JPH0653178A - １以上の対象物の２次元表面を最適に走査する装置および方法 - Google Patents

１以上の対象物の２次元表面を最適に走査する装置および方法

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JPH0653178A
JPH0653178A JP5145217A JP14521793A JPH0653178A JP H0653178 A JPH0653178 A JP H0653178A JP 5145217 A JP5145217 A JP 5145217A JP 14521793 A JP14521793 A JP 14521793A JP H0653178 A JPH0653178 A JP H0653178A
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chemical
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wafer
controlling
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Sherman Poultney
シャーマン・ポルトニー
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、化学エッチングプローブの走査中
の方向転換による機械的応力を減少させ、ウエハ周囲の
支持体の浸食を防止するウェハの表面の走査方法を提供
すること目的とする。 【構成】 ウェハ保持段の支持体12に半導体ウェハ10を
整合して配置し、位置34から化学エッチング装置のプロ
ーブ18の動作を開始させ、プローブ18によって半導体ウ
ェハ10の表面のらせんタイプ走査30のらせんパターン運
動を制御して表面が所望の厚さに対応するように形成さ
れることを特徴とする。エッチングが一定になるように
走査速度またはプローブ18のエッチング速度が変化され
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、１以上の対象物の２次
元表面を走査する方法、特に例えば化学エッチングプロ
セスを経た１以上の半導体ウェハの表面を適切に走査す
る装置および方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】本発明が特に実際的である１つの特定の
適用において、絶縁体上のシリコン（ＳＯＩ）半導体ウ
ェハは化学エッチング処理を受ける。この処理期間中化
学エッチング装置はＳＯＩ半導体ウェハの表面からの材
料の除去を誘発する。材料はＳＯＩウェハの材料表面と
化学エッチング装置により生成されるプラズマとの間で
生じる化学反応の結果として除去される。このような装
置は関連する特許出願である1991年３月７日出願の“Sy
stmem for Removing Material from a Wafer”と題する
米国特許第07/696,897号明細書に記載されている。この
システムで記載されているように化学エッチング装置の
プロ−ブは制御されたパタ−ンでウェハ表面にわたって
走査される。ウェハ表面を走査する一方、プロ−ブは一
定率の材料を除去する化学反応を誘発するプラズマを放
射する。このシステムで使用される走査技術は通常犁耕
タイプ走査またはＸＹ両方向ラスタ−走査と呼ばれる。
【０００３】犁耕タイプの走査は２つの直交方向即ちＸ
軸およびＹ軸座標面で動作する。前述の米国特許出願明
細書で記載されている材料除去システムでは、化学エッ
チング装置の犁耕タイプの走査は正と負のｘ軸座標の方
向のウェハ表面を横切ってプロ−ブを走査し、一方で正
または負のＹ軸座標の方向で歩進（インデックス）され
ることにより動作する。したがってプロ−ブは正のＸ座
標面の方向のウェハ表面を横切って走査され、正のＹ軸
座標面の方向の予め定められた距離を進み、負のｘ軸座
標面の方向のウェハ表面を横切って走査し、正のＹ軸座
標面の方向の予め定められた距離を移動する。この走査
パタ−ンはウェハ全表面が走査されるまで反復される。
またプロ−ブは一定率の材料除去化学反応を維持するの
で、ウェハ表面に関するプロ−ブの走査速度はウェハ表
面材料の好ましい除去を行うために調節される。
【０００４】犁耕タイプ走査は、材料除去システムがウ
ェハ全表面走査の基本的な目的を達成することを許容す
