JPH064910A - 光ディスクの製造方法 - Google Patents
光ディスクの製造方法Info
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- JPH064910A JPH064910A JP16077092A JP16077092A JPH064910A JP H064910 A JPH064910 A JP H064910A JP 16077092 A JP16077092 A JP 16077092A JP 16077092 A JP16077092 A JP 16077092A JP H064910 A JPH064910 A JP H064910A
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- resin
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 第一の回転数Ｗ1 で回転させた基板１表面に
液状の樹脂３を塗布し、第二の回転数Ｗ2 で基板１を回
転させて基板１表面に形成される樹脂膜３ａの膜厚を制
御し、第三の回転数3 で基板１を回転させて基板１表面
の外周部に存在する未乾燥の余分な樹脂３の盛り上がり
部４を除去する。 【効果】 盛り上がり部が許容限度以下に低減された、
均一な膜厚のフォトレジスト膜や保護膜を形成すること
ができる。フォトレジスト膜を形成した場合、ガイドト
ラック等のパターンを高精度で転写することができる。
保護膜を形成した場合、紫外線照射量等を必要最小限に
でき、工程時間を短縮することができると共に、硬化
後、盛り上がり部が剥離して記録層に腐食等の損傷を与
えることもない。信頼性に優れた高品質の光ディスクを
製造することが可能となる。
液状の樹脂３を塗布し、第二の回転数Ｗ2 で基板１を回
転させて基板１表面に形成される樹脂膜３ａの膜厚を制
御し、第三の回転数3 で基板１を回転させて基板１表面
の外周部に存在する未乾燥の余分な樹脂３の盛り上がり
部４を除去する。 【効果】 盛り上がり部が許容限度以下に低減された、
均一な膜厚のフォトレジスト膜や保護膜を形成すること
ができる。フォトレジスト膜を形成した場合、ガイドト
ラック等のパターンを高精度で転写することができる。
保護膜を形成した場合、紫外線照射量等を必要最小限に
でき、工程時間を短縮することができると共に、硬化
後、盛り上がり部が剥離して記録層に腐食等の損傷を与
えることもない。信頼性に優れた高品質の光ディスクを
製造することが可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光学的に情報を記録、
再生する光ディスクの製造方法に関するものである。
再生する光ディスクの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】通常、光ディスクの基板は、ガラス等か
らなるディスク基板表面に液状のフォトレジストをスピ
ンコート法により塗布してフォトレジスト膜を形成し、
このフォトレジスト膜にガイドトラック等のパターンを
有するフォトマスク板を重ね合わせて紫外線等を照射す
ることによりフォトレジスト膜を露光し、未露光部分を
現像後、ディスク基板をエッチング処理して凹凸の溝を
形成し、その後、残存したフォトレジスト膜を除去する
ことにより作成されている。
らなるディスク基板表面に液状のフォトレジストをスピ
ンコート法により塗布してフォトレジスト膜を形成し、
このフォトレジスト膜にガイドトラック等のパターンを
有するフォトマスク板を重ね合わせて紫外線等を照射す
ることによりフォトレジスト膜を露光し、未露光部分を
現像後、ディスク基板をエッチング処理して凹凸の溝を
形成し、その後、残存したフォトレジスト膜を除去する
ことにより作成されている。
【０００３】また、光ディスクは、記録層を保護するた
めに、ディスク基板表面に液状の紫外線硬化性樹脂もし
くは熱硬化性樹脂をスピンコート法により塗布し、紫外
線照射もしくは加熱することにより硬化させて保護膜を
形成し、製造されている。
めに、ディスク基板表面に液状の紫外線硬化性樹脂もし
くは熱硬化性樹脂をスピンコート法により塗布し、紫外
線照射もしくは加熱することにより硬化させて保護膜を
形成し、製造されている。
【０００４】以下、従来のスピンコート法について、デ
ィスク基板表面にフォトレジストを塗布する場合を例に
とり、図５ないし図７に基づいて説明する。
ィスク基板表面にフォトレジストを塗布する場合を例に
とり、図５ないし図７に基づいて説明する。
【０００５】先ず、図５（ａ）に示すように、ディスク
基板３１をターンテーブル３２に固定した後、ディスク
基板３１をターンテーブル３２と一体的に図６のタイム
チャートに示す塗布回転数Ｗ11（50〜1000 rpm）で回転
させながら、ディスク基板３１の内周部上方に配したノ
ズル３５からディスク基板３１表面に溶剤で希釈したフ
ォトレジスト３３を吐出する。ディスク基板３１表面に
フォトレジスト３３を塗布した後、ディスク基板３１を
図６に示す乾燥回転数Ｗ12（2000 rpm以上）で回転させ
ることにより、図５（ｂ）に示すように、余分なフォト
レジスト３３を除去すると共に、フォトレジスト３３を
乾燥させてフォトレジスト膜３３ａを形成する。
基板３１をターンテーブル３２に固定した後、ディスク
基板３１をターンテーブル３２と一体的に図６のタイム
チャートに示す塗布回転数Ｗ11（50〜1000 rpm）で回転
させながら、ディスク基板３１の内周部上方に配したノ
ズル３５からディスク基板３１表面に溶剤で希釈したフ
ォトレジスト３３を吐出する。ディスク基板３１表面に
フォトレジスト３３を塗布した後、ディスク基板３１を
図６に示す乾燥回転数Ｗ12（2000 rpm以上）で回転させ
ることにより、図５（ｂ）に示すように、余分なフォト
レジスト３３を除去すると共に、フォトレジスト３３を
乾燥させてフォトレジスト膜３３ａを形成する。
【０００６】また、例えば、特開昭６０−１８２５３４
号公報では、ディスク基板表面に均一な保護膜を形成す
るために、ディスク基板を回転させながらディスク基板
表面に液状の樹脂を塗布した後、回転数を上げて余分な
樹脂をディスク基板から振り落とし、その後、さらに回
転数を上げてディスク基板表面の樹脂を均一な膜厚に制
御すると共に、樹脂を乾燥する方法が提案されている。
号公報では、ディスク基板表面に均一な保護膜を形成す
るために、ディスク基板を回転させながらディスク基板
表面に液状の樹脂を塗布した後、回転数を上げて余分な
