JPH0650435A - 超高真空用シ−ル材およびこれを用いた超高真空装置 - Google Patents
超高真空用シ−ル材およびこれを用いた超高真空装置Info
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- JPH0650435A JPH0650435A JP4219587A JP21958792A JPH0650435A JP H0650435 A JPH0650435 A JP H0650435A JP 4219587 A JP4219587 A JP 4219587A JP 21958792 A JP21958792 A JP 21958792A JP H0650435 A JPH0650435 A JP H0650435A
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- Japan
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- high vacuum
- ultra
- sealing material
- gas release
- water absorption
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
- F16K51/00—Other details not peculiar to particular types of valves or cut-off apparatus
- F16K51/02—Other details not peculiar to particular types of valves or cut-off apparatus specially adapted for high-vacuum installations
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Sealing Material Composition (AREA)
- Gasket Seals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐熱性や機密シ−ル性を損なわずに加熱脱ガ
ス処理時間を短縮することのできる、ガス放出速度の低
い超高真空用シ−ル材およびこれを用いた超高真空装置
を提供する。 【構成】 吸水率が０．１％以下、あるいはガス放出速
度が２×１０-6（Ｔｏｒｒ・ｌ／ｓｅｃ／cm2 ：ａｔ２
００℃）以下で、熱変形温度が加熱脱ガス処理温度以上
である高分子材料によって超高真空用シール材を構成す
る。
ス処理時間を短縮することのできる、ガス放出速度の低
い超高真空用シ−ル材およびこれを用いた超高真空装置
を提供する。 【構成】 吸水率が０．１％以下、あるいはガス放出速
度が２×１０-6（Ｔｏｒｒ・ｌ／ｓｅｃ／cm2 ：ａｔ２
００℃）以下で、熱変形温度が加熱脱ガス処理温度以上
である高分子材料によって超高真空用シール材を構成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、超高真空用シール材お
よびこれを用いた超高真空装置に係り、特に、加熱脱ガ
ス処理時間を短縮することの可能な超高真空用シール材
およびこれを用いた超高真空装置に関する。
よびこれを用いた超高真空装置に係り、特に、加熱脱ガ
ス処理時間を短縮することの可能な超高真空用シール材
およびこれを用いた超高真空装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、２５０℃〜４００℃の比較的高温
の加熱脱ガス処理を必要とする超高真空装置のシ−ル材
としては、例えば特開平２−１３８５７６号公報、特開
平３−１５３９７０号公報、および特開平３−２３４９