るが、犁耕タイプの走査方法は高いウェハ処理能速度で
機械的問題に直面し、また全てのウェハ処理速度で支持
体材料の浸食エッチングを生じる。機械的問題は制御さ
れた走査パタ−ンのインデックスまたは方向転換ステッ
プにおいて主として生じ、また走査速度調節にも多少の
問題がある。方向転換ステップおよび走査速度調節はモ
−タが正確なインデックスと走査速度の変化をそれぞれ
制御することを要する。したがって機械的応力がモ−タ
に加えられる。さらに走査速度が増加する程モ−タに加
えられた機械的応力の量は増加する。この機械的応力は
制御走査パタ−ンの実行に使用されるウェハ保持段モ−
タまたは化学エッチング装置モ−タのいずれか一方に加
えられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】対象物の周囲の支持体
の浸食エッチングの問題は、一般にウエハがウェハ保持
段に固定される支持体上に位置されているために生じ
る。ウェハは支持体に固定された加工された幾つかの基
準表面により支持体およびウェハ保持段に保持される。
支持体と加工された表面はウェハの表面材料とプラズマ
との間の一定の化学反応を確実にするため典型的にウェ
ハと同じタイプの材料である。しかし支持体と加工され
た表面の浸食エッチングは、プラズマ放射プロ−ブが方
向転換期間中にウェハ縁部の外側に移動されるときに生
じる。この浸食エッチングはそれによって損傷を受けた
支持体材料を交換する必要があるために付加的な資本金
と労力がかかる。
【０００６】前述したように化学エッチングプロセスに
おける犁耕タイプの走査の使用は機械的応力の問題およ
び浸食された材料の交換の問題が生じる。それ故化学エ
ッチングプロセスで機械的応力の問題または浸食された
材料の交換問題の少なくとも一方が生じない最適のウェ
ハ表面走査方法を使用することが好ましい。
【０００７】本発明の主な目的は、化学エッチングプロ
セスを受ける１つ以上のＳＯＩ半導体ウェハの表面を最
適に走査する方法を提供することである。
【０００８】本発明の別の目的は、プロセス中にウエハ
の周囲の支持体材料に対して浸食エッチングが生じない
ように化学エッチングプロセスを受ける１以上のＳＯＩ
半導体ウェハの表面を最適に走査する方法を提供するこ
とである。
【０００９】本発明の別の目的は、高いウェハ処理率が
得られるように化学エッチングプロセスを受ける１以上
のＳＯＩ半導体ウェハの表面を最適に走査する方法を提
供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、例えば化学エ
ッチングプロセスを受ける１つ以上のＳＯＩ半導体ウェ
ハの表面を最適に走査する方法に関する。この方法はら
せんタイプの走査技術または可変エッチング速度の化学
エッチング装置、或いはらせんタイプの走査技術と可変
エッチング速度の化学エッチング装置との組合わせに基
づく。
【００１１】単一のＳＯＩウェハが化学エッチングプロ
セスを受ける場合には本発明は幾つかの異なった形態で
実現されることができる。例えばウェハは静止した化学
エッチング装置プロ−ブに関してウェハをらせんパタ−
ンで移動させることにより走査可能であり、その逆も成
立つ。どちらの場合でも走査速度が一定であるならば、
化学エッチング装置プロ−ブのエッチング速度は除去さ
れる適切な量の材料に適応するために可変でなくてはな
らない。しかし走査速度が可変であるならば化学エッチ
ングプロ−ブのエッチング速度は一定であり、したがっ
て走査速度により除去される好ましい量の材料を制御す
ることが可能である。全ての場合にウェハの関連する動
作はウェハ全表面が化学エッチングプロセスの完成でプ
ロ−ブにより走査される。
【００１２】従来の技術で説明したようにＳＯＩウェハ
は可動ウェハ保持段に固定される支持体上に位置されて
いる。ウェハは支持体に固定されている加工された基準
面により支持体に整合して配置されている。支持体およ
び加工された基準面は一定の化学エッチングプロセスを
確実にするためウェハと同じタイプの材料で製造されて
いる。ウェハ保持段およびＳＯＩウェハは静止した化学
エッチング装置プロ−ブに関してらせんパタ−ンで移動
するように制御される。しかし前述したようにウェハ保
持段または化学エッチング装置プロ−ブのいずれかが制
御らせんパタ−ン動作を行うことができることは明白で
ある。
【００１３】