樹脂をディスク基板から振り落とし、その後、さらに回
転数を上げてディスク基板表面の樹脂を均一な膜厚に制
御すると共に、樹脂を乾燥する方法が提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のスピンコート法でディスク基板３１にフォトレジス
ト膜３３ａを形成した場合には、余分なフォトレジスト
３３の除去とフォトレジスト膜３３ａの乾燥とが同時に
行われるため、図５（ｂ）に示すように、ディスク基板
３１の外周部に表面張力による余分なフォトレジスト３
３の盛り上がり部３４が形成される。
来のスピンコート法でディスク基板３１にフォトレジス
ト膜３３ａを形成した場合には、余分なフォトレジスト
３３の除去とフォトレジスト膜３３ａの乾燥とが同時に
行われるため、図５（ｂ）に示すように、ディスク基板
３１の外周部に表面張力による余分なフォトレジスト３
３の盛り上がり部３４が形成される。
【０００８】このように盛り上がり部３４が形成される
と、図７に示すように、次工程で、チャッキングテーブ
ル３６にディスク基板３１を固定し、ガイドトラック等
のパターン３７を有するフォトマスク板３８を重ね合わ
せて紫外線を照射する際に、盛り上がり部３４のために
フォトレジスト膜３３ａとフォトマスク板３８とを密着
させることができず、両者の間に空間部３９が生じる。
このように空間部３９が生じると、フォトレジスト膜３
３ａにパターン３７を高精度で転写することが困難とな
り、不鮮明な基板しか作成できない。よって、高品質の
光ディスクを製造することができなくなる。
と、図７に示すように、次工程で、チャッキングテーブ
ル３６にディスク基板３１を固定し、ガイドトラック等
のパターン３７を有するフォトマスク板３８を重ね合わ
せて紫外線を照射する際に、盛り上がり部３４のために
フォトレジスト膜３３ａとフォトマスク板３８とを密着
させることができず、両者の間に空間部３９が生じる。
このように空間部３９が生じると、フォトレジスト膜３
３ａにパターン３７を高精度で転写することが困難とな
り、不鮮明な基板しか作成できない。よって、高品質の
光ディスクを製造することができなくなる。
【０００９】鮮明な基板を作成するためには、盛り上が
り部３４の厚み量を 1.0μｍ以下とし、盛り上がり部３
４によるフォトレジスト膜３３ａとフォトマスク板３８
との密着不良を、無視できる程度にまで低減することが
要求される。しかしながら、上記従来のスピンコート法
では、ディスク基板３１のエッチング処理の条件に対応
してフォトレジスト膜３３ａの膜厚を変更し、かつ、盛
り上がり部３４の厚み量を 1.0μｍ以下とするためには
希釈率の異なるフォトレジスト３３、およびフォトレジ
ストを吐出するためのノズル３５を多数準備しなければ
ならず、装置の大型化やコストの増大を招来するという
問題を有している。また、例えば、フォトレジスト３３
が高粘度の場合には、表面張力のために、ターンテーブ
ル３２の回転数を最高値（およそ6000 rpm）にしても盛
り上がり部３４の厚み量を 1.0μｍ以下とすることがで
きないという問題を有している。
り部３４の厚み量を 1.0μｍ以下とし、盛り上がり部３
４によるフォトレジスト膜３３ａとフォトマスク板３８
との密着不良を、無視できる程度にまで低減することが
要求される。しかしながら、上記従来のスピンコート法
では、ディスク基板３１のエッチング処理の条件に対応
してフォトレジスト膜３３ａの膜厚を変更し、かつ、盛
り上がり部３４の厚み量を 1.0μｍ以下とするためには
希釈率の異なるフォトレジスト３３、およびフォトレジ
ストを吐出するためのノズル３５を多数準備しなければ
ならず、装置の大型化やコストの増大を招来するという
問題を有している。また、例えば、フォトレジスト３３
が高粘度の場合には、表面張力のために、ターンテーブ
ル３２の回転数を最高値（およそ6000 rpm）にしても盛
り上がり部３４の厚み量を 1.0μｍ以下とすることがで
きないという問題を有している。
【００１０】また、上記従来の方法でディスク基板に紫
外線硬化性樹脂もしくは熱硬化性樹脂の保護膜を形成し
た場合にも、ディスク基板の外周部に遠心力による樹脂
の盛り上がり部が形成される。盛り上がり部が形成され
ると、この部分を硬化させるために必要以上に紫外線照
射もしくは加熱を行わなければならず、保護膜の形成工
程に時間が掛かるばかりか、盛り上がり部の体積収縮の
ために、硬化後にディスク基板の外周部付近の保護膜が
剥離を起こして記録層に腐食等の損傷を与えるという問
題を有している。従って、保護膜を形成する場合にも、
ディスク基板の外周部に形成された盛り上がり部が剥離
を起こさないように数μｍ以下とすることが要求され
る。
外線硬化性樹脂もしくは熱硬化性樹脂の保護膜を形成し
た場合にも、ディスク基板の外周部に遠心力による樹脂
の盛り上がり部が形成される。盛り上がり部が形成され
ると、この部分を硬化させるために必要以上に紫外線照
射もしくは加熱を行わなければならず、保護膜の形成工
程に時間が掛かるばかりか、盛り上がり部の体積収縮の
ために、硬化後にディスク基板の外周部付近の保護膜が
剥離を起こして記録層に腐食等の損傷を与えるという問
題を有している。従って、保護膜を形成する場合にも、
ディスク基板の外周部に形成された盛り上がり部が剥離
を起こさないように数μｍ以下とすることが要求され
る。
【００１１】本発明の光ディスクの製造方法は、以上の
点に鑑みなされたものであり、余分な樹脂で形成される
盛り上がり部が無視できる程度にまで低減された、均一
な樹脂膜を有する、信頼性に優れた高品質の光ディスク
を製造することを目的としている。
点に鑑みなされたものであり、余分な樹脂で形成される
盛り上がり部が無視できる程度にまで低減された、均一
な樹脂膜を有する、信頼性に優れた高品質の光ディスク
を製造することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の光ディスクの製
造方法は、上記の課題を解決するために、第一の回転数
で回転させた基板表面に液状の樹脂を塗布し、第二の回
転数で基板を回転させて上記基板表面に形成される樹脂
膜厚を制御し、第三の回転数で基板を回転させて上記基
板表面の外周部に存在する未乾燥の余分な樹脂を除去す
ることを特徴としている。
造方法は、上記の課題を解決するために、第一の回転数
で回転させた基板表面に液状の樹脂を塗布し、第二の回
転数で基板を回転させて上記基板表面に形成される樹脂
膜厚を制御し、第三の回転数で基板を回転させて上記基
板表面の外周部に存在する未乾燥の余分な樹脂を除去す
