JPH06510090A - カソードスパッタリング用ターゲットエレメント - Google Patents

カソードスパッタリング用ターゲットエレメント

Info

Publication number
JPH06510090A
JPH06510090A JP5504998A JP50499893A JPH06510090A JP H06510090 A JPH06510090 A JP H06510090A JP 5504998 A JP5504998 A JP 5504998A JP 50499893 A JP50499893 A JP 50499893A JP H06510090 A JPH06510090 A JP H06510090A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
target
support
metal
inorganic compound
target element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5504998A
Other languages
English (en)
Inventor
カンペ,ギイ
シヤバニヨ,ジヤン−ミシエル
ドウラ,クロード
ポルテイエ,ジヨゼフ
サラルデエンヌ,ジヤン
Original Assignee
ソシエテ・ナシオナル・エルフ・アキテーヌ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ソシエテ・ナシオナル・エルフ・アキテーヌ filed Critical ソシエテ・ナシオナル・エルフ・アキテーヌ
Publication of JPH06510090A publication Critical patent/JPH06510090A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/083—Oxides of refractory metals or yttrium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/4998—Combined manufacture including applying or shaping of fluent material
    • Y10T29/49982—Coating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Coating By Spraying Or Casting (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 カソードスパッタリング用ターゲットエレメント本発明はカソードスパッタリン グ用ターケットエレメントに係る。本発明は更に、前記エレメントの製造方法及 び前記エレメントから構成されるターゲット、特に大面積ターゲットに係る。
特殊な特性を有する薄層により種々の材料をコーティングする技術は、現在めざ ましい発展を遂げている。特に、金属上の腐食防止層の堆積、光学ガラス上の反 射防止層の堆積、又は機械的素子上の超硬質材料の堆積を挙げることができる。
このような層を作成するために、特にコーティング層を生成する化合物の種類に 依存して多くの方法が提案されている。即ち、コーティング生成用化合物が気体 である場合には、プラズマ式又は非プラズマ式の種々の化学的気相蒸着法を利用 することができる。コーティング生成用化合物が液体又は可溶性であるならば、 金属層を堆積する場合には電気化学的方法を使用することができ、あるいはスピ ンコーティング又はホントスプレーのような堆積法を使用することができる。
コーティング生成源が固体材料である場合にコーティングを作成するために最も 広く使用されている方法はカソードスパッタリングである。このような方法では 、金属もしくは金属合金から構成されるか又は非常に高い融点を有する無機化学 化合物(例えばセラミック又は耐火性酸化物)から構成される「ターゲット材料 」又は「ターゲット」と通称されるコーティング生成用固体材料を使用し、ター ゲット材料から粒子を放出させるために十分なエネルギーを有するイオンをター ゲット材料に衝突させ、被覆対象に粒子を堆積させ、被覆対象上に所望のコーテ ィングを形成する。
ターゲット材料から放出される粒子により形成される堆積物の均質性と成長速度 により、対象上に堆積すべき前記ターゲット材料の表面は十分な寸法を有する必 要がある。
従って、大面積の対象(例えば窓ガラス)に被覆する場合には、大面積のターゲ ットを使用することが必要になり、ターゲットの面積は被覆対象よりも広いほう が有利である。
金属又は金属合金から大面積のターゲットを製造する場合には問題がないとして も、高融点を有する無機化学化合物のような材料を使用する場合には問題がある 。実際に、このような材料からターゲットを製造するには、セラミック又は使用 材料からなる焼結生成物を中間的に製造しなければならない。大面積のセラミッ ク又は焼結生成物を製造するには最適プロセスを逐次調整することが必要であり 、このような調整はほとんどの場合に時間がかかり、困難であり、従って費用が かかり、更に必ず専門家が実施しなければならない。
本発明は大面積のターゲットを簡単に製造することが可能なカソードスパッタリ ング用ターゲットエレメントを提案するものであり、該エレメントはセラミック 又は焼結分野の専門知識をもたない者でも実施することが可能な簡単で迅速で且 つ廉価な方法により得ることができる。
本発明のカソードスパッタリング用ターゲットエレメントは、融点〉300℃の 無機化合物の層がその厚みの少なくとも一部において金属フオーム又はフェルト から構成される支持体層に侵入し、無機化合物と支持体とが相互に侵入し合い且 つ厚さが支持体層以下である複合層を支持体層と共に形成するように、前記支持 体上に堆積された前記無機化合物の層から構成されることを特徴とする。
有利には、複合層の厚さeは支持体層の全厚e、(即ち無機化合物に含浸された 支持体層の部分の厚さと無機化合物を含まない支持体層の部分の厚さとの和)の 10〜100%、好ましくは50〜100%に相当し得る。
更に、複合層の厚さeは無機化合物が存在する層の全厚ec(即ち支持体の外側 に位置する無機化合物の層の部分の厚さと支持体に含まれる無機化合物の層の部 分の厚さとの和)の10〜100%、好ましくは20〜80%に相当し得る。
無機化合物の支持体として使用される金属フオーム又はフェルトは前記無機化合 物に対して実質的に不活性な金属又は金属合金から形成される。本発明に従って 使用可能な金属フオーム又はフェルトの非限定的な例としては、金、白金、ニッ ケル、チタン又は銅フオーム又はフェルトを挙げることができる。金属フオーム 又はフェルトの気孔率は非常に広い範囲であり、はとんどの場合は>90%であ る。
ターゲットエレメントの無機化合物は特に融点〉300℃の金属酸化物、硫化物 、ハロゲン化物又はオキシハロゲン化物であり、該無機化合物は遷移金属又は非 遷移金属であり得る1種以上の金属から得られる。
