JPH0647234A - Ｃｖｄ法排ガスの除害方法 - Google Patents
Ｃｖｄ法排ガスの除害方法Info
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- JPH0647234A JPH0647234A JP4173740A JP17374092A JPH0647234A JP H0647234 A JPH0647234 A JP H0647234A JP 4173740 A JP4173740 A JP 4173740A JP 17374092 A JP17374092 A JP 17374092A JP H0647234 A JPH0647234 A JP H0647234A
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Landscapes
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- Treating Waste Gases (AREA)
- Separation Of Gases By Adsorption (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 有機化合物を原料として用いるＣＶＤ排ガス
及びＣＶＤ装置のクリーニング排ガスを除害化処理する
方法を提供する。 【構成】 ２．３６〜４．７５mmφの平均孔径９Åのモ
レキュラーシーブ５０リットルを充填した３５０φ×５
０００ｈの吸着槽とマンガン酸化物系触媒２．５リット
ルを充填した２００φ×８０ｈの触媒槽を直列に配置
し、ＴＥＯＳ １００ppm 、ＣＨ3 ＣＨＯ ２００ppm
、Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ ２０００ppm 、ＣＯ ３０００ppm
及びＨ2 １０００ppm を含有するＣＶＤ排ガス、及び２
％の酸素を添加したＳｉＦ4 ４００ppm 及びＦ2 １００
ppm を含むクリーニング排ガスを夫々３分／回、２分／
回の割合で交互に通じた。触媒槽の中心温度は１５０℃
であった。ＣＯが許容濃度を超えるまでに６９１０回処
理できた。
及びＣＶＤ装置のクリーニング排ガスを除害化処理する
方法を提供する。 【構成】 ２．３６〜４．７５mmφの平均孔径９Åのモ
レキュラーシーブ５０リットルを充填した３５０φ×５
０００ｈの吸着槽とマンガン酸化物系触媒２．５リット
ルを充填した２００φ×８０ｈの触媒槽を直列に配置
し、ＴＥＯＳ １００ppm 、ＣＨ3 ＣＨＯ ２００ppm
、Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ ２０００ppm 、ＣＯ ３０００ppm
及びＨ2 １０００ppm を含有するＣＶＤ排ガス、及び２
％の酸素を添加したＳｉＦ4 ４００ppm 及びＦ2 １００
ppm を含むクリーニング排ガスを夫々３分／回、２分／
回の割合で交互に通じた。触媒槽の中心温度は１５０℃
であった。ＣＯが許容濃度を超えるまでに６９１０回処
理できた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、テトラエトキシシラン
（ＴＥＯＳ）等の有機化合物を原料ガスとして用いるＣ
ＶＤ法排ガスの除害方法に係り、特にＣＶＤ反応室をフ
ッ素系ガスでクリーニングした際の排ガスを併せて処理
する除害方法に関する。
（ＴＥＯＳ）等の有機化合物を原料ガスとして用いるＣ
ＶＤ法排ガスの除害方法に係り、特にＣＶＤ反応室をフ
ッ素系ガスでクリーニングした際の排ガスを併せて処理
する除害方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、超ＬＳＩの高集積化、高密度化に
伴い、ＣＶＤ法によるシリコン酸化膜形成に従来のモノ
シラン等の水素化物に代えて、ＴＥＯＳを代表とする有
機化合物が採用されるようになって来ている。水素化物
