JPS607489Y2 - 半導体容器 - Google Patents
半導体容器Info
- Publication number
- JPS607489Y2 JPS607489Y2 JP581079U JP581079U JPS607489Y2 JP S607489 Y2 JPS607489 Y2 JP S607489Y2 JP 581079 U JP581079 U JP 581079U JP 581079 U JP581079 U JP 581079U JP S607489 Y2 JPS607489 Y2 JP S607489Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- container
- inductance
- input terminal
- metallization layer
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
来者は半導体容器、とくに高周波用半導体容器の入力側
の寄生容量を打ち消すために入力側にインダクターを形
成した容器に関するものである。
の寄生容量を打ち消すために入力側にインダクターを形
成した容器に関するものである。
半導体素子を高周波で動作させる場合、半導体素子自身
の性能を劣下させる原因の一つに半導体容器の寄生容量
がある。
の性能を劣下させる原因の一つに半導体容器の寄生容量
がある。
この寄生容量は、半導体装置の入力端子と共通端子の間
に並列に等価的に入っている。
に並列に等価的に入っている。
このため高周波領域で使用する場合にしばしば半導体装
置の性能劣下を引き起している。
置の性能劣下を引き起している。
従来、半導体容器の寄生容量を少なくするために色々な
ことが行なわれているが充分でなく高周波特性を飛躍的
に向上させることができなかった。
ことが行なわれているが充分でなく高周波特性を飛躍的
に向上させることができなかった。
本考案は、この容器の静電容量を容器自体にインダクタ
ーを付加することにより打消し、高周波特性を飛欄的に
向上し得る半導体容器を提供するものである。
ーを付加することにより打消し、高周波特性を飛欄的に
向上し得る半導体容器を提供するものである。
以下図面を参照して本考案をトランジスタの場合につい
てより詳細に説明する。
てより詳細に説明する。
第１図は従来の半導体装置の容器を含めた等価回路であ
る。
る。
これは容器の外部導出用リードに存在するインダクタン
ス１０１と外部導出用リードと半導体素子の入力電極と
の間を接続するボンディング線に存在するインダクタン
ス１０２ ト半４体素子１０３とから威り容器寄生容量
１０４が外部導出用リードとボンディング線との接続部
と接地電極であるエミッタとの間に等価的に存在してい
る。
ス１０１と外部導出用リードと半導体素子の入力電極と
の間を接続するボンディング線に存在するインダクタン
ス１０２ ト半４体素子１０３とから威り容器寄生容量
１０４が外部導出用リードとボンディング線との接続部
と接地電極であるエミッタとの間に等価的に存在してい
る。
この容器１０４が半導体素子１０３の高周波特性を劣下
させている。
させている。
本考案では第２図のようにリードインダクタンス２０１
と入力端子用ボンディング線のインダクタンス２０２と
の間と共通端子２０８との間にキャンセル用インダクタ
ンス２０５が入り、容器容量２０４を等価的に打ち消す
はたらきをしている。
と入力端子用ボンディング線のインダクタンス２０２と
の間と共通端子２０８との間にキャンセル用インダクタ
ンス２０５が入り、容器容量２０４を等価的に打ち消す
はたらきをしている。
このキャンセル用インダクタンス２０５の値は半導体装
置使用周波数ｆにおいて（１）式の関係になるように定
める。
置使用周波数ｆにおいて（１）式の関係になるように定
める。
ここでＬ□はキャンセル用インダクタンス２０５の値を
Ｃ□は容器静電量２０４の値をそれぞれ示す。
Ｃ□は容器静電量２０４の値をそれぞれ示す。
この場合キャンセル用インダクター２０５と容器静電容
量２０４とが共振して静電容量２０４を打ち消すため、
高周波特性が飛躍的に向上する。
量２０４とが共振して静電容量２０４を打ち消すため、
高周波特性が飛躍的に向上する。
第３図は本考案をエミッタ接地のトランジスタ用の容器
に適用した一実施例である。
に適用した一実施例である。
絶縁基板３０４の上に入力端子用金属化層３０６、出力
端子用金属化層３１１が互いに対向して形成され共通端
子用金属化層３０９，３０９’が入力端子用金属化層３
０６と出力端子用金属化層３１１をはさんで両側に形成
されている。
端子用金属化層３１１が互いに対向して形成され共通端
子用金属化層３０９，３０９’が入力端子用金属化層３
０６と出力端子用金属化層３１１をはさんで両側に形成
されている。
入力端子３０１、出力端子３０７は入力端子用金属化層
３０６、出力端子用金属化層３１１に互いに対向して取
付けられ、共通端子３０８，３０８’は共通端子用金属
化層３０９，３０９’に互いに対向して取付けられてい
る。
３０６、出力端子用金属化層３１１に互いに対向して取
付けられ、共通端子３０８，３０８’は共通端子用金属
化層３０９，３０９’に互いに対向して取付けられてい
る。
そして半導体素子３０３は出力端子用金属化層３１１に
取付け、半導体素子３０３と入力端子用金属化層３０６
を入力端子用ボンディング線３０２で接続し、半導体素
子３０３と共通端子用金属化層３０９，３０９’を共通
端子用ボンディング線３１０，３１０’で接続し、入力
端子用金属化層３０６と共通端子用金属化層３０９もし
くは３０９’（第３図では３０９である）とは容器の基
板３０４に形成されたキャンセル用インダクター３０５
で電気的に接続されている。
取付け、半導体素子３０３と入力端子用金属化層３０６
を入力端子用ボンディング線３０２で接続し、半導体素
子３０３と共通端子用金属化層３０９，３０９’を共通
端子用ボンディング線３１０，３１０’で接続し、入力
端子用金属化層３０６と共通端子用金属化層３０９もし
くは３０９’（第３図では３０９である）とは容器の基
板３０４に形成されたキャンセル用インダクター３０５
で電気的に接続されている。
なおキャンセル用インダクター３０５は入力端子用金属
化層３０６、出力端子用金属化層３１１、共通端子用金
属化層３０９，３０９’などを形成するとき同時に同様
の製造工程で形成できる。
化層３０６、出力端子用金属化層３１１、共通端子用金
属化層３０９，３０９’などを形成するとき同時に同様
の製造工程で形成できる。
キャンセル用インダクター３０４は、帯状パターンにす
れば、その巾及び長さによりそのインダクタンスを自由