特に、ターゲットエレメントの無機化合物は式:Ea’Zs ’ 及U M 、 °T、’Z、’[式中、Eは元素周期表のf−VIII族の少な(とも1種の金 属(例えばFe、Cu、Co。
Ni、Ti、Cr、Mo、Sn、W及びIn)を表し、M及びTは元素周期表の ■〜VTII族の2種の異なる金属(例えばMはLi、Na、に、Ag、Cu及 びTIであり、TはNi、Co、W、Mn、Fe、Cr、V及びTiである)を 表し、Zは酸素、硫黄、フッ素及び塩素から選択される少な(とも1種の元素で あり、記号に、q、n及びpは夫々元素E、M、T及びZの平均酸化度を表し、 α及びβはαに+βp=0となるような正の整数を表し、X、y及びZはqx+ ny+pZ=Oとなるような正の整数を表す〕のいずれかに対応し得る。
各元素に適用される平均酸化度なる用語は、該当元素が該当化合物中で複数の酸 化度を有し得ることを意味する。
無機化合物は特に酸化物、特に式:E、’Oβ2−及びM 、 QT、’O,’ −[式中、ELt元素周期表のI−VIII族の少なくとも1種の金R(例えば Fe、Cu、Co、Ni、W。
Mo、Ti、Cr、Sn及びIn)であり、M及びTは元素周期表の2種の異な る金属(例えばMはLi、Na、K。
Ag、Cu及びTIであり、TはNi、Co、W、Mn。
Cr、Fe、V及びTiである)を表し、記号に、(l及びnは夫々元素E、M 及びTの平均酸化度を表し、α及びβはαに一2β=0となるような正の整数を 表し、x、y及び2はQ X + n y −2z = Oとなるような正の整 数を表すコのいずれかを有する酸化物であり得る。このような酸化物の非限定的 な例としては、WO3,Mo 03. Cr 203. Ti 02. F e  203. L i 、、N i 02 (0≦V≦1)、LiCry2.Li Fe○2.LiWO3及びLi2WO,を挙げることができる。
本発明のターゲットエレメントは大面積ターゲットエレメントとして直接得られ る。また、得ようとする大面積ターゲットの面積よりも小さい面積を有するター ゲットエレメントを作成した後、後述するように複数のこのようなエレメントを 結合して大面積ターゲットエレメントを形成することも可能である。
大面積であるか小面積であるかに拘わらず、本発明のり−ゲントエレメント製造 方法は、選択される無機化合物の前駆物質系を金属フオーム又はフェルト層から 構成される支持体に塗布し、無機化合物の前駆物質系の層で被覆された支持体か ら構成されるアセンブリにQ、1MPa〜15M P a 、好ましくは0.1 MPa 〜5MPaの圧力を加え、アセンブリを焼結するのに適切であり且つ支 持体の融点よりも低い300〜1600’C1好ましくは600〜1200°C の温度に該アセンブリを加熱し、焼結アセンブリを得るための十分な時間前記ア センブリを到達温度に維持し、その後、急冷現象を避けながら焼結アセンブリを 周囲温度まで冷却することを特徴とする。
無機化合物の前駆物質系は、特に式、E、kZ、pの上記化合物の場合、特に式 :EakOa”−の上記酸化物の場合などには無機化合物自体から構成され得る 。無機化合物の前駆物質系は更に、上記温度の化学反応により所期無機化合物を 生成する成分の混合物から構成してもよい。従って、無機化合物が式M、’T、 ’Z、’(7)化合物、特に式M 、 a T 、 ′O、Q−の酸化物から構 成される場合には、無機化合物の前駆物質系は、上記温度で反応して化合物M、 ’T、”Z 、+1を形成することか可能な金属Mの化合物と金属Tの化合物を 適当な割合で含む混合物から構成され得る。例えば、無機化合物が式M、”T、 ”0,2−の酸化物即ちセラミック型の混合酸化物である場合には、このような 酸化物の前駆物質混合物は有利には式M 、a (COs)、−/2の金属Mの 炭酸塩と式T、 nOoア/22−の金属Tの酸化物との混合物から構成され得 る。
従って、式LizNiO2,Li、CrO,LiFeO2及びLi2WO4のセ ラミック型の無機化合物は等モル量のLi、CO3とNip、L 1zco3と Cr2O3、Li2CO5とFe2O3又はLi2C0,とWO3を夫々含有す る前駆物質混合物から形成される。
金属フオーム又はフェルト支持体に塗布するためには、無機化合物の前駆物質は 支持体の気孔率に適応する粒度の粉末形態であり得る。この場合には、金属フオ ーム又はフェルト支持体に粉末を散布することにより該支持体に無機化合物の前 駆物質系を塗布する。
前駆物質系を水又は有機液体のような1種以上の液体と混合することによりコー ティングペーストを調製するか、又は従来のゾル/ゲル法の任意の1種により粉 末状前駆物質系からゲルを調製した後、金属フオーム又はフェルト支持体に前記 ペースト又は前記ゲルを被覆してもよい。
上述のように、支持体を形成する金属フオーム又はフェルトは好ましくは無機化 合物及びその前駆物質系に対して実質的に不活性な金属又は金属合金から構成さ れ、例えば金、白金、チタン、銅又はニッケルのような金属から構成される。
ペースト又はゲル型の湿潤生成物を被覆することにより支持体に無機化合物の前 駆物質系を塗布する場合には、支持体にペースト又はゲルを被覆することにより 形成されたアセンブリを乾燥し、実質的に乾燥した生成物を得た後に圧力の作用 を加える(圧縮段階)と有利である。
無機化合物の前駆物質系で被覆した支持体から構成されるアセンブリの圧縮は、 金属フオーム又はフェルト支持体に中程度の圧潰をもたらすように実施される。
前記圧縮は、圧縮後の支持体層が該支持体層の初期厚さの少なくとも10%、好 ましくは少なくとも50%に相当するように実施すると有利である。
圧縮したアセンブリを300−1600’Cの温度に加熱する際には、特に無機 化合物の表面層の亀裂の原因となる熱衝撃を避けるように昇温速度を制御すると 有利である。
昇温速度は0.05〜30°C/分、特に0.1〜15°C/分にすると満足な 結果が得られる。
また、アセンブリを300〜1600°Cの温度から周囲温度に冷却する際には 、過度に迅速な冷却を避け、冷却中にアセンブリの急冷を生じないようにしなけ ればならない。
0.05〜30°C/分、特に0.1〜b度で操作すると有利である。
本発明のターゲットエレメントを金属フオーム又はフェルト支持体の側で熱及び 電気伝導性接着剤により金属基板(例えば黄銅、アルミニウム、チタン、銅、タ ングステン又はステンレス鋼基板)に接着し、カソードスパッタリング装置に取 り付は可能なターゲットを形成する。
本発明によると、例えば約400cm2〜1m2の大面積ターゲットエレメント を直接形成し、上述のように対応する面積の金属基板に前記エレメントを接着し 、大面積のターゲットを作成することができる。
作成すべき大面積ターゲットよりも小さい面積を有する本発明のターゲットエレ メントを作成した後、作成すべき大面積ターゲットに対応する面積の金属基板上 に、大面積ターゲットに所望される面積に対応する面積を覆うように複数のター ゲットエレメントを結合して並べ、前記基板に上述のように接着することにより 、大面積のターゲットを作成することも可能である。
