二の実施例
を説明するための集積回路装置の要部斜視図および要部
平面図である。
第2図(a)に示すように、この集積回路装置は集積回
路基板5上に下層の金属配線層4とエアーブリッジする
ように配置した上層の格子配線2とを有する。これら配
線層4と格子配線2とは空気で隔絶され、また図示して
いないが上層の金属配線2は最終的には固定電位に設定
された金属層に接続されている。
従って、下層の金属配線層4は上層の金属配線2により
シールドされることになる。また、上・下層の金属は空
気により隔絶されているために、下層の金属配線に付加
される寄生容量は間に誘電体がある場合に比べ前記第一
の実施例同様に1/εr(εrは誘電体の比誘電率)に
なる。更に、集積回路基板5を固定電位に接続しておけ
ば、金属配線層4は完全にシールド線構造になり、より
シールド効果を増すことができる。
次に、第2図(b)に示すように、第2図(a)に示す
集積回路装置のシールド構造の要部を平面的に示すと図
のようになる。4は下層の金属配線層、2は固定電位に
接続されている上層の金属配線である。
この第二の実施例においても、前記第一の実施例同様に
シールド効果および寄生容量が改善される。
〔考案の効果〕
以上説明したように、本考案の集積回路装置は集積回路
基板上に所定電位に保たれ、且つ集積回路の配線層より
も上層に格子配線を配設し、且つ集積回路と格子配線を
空気により隔絶することにより、少ない寄生容量でのシ
ールド機能を実現しディジタル回路での遅延時間を短か
くできる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の第一の実施例を示す集積回路装置の斜
視図、第2図(a),(b)はそれぞれ本考案の第二の
実施例を説明するための集積回路装置の要部斜視図およ
び要部平面図、第3図は従来の一例を説明するための集
積回路装置の平面図である。 1……GaAs基板、2……格子配線、3……GND電位の
金属層、4……配線層、5……集積回路基板。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板上で複数層よりなる集積回路の最上層
    に形成した配線層と、前記基板上の前記集積回路の周囲
    に形成した所定電位保持金属層と、前記金属層に接続さ
    れ且つ前記配線層上に空気を介して隔絶するように立体
    的に配設した格子配線とを備えたことを特徴とする集積
    回路装置。
JP3056187U 1987-03-02 1987-03-02 集積回路装置 Expired - Lifetime JPH064590Y2 (ja)

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JPS63137942U JPS63137942U (ja) 1988-09-12
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JP2600389B2 (ja) * 1989-09-12 1997-04-16 三菱電機株式会社 半導体装置
JP3195828B2 (ja) * 1992-08-31 2001-08-06 三菱電機株式会社 半導体装置

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