JPH0650980Y2 - 基板回転機構付きカーボンペデスタル - Google Patents

基板回転機構付きカーボンペデスタル

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JPH0650980Y2
JPH0650980Y2 JP705189U JP705189U JPH0650980Y2 JP H0650980 Y2 JPH0650980 Y2 JP H0650980Y2 JP 705189 U JP705189 U JP 705189U JP 705189 U JP705189 U JP 705189U JP H0650980 Y2 JPH0650980 Y2 JP H0650980Y2
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JP
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carbon
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carbon pedestal
shaft
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幸子 小野沢
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Description

【考案の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本考案は、半導体の製造装置に係り、特に高周波誘導加
熱を用いた気相成長法におけるカーボンペデスタルの構
造に関するものである。
(従来の技術) 従来、高周波誘導によりカーボンペデスタルを加熱し、
横型の反応炉でIII-V族の化合物半導体等の気相成長を
行う場合、成長層の膜質の均一性を図るために、基板回
転を行っていた。
第5図乃至第7図はかかる従来のカーボンペデスタルの
構造を示したものであり、第5図はそのカーボンペデス
タルの上面図、第6図はその下方から見た断面図、第7
図は側方から見た断面図である。
このペデスタルはすべてカーボンでできており、外部か
らの回転動力を伝える駆動部分1と、成長すべき基板を
載置して回転する回転皿3と、前記駆動部分1から回転
皿3へ回転動力を伝える歯車装置2、及びこれらを支え
る基台部分4から成っている。
ここで、回転皿3の軸5部分は円柱状であり、第7図に
示すように、基台部分4の円筒状の穴に位置するように
なっていた。
(考案が解決しようとする課題) しかしながら、上記構造のカーボンペデスタルでは、回
転皿3の軸5において、回転に伴って発生する基台部分
4と回転皿3の軸5との摩擦により、半導体の成長回数
が多くなるに従い、または成長時間が長くなるに従い、
あるいは基板の回転数が増えるに従い、カーボンの粉や
成長粕が軸5或いは、基台部分4の円筒状の穴に付着し
て、回転皿3が回転し難くなるという問題点があった。
本考案は、以上述べた回転皿の軸と基台部分との摩擦を
軽減し、外部からの動力をスムーズに回転皿に伝えるこ
とのできる基板回転機構付きカーボンペデスタルを提供
することを目的とする。
(課題を解決するための手段) 本考案は、上記目的を達成するために、高周波誘導によ
りカーボンペデスタルを加熱し、半導体を気相により成
長する横型の反応炉内で使用され、外部からの回転を伝
える駆動ギア部分、半導体を成長すべき基板を載置して
回転する回転皿、及びこれらを支持する基台から成る基
板回転機構付きカーボンペデスタルにおいて、前記回転
皿の軸を、角を丸くした多角柱とするようにしたもので
ある。
(作用) 本考案によれば、基板回転機構付きのペデスタルにおい
て、回転皿の軸5を角を丸くした多角柱とすることによ
り、回転に伴う回転皿の軸と基台部分4との摩擦を低減
し、スムーズな駆動を行うことができる。
(実施例) 以下、本考案の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
第1図は本考案の実施例を示すカーボンペデスタルの上
面図、第2図はその下方から見た断面図、第3図は側方
から見た断面図、第4図は第2図のA部拡大断面図であ
る。
この基板回転機構付きカーボンペデスタルは全てカーボ
ンでできており、外部からの回転動力は駆動部分1に伝
えられ、成長すべき基板を載置する回転皿3が歯車装置
2により回転駆動される。ここで、回転皿3の軸6は基
台部分4の円筒状の穴に位置するようになっている。
そして、カーボンペデスタルの回転皿3の軸6はその側
面を削ることにより、角を丸くした多角柱となし、基台
部分4と接触する部分が少なくなるように構成する。
この実施例の場合には、回転皿3の軸6の断面は正方形
に近い形状となっており、基台部分4との接触部分は従
来のものに比して約1/4となっている。
なお、本考案は上記実施例に限定されるものではなく、
本考案の趣旨に基づき種々の変形が可能であり、それら
を本考案の範囲から排除するものではない。
(考案の効果) 以上、詳細に説明したように、本考案によれば、カーボ
ンペデスタルの回転皿の軸を角を丸くした多角柱とし、
基台部分との接触面積を減らすことにより、基板回転に
より生じる摩擦を低減するようにしたので、半導体の成
長回数、成長時間、基板回転の回転数等の要因に左右さ
れることなく、基板回転をスムーズに行うことができ
る。
また、その構成は極めて簡単であり、それによってもた
らされる実用的効果は著大である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の実施例を示すカーボンペデスルの上面
図、第2図はその下方から見た断面図、第3図はその側
方から見た断面図、第4図は第2図のA部拡大断面図、
第5図は従来のカーボンペデスタルの上面図、第6図は
その下方から見た断面図、第7図はその側方から見た断
面図である。 1…駆動部分、2…歯車装置、3…回転皿、4…基台部
分、6…軸。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】高周波誘導によりカーボンペデスタルを加
    熱し、半導体を気相により成長する横型の反応炉内で使
    用され、外部からの回転を伝える駆動ギア部分、半導体
    を成長すべき基板を載置して回転する回転皿及びこれら
    を支持する基台から成る基板回転機構付きカーボンペデ
    スタルにおいて、 前記回転皿の軸を角を丸くした多角柱としたことを特徴
    とする基板回転機構付きカーボンペデスタル。
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JP6683545B2 (ja) * 2016-06-15 2020-04-22 文治 松本 歯ブラシ

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