有利には、上述のように適切な面積の金属基板上に1又は複数のターゲットエレ メントを接着することにより得られる小面積、小面積又は大面積のターゲットで は、金属基板は単一のターゲットエレメントの外形又は小面積のターゲットエレ メントを並べて結合することにより得られたターゲットエレメントの外形を包囲 する外形を有する面積を有しており、金属基板とターゲットエレメントの外形は 、ターゲットエレメントを接着した金属基板の面上にターゲットエレメントを包 囲する周辺領域を規定するように好ましくは相互に平行である。この周辺領域に 金属基板を貫通するオリフィスを穿孔し、カソードスパッタリング装置の支持部 材にターゲットを固定するための固定部材(例えばねじ等)を挿通ずる。
添付図面中、図1a及び1bは大面積を有する単一ターゲットエレメントから得 られる大面積ターゲットの概略平面図(図1a)及び縦断面図(図1b)であり 、図2a及び2bは複数の小面積ターゲットエレメントから得られる大面積ター ゲットの概略平面図(図2a)及び縦断面図(図2b)である。
図1a及び1b中、大面積ターゲット1は例えば長さ30cm及び幅20cmを 有する矩形の大面積ターゲットエレメント2からなる。エレメント2は熱及び電 気伝導性接着剤(例えば銀を含有するエポキシ系2成分伝導性接着剤)の層3を 介して矩形エレメント2よりもわずかに大きい寸法を有する金属基板4に結合さ れている。矩形金属基板4の縁部5〜8により形成される外形は、エレメント2 を接着した金属基板の面13上に該エレメント2を包囲する周辺領域14を規定 するように、矩形ターゲットエレメント2の縁部9〜12により形成される外形 を包囲し且つこれに平行である。この周辺領域に金属基板を貫通するオリフィス (例えば15)を穿孔し、カソードスパッタリング装置の支持部材にターゲット 1を取り付けるための固定部材(例えばねじ等)を挿通ずる。ターゲットエレメ ント2は、融点〉300℃の無機化合物(特にセラミック又は耐火性酸化物)の 層16を金属フオーム又はフェルト及び該無機化合物から構成される複合層17 に結合することにより構成され、金属フオーム又はフェルト及び有機化合物は前 記複合層の全厚において相互に侵入し合い、層16は複合層17の縁部も被覆し 得る。
図2a及び2b中、大面積ターゲット21は例えば長さ33cm及び幅20cm の矩形の大面積ターゲットエレメント22からなり、各々例えば1辺IQcmの 正方形の6個のターゲットエレメント36〜41を並べて結合することにより形 成される。ターゲットエレメント22を形成するターゲットエレメント36〜4 1は、熱及び電気伝導性接着剤(例えば銀を含有するエポキシ系2成分伝導性接 着剤)の層23により矩形エレメント22よりもわずかに大きい寸法を有する金 属基板24に結合されている。矩形金属基板24の縁部25〜28により形成さ れる外形は、エレメント22を形成するターゲットエレメント36〜41を接着 した金属基板の面33上に該エレメント22を包囲する周辺領域34を規定する ように、矩形エレメント22の縁部29〜32により形成される外形を包囲し且 つこれに平行に配置される。この周辺領域に金属基板を貫通するオリフィス(例 えば35)を穿孔し、ターゲット21をカソードスパッタリング装置の支持部材 に取り付けるための固定部材(例えばねじ等)を挿通する。大面積エレメント2 2を形成するために結合されるターゲットエレメント36〜41は、融点〉30 0℃の無機化合物(特にセラミック又は耐火性酸化物)の層16を金属フオーム 又はフェルトと前記無機化合物から構成される複合層17に結合することにより 各々構成される本発明のエレメントであり、金属フオーム又はフェルトと無機化 合物は複合層の全厚において相互に侵入し合い、層16は複合層17の縁部をも 被覆し得る。
本発明のターゲットエレメントを構成するために金属フオーム又はフェルトから 構成される支持体を使用すると、ターゲットの良好な機械的挙動を容易に得るこ とができる。
以下、非限定的な実施例により本発明を説明する。
酸化インジウム/酸化錫ターゲットエレメント及び対応するターゲット いずれも粒度10〜100μmの粉末形態である酸化インジウムIn20514 g及び酸化錫SnO,1gを乳鉢に入れた。次に乳鉢の内容物に水10gを加え 、均質なペーストが得られるまで全体を混合した。単位面積当たり質量1 k  g/m”及び厚さ1.7〜2mmを有する金フオームシートから1辺10cmの 正方形プレートを切り取り、スパチュラを使用してフオームプレートの片面を上 記ペーストで被覆した。この被覆はフオームシートが見えなくなるまで行った。
次に110℃のオーブンに1時間維持することにより、被覆後のアセンブリを乾 燥した。乾燥したアセンブリを次にプレスに入れ、周囲温度でIMPaの圧力の 作用下に1分間このプレスで圧縮した。次に圧縮したアセンブリをオーブンに入 れ、オーブン温度を5°C/分の速度で周囲温度から950°Cに上昇させ、次 いで950℃に6時間維持し、最後にオーブン温度を5℃/分の速度で950℃ から周囲温度に低下させることからなる熱処理をこのオーブン内で行った。上記 種々の操作は大気雰囲気(周囲大気)下で実施した。
熱処理後、酸化インジウム/酸化錫ターゲットエレメントを構成するアセンブリ として、金フオームとインジウム及び錫の混合酸化物とがフオーム層の全厚にお いて相互に侵入し合った厚さ1mmの複合層に厚さ2mmのインジウム及び錫の 混合酸化物層を接着してなるアセンブリを得た。
上記のように得られたターゲットエレメントを支持する基板の面に幅1cmの周 辺領域を残し、銀を含有するエポキシ系2成分伝導性接着剤により1辺12cm の正方形のステンレス鋼基板にターゲットエレメントを接着し、前記周辺領域に ねじのような固定部材を挿通するためのオリフィスを穿孔した。こうして図1a 及び1bに略示するような構造と100cm2の有効面積(ターゲットエレメン トの面積)を有するターゲットを得た。
こうして作成したターゲットをカン−トスバッタリングで使用し、種々の電気化 学システムで特に透明電極として使用可能なインジウム及び錫の混合酸化物の透 明薄膜堆積物をガラス支持体上に生成した。このターゲットを使用して得られた 透明薄膜堆積物を分析した処、堆積物中に金は検出されず、混合酸化物の支持体 として使用したフオームは表面に現れないことが判明した。
実施例2: 酸化インジウム/酸化錫ターゲットエレメント及び対応する大面積ターゲット 実施例1に記載したように操作することにより、各々面積100cm2と実施例 1に示す構造を有する酸化インジウム/酸化錫ターゲットエレメントを作成した 。
こうして得られた6個のターゲットエレメントが長さ34cm幅24cmの矩形 ステンレス鋼基板上に長さ30cm幅20cmの矩形面積を占有するように、タ ーゲットエレメントを支持する基板の面に幅2cmの周辺領域を残し、銀を含有 するエポキシ系2成分伝導性接着剤によりこれらのターゲットエレメントを金属 フオーム側で基板に接着し、周辺領域にねじのような固定部材を挿通するための オリフィスを穿孔した。こうして図2a及び2bに略示するような構造と有効面 積(ターゲットエレメントアセンブリにより占有される面積)60Qcm2を有 する大面積ターゲットを得た。
こうして作成したターゲットを直流カソードスパッタリングで使用し、大面積ガ ラス支持体上にインジウム及び錫の混合酸化物の透明薄膜堆積物を生成した。得 られた透明薄膜堆積物は金を全く含んでいなかった。