ることを特徴としている。
【００１３】
【作用】上記の方法においては、第二の回転数で基板を
回転させることにより上記基板表面に形成される樹脂膜
厚を制御し、第三の回転数で基板を回転させることによ
り上記基板表面の外周部に存在する未乾燥の余分な樹脂
を除去する。これにより、余分な樹脂で形成される盛り
上がり部が無視できる程度に低減された、均一な樹脂膜
を基板表面に形成することができる。また、第二の回転
数で基板を回転させることにより基板表面に形成される
樹脂膜厚を種々変更させることができるので、例えば、
希釈率の異なる樹脂を多数用意する等の必要が無く、装
置の大型化やコストの増大を招来しない。
回転させることにより上記基板表面に形成される樹脂膜
厚を制御し、第三の回転数で基板を回転させることによ
り上記基板表面の外周部に存在する未乾燥の余分な樹脂
を除去する。これにより、余分な樹脂で形成される盛り
上がり部が無視できる程度に低減された、均一な樹脂膜
を基板表面に形成することができる。また、第二の回転
数で基板を回転させることにより基板表面に形成される
樹脂膜厚を種々変更させることができるので、例えば、
希釈率の異なる樹脂を多数用意する等の必要が無く、装
置の大型化やコストの増大を招来しない。
【００１４】また、例えば、樹脂がフォトレジストの場
合には、余分なフォトレジストで形成される盛り上がり
部が許容限度以下に低減された、均一なフォトレジスト
膜をディスク基板表面に形成することができる。これに
より、フォトレジスト膜にフォトマスク板を密着して重
ね合わせることができ、ガイドトラック等のパターンを
高精度で転写することができる。従って、鮮明な基板を
作成することができ、信頼性に優れた高品質の光ディス
クを製造することが可能となる。
合には、余分なフォトレジストで形成される盛り上がり
部が許容限度以下に低減された、均一なフォトレジスト
膜をディスク基板表面に形成することができる。これに
より、フォトレジスト膜にフォトマスク板を密着して重
ね合わせることができ、ガイドトラック等のパターンを
高精度で転写することができる。従って、鮮明な基板を
作成することができ、信頼性に優れた高品質の光ディス
クを製造することが可能となる。
【００１５】さらに、樹脂が紫外線硬化性樹脂もしくは
熱硬化性樹脂の場合には、余分な樹脂で形成される盛り
上がり部が無視できる程度に低減された、均一な保護膜
をディスク基板表面に形成することができる。これによ
り、保護膜を硬化させる際に用いられる紫外線照射量も
しくは熱量を必要最小限にできると共に、保護膜形成の
工程時間を短縮することができる。また、硬化後、盛り
上がり部が剥離して記録層に腐食等の損傷を与えること
もない。従って、信頼性に優れた高品質の光ディスクを
製造することが可能となる。
熱硬化性樹脂の場合には、余分な樹脂で形成される盛り
上がり部が無視できる程度に低減された、均一な保護膜
をディスク基板表面に形成することができる。これによ
り、保護膜を硬化させる際に用いられる紫外線照射量も
しくは熱量を必要最小限にできると共に、保護膜形成の
工程時間を短縮することができる。また、硬化後、盛り
上がり部が剥離して記録層に腐食等の損傷を与えること
もない。従って、信頼性に優れた高品質の光ディスクを
製造することが可能となる。
【００１６】
【実施例】本発明の一実施例について図１ないし図４に
基づいて説明すれば、以下の通りである。
基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００１７】先ず、図１（ａ）に示すように、基板１を
ターンテーブル２に固定した後、基板１をターンテーブ
ル２と一体的に第一の回転数Ｗ1 で回転させながら、基
板１の内周部近傍の上方に配したノズル５から基板１表
面に液状の樹脂３を所定量吐出する。第一の回転数Ｗ1
は、樹脂３の粘度等にもよるが、50 rpm以上、2000 rpm
以下が望ましく、再現性良く樹脂３を基板１表面全体に
塗布するためには、 250 rpm以上、 750 rpm以下がより
望ましい。第一の回転数Ｗ1 が50 rpm未満であれば、樹
脂３が基板１表面全体に拡がらずに基板１の中心穴１ａ
に入り込んでしまう。また、第一の回転数Ｗ1 が2000 r
pmより大きければ、樹脂３が基板１表面全体に拡がる以
前に乾燥し、基板１表面に樹脂３が塗布されない部分が
発生してしまう。尚、回転時間ｔ1 は、第一の回転数Ｗ
1 や樹脂３の粘度等に応じて最適な時間に設定すればよ
い。
ターンテーブル２に固定した後、基板１をターンテーブ
ル２と一体的に第一の回転数Ｗ1 で回転させながら、基
板１の内周部近傍の上方に配したノズル５から基板１表
面に液状の樹脂３を所定量吐出する。第一の回転数Ｗ1
は、樹脂３の粘度等にもよるが、50 rpm以上、2000 rpm
以下が望ましく、再現性良く樹脂３を基板１表面全体に
塗布するためには、 250 rpm以上、 750 rpm以下がより
望ましい。第一の回転数Ｗ1 が50 rpm未満であれば、樹
脂３が基板１表面全体に拡がらずに基板１の中心穴１ａ
に入り込んでしまう。また、第一の回転数Ｗ1 が2000 r
pmより大きければ、樹脂３が基板１表面全体に拡がる以
前に乾燥し、基板１表面に樹脂３が塗布されない部分が
発生してしまう。尚、回転時間ｔ1 は、第一の回転数Ｗ
1 や樹脂３の粘度等に応じて最適な時間に設定すればよ
い。
【００１８】ノズル５から基板１表面への樹脂３の吐出
を停止した後、図１（ｂ）に示すように、基板１を第二
の回転数Ｗ2 で回転させることにより、基板１表面に形
成される樹脂膜３ａを所望の膜厚に制御すると共に、樹
脂膜３ａが遠心力等で流動せず、かつ、基板１の外周部
に表面張力等により形成される余分な樹脂３の盛り上が
り部４が流動できる程度に、樹脂膜３ａを半乾燥させ
る。第二の回転数Ｗ2 は、樹脂３の粘度や希釈に用いる
溶剤の種類等にもよるが、再現性良く樹脂膜３ａの膜厚
を制御するためには、 500 rpm以上、4000 rpm以下が望
ましい。第二の回転数Ｗ2 が 500 rpm未満であれば、樹
脂膜３ａを半乾燥させるのに長時間を要するために生産
性が低下する。また、第二の回転数Ｗ2 が4000 rpmより
大きければ、樹脂膜３ａを一定の膜厚に制御する以前に
乾燥するために、均一な樹脂膜３ａを形成することが困
難となる。尚、回転時間ｔ2 は、第二の回転数Ｗ2 や樹
脂３の粘度、溶剤の種類等に応じて最適な時間に設定す
ればよい。
を停止した後、図１（ｂ）に示すように、基板１を第二
の回転数Ｗ2 で回転させることにより、基板１表面に形