７３号公報に記載されるように、固定部では金属シ−ル
材、ゲートバルブ等の繰返し使用部ではポリイミドやフ
ッ素樹脂が採用されていた。
の加熱脱ガス処理を必要とする超高真空装置のシ−ル材
としては、例えば特開平２−１３８５７６号公報、特開
平３−１５３９７０号公報、および特開平３−２３４９
７３号公報に記載されるように、固定部では金属シ−ル
材、ゲートバルブ等の繰返し使用部ではポリイミドやフ
ッ素樹脂が採用されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】超高真空装置の組立て
過程では、予め各構成部品を単体で加熱脱ガス処理した
後に装置を組み立て、その後、使用時に再び加熱脱ガス
処理を行なうようにすれば、この使用時における加熱脱
ガス処理時間、換言すれば超高真空到達時間を大幅に短
縮できることが一般的に知られている。
過程では、予め各構成部品を単体で加熱脱ガス処理した
後に装置を組み立て、その後、使用時に再び加熱脱ガス
処理を行なうようにすれば、この使用時における加熱脱
ガス処理時間、換言すれば超高真空到達時間を大幅に短
縮できることが一般的に知られている。
【０００４】しかし、超高真空装置の構成部材のうち、
ポリイミドやフッ素樹脂のガス放出量はステンレス材の
ような金属シ−ル材のそれよりも多く、同一条件下にお
けるガス放出速度（Ｔｏｒｒ・ｌ／ｓｅｃ／ｃｍ2 ）を
比較すると、ポリイミドのガス放出速度はステンレスの
ガス放出速度よりも約１０００倍以上高い事が知られて
いる。したがって、ポリイミドをシール材として用いる
と、加熱脱ガス処理に長時間を要し、かつ到達真空圧力
も高くなってしまうという問題があった。
ポリイミドやフッ素樹脂のガス放出量はステンレス材の
ような金属シ−ル材のそれよりも多く、同一条件下にお
けるガス放出速度（Ｔｏｒｒ・ｌ／ｓｅｃ／ｃｍ2 ）を
比較すると、ポリイミドのガス放出速度はステンレスの
ガス放出速度よりも約１０００倍以上高い事が知られて
いる。したがって、ポリイミドをシール材として用いる
と、加熱脱ガス処理に長時間を要し、かつ到達真空圧力
も高くなってしまうという問題があった。
【０００５】本発明の目的は、上記した従来技術の問題
点を全て解決して、耐熱性や機密シ−ル性を損なわずに
加熱脱ガス処理時間を短縮することのできる、ガス放出
速度の低い超高真空用シ−ル材およびこれを用いた超高
真空装置を提供することにある。
点を全て解決して、耐熱性や機密シ−ル性を損なわずに
加熱脱ガス処理時間を短縮することのできる、ガス放出
速度の低い超高真空用シ−ル材およびこれを用いた超高
真空装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明では、以下のような手段を講じた点に特
徴がある。 (1) 吸水率が０．１％以下で、熱変形温度が加熱脱ガス
処理温度以上である高分子材料によって超高真空用シー
ル材を構成するようにした。 (2) ガス放出速度が２×１０-6（Ｔｏｒｒ・ｌ／ｓｅｃ
／cm2 ：ａｔ２００℃）以下で、熱変形温度が加熱脱ガ
ス処理温度以上である高分子材料によって超高真空用シ
ール材を構成するようにした。 (3) シール材形状体の表面に、吸水率が０．１％以下で
熱変形温度が加熱脱ガス処理温度以上である高分子材料
を被覆するようにした。 (4) シール材形状体の表面に、ガス放出速度が２×１０
-6以下で熱変形温度が加熱脱ガス処理温度以上である高
分子材料を被覆するようにした。
ために、本発明では、以下のような手段を講じた点に特
徴がある。 (1) 吸水率が０．１％以下で、熱変形温度が加熱脱ガス
処理温度以上である高分子材料によって超高真空用シー
ル材を構成するようにした。 (2) ガス放出速度が２×１０-6（Ｔｏｒｒ・ｌ／ｓｅｃ