実施例3: 酸化タングステンターゲットエレメント及び対応するターゲット 酸化インジウム及び酸化錫の代わりに粒度1oμm〜100μmの粉末形態の酸 化タングステンwosl Ogを使用し、5gの水で酸化タングステンペースト を形成した以外は実施例1と同様に操作した。
熱処理後、酸化タングステンターゲットエレメントを構成するアセンブリとして 、金フオームとwo3とがフオーム層の全厚において相互に侵入し合った厚さ1 mmの複合層に厚さ2mmの酸化タングステンW O3の層を接着してなるアセ ンブリを得た。
前記ターゲットエレメントを実施例1に記載したように1辺12cmの正方形の タングステン基板にフオーム側で接着した。こうして図1a及び1bに示すよう な構造と有効面積100cm2を有するターゲットを得た。
実施例4゜ リチウム及びニッケルの混合酸化物ターゲットエレメント及び対応するターゲッ ト いずれも粒度10μm〜100μmの粉末形態である炭酸リチウムL i 2C O33,7g及び酸化ニッケルNi07゜5gを乳鉢に入れ、均質な生成物が得 られるまで全体を混合した。
単位面積当たり質量0. 5 k g/m2及び厚さ約2mmを有する銅フオー ムシートから1辺IQcmの正方形プレートを切り取り、L1□CO3及びNi Oの粉末混合物をフィー一ムプレートの片面に分散した。次に、得られたアセン ブリをプレスに入れ、周囲温度で1.5MPaの圧力の作用下に5分間このプレ スで圧縮した。圧縮したアセンブリを次にオーブンに入れ、オーブン温度を10 ℃/分の速度で周囲温度から400℃に上昇させた後、400℃に6時間維持し て炭酸リチウムを完全に分解させ、次いでオーブン温度を106C/分の速度で 850℃まで上昇させた後、850℃に6時間維持し、最後にオーブン温度を1 0°C/分の速度で850℃から周囲温度に低下させることからなる熱処理をこ のオーブンで行った。上記種々の操作は大気雰囲気下で実施した。
熱処理後、式LiNiO2のリチウム及びニッケル混合酸化物ターゲットエレメ ントを構成するアセンブリとして、銅フオームと混合酸化物LiNiO2とがフ オーム層の全体で相互に侵入し合った厚さ1mmの複合層に厚さ2mmの混合酸 化物LiNiO2層を接着してなるアセンブリを得た。
得られたターゲットエレメントを実施例1に記載したように1辺12cmの正方 形黄銅基板に接着した。こうして図1a及びlbに示すような構造と有効面積1 00cm2を有するターゲットを得た。
こうして作成したターゲットを直流カソードスパッタリングで使用し、基板上に リチウム及びニッケルの混合酸化物の薄膜堆積物を生成した。得られた薄膜堆積 物は銅を全く含まず、基板として使用したフオームはターゲットエレメントの表 面に現れないことが判明した。
リチウム及びクロム混合酸化物ターゲットエレメント及び対応するターケント 酸化ニッケルの代わりに酸化クロムCrzO37,6gを使用し、銅フオームの 代わりに単位面積当たり質量0. 5kg/m2及び厚さ約2mmを有するニッ ケルフオームを使用した以外は実施例4と同様に操作した。
熱処理後、リチウム及びクロム混合酸化物ターゲットエレメントを構成するアセ ンブリとして、ニッケルフオームとリチウム及びクロム混合酸化物とがフオーム 層の全厚において相互に侵入し合った厚さ1mmの複合層に厚さ3mmのリチウ ム及びクロム混合酸化物層を接着してなるアセンブリを得た。
得られたターゲットアセンブリを実施例1に記載したように1辺12cmの正方 形の黄銅プレートにフオーム側で接着した。こうして、図1a及び1bに示すよ うな構造と有効面積100cm2を有するターゲットを得た。
こうして作成したターゲットをカソードスパッタリングで使用し、基板上にリチ ウム及びクロムの混合酸化物の薄膜堆積物を生成した。得られた薄膜堆積物はニ ッケルを全く含まず、支持体として使用したフオームはターゲットエレメントの 表面に現れないことが判明した。
酸化ニッケルの代わりに8gの酸化鉄Fe2O3を使用し、銅フオームの代わり に単位面積当たり質量1kg/m2及び厚さ約2mmを有する金フオームを使用 し、炭酸リチウムの分解後にオーブン温度を950°Cに上昇させた以外は実施 例4と同様に操作した。
熱処理後、リチウム及び鉄混合酸化物ターゲットエレメントを構成するアセンブ リとして、金フオームとリチウム及び鉄混合酸化物とがフオーム層の全厚におい て相互に侵入し合った厚さ1mmの複合層に厚さ2.5mmのリチウム及び鉄混 合酸化物の層を接着してなるアセンブリを得た。
得られたターゲットエレメントを実施例1に記載したように1辺12cmの正方 形アルミニウムプレートにフオーム側で接着した。こうして、図1a及び1bに 示すような構造と有効面積100cm2を有するターゲットを得た。
こうして作成したターゲットをカソードスパッタリングで使用し、リチウム及び 鉄混合酸化物の薄膜を生成した。
得られた薄膜は金を全く含んでいなかった。
実施例7: リチウム及びタングステン混合酸化物ターゲットエレメント及び対応するターゲ ット 炭酸リチウムと酸化クロムの混合物の代わりに、試験Aでは炭酸リチウム3.7 g及びWO346g、試験Bでは炭酸リチウム7.4g及びWO346gを含有 する粒度10μm〜100μmの粉末混合物を使用した以外は実施例5と同様に 操作することにより、リチウム及びタングステン混合酸化物ターゲットエレメン トを作成する2種の試験(A及びB)を実施した。
熱処理後、リチウム及びタングステン混合酸化物ターゲットエレメントを構成す るアセンブリとして、ニッケルフオームとリチウム及びタングステン混合酸化物 とが相互に侵入し合い且つ厚さがフオーム層の全厚に相当する厚さ1mm(試験 A及び試験B)の複合層に厚さ2mm(試験A)又は2.5mm(試験B)のリ チウム及びタングステン混合酸化物層を接着してなるアセンブリを得た。得られ たターゲットエレメントの各々を実施例1に記載したように1辺12cmの正方 形のタングステンプレートにフオーム側で接着した。こうして図1a及び1bに 示すような構造と有効面積100cm”を有するターゲットを得た。
麺−m−−s+sw−mQII+1wPmmm b flwmm mM)1−− 1−w 徨幽−11畑陽雫嘲−一011Kw IDP fk Mに−P−−km −帥呵−−−−−we−−1erdm−sg−−09/12/92フロントペー ジの続き (72)発明者 ドウラ、クロード フランス国、エフ−33400・タランス、レズイダンス・ボア・ダルスイ・べ ・332(72)発明者 ボルテイエ、ジョゼフフランス国、エフ−33170 ・グラデイニイアン、リュ・ドウ・ガゼラン、9 (72)発明者 サラルデエンヌ、シャンフランス国、エフ−33600・ペサ ツク、アブニュ・レイモン・ポワベン、43