成される樹脂膜３ａを所望の膜厚に制御すると共に、樹
脂膜３ａが遠心力等で流動せず、かつ、基板１の外周部
に表面張力等により形成される余分な樹脂３の盛り上が
り部４が流動できる程度に、樹脂膜３ａを半乾燥させ
る。第二の回転数Ｗ2 は、樹脂３の粘度や希釈に用いる
溶剤の種類等にもよるが、再現性良く樹脂膜３ａの膜厚
を制御するためには、 500 rpm以上、4000 rpm以下が望
ましい。第二の回転数Ｗ2 が 500 rpm未満であれば、樹
脂膜３ａを半乾燥させるのに長時間を要するために生産
性が低下する。また、第二の回転数Ｗ2 が4000 rpmより
大きければ、樹脂膜３ａを一定の膜厚に制御する以前に
乾燥するために、均一な樹脂膜３ａを形成することが困
難となる。尚、回転時間ｔ2 は、第二の回転数Ｗ2 や樹
脂３の粘度、溶剤の種類等に応じて最適な時間に設定す
ればよい。
【００１９】また、第二の回転数Ｗ2 および回転時間ｔ
2 で樹脂膜３ａの膜厚が制御できるように、第一の回転
数Ｗ1 から第二の回転数Ｗ2 への立ち上げ時間ｔ11は、
樹脂３の希釈に用いる溶剤の種類等にもよるが、２〜３
秒以内に設定すればよい。立ち上げ時間ｔ11が長くなる
と、第一の回転数Ｗ1 から第二の回転数Ｗ2 への立ち上
げの途中で樹脂３が乾燥してしまい、樹脂膜３ａの膜厚
を制御することが困難となる。
2 で樹脂膜３ａの膜厚が制御できるように、第一の回転
数Ｗ1 から第二の回転数Ｗ2 への立ち上げ時間ｔ11は、
樹脂３の希釈に用いる溶剤の種類等にもよるが、２〜３
秒以内に設定すればよい。立ち上げ時間ｔ11が長くなる
と、第一の回転数Ｗ1 から第二の回転数Ｗ2 への立ち上
げの途中で樹脂３が乾燥してしまい、樹脂膜３ａの膜厚
を制御することが困難となる。
【００２０】次に、図１（ｃ）に示すように、基板１を
第三の回転数Ｗ3 で回転させることにより、基板１の外
周部に形成された未乾燥の余分な樹脂３の盛り上がり部
４を基板１から振り落として除去する。第三の回転数Ｗ
3 は、樹脂３の粘度や溶剤の種類等にもよるが、盛り上
がり部４を基板１から振り落とすために第一の回転数Ｗ
1 および第二の回転数Ｗ2 よりも大きくする必要があ
り、4000 rpm以上が望ましい。尚、回転時間ｔ3 は、第
三の回転数Ｗ3 や樹脂３の粘度、溶剤の種類等に応じて
最適な時間に設定すればよい。
第三の回転数Ｗ3 で回転させることにより、基板１の外
周部に形成された未乾燥の余分な樹脂３の盛り上がり部
４を基板１から振り落として除去する。第三の回転数Ｗ
3 は、樹脂３の粘度や溶剤の種類等にもよるが、盛り上
がり部４を基板１から振り落とすために第一の回転数Ｗ
1 および第二の回転数Ｗ2 よりも大きくする必要があ
り、4000 rpm以上が望ましい。尚、回転時間ｔ3 は、第
三の回転数Ｗ3 や樹脂３の粘度、溶剤の種類等に応じて
最適な時間に設定すればよい。
【００２１】また、第三の回転数Ｗ3 で基板１表面から
盛り上がり部４を除去できるように、第二の回転数Ｗ2
から第三の回転数Ｗ3 への立ち上げ時間ｔ22は、樹脂３
の希釈に用いる溶剤の種類等にもよるが、２〜３秒以内
に設定すればよい。立ち上げ時間ｔ22が長くなると、第
二の回転数Ｗ2 から第三の回転数Ｗ3 への立ち上げの途
中で盛り上がり部４が乾燥してしまい、基板１の外周部
から除去できなくなる。
盛り上がり部４を除去できるように、第二の回転数Ｗ2
から第三の回転数Ｗ3 への立ち上げ時間ｔ22は、樹脂３
の希釈に用いる溶剤の種類等にもよるが、２〜３秒以内
に設定すればよい。立ち上げ時間ｔ22が長くなると、第
二の回転数Ｗ2 から第三の回転数Ｗ3 への立ち上げの途
中で盛り上がり部４が乾燥してしまい、基板１の外周部
から除去できなくなる。
【００２２】以上の方法により、例えば、基板１がディ
スク基板であり、樹脂３がフォトレジストであれば、デ
ィスク基板の外周部に形成される盛り上がり部が許容限
度以下に低減された、均一なフォトレジスト膜（樹脂膜
３ａ）がディスク基板表面に形成される。これにより、
フォトレジスト膜にフォトマスク板（図示せず）を密着
して重ね合わせることができ、ガイドトラック等のパタ
ーンを高精度で転写することができる。従って、鮮明な
基板を作成することができ、信頼性に優れた高品質の光
ディスクを製造することが可能となる。
スク基板であり、樹脂３がフォトレジストであれば、デ
ィスク基板の外周部に形成される盛り上がり部が許容限
度以下に低減された、均一なフォトレジスト膜（樹脂膜
３ａ）がディスク基板表面に形成される。これにより、
フォトレジスト膜にフォトマスク板（図示せず）を密着
して重ね合わせることができ、ガイドトラック等のパタ
ーンを高精度で転写することができる。従って、鮮明な
基板を作成することができ、信頼性に優れた高品質の光
ディスクを製造することが可能となる。
【００２３】また、例えば、基板１がディスク基板であ
り、樹脂３が紫外線硬化性樹脂もしくは熱硬化性樹脂で
あれば、ディスク基板の外周部に形成される盛り上がり
部が無視できる程度にまで低減された、均一な保護膜
（樹脂膜３ａ）をディスク基板表面に形成することがで
きる。これにより、保護膜を硬化させる際に用いられる
紫外線照射量もしくは熱量を必要最小限にできると共
に、保護膜形成の工程時間を短縮することができる。ま
た、硬化後にディスク基板の外周部付近の保護膜が剥離
して記録層に腐食等の損傷を与えることもない。従っ
て、信頼性に優れた高品質の光ディスクを製造すること
が可能となる。
り、樹脂３が紫外線硬化性樹脂もしくは熱硬化性樹脂で
あれば、ディスク基板の外周部に形成される盛り上がり
部が無視できる程度にまで低減された、均一な保護膜
（樹脂膜３ａ）をディスク基板表面に形成することがで
きる。これにより、保護膜を硬化させる際に用いられる
紫外線照射量もしくは熱量を必要最小限にできると共
に、保護膜形成の工程時間を短縮することができる。ま
た、硬化後にディスク基板の外周部付近の保護膜が剥離
して記録層に腐食等の損傷を与えることもない。従っ
て、信頼性に優れた高品質の光ディスクを製造すること
が可能となる。
【００２４】尚、本発明の光ディスクの製造方法におい
ては、第二の回転数Ｗ2 および回転時間ｔ2 で基板１を
回転させることにより基板１表面に形成される樹脂膜３
ａの膜厚を種々変更させることができるので、例えば、
希釈率の異なる樹脂３や、これら樹脂３を吐出するノズ
ル５を多数用意する等の必要は無い。従って、装置の大
型化やコストの増大を招来しない。
ては、第二の回転数Ｗ2 および回転時間ｔ2 で基板１を
