JPH06503683A - 光学電子装置構成要素パッケージ及び該パッケージを製造する方法 - Google Patents
光学電子装置構成要素パッケージ及び該パッケージを製造する方法Info
- Publication number
- JPH06503683A JPH06503683A JP4502353A JP50235392A JPH06503683A JP H06503683 A JPH06503683 A JP H06503683A JP 4502353 A JP4502353 A JP 4502353A JP 50235392 A JP50235392 A JP 50235392A JP H06503683 A JPH06503683 A JP H06503683A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- die
- adhesive
- conductor
- plane
- optical element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/40—Optical elements or arrangements
- H10F77/407—Optical elements or arrangements indirectly associated with the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/50—Encapsulations or containers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/852—Encapsulations
- H10H20/853—Encapsulations characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
- H10W72/07231—Techniques
- H10W72/07236—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
- H10W72/07251—Connecting or disconnecting of bump connectors characterised by changes in properties of the bump connectors during connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、略光学電子装置に関し、特に光学電子装置構成要素パッケージ及び該
パッケージを製造する方法に関する。
2 関連技術の記述
光学電子装置(optoelectronic devices)は典型的には
、光電装置(photoelectric device)の前部に配置した光
学システムからなる。光学システムはレンズでよい。光で活性となる装置(ph
oto−active device)は、光放出装置又は光検知装置でよい。
光電装置は一般には、感光性領域又は光放出領域を有する光電ダイ(photo
elctric die)からなる。光電ダイは該光電ダイに電気的に接続され
たグイ接着用パッド(die bond pads)を含む。グイ接着用パッド
をリードフレーム(lead frame)へ接続するために接着ワイヤが使用
される。光電ダイ、接着ワイヤ及びリードフレームはプラスチック又はセラミッ
ク材料内に包まれている。光学電子装置パッケージは典型的には、光電ダイの前
部にレンズを支持しかつ位置決めするためのハウジングを具備する。
従来の光学電子装置の欠点は、高価であること、接着ワイヤが必要であること、
及び光電装置の前部に光学システムを正確に位置決めすることが困難であったこ
とである。
例えば、日本国特許公開公報第62−21282号が光電検知器を開示している
。充電検知器は、半導体層に対して接着されたレンズを含み、該半導体層はこの
層に接触して形成された対向する電極を有する。レンズは、検知器の利用可能な
感光領域の一部に焦点を結ぶ。この検知器の1つの欠点は、伝統的な接着(I)
Ond ing)技術、即ち接着ワイヤを必要とすることである。加えて、光電
検知器は使用時にパッケージ化しなければならない。更に追加の製造コストを要
して高価になる。
他の日本国特許公開公報第60−153184号には、受光要素が開示されてい
−,3、受片=・ど・素は、絶縁用)、7.5ス(”’+ llt部り面に固着
された光ヴ素チップ(photoele〜ent chip)をaむ、1+:の
ガラヌ、の底部表面に電極が形成されl′いる。受光要素の欠C気は、やはり伝
統的な接着技術を必要とするごどである。即ち、光要素チップを1極に接続“4
るためiこ接着ワイヤを必要とする。かくして、その製造におい一層”−1谷装
屑の7′□7めに各電極に接着ワ・fヤが位置決めされなU第1ばならず、こ机
により装置の製造−】ストが高くなっていた。更に、受光要素を外部の回路に電
気的に接続するのに外部り−・ドワイ゛ヤが使用されており、これにより」二記
装置を使用するのに一層のコストの増大を招いていた。
史に他の日本国特許公開公報第59−198770号には、受光電子袋ff1(
photo receiving electronic device)が開
示されている。その装置においては、受光電子装置はフリップ・チップ技術によ
り透明基板に取付けられている。この受光電子装置の欠点は、直ちに使用可能な
形態には(in ready−forυse form)バッフ1−ノ化されて
いないことであり、これにより使用のコストが増大していた。更に、この装置の
透明基板は有意義なレンズ効果を、匂えないから、レンズ効果を必要とする場合
には外部レンズを設けなければならなかった。
米国特許第4843036号(シュミット等(Schmidt et al)に
与えられた)は、電子装置を基板上に包囲状態で形成する方法を開示している。
電子装置は基板に取付けられ、該電子装置の接着用パッドを基板上に形成した電
気導体に接続するのに接着ワイヤが使用される。光学的に透明な包囲体がこの電
子装置及び接着用ワイヤの上方に分配されて、該電子装置を包囲する。包囲体を
硬化させたときに、レンズ状の要素が作られる。このツユミツト等に開示された
包囲された装置は、接着用ワイヤを必要とするという欠点がある。接着用ワイヤ
を使用することにより製造時の装置の不良品の度合いを増大させると共に、コス
トも増大させる。Cに。製造されたレンズ状要素も特定の応用に対して十分な品
質を保てないかもしれない。
かくして、電子装置ハンゲー、′が効率的でかつ信頼性があるような、光学電子
装置構成要素パンゲージ、及び該パッケージを製造する方法を提供することが望
ましい。川に、装置ハンゲーノがその製造及び使用においてコストが適切である
ことが望ましい。
発明の目的
本発明の主たる目的は、効率的でかつ信頼性のある光11に子装置を提供するこ
とである3、
本発明の他の目的は、伝統的な接着技術を使用4′ることなく、光学電子装實パ
ッ/、−ジを製造するためのコスト的に有利な方法を提供することである9゜本
発明の更に他の目的は、伝統的な接I技術の必要な(、直ちに使用可能な(i口
ready−fov−useconditj、on)光学電子装置構成要素を提
供することである。
奢懸麹
本発明の好ましい具体例においては、光学電子装置パッケージは、平面を有しか
つ該平面上に電気導体パターンを有する光学要素と、光学的活性部分及びダイ接
着用パッドを有する光電ダイと、電気導体パターンと前記ダイを収容する孔とを