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.融点>300℃の無機化合物の層(16)がその厚みの少なくとも一部にお いて金属フォーム又はフェルトから構成される支持体層に侵入し、無機化合物と 支持体とが相互に侵入し合い且つ厚さが支持体層以下である複合層(17)を支 持体層と共に形成するように、前記支持体上に堆積された前記無機化合物の層か ら構成されることを特徴とするカソードスパッタリング用ターゲットエレメント (2,22)。 2.複合層の厚さeが支持体層の全厚e■の10〜100%、好ましくは50〜 100%に相当することを特徴とする請求項1に記載のターゲットエレメント。 3.複合層の厚さeが、無機化合物を含む層の全厚ecの10〜100%、好ま しくは20〜80%に相当することを特徴とする請求項1又は2に記載のターゲ ットエレメント。 4.無機化合物の支持体として使用される金属フォーム又はフェルトが、該無機 化合物に対して実質的に不活性な金属又は金属合金から形成されることを特徴と する請求項1から3のいずれか一項に記載のターゲットエレメント。 5.無機化合物の支持体が金、白金、ニッケル、チタンもしくは銅フォーム又は フェルトから形成されることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載 のターゲットエレメント。 6.金属フォーム又はフェルトが>90%の気孔率を有することを特徴とする請 求項1から5のいずれか一項に記載のターゲットエレメント。 7.無機化合物が融点>300℃の金属酸化物、硫化物、ハロゲン化物又はオキ シハロゲン化物であり、前記無機化合物が遷移金属又は非遷移金属である1種以 上の金属から得られることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の ターゲットエレメント。 8.式:EαkZβp及びMxqTynZzp[式中、Eは元素周期表のI〜V III族の少なくとも1種の金属(例えばFe,Cu,Co,Ni,Ti,Cr ,Mo,W,Sn及びIn)を表し、M及びTは元素周期表のI〜VIII族の 2種の異なる金属(例えばMはLi,Na,K,Ag,Cu及びTlであり、T はNi,Co,W,Mn,Fe,Cr,V及びTiである)を表し、Zは酸素、 硫黄、フッ素及び塩素から選択される少なくとも1種の元素であり、記号k,q ,n及びpは夫々元素E,M,T及びZの平均酸化度を表し、α及びβはαk+ βp=0となるような正の整数を表し、x,y及びzはqx+ny+pz=0と なるような正の整数を表す]のいずれかに対応することを特徴とする請求項1か ら6のいずれか一項に記載のターゲットエレメント。 9.無機化合物が酸化物、特に式:Eαk=Oβ2−及びMxqTynOx2− [式中、Eは元素周期表のI〜VIII族の少なくとも1種の金属(例えばFe ,Cu,Co,Ni,W,Mo,Ti,Cr,Sn及びIn)であり、M及びT は元素周期表の2種の異なる金属(例えばMはLi,Na,K,Ag,Cu及び Tlであり、TはNi,Co,W,Mn,Cr,Fe,V及びTiである)を表 し、記号k,q及びnは夫々元素E,M及びTの平均酸化度を表し、α及びβは αk−2β=0となるような正の整数を表し、x,y及びzはqx+ny−2z =0となるような正の整数を表す]のいずれかに対応する酸化物であることを特 徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載のターゲットエレメント。 10.融点>300℃の無機化合物の前駆物質系を金属フォーム又はフェルトの 層から構成される支持体に塗布し、無機化合物の前駆物質系層で被覆された支持 体から構成されるアセンブリに0.1MPa〜15MPaの圧力を加え、アセン ブリを焼結するのに適しており且つ支持体の融点よりも低い300〜1600℃ の温度にアセンブリを加熱し、焼結アセンブリを得るために十分な時間、アセン ブリを到達温度に維持し、その後、急冷現象を避けるように焼結アセンブリを室 温まで冷却することを特徴とする請求項1に記載のターゲットエレメントの製造 方法。 11.無機化合物の前駆物質系層で被覆した支持体から形成されるアセンブリに 加える圧力が0.1MPa〜5MPaであることを特徴とする請求項10に記載 の方法。 12.圧力作用後にアセンブリを加熱及び維持する温度が600〜1200℃で あることを特徴とする請求項10又は11に記載の方法。 13.無機化合物の前駆物質系が該無機化合物自体からなり、該化合物が特に式 :EαkZβp[式中、Eは元素周期表のI〜VIII族の少なくとも1種の金 属(例えばFe,Cu,Co,Ni,Ti,Cr,Mo,W,Sn及びIn)で あり、Zは酸素、硫黄、フッ素及び塩素から選択される少なくとも1種の元素で あり、記号k及びpは夫々元素E及びZの平均酸化度を表し、α及びβはαk+ βp=0となるような正の整数である]の化合物であることを特徴とする請求項 10から12のいずれか一項に記載の方法。 14.無機化合物の前駆物質系が該無機化合物自体からなり、該化合物が酸化物 、特に式:EαkOβ2−[式中、Eは元素周期表のI〜VIII族の少なくと も1種の金属(例えばFe,Cu,Co,Ni,W,Mo,Ti,Cr,Sn及 びIn)であり、記号kは金属Eの平均酸化度を表し、α及びβはαk−2β= 0となるような正の整数である]の酸化物であることを特徴とする請求項10か ら12のいずれか一項に記載の方法。 15.無機化合物の前駆物質系が焼結のために選択される温度での化学反応によ り所望の無機化合物を生成する成分の混合物から形成されることを特徴とする請 求項10から12のいずれか一項に記載の方法。 16.無機化合物が式:MxqTynZzp[式中、M及びTは元素周期表のI 〜VIII族の2種の異なる金属(例えばMはLi,Na,K,Ag,Cu及び Tlであり、TはNi,Co,W,Mn,Fe,Cr,V及びTi)であり、Z は酸素、硫黄、フッ素及び塩素から選択される少なくとも1種の元素であり、記 号q,n及びpは夫々元素M,T及びZの平均酸化度を表し、x,y及びzはq x+ny+pz=0となるような正の整数を表す]の化合物であり、無機化合物 の前駆物質系が300〜1600℃の温度で反応して化合物MxqTynZzp を形成することが可能な金属Mの化合物と金属Tの化合物とを適切な割合で含有 する混合物から構成されることを特徴とする請求項15に記載の方法。 17.無機化合物が酸化物、特に式:MxqTypOz2−(式中、M、T、q 及びnは請求項16に記載したと同義であり、x,y及びzはqx+ny−2z =0となるような正の整数である)の酸化物であり、該無機化合物の前駆物質系 が式Mxq(CO3)qx/2の金属Mの炭酸塩と式TynOny/22−の金 属Tの酸化物との混合物から構成されることを特徴とする請求項16に記載の方 法。 18.無機化合物の前駆物質系が支持体の気孔率に適応する粒度を有する粉末形 態であり、前記支持体に前記粉末を散布することにより支持体に前駆物質系を塗 布することを特徴とする請求項10から17のいずれか一項に記載の方法。 19.無機化合物の前駆物質系が粉末状前駆物質系を水もしくは有機液体のよう な1種以上の液体と混合することにより得られるコーティング用ペースト形態又 はゾル/ゲル法により粉末前駆物質系から得られるゲル形態であり、前記ペース ト又は前記ゲルで被覆することにより支持体に前駆物質系を塗布することを特徴 とする請求項10から17のいずれか一項に記載の方法。 20.