を使ったプロセスからの排ガスの除害処理についてはい
くつかの方法が提案されているが、有機化合物を使った
ＣＶＤ排ガスの除害については活性炭を主体とする吸着
剤による処理法が考えられる。
伴い、ＣＶＤ法によるシリコン酸化膜形成に従来のモノ
シラン等の水素化物に代えて、ＴＥＯＳを代表とする有
機化合物が採用されるようになって来ている。水素化物
を使ったプロセスからの排ガスの除害処理についてはい
くつかの方法が提案されているが、有機化合物を使った
ＣＶＤ排ガスの除害については活性炭を主体とする吸着
剤による処理法が考えられる。
【０００３】また、ＣＶＤ反応室は、室内に堆積した反
応生成物を定期的に除去するためＣＦ4 、ＮＦ3 などの
フッ素系ガスでクリーニング処理を行うが、この際の排
ガスを除害する方法としてアルカリ金属を添着した活性
炭（特開昭５８−１２２０２５号公報）、酸化マグネシ
ウム（特開昭６２−４２７２７号公報）等で吸着処理を
行う方法がある。
応生成物を定期的に除去するためＣＦ4 、ＮＦ3 などの
フッ素系ガスでクリーニング処理を行うが、この際の排
ガスを除害する方法としてアルカリ金属を添着した活性
炭（特開昭５８−１２２０２５号公報）、酸化マグネシ
ウム（特開昭６２−４２７２７号公報）等で吸着処理を
行う方法がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明者等がＴＥＯＳ
等の有機系化合物を用いるＣＶＤ法からの排ガスとフッ
素系クリーニング系からの排出ガスを交互に活性炭吸着
剤を用いて処理したところ、活性炭はＳｉＦ4 の吸着量
が少ないので、全体としての活性炭吸着剤のライフは、
クリーニング排ガス中のＳｉＦ4 の量によって大きく左
右されてしまった。
等の有機系化合物を用いるＣＶＤ法からの排ガスとフッ
素系クリーニング系からの排出ガスを交互に活性炭吸着
剤を用いて処理したところ、活性炭はＳｉＦ4 の吸着量
が少ないので、全体としての活性炭吸着剤のライフは、
クリーニング排ガス中のＳｉＦ4 の量によって大きく左
右されてしまった。
【０００５】ＴＥＯＳ等の有機化合物を用いるＣＶＤ排
ガス中にはＴＥＯＳ等の有機物質の他に、アルコール、
アルデヒド等の多様な有機物質が含まれており、一方、
クリーニング排ガス中にはＳｉＦ4 、Ｆ2 等のフッ素系
物質が含まれており、これらの全く性質の異なる物質を
含む排ガスを併せて処理するためには、汎用性の高い吸
着剤を使用しなければならないが、このような吸着剤は
未だ知られていない。
ガス中にはＴＥＯＳ等の有機物質の他に、アルコール、
アルデヒド等の多様な有機物質が含まれており、一方、
クリーニング排ガス中にはＳｉＦ4 、Ｆ2 等のフッ素系
物質が含まれており、これらの全く性質の異なる物質を
含む排ガスを併せて処理するためには、汎用性の高い吸
着剤を使用しなければならないが、このような吸着剤は
未だ知られていない。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、次に示す４つ
の発明よりなるものである。
の発明よりなるものである。
【０００７】（１）有機化合物を用いるＣＶＤ法排ガス
の除害処理方法において、該排ガスを平均孔径が９Å以
上のモレキュラーシーブと接触させることを特徴とする
ＣＶＤ法排ガスの除害方法。
の除害処理方法において、該排ガスを平均孔径が９Å以
上のモレキュラーシーブと接触させることを特徴とする
ＣＶＤ法排ガスの除害方法。
【０００８】（２）モレキュラーシーブと接触させた後
酸素の共存下に酸化触媒と接触させることを特徴とする
前記（１）記載のＣＶＤ法排ガスの除害方法。
酸素の共存下に酸化触媒と接触させることを特徴とする
前記（１）記載のＣＶＤ法排ガスの除害方法。
【０００９】（３）１２０〜２００℃の範囲内の温度で
酸化触媒と接触させることを特徴とする前記（２）記載
のＣＶＤ法排ガスの除害方法。
酸化触媒と接触させることを特徴とする前記（２）記載
のＣＶＤ法排ガスの除害方法。