回転させることにより基板１表面に形成される樹脂膜３
ａの膜厚を種々変更させることができるので、例えば、
希釈率の異なる樹脂３や、これら樹脂３を吐出するノズ
ル５を多数用意する等の必要は無い。従って、装置の大
型化やコストの増大を招来しない。
【００２５】以下、図２ないし図４を用いて、本発明の
光ディスクの製造方法を、ディスク基板表面にフォトレ
ジスト膜を形成する場合を例に挙げて具体的に説明す
る。
光ディスクの製造方法を、ディスク基板表面にフォトレ
ジスト膜を形成する場合を例に挙げて具体的に説明す
る。
【００２６】ガラス製のディスク基板（基板１）表面
に、シプレイ社製フォトレジストＡＺ1400−27を２倍容
量の希釈用シンナーで希釈したフォトレジスト溶液（樹
脂３）を塗布し、図２に示すタイムチャートに従って、
フォトレジスト膜（樹脂膜３ａ）を形成したところ、表
１に示す膜厚および盛り上がり量（盛り上がり部４）の
フォトレジスト膜がディスク基板表面に形成された。但
し、フォトレジスト膜の形成方法は、第一の回転数Ｗ1
を 500 rpm、回転時間ｔ1 を 3秒とし、第二の回転数Ｗ
2 および回転時間ｔ2 を表１に示した値とし、第三の回
転数Ｗ3 を4500 rpm、回転時間ｔ3 を15秒とした。ま
た、第一の回転数Ｗ1 への立ち上げ時間ｔ0、第一の回
転数Ｗ1 から第二の回転数Ｗ2 への立ち上げ時間ｔ11、
第二の回転数Ｗ2 から第三の回転数Ｗ3 への立ち上げ時
間ｔ22、および、停止するまでの制動時間ｔ33を全て２
秒とした。尚、盛り上がり量は、フォトレジスト膜表面
からの盛り上がり部の高さを示している。
に、シプレイ社製フォトレジストＡＺ1400−27を２倍容
量の希釈用シンナーで希釈したフォトレジスト溶液（樹
脂３）を塗布し、図２に示すタイムチャートに従って、
フォトレジスト膜（樹脂膜３ａ）を形成したところ、表
１に示す膜厚および盛り上がり量（盛り上がり部４）の
フォトレジスト膜がディスク基板表面に形成された。但
し、フォトレジスト膜の形成方法は、第一の回転数Ｗ1
を 500 rpm、回転時間ｔ1 を 3秒とし、第二の回転数Ｗ
2 および回転時間ｔ2 を表１に示した値とし、第三の回
転数Ｗ3 を4500 rpm、回転時間ｔ3 を15秒とした。ま
た、第一の回転数Ｗ1 への立ち上げ時間ｔ0、第一の回
転数Ｗ1 から第二の回転数Ｗ2 への立ち上げ時間ｔ11、
第二の回転数Ｗ2 から第三の回転数Ｗ3 への立ち上げ時
間ｔ22、および、停止するまでの制動時間ｔ33を全て２
秒とした。尚、盛り上がり量は、フォトレジスト膜表面
からの盛り上がり部の高さを示している。
【００２７】
【表１】
【００２８】シプレイ社製フォトレジストＡＺ1400−27
を２倍容量の希釈用シンナーで希釈したフォトレジスト
溶液を用いた場合、表１の No. 1〜5 から、例えば、回
転時間ｔ2 を一定（ 5秒）にし、第二の回転数Ｗ2 を変
化させることにより、盛り上がり量が許容限度の 1.0μ
ｍ以下で、しかも、膜厚が 300〜370 ｎｍの任意の値に
設定されたフォトレジスト膜をディスク基板表面に形成
することが可能であることがわかる。また、 No. 5〜7
から、例えば、第二の回転数Ｗ2 を一定（2400rpm）に
し、回転時間ｔ2 を変化させることにより、盛り上がり
量が許容限度の1.0μｍ以下で、しかも、膜厚が 250〜3
00 ｎｍの任意の値に設定されたフォトレジスト膜をデ
ィスク基板表面に形成することが可能であることがわか
る。
を２倍容量の希釈用シンナーで希釈したフォトレジスト
溶液を用いた場合、表１の No. 1〜5 から、例えば、回
転時間ｔ2 を一定（ 5秒）にし、第二の回転数Ｗ2 を変
化させることにより、盛り上がり量が許容限度の 1.0μ
ｍ以下で、しかも、膜厚が 300〜370 ｎｍの任意の値に
設定されたフォトレジスト膜をディスク基板表面に形成
することが可能であることがわかる。また、 No. 5〜7
から、例えば、第二の回転数Ｗ2 を一定（2400rpm）に
し、回転時間ｔ2 を変化させることにより、盛り上がり
量が許容限度の1.0μｍ以下で、しかも、膜厚が 250〜3
00 ｎｍの任意の値に設定されたフォトレジスト膜をデ
ィスク基板表面に形成することが可能であることがわか
る。
【００２９】次に、ガラス製のディスク基板表面に、シ
プレイ社製フォトレジストＡＺ1400−27を４倍容量の希
釈用シンナーで希釈したフォトレジスト溶液を塗布し、
図３に示すタイムチャートに従って、フォトレジスト膜
を形成したところ、表２に示す膜厚および盛り上がり量
のフォトレジスト膜がディスク基板表面に形成された。
但し、フォトレジスト膜の形成方法は、第一の回転数Ｗ
1 を 500 rpm、回転時間ｔ1 を 3秒とし、第二の回転数
Ｗ2 を 500 rpm、回転時間ｔ2 を表２に示した値とし、
第三の回転数Ｗ3 を4500 rpm、回転時間ｔ3 を15秒とし
た。また、第一の回転数Ｗ1 への立ち上げ時間ｔ0 、第
一の回転数Ｗ1 から第二の回転数Ｗ2 への立ち上げ時間
ｔ11、第二の回転数Ｗ2 から第三の回転数Ｗ3 への立ち
上げ時間ｔ22、および、停止するまでの制動時間ｔ33を
全て２秒とした。尚、盛り上がり量は、フォトレジスト
膜表面からの盛り上がり部の高さを示している。
プレイ社製フォトレジストＡＺ1400−27を４倍容量の希
釈用シンナーで希釈したフォトレジスト溶液を塗布し、
図３に示すタイムチャートに従って、フォトレジスト膜
を形成したところ、表２に示す膜厚および盛り上がり量
のフォトレジスト膜がディスク基板表面に形成された。
但し、フォトレジスト膜の形成方法は、第一の回転数Ｗ
1 を 500 rpm、回転時間ｔ1 を 3秒とし、第二の回転数
Ｗ2 を 500 rpm、回転時間ｔ2 を表２に示した値とし、
第三の回転数Ｗ3 を4500 rpm、回転時間ｔ3 を15秒とし
た。また、第一の回転数Ｗ1 への立ち上げ時間ｔ0 、第
一の回転数Ｗ1 から第二の回転数Ｗ2 への立ち上げ時間
ｔ11、第二の回転数Ｗ2 から第三の回転数Ｗ3 への立ち
上げ時間ｔ22、および、停止するまでの制動時間ｔ33を
全て２秒とした。尚、盛り上がり量は、フォトレジスト
膜表面からの盛り上がり部の高さを示している。
【００３０】
【表２】
【００３１】シプレイ社製フォトレジストＡＺ1400−27
を４倍容量の希釈用シンナーで希釈したフォトレジスト
溶液を用いた場合、表２の No.11〜16から、例えば、第
二の回転数Ｗ2 を一定（ 500 rpm）にし、回転時間ｔ2
を変化させることにより、盛り上がり量が許容限度の