支持体をペースト又はゲルで被覆して得られたアセンブリを乾燥し、実質 的に乾燥した生成物を得た後、圧力の作用を加えることを特徴とする請求項19 に記載の方法。 21.作用後の支持体層の厚さが該支持体層の初期厚さの少なくとも10%、好 ましくは少なくとも50%に相当するように、無機化合物の前駆物質系で被覆し た支持体から構成されるアセンブリに圧力を作用させることを特徴とする請求項 10から20のいずれか一項に記載の方法。 22.圧力作用を加えたアセンブリを次に0.05〜30℃/分、好ましくは0 .1〜15℃/分の速度で300〜1600℃の温度に加熱することを特徴とす る請求項10から21のいずれか一項に記載の方法。 23.焼結アセンブリを0.05〜30℃/分、好ましくは0.1〜15℃/分 の速度で300〜1600℃の温度から周囲温度に冷却することを特徴とする請 求項10から22のいずれか一項に記載の方法。 24.熱及び電気伝導性接着剤(3,23)、特に銀を含有するエポキシ系2成 分伝導性接着剤により請求項1から9のいずれか一項に記載のターゲットエレメ ント(2,22)を支持体側で金属基板(4,24)、例えば黄銅、アルミニウ ム、銅、チタン、タングステン又はステンレス鋼基板に接着してなるカソードス パッタリング用ターゲット。 25.対応する面積の金属基板(4)に接着された大面積ターゲットエレメント (2)から構成されることを特徴とする請求項24に記載のターゲット。 26.所期大面積ターゲットの面積に対応する面積の金属基板(24)上に、大 面積ターゲットに所望される面積に対応する面積を覆うようにターゲットよりも 小さい面積の複数のターゲットエレメント(36,37,38)を結合して並べ 、前記基板に接着することにより構成される大面積ターゲットの形態であること を特徴とする請求項24に記載のターゲット。 27.金属基板(4,24)が単一のターゲットエレメント(2)又は小面積の ターゲットエレメント(36,37,38)を結合して並べることにより形成さ れるターゲットエレメント(22)の外形を包囲する外形を有する面積を有して おり、金属基板とターゲットエレメントの外形が、ターゲットエレメントを接着 した金属基板の面上にターゲットエレメント(2,22)を包囲する周辺領域( 14,34)を規定するように、好ましくは相互に平行であることを特徴とする 請求項24から26のいずれか一項に記載のターゲット。 28.前記周辺領域(14,34)に金属支持体を貫通するオリフィス(15, 35)を穿孔し、カソードスパッタリング装置の支持部材にターゲットを固定す るための固定部材を挿通するように構成したことを特徴とする請求項27に記載 のターゲット。
JP5504998A 1991-09-03 1992-09-01 カソードスパッタリング用ターゲットエレメント Pending JPH06510090A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9110860A FR2680799B1 (fr) 1991-09-03 1991-09-03 Element de cible pour pulverisation cathodique, procede de preparation dudit element et cibles, notamment de grande surface, realisees a partir de cet element.
FR91/10860 1991-09-03
PCT/FR1992/000835 WO1993005195A1 (fr) 1991-09-03 1992-09-01 Element de cible pour pulverisation cathodique

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06510090A true JPH06510090A (ja) 1994-11-10

Family

ID=9416567

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5504998A Pending JPH06510090A (ja) 1991-09-03 1992-09-01 カソードスパッタリング用ターゲットエレメント

Country Status (8)

Country Link
US (1) US5522976A (ja)
EP (1) EP0602150B1 (ja)
JP (1) JPH06510090A (ja)
AT (1) ATE145944T1 (ja)
CA (1) CA2116776A1 (ja)
DE (1) DE69215686D1 (ja)
FR (1) FR2680799B1 (ja)
WO (1) WO1993005195A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012077366A (ja) * 2010-10-05 2012-04-19 Kobe Steel Ltd ターゲット接合体
JP2016023333A (ja) * 2014-07-18 2016-02-08 三菱マテリアル株式会社 ニッケル酸リチウムスパッタリングターゲットの製造方法

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU707146B2 (en) * 1995-08-31 1999-07-01 Innovative Sputtering Technology A process for manufacturing ITO alloy articles
US6130152A (en) 1995-11-16 2000-10-10 Texas Instruments Incorporated Aerogel thin film formation from multi-solvent systems
US5807607A (en) * 1995-11-16 1998-09-15 Texas Instruments Incorporated Polyol-based method for forming thin film aerogels on semiconductor substrates
US5955140A (en) * 1995-11-16 1999-09-21 Texas Instruments Incorporated Low volatility solvent-based method for forming thin film nanoporous aerogels on semiconductor substrates
US6319852B1 (en) 1995-11-16 2001-11-20 Texas Instruments Incorporated Nanoporous dielectric thin film formation using a post-deposition catalyst