／cm2 ：ａｔ２００℃）以下で、熱変形温度が加熱脱ガ
ス処理温度以上である高分子材料によって超高真空用シ
ール材を構成するようにした。 (3) シール材形状体の表面に、吸水率が０．１％以下で
熱変形温度が加熱脱ガス処理温度以上である高分子材料
を被覆するようにした。 (4) シール材形状体の表面に、ガス放出速度が２×１０
-6以下で熱変形温度が加熱脱ガス処理温度以上である高
分子材料を被覆するようにした。
【０００７】
【作用】吸水率が０．１％以下、あるいはガス放出速度
が２×１０-6以下の高分子材を気密シ−ル材として採用
することにより、加熱脱ガス時の放出ガスが減少する。
このため到達真空圧力を低くすることができ、その到達
時間も短縮される。
が２×１０-6以下の高分子材を気密シ−ル材として採用
することにより、加熱脱ガス時の放出ガスが減少する。
このため到達真空圧力を低くすることができ、その到達
時間も短縮される。
【０００８】また、金属製あるいは他の耐熱性高分子材
からなるシ−ル材の表面に、吸水率が０．１％以下、あ
るいはガス放出速度が２×１０-6以下の高分子材をコ−
ティングするようにすれば、あらゆる形状のシール材を
構成できるようになる。
からなるシ−ル材の表面に、吸水率が０．１％以下、あ
るいはガス放出速度が２×１０-6以下の高分子材をコ−
ティングするようにすれば、あらゆる形状のシール材を
構成できるようになる。
【０００９】さらに、吸水率が０．１％以下、あるいは
ガス放出速度が２×１０-6以下の高分子材料を気密シ−
ル材として採用して超高真空装置を構成すれば、超高真
空圧力到達後、バルブ操作により大気開放して再び超高
真空圧力を得る場合に、ガス放出量が少なくなり、短時
間で超高真空圧力が得られるようになる。
ガス放出速度が２×１０-6以下の高分子材料を気密シ−
ル材として採用して超高真空装置を構成すれば、超高真
空圧力到達後、バルブ操作により大気開放して再び超高
真空圧力を得る場合に、ガス放出量が少なくなり、短時
間で超高真空圧力が得られるようになる。
【００１０】
【実施例】初めに、本発明の概要を説明する。
【００１１】本発明の発明者等は、シール材のガス放出
量、換言すればシール材のガス放出速度（Ｔｏｒｒ・ｌ
／ｓｅｃ／ｃｍ2 ）に影響を及ぼす条件として物質の吸
水率に着目し、吸水率が小さい物質はガス放出量が少な
く、ガス放出速度が小さいことを実験的に確認した。
量、換言すればシール材のガス放出速度（Ｔｏｒｒ・ｌ
／ｓｅｃ／ｃｍ2 ）に影響を及ぼす条件として物質の吸
水率に着目し、吸水率が小さい物質はガス放出量が少な
く、ガス放出速度が小さいことを実験的に確認した。
【００１２】また、シール材の吸水率を現行の０．７％
（ポリイミド）から０．１％にすることができれば、試
料交換時などに超高真空装置を一旦大気開放し、その後
再び超高真空状態に復帰させる場合、加熱脱ガス時間を
従来に比べて約２４時間短縮できるようになるので、吸
水率の目標値を０．１％程度とし、さらに、フィラーを
含む素材では、品質の安定性や加工性などの点で問題が
残るためフィラーを含まないことを条件とした。
（ポリイミド）から０．１％にすることができれば、試
料交換時などに超高真空装置を一旦大気開放し、その後
再び超高真空状態に復帰させる場合、加熱脱ガス時間を
従来に比べて約２４時間短縮できるようになるので、吸
水率の目標値を０．１％程度とし、さらに、フィラーを
含む素材では、品質の安定性や加工性などの点で問題が
残るためフィラーを含まないことを条件とした。
【００１３】そして、吸水率が０．１％程度でフィラー
を含まない物質の中から、更に耐熱性、耐久性、および
加工性などを考慮して全芳香族液晶ポリエステル材をシ
ール材の候補に選び、そのシール材としての有効性を調
べた。そして、全芳香族液晶ポリエステルがシール材と
