JPH0653147A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、枚葉式の半導体製造装置におい
て、成膜速度やエッチング速度を自由に調整することを
目的とするものである。 【構成】 反応ガス導入プレート１１として、それぞれ
複数の反応ガス吹出口を有する第１および第２のプレー
ト１２，１３を重ねてなるものを用い、第１のプレート
１２に対して第２のプレート１３を相対的に回転させる
ことにより、反応ガス吹出口の重なりを変化させ、反応
ガス導入プレート１１の実質的な開口面積を任意に調整
するようにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、例えば成膜やエッチ
ングなどによる枚葉式の半導体製造装置に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】図９は従来のこの種の半導体製造装置の
一例を示す断面図である。図において、反応室１内の上
部に設けられた反応ガス導入プレート２に対向してウエ
ハ３がウエハステージ４上に配置される。また、図１０
に示すように、反応ガス導入プレート２には複数個の反
応ガス吹出口７が形成されている。反応ガス導入プレー
ト２には、反応室１内に反応ガスを導入する反応ガス導
入部５が接続されている。反応室１には、反応ガスを排
気するための排気口６が設けられている。

【０００３】次に、動作について説明する。反応室１内
において、ウエハステージ４上にウエハ３が置かれた状
態で、反応ガス導入部５から導入された反応ガスが、反
応ガス導入プレート２の反応ガス吹出口７を通ってウエ
ハ３表面に達し、成膜が行われる。また、反応後の反応
ガスは、排気口６から反応室１外へ排気される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来の枚葉式の半導体
製造装置は以上のように構成されているので、成膜枚数
が増加するに従い、反応ガス導入プレート２の反応ガス
吹出口７の内側にも反応生成物が堆積して、反応ガス吹
出口７の開口面積が変化してしまう。このため、ウエハ
３の表面に達する反応ガスの量が変化して、成膜速度が
変化するという問題点があった。

【０００５】この発明は、上記のような問題点を解決す
ることを課題としてなされたものであり、反応ガス導入
プレートの開口面積を任意に調整することができ、成膜
速度やエッチング速度を自由に調整することができる半
導体製造装置を得ることを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体製
造装置は、それぞれ複数の反応ガス吹出口を有する複数
個のプレートを重ねてなる反応ガス導入プレートを用
い、各プレートを互いに相対的に回転させることによ
り、反応ガス吹出口の重なりを変化させるようにしたも
のである。

【０００７】

【作用】この発明においては、複数個の反応ガス導入プ
レートを相対的にずらして、反応ガス吹出口の重なりを
変化させることにより、反応ガス導入プレートの開口面
積を変化させ、反応ガスの吹き出し量を調整する。

【０００８】

【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。 実施例１．図１はこの発明の一実施例による半導体製造
装置の断面図、図２は図１の反応ガス導入プレートの下
面図であり、図９および図１０と同一又は相当部分には
同一符号を付し、その説明を省略する。

【０００９】図において、反応ガス導入プレート１１
は、反応ガス導入部５に接続された第１のプレート１２
と、この第１のプレート１２の中心を中心として回転可
能に第１のプレート１２に重ねられた第２のプレート１
３とからなっている。各プレート１２，１３には、従来
例と同様に、複数の反応ガス吹出口１２ａ，１３ａがそ
れぞれ設けられている。つまり、この実施例の反応ガス
導入プレート１１は、従来例の反応ガス導入プレート２
を２枚重ねたものとほぼ同様のものである。

【００１０】以上の構成により、ウエハステージ４上に
ウエハ３が置かれた状態で、反応ガス導入部５から導入
された反応ガスは、第１および第２のプレート１２，１
３の反応ガス吹出口１２ａ，１３ａが重なった部分の開
口部を通ってウエハ３の表面に達し、これにより成膜が
行われる。また、反応後の反応ガスは、排気口６から反
応室１外へ排気される。

【００１１】ここで、反応ガス導入プレート１１の実質
的な開口面積は、反応ガス吹出口１２ａと反応ガス吹出
口１３ａとの重なった部分の面積である。従って、第１
および第２のプレート１２，１３の相対的な位置関係を
変化させて、各反応ガス吹出口１２ａ，１３ａの重なり
を調整することにより、反応ガス導入プレート１１を通
過する反応ガスの量を調整することができ、成膜速度も
自由に調整することができる。