【００１０】（４）共存する酸素の量を、排ガス中に共
存するＣＨ3 ＣＨＯ、Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ、ＣＯを完全に酸化
しうる理論酸素量の合計量以上に常時保持することを特
徴とする前記（２）又は（３）記載のＣＶＤ法排ガスの
除害方法。
存するＣＨ3 ＣＨＯ、Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ、ＣＯを完全に酸化
しうる理論酸素量の合計量以上に常時保持することを特
徴とする前記（２）又は（３）記載のＣＶＤ法排ガスの
除害方法。
【００１１】本発明者等は、上記ＣＶＤ法から排出され
る排ガスとフッ素系クリーニング排ガスの双方を処理す
る方法について種々検討した結果発明をなすに至った。
る排ガスとフッ素系クリーニング排ガスの双方を処理す
る方法について種々検討した結果発明をなすに至った。
【００１２】以下、本発明を詳しく説明する。ＴＥＯＳ
等の有機化合物を用いるＣＶＤ法排ガス中には、未分解
の有機化合物と、その分解生成物である一酸化炭素、エ
チルアルコール、アセトアルデヒド、ジエチルエーテ
ル、アセトン等の有害成分が含まれている。これらのう
ち、一酸化炭素以外は、平均孔径９Å未満のゼオライト
でも比較的容易に吸着できるが、フッ素クリーニング排
ガス中に含まれているＳｉＦ4 、Ｆ2 などの有害成分は
平均孔径９Åのモレキュラーシーブでは吸着処理できる
が平均孔径が小さくなると吸着効果がないので除害効果
が悪くなり、孔径５Å以下のモレキュラーシーブは吸着
力が極めて悪い。
等の有機化合物を用いるＣＶＤ法排ガス中には、未分解
の有機化合物と、その分解生成物である一酸化炭素、エ
チルアルコール、アセトアルデヒド、ジエチルエーテ
ル、アセトン等の有害成分が含まれている。これらのう
ち、一酸化炭素以外は、平均孔径９Å未満のゼオライト
でも比較的容易に吸着できるが、フッ素クリーニング排
ガス中に含まれているＳｉＦ4 、Ｆ2 などの有害成分は
平均孔径９Åのモレキュラーシーブでは吸着処理できる
が平均孔径が小さくなると吸着効果がないので除害効果
が悪くなり、孔径５Å以下のモレキュラーシーブは吸着
力が極めて悪い。
【００１３】他方、平均孔径９Åのモレキュラーシーブ
は一酸化炭素以外は比較的容易に吸着できるが、アルコ
ールとアルデヒドは一般にその含有量が多いので、他の
成分の吸着が引続いて行われている段階でも少しずつリ
ークして来る。そこでモレキュラーシーブ吸着層の後段
に酸化触媒層を設け、モレキュラーシーブ吸着層で除去
しにくい一酸化炭素と、ごく一部がリークして来るアル
コール及びアルデヒド等を酸素の共存下に水と二酸化炭
素にまで分解するのが好ましい。なお、ＣＶＤ排ガスに
一酸化炭素が含まれていない場合には、酸化触媒層は必
ずしも設けなくてもよい。
は一酸化炭素以外は比較的容易に吸着できるが、アルコ
ールとアルデヒドは一般にその含有量が多いので、他の
成分の吸着が引続いて行われている段階でも少しずつリ
ークして来る。そこでモレキュラーシーブ吸着層の後段
に酸化触媒層を設け、モレキュラーシーブ吸着層で除去
しにくい一酸化炭素と、ごく一部がリークして来るアル
コール及びアルデヒド等を酸素の共存下に水と二酸化炭
素にまで分解するのが好ましい。なお、ＣＶＤ排ガスに
一酸化炭素が含まれていない場合には、酸化触媒層は必
ずしも設けなくてもよい。
【００１４】酸化触媒としては、貴金属系ないし遷移金
属系のものを使用し得るが、価格及び性能の点からみて
マンガン酸化物系の触媒が好適である。触媒との反応温
度は、排ガス中に共存する水、二酸化炭素、水素、炭化
水素等非毒性成分による妨害を避けるため、少なくとも
１２０℃以上とするのがよい。ただし、あまり高温にす
ると余分なエネルギーを必要とするだけでなく、毒性の
ない炭化水素まで分解することになりより多くの酸素を
要するので不経済である。また、触媒そのものの耐熱性
の限界もあるので、２００℃以上にする必要はない。な