US6380105B1 (en) 1996-11-14 2002-04-30 Texas Instruments Incorporated Low volatility solvent-based method for forming thin film nanoporous aerogels on semiconductor substrates
EP0885079A4 (en) * 1996-03-03 2002-11-13 Tosoh Smd Inc METHOD FOR GENERATING A PLANAR SPUTTER TARGET CLOSE TO THE FINAL DIMENSION AND INTERMEDIATE PRODUCT THEREFOR
US5963778A (en) * 1997-02-13 1999-10-05 Tosoh Smd, Inc. Method for producing near net shape planar sputtering targets and an intermediate therefor
DE19853943B4 (de) * 1997-11-26 2006-04-20 Vapor Technologies, Inc. (Delaware Corporation), Longmont Katode zur Zerstäubung oder Bogenaufdampfung sowie Vorrichtung zur Beschichtung oder Ionenimplantation mit einer solchen Katode
US6340415B1 (en) 1998-01-05 2002-01-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for enhancing a sputtering target's lifetime
JP3735461B2 (ja) * 1998-03-27 2006-01-18 株式会社シンクロン 複合金属の化合物薄膜形成方法及びその薄膜形成装置
DE19920304A1 (de) * 1999-05-03 2000-11-09 Leybold Materials Gmbh Target
AU2001233876B2 (en) * 2000-02-22 2004-09-30 Metalysis Limited Method for the manufacture of metal foams by electrolytic reduction of porous oxidic preforms
US6706239B2 (en) 2001-02-05 2004-03-16 Porvair Plc Method of co-forming metal foam articles and the articles formed by the method thereof
US20020110700A1 (en) * 2001-02-12 2002-08-15 Hein Gerald F. Process for forming decorative films and resulting products
FR2835534B1 (fr) * 2002-02-06 2004-12-24 Saint Gobain CIBLE CERAMIQUE NiOx NON STOECHIOMETRIQUE
WO2006001975A1 (en) * 2004-06-15 2006-01-05 Tosoh Smd, Inc. Metal foam shield for sputter reactor
US7328831B1 (en) 2004-06-25 2008-02-12 Porvair Plc Method of making a brazed metal article and the article formed thereby
US7372610B2 (en) 2005-02-23 2008-05-13 Sage Electrochromics, Inc. Electrochromic devices and methods
US9120708B2 (en) * 2006-05-18 2015-09-01 Hydro-Quebec Process for preparing ceramics, ceramics thus obtained and uses thereof, especially as a sputtering target
DE102006026005A1 (de) * 2006-06-01 2007-12-06 W.C. Heraeus Gmbh Kaltgepresste Sputtertargets
US8628645B2 (en) * 2007-09-04 2014-01-14 Front Edge Technology, Inc. Manufacturing method for thin film battery
US8048707B1 (en) * 2010-10-19 2011-11-01 Miasole Sulfur salt containing CIG targets, methods of making and methods of use thereof
CN103492608B (zh) 2011-02-14 2016-04-13 东曹Smd有限公司 经扩散结合的溅射靶组件及制造方法
US10043921B1 (en) 2011-12-21 2018-08-07 Beijing Apollo Ding Rong Solar Technology Co., Ltd. Photovoltaic cell with high efficiency cigs absorber layer with low minority carrier lifetime and method of making thereof

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3791955A (en) * 1972-12-11 1974-02-12 Gte Laboratories Inc Preparation of chalcogenide glass sputtering targets
JPS55165501A (en) * 1979-06-12 1980-12-24 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Method of manufacturing gas diffusion electrode
DE2933835C2 (de) * 1979-08-21 1987-02-19 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum Befestigen von in Scheiben- oder Plattenform vorliegenden Targetmaterialien auf Kühlteller für Aufstäubanlagen
CH646459A5 (de) * 1982-03-22 1984-11-30 Balzers Hochvakuum Rechteckige targetplatte fuer kathodenzerstaeubungsanlagen.