有するプリント回路基板とを具備する。
前記ダイは光学要素の平面上に、該グイ接着用パッドが光学要素の対応する電気
導体に電気的に接続されるように取付けられる。前記回路基板は前記光学要素の
前記平面に取付けられ、かつ前記回路基板の電気導体が前記光学要素の対応する
導体に電気的に接続される。
本発明の他の具体例によれば、前記ダイ及び前記光学要素の平面及び前記回路基
板の一部に添着された保護手段が、装置パッケージを保護する。前記ダイは、(
1)カメラの自動焦点への応用においてエミッタ又は検知器として機能するか、
又は(2)露出制御への応用において露光計ダイとして機能する。
図面の簡単β晩男
第1図は、本発明の好ましい具体例による光学電子装置パッケージの断面図であ
る。
第2図は、本発明の好ましい具体例による光学電子装置に使用される光学要素の
平面透視図である。
第3図は、本発明の光学電子装置パッケージに使用される光電ダイの前面図であ
る。
第4図は、本発明の他の具体例による光学電子装置パッケージの透視図である。
第5図は、本発明による光学電子装置パンケージの透視図である。
第6図は、本発明の史に他の具体例による光学電子装置パッケージの断面図であ
る。
第7図は、本発明の更に他の具体例による光学電子装置パッケージの断面図であ
る。
好ましい具体例の説明
第1図には、本発明になる光学電子装置パッケージ10の断面が示されている。
この具体例では、先学電子装置バソケー′)10は、光学要素12、光電ダイ1
4、及びプリント回路基板16を具備する。光学要素12は最初に像を作成する
システムである。要素12の前面に入った光は、平面20上に集まる。例えば、
所望の視界(又は適用範囲)は符号へによって示された領域の横方向寸法に対応
してよい。同様にして、領域Aから出た光は、前面21から出るときに平行光に
される。
第1図及び第2図中、光学要素12は反射面21及び平面20を含む。反射面2
1は非球面である。光学要素12はこの技術分野では周知のインジエンクション
・モールディングにより製造可能である。光学要素12の塩点距離は、符号Aに
より示された所望の像寸法を提供するよう設計され、これによりダイ14の光学
的活性領域30の適切な適用寸法が得られる。好ましい具体例では、平面20は
隆起部24.26を含む。隆起部24.26は、要素12を製造するインジエン
クノヨン・モールディング工程中に平面20内に形成される。
電気導体22はこの技術分野で周知の真空蒸着技術により平面20上に形成され
る。平面20は適当にマスクされ、その上に導電材料が載せられる。電気導体2
2は、各導体22が第1及び第2隆起部24.26の上面に配置されるよう形成
される。隆起部24.26上に導体22を配置する利点は、電気接触ポイントに
おける個別の導電隆起部を設けなくともよいことである。そのような導電隆起部
は、続いて説明される導電隆起部形成法として知られる工程により形成される。
導体22の形成と同時に、導電材料を使用して、基準マーク23を形成する。基
準マーク23は、ダイト1及び回路基板16を要素12上に位置決めする基準を
提供する。
光電ダイ14はこの技術分野では周知である。ダイ14は光電検知ダイ又は光放
出ダイを表す。第1図及び第3図を参照すると、充電ダイ14は、光学的活性部
分30及びグイ接着用パッド32を具備する。光学的活性部分30及びグイ接着
用パッド32はダイ14の同じ側に配置されている。光学的活性部分30は光を
受取るための受光部分でよく、又は光を放出する発光部分でもよい。更に、光学
的活性部分30は多くの光学的活性部分からなる。
ダイ14は要素12の平面20に対して光学的透明の非導電性接着剤28により
取付けられる。グイ接着用パッド32はダイ14を第1の隆起部24において導
体22に対して接続させる。そこにおいて、第1の隆起部24の導体22は電気
的接触ポイントとなる。接着剤28は非導電性であり、光学的等級、及び高い伝
達特性を有する加熱硬化性接着剤からなる。接着剤28はまた低粘性のかつ迅速
に硬化する接着剤の特性を有している。種々の硬化方法が、使用されている接着
剤に応じて利用可能であり、その方法は例えば、加熱、放射線照射又は化学触媒
による硬化を含むが、これらに限定されるものでない。接着剤28は放射線によ
り硬化可能であり、例えば商業的に入手可能のエマージン・アンド・カミング(
EIIlerson & Cu+ning)社の接着剤製品UV−311を利用
できる。接着剤28は要素12の平面20上に選択的にスクリーニングされ、こ
れにより平面20上の電気接続ポイント又は電気接触ポイントが接着剤により覆
われないまま残される。
第1図に戻って、プリント回路基板16は、回路パターン(図示せず)及び該回
路パターン上の電気導体34を有する回路基板からなる。回路基板16は、剛直
の回路基板か又は可撓性回路基板でよく、回路基板16は当該技術分野で公知の
技術により製造される。回路基板16は更に、ダイ14を収容する孔36を含む
。回路基板16は光学要素12の平面20に接着剤28により取付けられ、ダイ
14は孔36内に収容される。各電気導体34によって、基板16は6第2の隆
起部26において各導体22に電気的に接続されており、隆起部26の導体22
はまた電気的接触ポイントとなっている。
第4図に示す如く、光学電子装置パッケージ10は保護手段38を含む。保護手
段38は、ダイ14の後側部、平面20の一部、及び回路基板16の一部を保護
する。保護手段38は、ダイ14、平面20及び基板16に取付けられた保護材
料からなる。保護手段38は好ましくは不透明であるが、透明であってもよい。
保護材料は非導電性であり低粘度の硬化可能材料からなる。、種4の硬化方法が
、使用される接着剤に応じて採用可能であり、例ズーばそのような硬化方法は、
熱的、放射線、又は化学触蝶による硬化を含イ、・が、こわらに限定されるもの
でもない。
保護手段38は例えば商業的に入手1T11計の包囲材料であるデクスフ・ハイ
ツル(1’+extci−Hysnl)製品のf”Eo 1061−1でよい。
保護手段38はまた、回路基板16、上層のダイ14、平面20の一部、及び基
板16の一部に取付けられた物理的キャップでもよい。光学電子装置バッケー)
10の透視図が第5図に示されでいる。
第6図に示される他の具体例では、光学電子装置パッケージ10は次に述べる違
いを除いて第4図の具体例と同様である。平面20は平坦面であって、隆起部を
有さない。電気導体23が平面20上に形成されている。各電気導体23はその
1に形成された第1及び第2の隆起部25.27を有する。導電隆起部25.2
7は導電隆起部形成の技術として公知の工程により形成され、導体材料の隆起部
が導電体又は導電接触ポイント上に形成されている。ダイ接着用パッド32が第
1の導電隆起部25を介して電気導体23に電気的に接続されている。同様にし
て、回路基板I6の電気導体34が第2の導電隆起部27を介して電気導体23
に電気的に接続されている。
更に池の具体例として、第7図に示す如(、光学電子装置パッケージ10は次に
述べる違いを除いて第4図の具体例と同様である。平面20は平坦面であって、
隆起部を有さない。電気導体23が平面20上に形成されている。グイ接着用パ
ラ)’32がその七に形成された導電隆起部33を有する。回路基板16の電気
導体34はその−Lに形成された導電隆起部35を有する。ダイ接着用パッド3
2は導電隆起部33を介して電気導体23に電気的に接続されている。同様にし
て、回路基板16の電気導体34が導電隆起部35を介して電気導体23に電気
的に接続されている。