お、触媒の加熱方法としては外部から電気ヒータで加温
する等の一般に行われている方法が採用できる。
属系のものを使用し得るが、価格及び性能の点からみて
マンガン酸化物系の触媒が好適である。触媒との反応温
度は、排ガス中に共存する水、二酸化炭素、水素、炭化
水素等非毒性成分による妨害を避けるため、少なくとも
１２０℃以上とするのがよい。ただし、あまり高温にす
ると余分なエネルギーを必要とするだけでなく、毒性の
ない炭化水素まで分解することになりより多くの酸素を
要するので不経済である。また、触媒そのものの耐熱性
の限界もあるので、２００℃以上にする必要はない。な
お、触媒の加熱方法としては外部から電気ヒータで加温
する等の一般に行われている方法が採用できる。
【００１５】さらに共存させる酸素の量としては、前段
のモレキュラーシーブ槽からリークするアルコール、ア
ルデヒドの量が少しずつ増加するので、安全をみてＣＶ
Ｄ排ガス中に含まれる一酸化炭素、アルコール、アルデ
ヒドの全量を水と二酸化炭素までに完全酸化するのに必
要な量以上に保持すれば良い。酸素源としては、酸素ま
たは空気で良く、触媒槽の上流で導入されればその導入
位置は問わない。なお有機化合物を用いるＣＶＤ排ガス
の特徴として、前記有機化合物の外、アルコール、アル
デヒド等の沸点の高い物質を含んでいるので、蒸着終了
後もこれらの成分が少しずつ排出される。従って、蒸着
中あるいは蒸着後のいかんにかかわらず、常時酸素を必
要量以上供給し、かつ触媒温度も常時所定値を保つよう
にしないと完全な無害化はできない。
のモレキュラーシーブ槽からリークするアルコール、ア
ルデヒドの量が少しずつ増加するので、安全をみてＣＶ
Ｄ排ガス中に含まれる一酸化炭素、アルコール、アルデ
ヒドの全量を水と二酸化炭素までに完全酸化するのに必
要な量以上に保持すれば良い。酸素源としては、酸素ま
たは空気で良く、触媒槽の上流で導入されればその導入
位置は問わない。なお有機化合物を用いるＣＶＤ排ガス
の特徴として、前記有機化合物の外、アルコール、アル
デヒド等の沸点の高い物質を含んでいるので、蒸着終了
後もこれらの成分が少しずつ排出される。従って、蒸着
中あるいは蒸着後のいかんにかかわらず、常時酸素を必
要量以上供給し、かつ触媒温度も常時所定値を保つよう
にしないと完全な無害化はできない。
【００１６】つぎに、本発明の実施例を記載するが、本
発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００１７】実施例１ ４〜８メッシュ、即ち２．３６〜４．７５mmφの平均孔
径９Åのモレキュラーシーブ５０リットルを充填した吸
着槽（３５０φ×５０００ｈ）の後段にマンガン酸化物
系触媒（ＭｎＯ2 ８０％、ＣｕＯ２０％）２．５リット
ルを充填した外部加熱式触媒槽（２００φ×８０ｈ）を
直列に配置し、該触媒槽の中心の温度を１５０℃に保持
しながら表１に示す組成を有するＣＶＤ排ガス及びクリ
ーニング排ガスを交互に４０リットル／分の流速で通じ
て除害処理を行った。なお、クリーニング排ガスには酸
素を２％になるように加えた。
径９Åのモレキュラーシーブ５０リットルを充填した吸
着槽（３５０φ×５０００ｈ）の後段にマンガン酸化物
系触媒（ＭｎＯ2 ８０％、ＣｕＯ２０％）２．５リット
ルを充填した外部加熱式触媒槽（２００φ×８０ｈ）を
直列に配置し、該触媒槽の中心の温度を１５０℃に保持
しながら表１に示す組成を有するＣＶＤ排ガス及びクリ
ーニング排ガスを交互に４０リットル／分の流速で通じ
て除害処理を行った。なお、クリーニング排ガスには酸
素を２％になるように加えた。
【００１８】
【表１】 その結果、６９１５回分のＣＶＤ排ガスとクリーニング
排ガスを処理した時点でＣＯが許容濃度５０ppm を超え
た。
排ガスを処理した時点でＣＯが許容濃度５０ppm を超え
た。
【００１９】比較例１ 平均孔径９Åのモレキュラーシーブの代りにヤシ殻系活
性炭を使用した以外は実施例１と同様にしてＣＶＤ排ガ
スとクリーニング排ガスを交互に通じて除害処理を行っ