1.0μｍ以下で、しかも、膜厚が70〜170 ｎｍの任意の
値に設定されたフォトレジスト膜をディスク基板表面に
形成することが可能であることがわかる。
を４倍容量の希釈用シンナーで希釈したフォトレジスト
溶液を用いた場合、表２の No.11〜16から、例えば、第
二の回転数Ｗ2 を一定（ 500 rpm）にし、回転時間ｔ2
を変化させることにより、盛り上がり量が許容限度の
1.0μｍ以下で、しかも、膜厚が70〜170 ｎｍの任意の
値に設定されたフォトレジスト膜をディスク基板表面に
形成することが可能であることがわかる。
【００３２】次に、ガラス製のディスク基板表面に、シ
プレイ社製フォトレジストＡＺ1400−27を２倍容量の希
釈用シンナーで希釈したフォトレジスト溶液を塗布し、
図４に示すタイムチャートに従って、フォトレジスト膜
を形成したところ、表３に示す膜厚および盛り上がり量
のフォトレジスト膜がディスク基板表面に形成された。
但し、フォトレジスト膜の形成方法は、第一の回転数Ｗ
1 を1000 rpm、回転時間ｔ1 を 3秒とし、第二の回転数
Ｗ2 および回転時間ｔ2 を表３に示した値とし、第三の
回転数Ｗ3 を4500 rpm、回転時間ｔ3 を15秒とした。ま
た、第一の回転数Ｗ1 への立ち上げ時間ｔ0 、第一の回
転数Ｗ1 から第二の回転数Ｗ2 への立ち上げ時間ｔ11、
第二の回転数Ｗ2 から第三の回転数Ｗ3 への立ち上げ時
間ｔ22、および、停止するまでの制動時間ｔ33を全て２
秒とした。尚、盛り上がり量は、フォトレジスト膜表面
からの盛り上がり部の高さを示している。
プレイ社製フォトレジストＡＺ1400−27を２倍容量の希
釈用シンナーで希釈したフォトレジスト溶液を塗布し、
図４に示すタイムチャートに従って、フォトレジスト膜
を形成したところ、表３に示す膜厚および盛り上がり量
のフォトレジスト膜がディスク基板表面に形成された。
但し、フォトレジスト膜の形成方法は、第一の回転数Ｗ
1 を1000 rpm、回転時間ｔ1 を 3秒とし、第二の回転数
Ｗ2 および回転時間ｔ2 を表３に示した値とし、第三の
回転数Ｗ3 を4500 rpm、回転時間ｔ3 を15秒とした。ま
た、第一の回転数Ｗ1 への立ち上げ時間ｔ0 、第一の回
転数Ｗ1 から第二の回転数Ｗ2 への立ち上げ時間ｔ11、
第二の回転数Ｗ2 から第三の回転数Ｗ3 への立ち上げ時
間ｔ22、および、停止するまでの制動時間ｔ33を全て２
秒とした。尚、盛り上がり量は、フォトレジスト膜表面
からの盛り上がり部の高さを示している。
【００３３】
【表３】
【００３４】シプレイ社製フォトレジストＡＺ1400−27
を２倍容量の希釈用シンナーで希釈したフォトレジスト
溶液を用いた場合、表３の No.21〜25から、例えば、回
転時間ｔ2 を一定（ 5秒）にし、第二の回転数Ｗ2 を変
化させることにより、盛り上がり量が許容限度の 1.0μ
ｍ以下で、しかも、膜厚が 300〜370 ｎｍの任意の値に
設定されたフォトレジスト膜をディスク基板表面に形成
することが可能であることがわかる。また、 No.25〜27
から、例えば、第二の回転数Ｗ2 を一定（2400rpm）に
し、回転時間ｔ2 を変化させることにより、盛り上がり
量が許容限度の1.0μｍ以下で、しかも、膜厚が 250〜3
00 ｎｍの任意の値に設定されたフォトレジスト膜をデ
ィスク基板表面に形成することが可能であることがわか
る。
を２倍容量の希釈用シンナーで希釈したフォトレジスト
溶液を用いた場合、表３の No.21〜25から、例えば、回
転時間ｔ2 を一定（ 5秒）にし、第二の回転数Ｗ2 を変
化させることにより、盛り上がり量が許容限度の 1.0μ
ｍ以下で、しかも、膜厚が 300〜370 ｎｍの任意の値に
設定されたフォトレジスト膜をディスク基板表面に形成
することが可能であることがわかる。また、 No.25〜27
から、例えば、第二の回転数Ｗ2 を一定（2400rpm）に
し、回転時間ｔ2 を変化させることにより、盛り上がり
量が許容限度の1.0μｍ以下で、しかも、膜厚が 250〜3
00 ｎｍの任意の値に設定されたフォトレジスト膜をデ
ィスク基板表面に形成することが可能であることがわか
る。
【００３５】以上のように、樹脂３がフォトレジストの
場合には、余分なフォトレジストで形成される盛り上が
り部４が許容限度（ 1.0μｍ）以下に低減された、均一
なフォトレジスト膜をディスク基板表面に形成すること
ができる。これにより、フォトレジスト膜にフォトマス
ク板（図示せず）を密着して重ね合わせることができ、
ガイドトラック等のパターンを高精度で転写することが
できる。従って、鮮明な基板を作成することができ、信
頼性に優れた高品質の光ディスクを製造することが可能
となる。
場合には、余分なフォトレジストで形成される盛り上が
り部４が許容限度（ 1.0μｍ）以下に低減された、均一
なフォトレジスト膜をディスク基板表面に形成すること
ができる。これにより、フォトレジスト膜にフォトマス
ク板（図示せず）を密着して重ね合わせることができ、
ガイドトラック等のパターンを高精度で転写することが
できる。従って、鮮明な基板を作成することができ、信
頼性に優れた高品質の光ディスクを製造することが可能
となる。
【００３６】次に、図２および図３を用いて、本発明の
光ディスクの製造方法を、ディスク基板表面に保護膜を
形成する場合を例に挙げて具体的に説明する。
光ディスクの製造方法を、ディスク基板表面に保護膜を
形成する場合を例に挙げて具体的に説明する。
【００３７】記録層が形成されたディスク基板（基板
１）表面に、帯電防止効果を有する、粘度20 mPa・s の
紫外線硬化樹脂（樹脂３）を塗布し、図２に示すタイム
チャートに従って、保護膜（樹脂膜３ａ）を形成したと
ころ、膜厚が 1.1μｍで、盛り上がり量（盛り上がり部
４）が 6.0μｍの保護膜がディスク基板表面に形成され
た。但し、保護膜の形成方法は、第一の回転数Ｗ1 を 1
00 rpm、回転時間ｔ1 を5秒とし、第二の回転数Ｗ2 を1
500 rpm、回転時間ｔ2 を15秒とし、第三の回転数Ｗ3
を5000 rpm、回転時間ｔ3 を20秒とした。また、第一の
回転数Ｗ1 への立ち上げ時間ｔ0 、第一の回転数Ｗ1 か
ら第二の回転数Ｗ2 への立ち上げ時間ｔ11、第二の回転
数Ｗ2 から第三の回転数Ｗ3 への立ち上げ時間ｔ22、お
よび、停止するまでの制動時間ｔ33を全て２秒とした。
尚、盛り上がり量は、保護膜表面からの盛り上がり部の
高さを示している。
１）表面に、帯電防止効果を有する、粘度20 mPa・s の
紫外線硬化樹脂（樹脂３）を塗布し、図２に示すタイム