本発明によれば、光学電子装置パンケージ10は、好ましくは接着剤による接着
技術により製造される。本発明は接着剤による接着技術に関して記述されるが、
光学電子装置構成要素パッケージはフリップ・チップ(flip chip)技
術又はテープ使用自動什接着(Tape Automated Bonding
)を使用して製造される。フリップ・チップ技術又はテープ使用自動化接着は共
に当業界において周知であるからここでは詳しく述べな(・。
第1−図中、電気導体22は光学要素12の平面20」二に形成され、平面20
は隆起部24.26を有する。好ましい具体例では、各導体22は第1及び第2
の隆起部24.26の2−上層として配される。光学的に透明の接着剤28は要
素12の平面20上に、電気的接続のポイントを覆わない状態で選択的にスクリ
ーニングして配置される。ダイ14は、当業界において周知のダイ配置作業にお
ける標準取上げ及び配置方法(standard pick and plac
e methods)により平面20上に選択的に配置される。即ち、ダイ14
は基準マーク23(第2図参照)を使用して光学要素12に整合され、しかる後
に平面20上に配置される。回路基板16が同様に整合されて平面20上に配置
され、孔36のコーナーエツジが光学的に基準マーク23に整合配Wされる。接
着剤28が次いで接着剤製造者の薦めに応じて、適当な放射線により硬化される
。例えば、光学要素12、ダイ14、回路基板J6及び接着剤28は紫外線及び
/又は高温加熱を受けて、接着剤28をぴ化させる。接着剤28の硬化により、
光学要素12、ダイ14及び回路基板16を互いに密着させ、これにより対応す
る電気接触ポイントを互いに電気的に接触させる。
第4図の他の具体例において、接着剤28を硬化させるに続いて、制御された量
の硬化可能材料38がダイ14、平面20の一部、及び回路基板16の一部の上
方に粘性状態で分配される。硬化可能材料38は硬化されたときに保護用不透明
包囲体となる。材料38を分配した後に、要素12、ダイ14、回路基板16、
接着剤28及び材料38が高温の処理を受けて、材料38が硬化される。
第6図に示される他の具体例は、次に述べる点を除いて、第1図に示された好ま
しい具体例と同一の方法により製造される。第6図中、要素12の平面20は隆
起部を何ら有さない。平面20上に形成された各導体23上には、導電隆起部形
成工程により導電隆起部25.27が形成される。導電隆起部25.27はダイ
接着用パッド32及び電気導体341ご夫々電気的に接続される。
同様にして、第7図に示される光学電子装置パッケージは、次に述べる点を除い
て、第1図に示された好ましい具体例と同一の方法により製造される。電気導体
23が要素12のW面20上に形成されている。ダイ14のダイ接着用パッド3
2は要素12の導体23に電気的に接続される導電隆起部33を含んでおり、導
電隆起部33は導電隆起部形成工程によりダイ接着用パッド32上に形成されて
いる。回路基板16の電気導体34は、要素12の導体23に電気的に接続され
る導電隆起部35を含んでおり、導電隆起部35は導電隆起部形成工程により導
体34上に形成されている。
か(して、光学電子装置の構成要素、パッケージ、及びそれらを製造する方法が
開示され、それにより従来技術では得られない多くの効果、即ち、低コストのか
つ信頼性のある、しかも効率の良い光学電子装置の構成要素及びパッケージを提
供する。
本発明は特別の好ましい具体例と共に説明されてきたが、当業者に取って本明細
書に添付の請求の範囲から逸脱しない範囲で、多くの修正及び変形が可能である
ことを理解すべきである。
FIG、 3
FIG、 4
、 −PCT/LIS 911011883フロントページの続き
(72)発明者 ジョーンズ、ウィリアム・ブルースアメリカ合衆国ニューヨー
ク州14624. ロチェスター、ハイマーケット・ロード 29
Claims (38)
- 1.光学電子装置パッケージを製造する方法であって、電気導体のパターンを光 学要素の平面上に形成するステップと、光電ダイを前記平面上に電気的接続状態 で取付けるステップであって、光学的活性領域及びダイ接着用パッドを有するダ イ表面が前記平面に対面し、かつダイ接着用パッドが前記光学要素の対応する導 体に電気的に接続される前記ステップと、 プリント回路基板を前記平面に対して電気的接続状態で取付けるステップであっ て、該回路基板上の電気導体が前記光学要素の導体に電気的に接続される前記ス テップとを、 具備することを特徴とする前記方法。
- 2.請求項1記載の方法であって、 前記光電ダイの後側部、前記回路基板の一部、及び前記光学要素の平面の全ての 覆われていない部分を被覆するステップを更に具備することを特徴とする前記方 法。
- 3.請求項1記載の方法であって、 前記各電気的接続状態で取付けるステップは、接着剤による接着を行うステップ を具備することを特徴とする前記方法。
- 4.請求項1記載の方法であって、 前記各電気的接続状態で取付けるステップは、テープ自動化接着(TapeAu tomatedBonding)の工程を具備することを特徴とする前記方法。
- 5.請求項1記載の方法であって、 前記各電気的接続状態で取付けるステップは、フリップ・チップ工程を具備する ことを特徴とする前記方法。
- 6.光学電子装置パッケージを製造する方法であって、電気導体のパターンを光 学要素の平面上に形成するステップと、光学的に透明の非導電性硬化可能接着剤 を前記平面の第1及び第2の所望の領域上に粘性状態で置くステップと、 光学的活性領域及びダイ接着用パッドを有する光電ダイを、前記第1の所望の領 域内で前記接着剤の上方へ整合させるステップであって、該活性領域が前記平面 に対面しかつ前記接着パッドが前記光学要素の対応する導体に整合される前記ス テップと、 前記ダイを前記接着剤上に配置するステップと、電気導体パターンと、第2の所 望の領域内で前記接着剤の上方に前記ダイを収容するための孔と、を有するプリ ント回路基板を整合させるステップであって、前記回路基板の電気導体が前記光 学要素の対応する導体に整合される前記ステップと、 前記回路基板を前記接着剤上に配置するステップと、前記置かれた接着剤を硬化 させるステップであって、前記ダイ及び回路基板を前記光学要素に接着させると 共に、前記ダイ接着用パッド及び前記回路基板の電気導体を前記光学要素の対応 する導体に電気的に接続させる前記ステップとを、具備することを特徴とする前 記方法。
- 7.請求項6記載の方法であって、 前記接着剤は放射線照射により硬化可能の材料であり、前記接着剤を硬化するス テップは、適当な放射線により該硬化を行うことを特徴とする前記方法。
- 8.請求項7記載の方法であって、 前記接着剤は紫外線の照射により硬化可能の材料であることを特徴とする前記方 法。
- 9.請求項6記載の方法であって、 前記硬化ステップに続いて、 前記ダイの後側部、前記回路基板の一部、及び前記光学要素の平面の全ての覆わ れていない部分上に所定の量の包囲体を粘性状態で置くステップと、前記所定の 量の包囲体を硬化させて、保護バリヤを形成するステップとを、更に具備するこ とを特徴とする前記方法。
- 10.請求項9記載の方法であって、 前記包囲体は放射線照射により硬化可能の材料であり、前記包囲体を硬化するス テップは、適当な放射線照射により該硬化を行うことを特徴とする前記方法。
- 11.請求項10記載の方法であって、前記包囲体は紫外線照射により硬化可能 の材料であることを特徴とする前記方法。