して極めて有効であることを確認した。
を含まない物質の中から、更に耐熱性、耐久性、および
加工性などを考慮して全芳香族液晶ポリエステル材をシ
ール材の候補に選び、そのシール材としての有効性を調
べた。そして、全芳香族液晶ポリエステルがシール材と
して極めて有効であることを確認した。
【００１４】全芳香族液晶ポリエステル材としては、商
品名『エコール』として住友化学株式会社から市販され
ているものや、商品名『ザイダー』として日本石油化学
株式会社から市販されているものがあり、以下のような
分子構造式で表される。
品名『エコール』として住友化学株式会社から市販され
ているものや、商品名『ザイダー』として日本石油化学
株式会社から市販されているものがあり、以下のような
分子構造式で表される。
【００１５】
【化１】 以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
【００１６】図１は、本発明の一実施例である超高真空
装置の断面図であり、符号１３で示した気密シ−ル材と
して全芳香族液晶ポリエステルを用いている。
装置の断面図であり、符号１３で示した気密シ−ル材と
して全芳香族液晶ポリエステルを用いている。
【００１７】本発明の全芳香族液晶ポリエステルから成
る超高真空用シール材は、電子顕微鏡のゲートバルブな
どあらゆる部分に採用することができるが、ここでは説
明を解りやすくするために超高真空装置として代表的な
構造を例にして説明する。
る超高真空用シール材は、電子顕微鏡のゲートバルブな
どあらゆる部分に採用することができるが、ここでは説
明を解りやすくするために超高真空装置として代表的な
構造を例にして説明する。
【００１８】真空室１１，１２を気密シ−ル材１３で遮
断する構造の超高真空装置１に於ける到達真空圧力Ｐ
は、真空ポンプ１４の排気速度Ｓならびに真空室１１、
１２、排管１５、およびシ−ル材１３の真空中での総露
出表面からのガス放出速度Ｑ11、Ｑ12，Ｑ15，Ｑ13を用
いて次式(1) により表される。
断する構造の超高真空装置１に於ける到達真空圧力Ｐ
は、真空ポンプ１４の排気速度Ｓならびに真空室１１、
１２、排管１５、およびシ−ル材１３の真空中での総露
出表面からのガス放出速度Ｑ11、Ｑ12，Ｑ15，Ｑ13を用
いて次式(1) により表される。
【００１９】 Ｐ＝（Ｑ11＋Ｑ12＋Ｑ15＋Ｑ13）／Ｓ…(1) ここで、ガス放出速度Ｑ11、Ｑ12、Ｑ15は、それぞれ真
空室１１、１２および排管１５を充分脱気処理すれば無
視できるため、到達真空圧力Ｐは結局、シ−ル材１３の
ガス放出速度Ｑ13に比例することになる。
空室１１、１２および排管１５を充分脱気処理すれば無
視できるため、到達真空圧力Ｐは結局、シ−ル材１３の
ガス放出速度Ｑ13に比例することになる。
【００２０】図２は、各種真空用シ−ル材の熱変形温度
と吸水率との関係を示した図であり、符号Ａ、Ｂは共に
全芳香族液晶ポリエステル、符号Ｃはフィラー入りフッ
素樹脂、符号Ｄはフィラー無しフッ素樹脂、符号Ｅはポ
リイミドを示している。
と吸水率との関係を示した図であり、符号Ａ、Ｂは共に
全芳香族液晶ポリエステル、符号Ｃはフィラー入りフッ
素樹脂、符号Ｄはフィラー無しフッ素樹脂、符号Ｅはポ
リイミドを示している。
【００２１】熱変形温度を考慮する必要がなければ、フ
ッ素系樹脂材料Ｃ，Ｄは吸水率が低く、シ−ル材として
有効であることが確認できる。ところが、熱変形温度
（ＪＩＳ Ｋ７２０７−１９８３ Ａ法及び，ＤＩＳ
７５−１９８４ Ａ法，ＡＳＴＭＤ６４８−８２等の当
該試験法）を考慮すると、フッ素系樹脂材料Ｃ，Ｄは対
象外となり、ポリイミドＥおよび全芳香族液晶ポリエス
テルＡ、Ｂが対象と成り得る。そして、全芳香族液晶ポ
リエステルＡ、Ｂの吸水率（０．１％以下）はポリイミ
ドＥの吸水率（０．７％）に比べて非常に低くなってお