JPS6078424A (ja) * 1983-10-05 1985-05-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学発色素子
JPS60221569A (ja) * 1984-04-19 1985-11-06 Koujiyundo Kagaku Kenkyusho:Kk 電気的蒸着用タ−ゲツト
JPS61104073A (ja) * 1984-10-26 1986-05-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd スパツタリング装置のスパツタガン
JPS62243762A (ja) * 1986-04-16 1987-10-24 Seiko Epson Corp スパツタリングタ−ゲツト用バツキングプレ−ト
KR900009071B1 (ko) * 1986-05-28 1990-12-20 가부시기가이샤 히다찌세이사구쇼 함침형 음극
JPS63195259A (ja) * 1987-02-06 1988-08-12 Sumitomo Electric Ind Ltd 二硫化モリブデン薄膜の形成方法
JPS63247360A (ja) * 1987-03-31 1988-10-14 Sumitomo Electric Ind Ltd スパツタ用タ−ゲツト
DE68924095T2 (de) * 1988-05-16 1996-04-04 Tosoh Corp Verfahren zur Herstellung eines Sputtertargets zur Erzeugung einer elektrisch leitenden, durchsichtigen Schicht.
JPH0243356A (ja) * 1988-08-04 1990-02-13 Tosoh Corp 透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造方法
US5190630A (en) * 1989-03-01 1993-03-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Sputtering target
US5086351A (en) * 1989-07-13 1992-02-04 M&T Chemicals, Inc. Electrochromic elements, materials for use in such element, processes for making such elements and such materials and use of such element in an electrochromic glass device
JPH0774436B2 (ja) * 1990-09-20 1995-08-09 富士通株式会社 薄膜形成方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012077366A (ja) * 2010-10-05 2012-04-19 Kobe Steel Ltd ターゲット接合体
JP2016023333A (ja) * 2014-07-18 2016-02-08 三菱マテリアル株式会社 ニッケル酸リチウムスパッタリングターゲットの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO1993005195A1 (fr) 1993-03-18
EP0602150A1 (fr) 1994-06-22
CA2116776A1 (fr) 1993-03-18
EP0602150B1 (fr) 1996-12-04
FR2680799A1 (fr) 1993-03-05
ATE145944T1 (de) 1996-12-15
FR2680799B1 (fr) 1993-10-29
US5522976A (en) 1996-06-04
DE69215686D1 (de) 1997-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5522976A (en) Target component for cathode sputtering
US5653856A (en) Methods of bonding targets to backing plate members using gallium based solder pastes and target/backing plate assemblies bonded thereby
US5593082A (en) Methods of bonding targets to backing plate members using solder pastes and target/backing plate assemblies bonded thereby
US4459328A (en) Articles coated with wear-resistant titanium compounds
US6863938B2 (en) Filled diamond foam material and method for forming same
CA2216683A1 (en) Metal powder and process for preparing the same
SE8604949D0 (sv) Titanium composite having a porous surface and process for producing the same
JPS6134107A (ja) ガスタービン羽根の基体上の耐蝕層およびそれを設ける方法
US5965278A (en) Method of making cathode targets comprising silicon
US2835967A (en) Method of producing a solderable metallic coating on a ceramic body and of solderingto the coating
CN104261886B (zh) 一种在碳化硅表面真空熔覆金属涂层的方法
GB2108534A (en) Forming braze-bonded abrasive turbine blade tip
Xu et al. Joining ZnS ceramics by using PbTiO3-doped PbO–B2O3–ZnO
CN104402533A (zh) 一种在碳化硅表面真空熔覆金属涂层的方法
US3590468A (en) Glassy phase method for making pure alumina-to-metal hermetic seals
US4293356A (en) Method for adhesion of ceramics
JP3059250B2 (ja) アルミナと窒化アルミニウムの複合体形成方法
JPS635893A (ja) 金属質接着材
JPH02277767A (ja) 低融点スパッタリングターゲットの製造方法
JP3431583B2 (ja) 画像表示装置及びその製造方法
JPH0378191B2 (ja)
JPS589890A (ja) 炭化珪素焼成体のメタライズ方法
JPS6345194A (ja) 金属化面を有する窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法
JPH07144980A (ja) 釉組成物及び該組成物を施した無機質基材
JPS63191878A (ja) 接着剤組成物