- 12.光学電子装置パッケージであって、平面を有し、該平面が電気導体パター ンを有する光学要素と、光学的活性部分及びダイ接着用パッドをその前側部に有 する光電ダイであって、該光電ダイの前側部は前記光学要素の平面に取付けられ 、かつ前記ダイ接着用パッドが前記光学要素の対応する電気導体に電気的に接続 される前記光電ダイと、電気導体パターンと前記ダイを収容する子しとを有する プリント回路基板であって、該回路基板は前記光学要素の前記平面に取付けられ 、かつ前記回路基板の電気導体が前記光学要素の対応する導体に電気的に接続さ れる前記プリント回路基板とを、 具備することを特徴とする前記パッケージ。
- 13.請求項12記載のパッケージであって、前記ダイの後側部、前記光学要素 の平面、及び前記回路基板の一部を保護する手段を更に具備することを特徴とす る前記パッケージ。
- 14.請求項12記載のパッケージであって、前記光学要素は、前側部の屈折面 と後側部の平面とを有するレンズであることを特徴とする前記パッケージ。
- 15.請求項14記載のパッケージであって、前記屈折面は非球面であることを 特徴とする前記パッケージ。
- 16.請求項14記載のパッケージであって、前記ダイの後側部、前記光学要素 の平面、及び前記回路基板の一部を保護する手段を更に具備することを特徴とす る前記パッケージ。
- 17.請求項14記載のパッケージであって、前記レンズの平面は、該平面に選 択的に形成された少なくとも1個の第1の隆起部及び少なくとも1個の第2の隆 起部となる複数の隆起部を含み、前記レンズの電気導体の各々は、電気的接触位 置において第1及び第2の隆起部に上層として配置される部分を有し、これによ り前記ダイ接着用パッドは、対応する第1の隆起部において前記レンズの電気導 体に電気的に接続され、かつ回路基板の導体が、対応する第2の隆起部において 前記レンズの電気導体に電気的に接続されることを特徴とする前記パッケージ。
- 18.請求項17記載のパッケージであって、前記ダイの後側部、前記レンズの 平面、及び前記回路基板の一部を保護する手段を更に具備することを特徴とする 前記パッケージ。
- 19.請求項14記載のパッケージであって、前記レンズの電気導体の各々は、 第1の導体隆起部及び第2の導体隆起部を含み、 前記ダイ接着用パッドは、対応する第1の導体隆起部を介して前記レンズの対応 する電気導体に電気的に接続され、かつ回路基板の電気導体が、対応する第2の 導体隆起部を介して前記レンズの対応する電気導体に電気的に接続されることを 特徴とする前記パッケージ。
- 20.請求項19記載のパッケージであって、前記ダイの後側部、前記レンズの 平面、及び前記回路基板の一部を保護する手段を更に具備することを特徴とする 前記パッケージ。
- 21.請求項14記載のパッケージであって、前記光電ダイのダイ接着用パッド は導体隆起部を含み、該ダイ接着用パッドは、該接着パッドの導体隆起部を介し て前記レンズの対応する電気導体に電気的に接続され、 かつ回路基板の電気導体が導体隆起部を含み、該回路基板の電気導体が、該回路 基板の導体の導電隆起部を介して前記レンズの対応する電気導体に電気的に接続 されることを特徴とする前記パッケージ。
- 22.請求項21記載のパッケージであって、前記ダイの後側部、前記レンズの 平面、及び前記回路基板の一部を保護する手段を更に具備することを特徴とする 前記パッケージ。
- 23.光学電子装置構成要素を製造する方法であって、電気導体のパターンを、 隆起部を有する光学要素の平面上に形成するステップであって、該隆起部は第1 及び第2の隆起部を構成し、各電気導体は該第1及び第2の隆起部の上層として 配置される前記ステップと、光電ダイを前記平面上に電気的接続状態で取付ける ステップであって、光学的活性領域及びダイ接着用パッドを有するダイ表面が前 記平面に対面し、かつダイ接着用パッドが前記第1の隆起部において対応する導 体に電気的に接続される前記ステップとを、 具備することを特徴とする前記方法。
- 24.請求項23記載の方法であって、前記各電気的接続状態で取付けるステッ プは、接着剤による接着を行うステップを具備することを特徴とする前記方法。
- 25.請求項23記載の方法であって、前記電気的接続状態で取付けるステップ は、テープ自動化接着(TapeAutomatedBonding)の工程を 具備することを特徴とする前記方法。
- 26.請求項23記載の方法であって、前記電気的接続状態で取付けるステップ は、フリップ・チップ工程を具備することを特徴とする前記方法。
- 27.光学電子装置構成要素を製造する方法であって、電気導体のパターンを、 隆起部を有する光学要素の平面上に形成するステップであって、該隆起部は第1 及び第2の隆起部からなり、各電気導体は第1及び第2の隆起部に上層として配 置される前記ステップと、光学的に透明の非導電性硬化可能接着剤を、前記平面 の所望の領域上に粘性状態で置くステップと、 光学的活性領域及びダイ接着用パッドを有する光電ダイを、前記接着剤の上方へ 整合させるステップであって、該活性領域が前記平面に対面しかつ前記接着パッ ドが該第1の隆起部において対応する導体に整合される前記ステップと、前記ダ イを前記接着剤上に配置するステップと、前記置かれた接着剤を硬化させるステ ップであって、前記ダイを前記光学要素に接着させると共に、前記ダイ接着用パ ッドを前記第1の隆起部において対応する導体に電気的に接続させる前記ステッ プとを、具備することを特徴とする前記方法。
- 28.請求項27記載の方法であって、前記接着剤は放射線照射により硬化可能 の材料であり、前記接着剤を硬化するステップは、適当な放射線により該硬化を 行うことを特徴とする前記方法。
- 29.請求項28記載の方法であって、前記接着剤は紫外線の照射により硬化可 能の材料であることを特徴とする前記方法。
- 30.光学電子装置構成要素を製造する方法であって、電気導体のパターンを、 光学要素の平面上に形成するステップと、各電気導体に第1及び第2の隆起部を 有するよう導電隆起部を形成するステップと、 光学的に透明の非導電性硬化可能接着剤を、前記平面の所望の領域上に粘性状態 で置くステップと、 光学的活性領域及びダイ接着用バッドを有する光電ダイを、前記接着剤の上方へ 整合させるステップであって、該活性領域が前記平面に対面しかつ前記接着パッ ドが該第1の導電隆起部において対応する導体に整合される前記ステップと、前 記ダイを前記接着剤上に配置するステップと、前記置かれた接着剤を硬化させる ステップであって、前記ダイを前記光学要素に接着させると共に、前記ダイ接着 用パッドを対応する第1の導電隆起部に電気的に接続させる前記ステップとを、 具備することを特徴とする前記方法。
- 31.請求項30記載の方法であって、前記接着剤は放射線照射により硬化可能 の材料であり、前記接着剤を硬化するステップは、適当な放射線により該硬化を 行うことを特徴とする前記方法。
- 32.請求項31記載の方法であって、前記接着剤は紫外線の照射により硬化可 能の材料であることを特徴とする前記方法。
- 33.光学電子装置構成要素であって、平面を有し、該平面が選択的に形成され た第1及び第2の隆起部からなる隆起部を有し、該平面が更に該平面上に形成さ れた電気導体パターンを有し、該各導体が第1及び第2の隆起部に上層として配 置される部分を有する前記光学要素と、光学的活性部分及びダイ接着用パッドを その前側部に有する光電ダイであって、該光電ダイの前側部は前記光学要素の平 面に取付けられ、かつ前記ダイ接着用パッドが、対応する第1の隆起部において 前記光学要素の対応する電気導体に電気的に接続される前記光電ダイとを、 具備することを特徴とする前記構成要素。