チャートに従って、保護膜（樹脂膜３ａ）を形成したと
ころ、膜厚が 1.1μｍで、盛り上がり量（盛り上がり部
４）が 6.0μｍの保護膜がディスク基板表面に形成され
た。但し、保護膜の形成方法は、第一の回転数Ｗ1 を 1
00 rpm、回転時間ｔ1 を5秒とし、第二の回転数Ｗ2 を1
500 rpm、回転時間ｔ2 を15秒とし、第三の回転数Ｗ3
を5000 rpm、回転時間ｔ3 を20秒とした。また、第一の
回転数Ｗ1 への立ち上げ時間ｔ0 、第一の回転数Ｗ1 か
ら第二の回転数Ｗ2 への立ち上げ時間ｔ11、第二の回転
数Ｗ2 から第三の回転数Ｗ3 への立ち上げ時間ｔ22、お
よび、停止するまでの制動時間ｔ33を全て２秒とした。
尚、盛り上がり量は、保護膜表面からの盛り上がり部の
高さを示している。
【００３８】このようにしてディスク基板表面に形成さ
れた保護膜は、保護膜表面からの盛り上がり量が無視で
きる程度に低減されており、800mJ/cm2 の紫外線を照射
することにより保護膜および盛り上がり部を完全に硬化
させることができた。また、硬化後、盛り上がり部が剥
離して記録層が腐食する等という不都合も生じなかっ
た。
れた保護膜は、保護膜表面からの盛り上がり量が無視で
きる程度に低減されており、800mJ/cm2 の紫外線を照射
することにより保護膜および盛り上がり部を完全に硬化
させることができた。また、硬化後、盛り上がり部が剥
離して記録層が腐食する等という不都合も生じなかっ
た。
【００３９】次に、記録層が形成されたディスク基板表
面に、帯電防止効果を有する、粘度15 mPa・s の紫外線
硬化樹脂を塗布し、図３に示すタイムチャートに従っ
て、保護膜を形成したところ、膜厚が 1.1μｍで、盛り
上がり量が 4.5μｍの保護膜がディスク基板表面に形成
された。但し、保護膜の形成方法は、第一の回転数Ｗ1
を 500 rpm、回転時間ｔ1 を 5秒とし、第二の回転数Ｗ
2 を 500 rpm、回転時間ｔ2 を25秒とし、第三の回転数
Ｗ3 を5000 rpm、回転時間ｔ3 を20秒とした。また、第
一の回転数Ｗ1 への立ち上げ時間ｔ0 、第一の回転数Ｗ
1 から第二の回転数Ｗ2 への立ち上げ時間ｔ11、第二の
回転数Ｗ2 から第三の回転数Ｗ3 への立ち上げ時間
ｔ22、および、停止するまでの制動時間ｔ33を全て２秒
とした。尚、盛り上がり量は、保護膜表面からの盛り上
がり部の高さを示している。
面に、帯電防止効果を有する、粘度15 mPa・s の紫外線
硬化樹脂を塗布し、図３に示すタイムチャートに従っ
て、保護膜を形成したところ、膜厚が 1.1μｍで、盛り
上がり量が 4.5μｍの保護膜がディスク基板表面に形成
された。但し、保護膜の形成方法は、第一の回転数Ｗ1
を 500 rpm、回転時間ｔ1 を 5秒とし、第二の回転数Ｗ
2 を 500 rpm、回転時間ｔ2 を25秒とし、第三の回転数
Ｗ3 を5000 rpm、回転時間ｔ3 を20秒とした。また、第
一の回転数Ｗ1 への立ち上げ時間ｔ0 、第一の回転数Ｗ
1 から第二の回転数Ｗ2 への立ち上げ時間ｔ11、第二の
回転数Ｗ2 から第三の回転数Ｗ3 への立ち上げ時間
ｔ22、および、停止するまでの制動時間ｔ33を全て２秒
とした。尚、盛り上がり量は、保護膜表面からの盛り上
がり部の高さを示している。
【００４０】このようにしてディスク基板表面に形成さ
れた保護膜は、保護膜表面からの盛り上がり量が無視で
きる程度に低減されており、800mJ/cm2 の紫外線を照射
することにより保護膜および盛り上がり部を完全に硬化
させることができた。また、硬化後、盛り上がり部が剥
離して記録層が腐食する等という不都合も生じなかっ
た。
れた保護膜は、保護膜表面からの盛り上がり量が無視で
きる程度に低減されており、800mJ/cm2 の紫外線を照射
することにより保護膜および盛り上がり部を完全に硬化
させることができた。また、硬化後、盛り上がり部が剥
離して記録層が腐食する等という不都合も生じなかっ
た。
【００４１】以上のように、樹脂３が紫外線硬化性樹脂
の場合には、余分な紫外線硬化性樹脂で形成される盛り
上がり部４が無視できる程度に低減された、均一な保護
膜をディスク基板表面に形成することができる。また、
樹脂３が熱硬化性樹脂の場合にも、同様にして盛り上が
り部４が無視できる程度に低減された、均一な保護膜を
ディスク基板表面に形成することができる。これによ
り、保護膜を硬化させる際に用いられる紫外線照射量や
熱量を必要最小限にできると共に、保護膜形成の工程時
間を短縮することができる。また、硬化後、盛り上がり
部４が剥離して記録層に腐食等の損傷を与えることもな
い。従って、信頼性に優れた高品質の光ディスクを製造
することが可能となる。
の場合には、余分な紫外線硬化性樹脂で形成される盛り
上がり部４が無視できる程度に低減された、均一な保護
膜をディスク基板表面に形成することができる。また、
樹脂３が熱硬化性樹脂の場合にも、同様にして盛り上が
り部４が無視できる程度に低減された、均一な保護膜を
ディスク基板表面に形成することができる。これによ
り、保護膜を硬化させる際に用いられる紫外線照射量や
熱量を必要最小限にできると共に、保護膜形成の工程時
間を短縮することができる。また、硬化後、盛り上がり
部４が剥離して記録層に腐食等の損傷を与えることもな
い。従って、信頼性に優れた高品質の光ディスクを製造
することが可能となる。
【００４２】一方、記録層が形成されたディスク基板表
面に、帯電防止効果を有する、粘度30 mPa・s の紫外線
硬化樹脂を塗布し、比較のために従来のスピンコート法
の説明に際し使用した図６に示すタイムチャートに従っ
て、保護膜を形成したところ、膜厚が 1.1μｍで、盛り
上がり量が15.0μｍの保護膜がディスク基板表面に形成
された。但し、保護膜の形成方法は、塗布回転数Ｗ11を
100 rpm、回転時間ｔ1 を 5秒とし、乾燥回転数Ｗ12を
3000 rpm、回転時間ｔ2 を45秒とした。また、塗布回転
数Ｗ11への立ち上げ時間ｔ0 、塗布回転数Ｗ11から乾燥
回転数Ｗ12への立ち上げ時間ｔ11、および、停止するま
での制動時間ｔ33を全て２秒とした。尚、盛り上がり量
は、保護膜表面からの盛り上がり部の高さを示してい
る。
面に、帯電防止効果を有する、粘度30 mPa・s の紫外線
硬化樹脂を塗布し、比較のために従来のスピンコート法
の説明に際し使用した図６に示すタイムチャートに従っ
て、保護膜を形成したところ、膜厚が 1.1μｍで、盛り
上がり量が15.0μｍの保護膜がディスク基板表面に形成
された。但し、保護膜の形成方法は、塗布回転数Ｗ11を