【００１２】なお、上記実施例１では、同位置に同じ大
きさの反応ガス吹出口１２ａ，１３ａを設けた２枚のプ
レート１２，１３を重ねる例を示したが、異なる位置に
同じもしくは異なる大きさの反応ガス吹出口を設けたプ
レートを３枚以上重ねてもよい。

【００１３】実施例２．図３はこの発明の他の実施例に
よる半導体製造装置の断面図、図４は図３の反応ガス導
入プレートの下面図である。この実施例２の反応ガス導
入プレート１４は、実施例１と同様の第１のプレート１
２に、第３のプレート１５および第４のプレート１６を
重ね、それぞれ独立して回転可能としたものである。

【００１４】第３のプレート１５には、図５に示すよう
に、第１のプレート１２の中央部の反応ガス吹出口１２
ａに重なるように反応ガス吹出口１５ａが配置されてい
る。また、第４のプレート１６には、図６に示すよう
に、第１のプレート１２の外周部の反応ガス吹出口１２
ａに重なるように反応ガス吹出口１６ａが配置されてい
る。

【００１５】このような反応ガス導入プレート１４を使
用した場合、第１のプレート１２に対して、第３のプレ
ート１５を回転させることにより中央部の開口面積を、
第４のプレート１６を回転させることにより外周部の開
口面積を、それぞれ独立して調整することができる。例
えば、図７は図４の状態から外周部の開口面積だけを変
化させた（大きくした）状態を示すものであり、図８は
図４の状態から中央部の開口面積だけを変化させた（大
きくした）状態を示すものである。このように、反応ガ
スの吹き出し量を位置によって別々に調整することによ
り、反応ガスのウエハ面内均一性が向上する。

【００１６】なお、各反応ガス導入プレートの形状、材
質、開口形状、開口個数等は任意である。

【００１７】

【発明の効果】以上説明したように、この発明の半導体
製造装置は、反応ガス導入プレートとして、それぞれ複
数の反応ガス吹出口を有する複数個のプレートを重ねて
なるものを用い、各プレートを互いに相対的に回転させ
ることにより、反応ガス吹出口の重なりを変化させるよ
うにしたので、反応ガス導入プレートの開口面積を任意
に調整することができ、これにより成膜速度やエッチン
グ速度を自由に調整することができるという効果を奏す
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例による半導体製造装置の断
面図である。

【図２】図１の反応ガス導入プレートの下面図である。

【図３】この発明の他の実施例による半導体製造装置の
断面図である。

【図４】図３の反応ガス導入プレートの下面図である。

【図５】図３の第３のプレートを示す下面図である。

【図６】図３の第４のプレートを示す下面図である。

【図７】図４の状態から第３のプレートのみをずらした
場合の下面図である。

【図８】図４の状態から第４のプレートのみをずらした
場合の下面図である。

【図９】従来の半導体製造装置の一例の断面図である。

【図１０】図９の反応ガス導入プレートの下面図であ
る。

【符号の説明】

１ 反応室 ３ ウエハ ５ 反応ガス導入部 １１ 反応ガス導入プレート １２ 第１のプレート １２ａ 反応ガス吹出口 １３ 第２のプレート １３ａ 反応ガス吹出口 １４ 反応ガス導入プレート １５ 第３のプレート １５ａ 反応ガス吹出口 １６ 第４のプレート １６ａ 反応ガス吹出口

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ウエハを収容する反応室と、この反応室
   内に反応ガスを導入する反応ガス導入部と、この反応ガ
   ス導入部に接続され、上記反応ガス導入部から導入され
   た反応ガスを上記反応室内に吹き出す反応ガス導入プレ
   ートとを備えている枚葉式の半導体製造装置において、
   上記反応ガス導入プレートは、それぞれ複数の反応ガス
   吹出口を有する複数個のプレートを重ねてなっており、
   上記各プレートを互いに相対的に回転させることによ
   り、上記反応ガス吹出口の重なりを変化させるようにな
   っていることを特徴とする半導体製造装置。