- 34.請求項33記載の光学電子装置パッケージであって、前記光学要素は、前 側部の屈折面と後側部の平面とを有するレンズであることを特徴とする前記パッ ケージ。
- 35.請求項34記載のパッケージであって、前記屈折面は非球面であることを 特徴とする前記パッケージ。
- 36.光学電子装置構成要素であって、平面を有し、該平面が該平面上に形成さ れた電気導体パターンを有し、該各導体が該導体上に形成された第1及び第2の 導電隆起部を有する前記光学要素と、光学的活性部分及びダイ接着用パッドをそ の前側部に有する光電ダイであって、該光電ダイの前側部は前記光学要素の平両 に取付けられ、かつ前記ダイ接着用パッドが、対応する第1の導電隆起部におい て前記光学要素の対応する電気導体に電気的に接続される前記光電ダイとを、 具備することを特徴とする前記パッケージ。
- 37.請求項36記載の光学電子装置パッケージであって、前記光学要素は、前 側部の屈折面と後側部の平面とを有するレンズであることを特徴とする前記パッ ケージ。
- 38.請求項37記載のパッケージであって、前記屈折面は非球面であることを 特徴とする前記パッケージ。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/626,663 US5149958A (en) | 1990-12-12 | 1990-12-12 | Optoelectronic device component package |
| US07778,409 | 1991-10-17 | ||
| PCT/US1991/008883 WO1992010856A1 (en) | 1990-12-12 | 1991-12-03 | Optoelectronic device component package and method of making the same |
| US07961,077 | 1992-10-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06503683A true JPH06503683A (ja) | 1994-04-21 |
Family
ID=24511309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4502353A Pending JPH06503683A (ja) | 1990-12-12 | 1991-12-03 | 光学電子装置構成要素パッケージ及び該パッケージを製造する方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5149958A (ja) |
| EP (1) | EP0561964B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06503683A (ja) |
| DE (1) | DE69129547T2 (ja) |
| WO (1) | WO1992010856A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014045013A (ja) * | 2012-08-24 | 2014-03-13 | Bondtech Inc | 基板上への対象物の位置決め方法及び装置 |
| JP2014137404A (ja) * | 2013-01-15 | 2014-07-28 | Mitsubishi Electric Corp | 受信光学系 |
Families Citing this family (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5489804A (en) * | 1989-08-28 | 1996-02-06 | Lsi Logic Corporation | Flexible preformed planar structures for interposing between a chip and a substrate |
| US5299730A (en) * | 1989-08-28 | 1994-04-05 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for isolation of flux materials in flip-chip manufacturing |
| US5504035A (en) * | 1989-08-28 | 1996-04-02 | Lsi Logic Corporation | Process for solder ball interconnecting a semiconductor device to a substrate using a noble metal foil embedded interposer substrate |
| US5834799A (en) * | 1989-08-28 | 1998-11-10 | Lsi Logic | Optically transmissive preformed planar structures |
| US20010030370A1 (en) * | 1990-09-24 | 2001-10-18 | Khandros Igor Y. | Microelectronic assembly having encapsulated wire bonding leads |
| US7198969B1 (en) | 1990-09-24 | 2007-04-03 | Tessera, Inc. | Semiconductor chip assemblies, methods of making same and components for same |
| FR2683390A1 (fr) * | 1991-10-30 | 1993-05-07 | Sodern | Detecteur d'images a lumiere parasite reduite et application a un senseur de terre. |
| US5359190A (en) * | 1992-12-31 | 1994-10-25 | Apple Computer, Inc. | Method and apparatus for coupling an optical lens to an imaging electronics array |
| JPH07333055A (ja) * | 1994-06-03 | 1995-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光検出器 |
| EP0690515A1 (en) | 1994-06-30 | 1996-01-03 | Eastman Kodak Company | Optoelectronic assembly and methods for producing and using the same |
| DE19527026C2 (de) * | 1995-07-24 | 1997-12-18 | Siemens Ag | Optoelektronischer Wandler und Herstellverfahren |
| DE19610881B4 (de) * | 1995-12-07 | 2008-01-10 | Limo Patentverwaltung Gmbh & Co. Kg | Mikrosystembaustein |