100 rpm、回転時間ｔ1 を 5秒とし、乾燥回転数Ｗ12を
3000 rpm、回転時間ｔ2 を45秒とした。また、塗布回転
数Ｗ11への立ち上げ時間ｔ0 、塗布回転数Ｗ11から乾燥
回転数Ｗ12への立ち上げ時間ｔ11、および、停止するま
での制動時間ｔ33を全て２秒とした。尚、盛り上がり量
は、保護膜表面からの盛り上がり部の高さを示してい
る。
【００４３】このように従来のスピンコート法でディス
ク基板表面に形成された保護膜は、保護膜表面からの盛
り上がり量が非常に大きいので、2400mJ/cm2の紫外線を
照射しなければ盛り上がり部を完全に硬化させることが
できなかった。しかも、硬化後、盛り上がり部が剥離し
て剥離部分から記録層の腐食等が発生した。
ク基板表面に形成された保護膜は、保護膜表面からの盛
り上がり量が非常に大きいので、2400mJ/cm2の紫外線を
照射しなければ盛り上がり部を完全に硬化させることが
できなかった。しかも、硬化後、盛り上がり部が剥離し
て剥離部分から記録層の腐食等が発生した。
【００４４】
【発明の効果】本発明の光ディスクの製造方法は、以上
のように、第一の回転数で回転させた基板表面に液状の
樹脂を塗布し、第二の回転数で基板を回転させて上記基
板表面に形成される樹脂膜厚を制御し、第三の回転数で
基板を回転させて上記基板表面の外周部に存在する未乾
燥の余分な樹脂を除去する方法である。
のように、第一の回転数で回転させた基板表面に液状の
樹脂を塗布し、第二の回転数で基板を回転させて上記基
板表面に形成される樹脂膜厚を制御し、第三の回転数で
基板を回転させて上記基板表面の外周部に存在する未乾
燥の余分な樹脂を除去する方法である。
【００４５】これにより、余分な樹脂で形成される盛り
上がり部が無視できる程度に低減された、均一な樹脂膜
を基板表面に形成することができる。また、第二の回転
数で基板を回転させることにより基板表面に形成される
樹脂膜厚を種々変更させることができるので、例えば、
希釈率の異なる樹脂を多数用意する等の必要が無く、装
置の大型化やコストの増大を招来しない。
上がり部が無視できる程度に低減された、均一な樹脂膜
を基板表面に形成することができる。また、第二の回転
数で基板を回転させることにより基板表面に形成される
樹脂膜厚を種々変更させることができるので、例えば、
希釈率の異なる樹脂を多数用意する等の必要が無く、装
置の大型化やコストの増大を招来しない。
【００４６】また、例えば、樹脂がフォトレジストの場
合には、余分なフォトレジストで形成される盛り上がり
部が許容限度以下に低減された、均一なフォトレジスト
膜をディスク基板表面に形成することができる。これに
より、フォトレジスト膜にフォトマスク板を密着して重
ね合わせることができ、ガイドトラック等のパターンを
高精度で転写することができる。従って、鮮明な基板を
作成することができ、信頼性に優れた高品質の光ディス
クを製造することが可能となるという効果を奏する。
合には、余分なフォトレジストで形成される盛り上がり
部が許容限度以下に低減された、均一なフォトレジスト
膜をディスク基板表面に形成することができる。これに
より、フォトレジスト膜にフォトマスク板を密着して重
ね合わせることができ、ガイドトラック等のパターンを
高精度で転写することができる。従って、鮮明な基板を
作成することができ、信頼性に優れた高品質の光ディス
クを製造することが可能となるという効果を奏する。
【００４７】さらに、樹脂が紫外線硬化性樹脂もしくは
熱硬化性樹脂の場合には、余分な樹脂で形成される盛り
上がり部が無視できる程度に低減された、均一な保護膜
をディスク基板表面に形成することができる。これによ
り、保護膜を硬化させる際に用いられる紫外線照射量も
しくは熱量を必要最小限にできると共に、保護膜形成の
工程時間を短縮することができる。また、硬化後、盛り
上がり部が剥離して記録層に腐食等の損傷を与えること
もない。従って、信頼性に優れた高品質の光ディスクを
製造することが可能となるという効果を奏する。
熱硬化性樹脂の場合には、余分な樹脂で形成される盛り
上がり部が無視できる程度に低減された、均一な保護膜
をディスク基板表面に形成することができる。これによ
り、保護膜を硬化させる際に用いられる紫外線照射量も
しくは熱量を必要最小限にできると共に、保護膜形成の
工程時間を短縮することができる。また、硬化後、盛り
上がり部が剥離して記録層に腐食等の損傷を与えること
もない。従って、信頼性に優れた高品質の光ディスクを
製造することが可能となるという効果を奏する。
【図１】本発明の一実施例における樹脂膜の形成手順を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図２】上記樹脂膜の形成手順における回転数・回転時
間の一例を示すタイムチャートである。
間の一例を示すタイムチャートである。
【図３】上記樹脂膜の形成手順における回転数・回転時
間の他の例を示すタイムチャートである。
間の他の例を示すタイムチャートである。
【図４】上記樹脂膜の形成手順における回転数・回転時
間のさらに他の例を示すタイムチャートである。
間のさらに他の例を示すタイムチャートである。
【図５】従来のスピンコート法における樹脂膜の形成手
順を示す説明図である。
順を示す説明図である。
【図６】上記従来の樹脂膜の形成手順における回転数・
回転時間の一例を示すタイムチャートである。
回転時間の一例を示すタイムチャートである。
【図７】上記従来のディスク基板表面のフォトレジスト
膜にフォトマスク板を重ね合わせた状態を示す説明図で
ある。
膜にフォトマスク板を重ね合わせた状態を示す説明図で
ある。
１ 基板 ３ 樹脂 ３ａ 樹脂膜 ４ 盛り上がり部 Ｗ1 第一の回転数 Ｗ2 第二の回転数 Ｗ3 第三の回転数
Claims (1)
- 【請求項１】第一の回転数で回転させた基板表面に液状
の樹脂を塗布し、第二の回転数で基板を回転させて上記
基板表面に形成される樹脂膜厚を制御し、第三の回転数
で基板を回転させて上記基板表面の外周部に存在する未
乾燥の余分な樹脂を除去することを特徴とする光ディス
クの製造方法。
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1992
- 1992-06-19 JP JP4160770A patent/JP3015204B2/ja not_active Expired - Fee Related
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