に変えるとかでき（１）式を満足するインダクタンス値
を得ることは容易である。
れば、その巾及び長さによりそのインダクタンスを自由
に変えるとかでき（１）式を満足するインダクタンス値
を得ることは容易である。
この場合入力端子間に等価的に並列に入る容器静電容量
が使用周波数では打ち消されるため高周波特性が飛躍的
に向上される。
が使用周波数では打ち消されるため高周波特性が飛躍的
に向上される。
以上、本考案の一実施例について説明したが、本考案は
上記に限ることなく他の半導体素子用容器にも適用でき
るものである。
上記に限ることなく他の半導体素子用容器にも適用でき
るものである。
第１図は従来の半導体装置を示す等価回路である。
第２図は本考案による半導体装置の等価回路である。
第３図は本考案の一実施例を示す構造図である。
１０１．２０１・・・・・・入力端子インダクタンス、
１０２．２０２・・・・・・入力端子ボンディング線イ
ンダクタンス、１０３，２０３，３０３・・・・・・半
導体素子、１０４，２０４・・・・・・容器静電容量、
２０５・・・・・・キャンセル用インダクタンス、１０
８，２０８．３０８，３０８’・・・・・・共通端子、
３０１・・・・・・入力端子、３０２・・・・・・入力
端子用ボンディング線、３０４・・・・・・絶縁基板、
３０５・・・・・・キャンセル用インダクター、３０６
・・・・・・入力端子用金属化層、３０７・・・・・・
出力端子、３０９，３０９’・・・・・・共通端子用金
属化層、３１０，３１０’・・・・・・共通端子用ボン
ディング線、３１１・・・・・・出力端子用金属化層。
１０２．２０２・・・・・・入力端子ボンディング線イ
ンダクタンス、１０３，２０３，３０３・・・・・・半
導体素子、１０４，２０４・・・・・・容器静電容量、
２０５・・・・・・キャンセル用インダクタンス、１０
８，２０８．３０８，３０８’・・・・・・共通端子、
３０１・・・・・・入力端子、３０２・・・・・・入力
端子用ボンディング線、３０４・・・・・・絶縁基板、
３０５・・・・・・キャンセル用インダクター、３０６
・・・・・・入力端子用金属化層、３０７・・・・・・
出力端子、３０９，３０９’・・・・・・共通端子用金
属化層、３１０，３１０’・・・・・・共通端子用ボン
ディング線、３１１・・・・・・出力端子用金属化層。
Claims (1)
- 半導体容器を形成する絶縁基板上に入力端子と共通端子
間に押入されたインダクタンスが形成されていることを
特徴とする半導体容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP581079U JPS607489Y2 (ja) | 1979-01-19 | 1979-01-19 | 半導体容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP581079U JPS607489Y2 (ja) | 1979-01-19 | 1979-01-19 | 半導体容器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55105950U JPS55105950U (ja) | 1980-07-24 |
| JPS607489Y2 true JPS607489Y2 (ja) | 1985-03-13 |
Family
ID=28812018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP581079U Expired JPS607489Y2 (ja) | 1979-01-19 | 1979-01-19 | 半導体容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607489Y2 (ja) |
-
1979
- 1979-01-19 JP JP581079U patent/JPS607489Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55105950U (ja) | 1980-07-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2721093B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6311704Y2 (ja) | ||
| US4625184A (en) | Surface acoustic wave device with impedance matching network formed thereon | |
| CN116073782A (zh) | 一种混合滤波器 | |
| US3671793A (en) | High frequency transistor structure having an impedance transforming network incorporated on the semiconductor chip | |
| JPS607489Y2 (ja) | 半導体容器 | |
| JPS6343412A (ja) | １８０度ハイブリツド回路 | |
| WO1996042110A1 (en) | Semiconductor device | |
| JP3197249B2 (ja) | 積層ｌｃハイパスフィルタ | |
| JP2594558B2 (ja) | 電界効果型トランジスタ | |
| JPS6255721B2 (ja) | ||
| JPS5892243A (ja) | 電界効果トランジスタ用パツケ−ジ | |
| JP2561607Y2 (ja) | 誘電体帯域阻止フィルタ | |
| JPS6364081B2 (ja) | ||
| JPH0363315B2 (ja) | ||
| JPH0543536Y2 (ja) | ||
| JPH06112406A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPS62208705A (ja) | フイルタ−素子及び複合フイルタ− | |
| JP2784406B2 (ja) | 半導体集積回路装置パッケ―ジ | |
| JPS598345Y2 (ja) | 複合貫通形ｌｃ部品 | |
| JPH0661422A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH0923066A (ja) | コンデンサ内蔵基板 | |
| JPH088450B2 (ja) | 電圧制御発振器 | |
| JPH04109604A (ja) | マイクロ波半導体装置 | |
| JPS605055B2 (ja) | 半導体装置 |