| US5770889A (en) * | 1995-12-29 | 1998-06-23 | Lsi Logic Corporation | Systems having advanced pre-formed planar structures |
| JP2853641B2 (ja) | 1996-02-27 | 1999-02-03 | 日本電気株式会社 | 受光デバイス |
| US5925898A (en) * | 1996-07-18 | 1999-07-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Optoelectronic transducer and production methods |
| DE19643911A1 (de) * | 1996-10-30 | 1998-05-07 | Sick Ag | Schaltungsanordnung mit auf einem mit Leiterbahnen versehenen Substrat angebrachten optoelektronischen Bauelementen |
| US6525386B1 (en) * | 1998-03-10 | 2003-02-25 | Masimo Corporation | Non-protruding optoelectronic lens |
| US6130448A (en) * | 1998-08-21 | 2000-10-10 | Gentex Corporation | Optical sensor package and method of making same |
| US6407401B1 (en) * | 2000-06-16 | 2002-06-18 | Agilent Technologies, Inc. | Photoconductive relay and method of making same |
| WO2001011694A2 (en) * | 1999-08-06 | 2001-02-15 | Silicon Film Technologies, Inc. | Flip-chip package with image plane reference |
| US6876052B1 (en) * | 2000-05-12 | 2005-04-05 | National Semiconductor Corporation | Package-ready light-sensitive integrated circuit and method for its preparation |
| US6875640B1 (en) * | 2000-06-08 | 2005-04-05 | Micron Technology, Inc. | Stereolithographic methods for forming a protective layer on a semiconductor device substrate and substrates including protective layers so formed |
| DE10034865B4 (de) * | 2000-07-18 | 2006-06-01 | Infineon Technologies Ag | Optoelektronisches oberflächenmontierbares Modul |
| US6872591B1 (en) | 2000-10-13 | 2005-03-29 | Bridge Semiconductor Corporation | Method of making a semiconductor chip assembly with a conductive trace and a substrate |
| US6876072B1 (en) | 2000-10-13 | 2005-04-05 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor chip assembly with chip in substrate cavity |
| US6613597B2 (en) * | 2001-06-29 | 2003-09-02 | Xanoptix, Inc. | Optical chip packaging via through hole |
| US7831151B2 (en) | 2001-06-29 | 2010-11-09 | John Trezza | Redundant optical device array |
| US6989295B1 (en) | 2002-01-09 | 2006-01-24 | Bridge Semiconductor Corporation | Method of making a semiconductor package device that includes an insulative housing with first and second housing portions |
| US7190060B1 (en) | 2002-01-09 | 2007-03-13 | Bridge Semiconductor Corporation | Three-dimensional stacked semiconductor package device with bent and flat leads and method of making same |
| US6936495B1 (en) | 2002-01-09 | 2005-08-30 | Bridge Semiconductor Corporation | Method of making an optoelectronic semiconductor package device |
| US6891276B1 (en) | 2002-01-09 | 2005-05-10 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor package device |
| US6823586B2 (en) * | 2002-05-29 | 2004-11-30 | Meriton Networks Inc. | Method of mounting a butterfly package on a PCB |
| US7199438B2 (en) * | 2003-09-23 | 2007-04-03 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Overmolded optical package |
| US6830221B1 (en) * | 2003-12-19 | 2004-12-14 | The Aerospace Corporation | Integrated glass ceramic spacecraft |
| US7863642B2 (en) | 2005-08-24 | 2011-01-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light emitting diodes and lasers diodes with color converters |
| US7781852B1 (en) * | 2006-12-05 | 2010-08-24 | Amkor Technology, Inc. | Membrane die attach circuit element package and method therefor |