り、シール材として有効であることが確認できる。
ッ素系樹脂材料Ｃ，Ｄは吸水率が低く、シ−ル材として
有効であることが確認できる。ところが、熱変形温度
（ＪＩＳ Ｋ７２０７−１９８３ Ａ法及び，ＤＩＳ
７５−１９８４ Ａ法，ＡＳＴＭＤ６４８−８２等の当
該試験法）を考慮すると、フッ素系樹脂材料Ｃ，Ｄは対
象外となり、ポリイミドＥおよび全芳香族液晶ポリエス
テルＡ、Ｂが対象と成り得る。そして、全芳香族液晶ポ
リエステルＡ、Ｂの吸水率（０．１％以下）はポリイミ
ドＥの吸水率（０．７％）に比べて非常に低くなってお
り、シール材として有効であることが確認できる。
【００２２】図３は、シ−ル材の吸水率とガス放出速度
との関係を示した図であり、符号Ｅ1 、Ａ1 は、それぞ
れポリイミド（吸水率０．７％）および全芳香族液晶ポ
リエステル（吸水率０．１％以下）をシール材として用
いた場合の第１回目の加熱脱ガス時の２００℃における
ガス放出速度を示し、符号Ｅ2 、Ａ2 は、それぞれ第１
回目の加熱脱ガス後に一旦大気開放し、その後再び加熱
脱ガス処理を行なった時のポリイミドおよび全芳香族液
晶ポリエステルの２００℃におけるガス放出速度を示し
ている。
との関係を示した図であり、符号Ｅ1 、Ａ1 は、それぞ
れポリイミド（吸水率０．７％）および全芳香族液晶ポ
リエステル（吸水率０．１％以下）をシール材として用
いた場合の第１回目の加熱脱ガス時の２００℃における
ガス放出速度を示し、符号Ｅ2 、Ａ2 は、それぞれ第１
回目の加熱脱ガス後に一旦大気開放し、その後再び加熱
脱ガス処理を行なった時のポリイミドおよび全芳香族液
晶ポリエステルの２００℃におけるガス放出速度を示し
ている。
【００２３】図から明らかなように、第１回目のガス放
出速度に対する第２回目のガス放出速度の改善率は吸水
率に依存し、吸水率の小さい全芳香族液晶ポリエステル
は吸水率の大きいポリイミドに比べて第２回目のガス放
出速度（約２×１０-6Ｔｏｒｒ・ｌ／ｓｅｃ／cm2 ：ａ
ｔ２００℃）の改善効果が大きいことがわかる。
出速度に対する第２回目のガス放出速度の改善率は吸水
率に依存し、吸水率の小さい全芳香族液晶ポリエステル
は吸水率の大きいポリイミドに比べて第２回目のガス放
出速度（約２×１０-6Ｔｏｒｒ・ｌ／ｓｅｃ／cm2 ：ａ
ｔ２００℃）の改善効果が大きいことがわかる。
【００２４】これは、予め各構成部品を単体で加熱脱ガ
ス処理し、装置を組み立てた後に再び加熱脱ガス処理を
行なうようにすれば、使用時の超高真空到達時間を従来
に比べて大幅に短縮でき、本発明のシール材を例えば電
界放射形電子顕微鏡等の超高真空装置に用いれば、その
作業性が格段に向上することを意味している。
ス処理し、装置を組み立てた後に再び加熱脱ガス処理を
行なうようにすれば、使用時の超高真空到達時間を従来
に比べて大幅に短縮でき、本発明のシール材を例えば電
界放射形電子顕微鏡等の超高真空装置に用いれば、その
作業性が格段に向上することを意味している。
【００２５】電界放射形電子顕微鏡の鏡体内は、使用目
的により真空レベルが区別され、それぞれの真空圧力を
得るための予備排気用の超高真空バルブが複数用意され
ている。したがって、この超高真空バルブに本発明のシ
ール材を用いれば、加熱脱ガス処理の作業性が格段に向
上する。
的により真空レベルが区別され、それぞれの真空圧力を
得るための予備排気用の超高真空バルブが複数用意され
ている。したがって、この超高真空バルブに本発明のシ
ール材を用いれば、加熱脱ガス処理の作業性が格段に向
上する。
【００２６】図４は各種真空用シ−ル材の温度とガス放
出速度との関係を示した図であり、符号Ｅ1 、Ｆ1 ，Ａ
1 は、それぞれポリイミド、ステンレスおよび全芳香族
液晶ポリエステルをシール材としたときの第１回目の加
熱脱ガス時におけるガス放出速度を示し、符号Ｅ2 、Ａ