たところ、３７７９回分のＣＶＤ排ガスとクリーニング
排ガスを処理した時点でＣＯが許容濃度を超えた。
性炭を使用した以外は実施例１と同様にしてＣＶＤ排ガ
スとクリーニング排ガスを交互に通じて除害処理を行っ
たところ、３７７９回分のＣＶＤ排ガスとクリーニング
排ガスを処理した時点でＣＯが許容濃度を超えた。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、有機化合物を原料とし
て用いるＣＶＤ排ガスについて、ＣＶＤ排ガスのみでな
く、クリーニング排ガスをも併せて除害化処理をするこ
とが出来、しかも長時間処理することができる。
て用いるＣＶＤ排ガスについて、ＣＶＤ排ガスのみでな
く、クリーニング排ガスをも併せて除害化処理をするこ
とが出来、しかも長時間処理することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森 洋一 東京都港区港南１丁目６番27号 荏原イン フィルコ株式会社内 (72)発明者 京谷 敬史 東京都港区港南１丁目６番27号 荏原イン フィルコ株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 有機化合物を用いるＣＶＤ法排ガスの除
害処理方法において、該排ガスを平均孔径が９Å以上の
モレキュラーシーブと接触させることを特徴とするＣＶ
Ｄ法排ガスの除害方法。 - 【請求項２】 モレキュラーシーブと接触させた後酸素
の共存下に酸化触媒と接触させることを特徴とする請求
項１記載のＣＶＤ法排ガスの除害方法。 - 【請求項３】 １２０〜２００℃の範囲内の温度で酸化
触媒と接触させることを特徴とする請求項２記載のＣＶ
Ｄ法排ガスの除害方法。 - 【請求項４】 共存する酸素の量を、排ガス中に共存す
るＣＨ3 ＣＨＯ、Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ、ＣＯを完全に酸化しう
る理論酸素量の合計量以上に常時保持することを特徴と
する請求項２又は請求項３記載のＣＶＤ法排ガスの除害
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4173740A JP2571176B2 (ja) | 1992-06-09 | 1992-06-09 | Ｃｖｄ法排ガスの除害方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4173740A JP2571176B2 (ja) | 1992-06-09 | 1992-06-09 | Ｃｖｄ法排ガスの除害方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0647234A true JPH0647234A (ja) | 1994-02-22 |
| JP2571176B2 JP2571176B2 (ja) | 1997-01-16 |
Family
ID=15966252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4173740A Expired - Lifetime JP2571176B2 (ja) | 1992-06-09 | 1992-06-09 | Ｃｖｄ法排ガスの除害方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2571176B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1992
- 1992-06-09 JP JP4173740A patent/JP2571176B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2571176B2 (ja) | 1997-01-16 |
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