| DE102007055072B4 (de) * | 2007-11-16 | 2018-11-08 | Wanzl Metallwarenfabrik Gmbh | Transportwagen |
| US8138027B2 (en) | 2008-03-07 | 2012-03-20 | Stats Chippac, Ltd. | Optical semiconductor device having pre-molded leadframe with window and method therefor |
| US8265487B2 (en) * | 2009-07-29 | 2012-09-11 | Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Half-duplex, single-fiber (S-F) optical transceiver module and method |
| DE102013219063A1 (de) * | 2013-09-23 | 2015-03-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US10431955B2 (en) * | 2014-04-25 | 2019-10-01 | Lmd Power Of Light Corp | Laser core having conductive mass electrical connection |
Family Cites Families (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE631066A (ja) * | 1962-04-16 | |||
| US3622419A (en) * | 1969-10-08 | 1971-11-23 | Motorola Inc | Method of packaging an optoelectrical device |
| US3820237A (en) * | 1971-05-17 | 1974-06-28 | Northern Electric Co | Process for packaging light emitting devices |
| US3938177A (en) * | 1973-06-25 | 1976-02-10 | Amp Incorporated | Narrow lead contact for automatic face down bonding of electronic chips |
| US3999280A (en) * | 1973-06-25 | 1976-12-28 | Amp Incorporated | Narrow lead contact for automatic face down bonding of electronic chips |
| US4032963A (en) * | 1974-09-03 | 1977-06-28 | Motorola, Inc. | Package and method for a semiconductor radiant energy emitting device |
| US3964157A (en) * | 1974-10-31 | 1976-06-22 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Method of mounting semiconductor chips |
| JPS5321771A (en) * | 1976-08-11 | 1978-02-28 | Sharp Kk | Electronic parts mounting structure |
| JPS546787A (en) * | 1977-06-17 | 1979-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Luminous element |
| JPS56103484A (en) * | 1980-01-21 | 1981-08-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | Manufacture of semiconductor device for photoelectric conversion |
| JPS56103481A (en) * | 1980-01-21 | 1981-08-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | Manufacture of semiconductor device for photoelectric conversion |
| DE3172553D1 (en) * | 1980-11-28 | 1985-11-07 | Toshiba Kk | Method for manufacturing a module for a fiber optic link |
| JPS59110178A (ja) * | 1982-12-15 | 1984-06-26 | Seiko Epson Corp | 受光素子 |
| JPS59198770A (ja) * | 1983-04-26 | 1984-11-10 | Fuji Electric Co Ltd | 受光電子装置 |
| JPS59220982A (ja) * | 1983-05-31 | 1984-12-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光素子用パッケ−ジ |
| JPS607767A (ja) * | 1983-06-27 | 1985-01-16 | Nec Corp | 半導体装置 |
| NL8303251A (nl) * | 1983-09-22 | 1985-04-16 | Philips Nv | Werkwijze voor het optisch verbinden van een lichtgeleider aan een elektrooptische inrichting. |
| JPS60153184A (ja) * | 1984-01-21 | 1985-08-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 受光素子 |
| US4662735A (en) * | 1985-01-16 | 1987-05-05 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Plastic lens elements supporting structure |
| JPS6221282A (ja) * | 1985-07-22 | 1987-01-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光伝導形検出器 |
| JPS63176A (ja) * | 1986-06-19 | 1988-01-05 | Honda Motor Co Ltd | 複合型光センサ |
| US4843036A (en) * | 1987-06-29 | 1989-06-27 | Eastman Kodak Company | Method for encapsulating electronic devices |
| JPH0821672B2 (ja) * | 1987-07-04 | 1996-03-04 | 株式会社堀場製作所 | イオン濃度測定用シート型電極の製造方法 |