2 は、それぞれポリイミドおよび全芳香族液晶ポリエス
テルをシール材としたときの、第１回目の加熱脱ガス後
に一旦大気開放し、その後再び加熱脱ガス処理を行なっ
た時のガス放出速度を示している。同図によれば、第２
回目の加熱脱ガス時における全芳香族液晶ポリエステル
のガス放出速度は、実質上、ステンレスとほぼ同等の値
を示していることがわかる。
出速度との関係を示した図であり、符号Ｅ1 、Ｆ1 ，Ａ
1 は、それぞれポリイミド、ステンレスおよび全芳香族
液晶ポリエステルをシール材としたときの第１回目の加
熱脱ガス時におけるガス放出速度を示し、符号Ｅ2 、Ａ
2 は、それぞれポリイミドおよび全芳香族液晶ポリエス
テルをシール材としたときの、第１回目の加熱脱ガス後
に一旦大気開放し、その後再び加熱脱ガス処理を行なっ
た時のガス放出速度を示している。同図によれば、第２
回目の加熱脱ガス時における全芳香族液晶ポリエステル
のガス放出速度は、実質上、ステンレスとほぼ同等の値
を示していることがわかる。
【００２７】図５は、上記した式(1) にポリイミドおよ
び全芳香族液晶ポリエステルのガス放出速度を代入して
求めた到達真空度を比較した図であり、吸水率の低い全
芳香族液晶ポリエステルの到達真空圧力および超真空到
達時間は、いずれもがポリイミドのそれを大きく下回っ
ており、シール材として全芳香族液晶ポリエステルを用
いれば加熱脱ガス処理時間が短縮されることがわかる。
び全芳香族液晶ポリエステルのガス放出速度を代入して
求めた到達真空度を比較した図であり、吸水率の低い全
芳香族液晶ポリエステルの到達真空圧力および超真空到
達時間は、いずれもがポリイミドのそれを大きく下回っ
ており、シール材として全芳香族液晶ポリエステルを用
いれば加熱脱ガス処理時間が短縮されることがわかる。
【００２８】なお、上記した実施例では、シール材を液
晶ポリエステル単体で構成するものとして説明したが、
本発明はこれのみに限定されるものではなく、耐熱性は
あるがガス放出速度が高い他の高分子材あるいは金属製
のシ−ル部材の表面に液晶ポリエステルをコ−ティング
することにより、表面が軟質でシール性に優れ、あらゆ
る形状のシール材を構成することができるようになる。
晶ポリエステル単体で構成するものとして説明したが、
本発明はこれのみに限定されるものではなく、耐熱性は
あるがガス放出速度が高い他の高分子材あるいは金属製
のシ−ル部材の表面に液晶ポリエステルをコ−ティング
することにより、表面が軟質でシール性に優れ、あらゆ
る形状のシール材を構成することができるようになる。
【００２９】
【発明の効果】上記したように、本発明によれば、以下
のような効果が達成される。 (1) 本発明によれば、シール材のガス放出量を少なく
（ガス放出速度を小さく）することができるので、加熱
脱ガス時間を短縮できるようになる。 (2) 予め各構成部品を単体で加熱脱ガス処理し、装置を
組み立てた後に再び加熱脱ガス処理を行なうようにすれ
ば、使用時の超高真空到達時間を大幅に短縮できるよう
になる。 (3) 試料交換時などに超高真空装置を一旦大気開放し、
その後再び超高真空状態に復帰させる場合、加熱脱ガス
時間を従来に比べて約２４時間程度短縮できるようにな
るので、装置の稼働率が大幅に向上する。 (4) ガス放出量は多いが耐熱性に優れた物質の表面に全
芳香族液晶ポリエステルを被着するようにすれば、その
適用範囲が拡がり、あらゆる形状のシール材を構成する
ことができるようになる。
のような効果が達成される。 (1) 本発明によれば、シール材のガス放出量を少なく
（ガス放出速度を小さく）することができるので、加熱
脱ガス時間を短縮できるようになる。 (2) 予め各構成部品を単体で加熱脱ガス処理し、装置を
組み立てた後に再び加熱脱ガス処理を行なうようにすれ