| US4967261A (en) * | 1987-07-30 | 1990-10-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Tape carrier for assembling an IC chip on a substrate |
| JPH0813791B2 (ja) * | 1987-12-18 | 1996-02-14 | 三井石油化学工業株式会社 | アニリン類の製造方法 |
| US4967260A (en) * | 1988-05-04 | 1990-10-30 | International Electronic Research Corp. | Hermetic microminiature packages |
| US5066614A (en) * | 1988-11-21 | 1991-11-19 | Honeywell Inc. | Method of manufacturing a leadframe having conductive elements preformed with solder bumps |
| US5075253A (en) * | 1989-04-12 | 1991-12-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of coplanar integration of semiconductor IC devices |
| US5065227A (en) * | 1990-06-04 | 1991-11-12 | International Business Machines Corporation | Integrated circuit packaging using flexible substrate |
-
1990
- 1990-12-12 US US07/626,663 patent/US5149958A/en not_active Ceased
-
1991
- 1991-12-03 EP EP92901711A patent/EP0561964B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-12-03 JP JP4502353A patent/JPH06503683A/ja active Pending
- 1991-12-03 WO PCT/US1991/008883 patent/WO1992010856A1/en not_active Ceased
- 1991-12-03 DE DE69129547T patent/DE69129547T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-06-16 US US08/260,574 patent/USRE35069E/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014045013A (ja) * | 2012-08-24 | 2014-03-13 | Bondtech Inc | 基板上への対象物の位置決め方法及び装置 |
| JP2014137404A (ja) * | 2013-01-15 | 2014-07-28 | Mitsubishi Electric Corp | 受信光学系 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5149958A (en) | 1992-09-22 |
| USRE35069E (en) | 1995-10-24 |
| DE69129547T2 (de) | 1999-01-28 |
| EP0561964B1 (en) | 1998-06-03 |
| WO1992010856A1 (en) | 1992-06-25 |
| DE69129547D1 (de) | 1998-07-09 |
| EP0561964A1 (en) | 1993-09-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06503683A (ja) | 光学電子装置構成要素パッケージ及び該パッケージを製造する方法 | |
| US10684389B2 (en) | Molded range and proximity sensor with optical resin lens | |
| US5081520A (en) | Chip mounting substrate having an integral molded projection and conductive pattern | |
| US5302778A (en) | Semiconductor insulation for optical devices | |
| US5418566A (en) | Compact imaging apparatus for electronic endoscope with improved optical characteristics | |
| JP3161142B2 (ja) | 半導体装置 | |
| CN103620779A (zh) | 光电模块及其制造方法 | |
| JP2002534813A (ja) | 光子装置の密閉封止方法と装置 | |
| US6707148B1 (en) | Bumped integrated circuits for optical applications | |
| KR940007594B1 (ko) | 고체 촬상기 어셈블리 | |
| US5216805A (en) | Method of manufacturing an optoelectronic device package | |
| US7820462B2 (en) | Encapsulated optical package | |
| JP2002026301A (ja) | 光電変換装置およびその製造方法 | |
| JP4823729B2 (ja) | 光通信モジュール | |
| CN111371975A (zh) | 摄像模块封装结构 | |
| US7592197B2 (en) | Image sensor chip package fabrication method | |
| JPS5990965A (ja) | 光電変換モジユ−ル | |
| JP2532496B2 (ja) | 半導体装置の実装方法 | |
| EP0475370B1 (en) | Compact imaging apparatus for electronic endoscope with improved optical characteristics | |
| EP0690515A1 (en) | Optoelectronic assembly and methods for producing and using the same | |
| JPH04114456A (ja) | 光電変換装置 | |
| KR102511747B1 (ko) | Led 패키지, 상기 led 패키지에 실장되는 반도체 칩 및 그의 제조 방법 | |
| TW202515068A (zh) | 雷射裝置及其製作方法 | |
| JP2724191B2 (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS6328353B2 (ja) |