ば、使用時の超高真空到達時間を大幅に短縮できるよう
になる。 (3) 試料交換時などに超高真空装置を一旦大気開放し、
その後再び超高真空状態に復帰させる場合、加熱脱ガス
時間を従来に比べて約２４時間程度短縮できるようにな
るので、装置の稼働率が大幅に向上する。 (4) ガス放出量は多いが耐熱性に優れた物質の表面に全
芳香族液晶ポリエステルを被着するようにすれば、その
適用範囲が拡がり、あらゆる形状のシール材を構成する
ことができるようになる。
【図１】 本発明の一実施例である超高真空装置の断面
図である。
図である。
【図２】 各種シ−ル材の熱変形温度と吸水率との関係
を示した図である。
を示した図である。
【図３】 各種シ−ル材の吸水率とガス放出速度との関
係を示した図である。
係を示した図である。
【図４】 各種シ−ル材の温度とガス放出速度との関係
を示した図である。
を示した図である。
【図５】 吸水率の異なるシ−ル材の到達真空度を比較
した図である。
した図である。
１…超高真空装置、１１、１２…真空室、１３…気密シ
−ル材、１４…真空ポンプ、１５…排管
−ル材、１４…真空ポンプ、１５…排管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 修 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内 (72)発明者 中泉 泰 茨城県勝田市市毛882番地 株式会社日立 製作所計測器事業部内 (72)発明者 大蔵 昭光 茨城県勝田市市毛882番地 株式会社日立 製作所計測器事業部内 (72)発明者 木村 英一 茨城県勝田市市毛882番地 株式会社日立 製作所計測器事業部内
Claims (7)
- 【請求項１】 吸水率が０．１％以下で、熱変形温度が
加熱脱ガス処理温度以上である高分子材料から成ること
を特徴とする超高真空用シール材。 - 【請求項２】 ガス放出速度が２×１０-6（Ｔｏｒｒ・
ｌ／ｓｅｃ／cm2 ：ａｔ２００℃）以下で、熱変形温度
が加熱脱ガス処理温度以上である高分子材料から成るこ
とを特徴とする超高真空用シール材。 - 【請求項３】 シール材形状体の表面に、吸水率が０．
１％以下で、熱変形温度が加熱脱ガス処理温度以上であ
る高分子材料を被覆してなることを特徴とする超高真空
用シール材。 - 【請求項４】 シール材形状体の表面に、ガス放出速度
が２×１０-6（Ｔｏｒｒ・ｌ／ｓｅｃ／cm2 ：ａｔ２０
０℃）以下で、熱変形温度が加熱脱ガス処理温度以上で
ある高分子材料を被覆してなることを特徴とする超高真
空用シール材。 - 【請求項５】 前記高分子材料は全芳香族液晶ポリエス
テルであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれ
かに記載の超高真空用シール材。 - 【請求項６】 前記高分子材料はフィラーを含まないこ
とを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の超
高真空用シール材。 - 【請求項７】 前記請求項１ないし６のいずれかに記載
の超高真空用シール材を用いたことを特徴とする超高真
空装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4219587A JP3023246B2 (ja) | 1992-07-28 | 1992-07-28 | 超高真空用シール材ならびにこれを用いた超高真空装置および電子顕微鏡 |
| EP93112005A EP0581249B1 (en) | 1992-07-28 | 1993-07-27 | An ultra-high vacuum apparatus |
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