【作用】従来技術においてさらに説明されたように、化
学エッチング装置プローブは、プラズマとウェハの表面
材料との間で発生する化学反応を誘起するプラズマを放
射する。この化学反応は結果的にウェハの表面およびそ
の周囲の支持体材料から材料を一定の率で除去させる。
【００１４】本発明において、ウェハ保持段のらせんパ
ターン運動は、プローブがウェハの外縁部に近接した領
域を除いて支持体または加工された基準面上を何等走査
することなく、ウェハ面上だけを走査するように制御さ
れる。この制御された運動は、化学エッチング装置によ
って支持体および加工された基準面のエッチングを最小
にする。さらに、ウェハ保持段の制御されたらせん運動
は犂耕タイプ走査に含まれる方向転換ステップを含まな
い。したがって、このような方向転換ステップと関連し
た機械的応力は相対的なＳＯＩウェハ運動を制御するモ
ータ上に与えられない。この機械的応力の減少は化学エ
ッチング装置の信頼性を改善する。また、可変エッチン
グ速度の化学エッチングプローブが使用された場合、走
査速度はさらに機械的応力を最小にするように一定速度
で動作させることができる。
【００１５】上記のらせんタイプ走査方法は、またいく
つかのＳＯＩウェハが化学エッチングプロセスを経る場
合に適用されることができる。このような場合は結果的
に単一のウェハに対するより高いウェハ処理率による化
学エッチングプロセスを生じさせる。典型的にウェハ間
に間隙が存在しているこの場合、可変エッチング速度化
学エッチングプローブは支持体材料を浸食エッチングに
さらさないように使用されなければならない。しかしな
がら、機械的応力の減少が主な要求である場合、らせん
タイプ走査は応力の多い往復段を取除くために依然とし
て使用されることができる。しかしながら、浸食エッチ
ングは可変率化学エッチングプローブなしで支持体材料
に対して使用される。
【００１６】
【実施例】図１を参照すると、ウェハ平坦基準面14によ
って支持体12に対して位置が定められるＳＯＩウェハ10
が示されている。ウェハ平坦基準面14は支持体12に固定
される。もちろん、付加的な基準面は正確な位置にウェ
ハ10を保持するために必要とされる。しかしながら、図
面をさらに簡明にするためにこれらの付加的な基準面は
示されていない。図１において、従来技術の犂耕タイプ
走査の通路パターン16も示されている。この通路パター
ン16は化学エッチング装置プローブ18がウェハ10の表面
全体にわたって走査されることを保証する機械的制御手
段によって維持される。
【００１７】化学エッチング装置プローブ18は、正20お
よび負22のＸ軸方向にウェハ10の表面を横切って走査す
る。プローブ18はウェハ面を横切って走査されるが、化
学エッチングプロセスはプローブ18の周囲の能動領域28
内において生じる。ウェハ10のエッジの外側で走査され
た場合、プローブ18は負のＹ軸方向でインデクスステッ
プ24を実行する。インデクスまたは方向転換ステップ24
は、犂耕タイプ走査運動を制御する装置に機械的応力を
与える。これらの機械的応力は各方向転換ステップ24中
に実行される２つの90°急反転26の結果によるものであ
る。さらに、従来技術に示されているように、支持体12
およびウェハ基準面14はプローブ18が方向転換ステップ
24中にウェハ10のエッジの外側に延在されたときに浸食
エッチングを行われることができる。この浸食エッチン
グは結果的に不要な材料除去コストを生じさせる。
【００１８】図２を参照すると、固定されたウェハ平坦
基準面14および２つの周辺基準面15によって支持体12に
一致されるＳＯＩウェハ10が示されている。犠牲パーキ
ングパッド34はウェハ10のエッジに沿って支持体12に固
定されている。犠牲パーキングパッド34はウェハ10、支
持体12または基準面14，15に損傷が与えられないように
化学エッチングプローブ18が初期化される表面を提供す
る。図２にはまた本発明のらせんタイプ走査の通路パタ
ーン30が示されている。らせんタイプ走査の通路パター
ン30は、活性領域28によって示されるように化学エッチ
ングプローブ18がウェハ10のエッジの外側に少しだけ延
在されるようなものである。したがって、このタイプの
走査パターン30と関連した最小の浸食エッチング問題だ
けが存在する。さらに、らせんタイプ走査の通路パター
ン30は方向転換ステップを含まない。したがって、らせ
んタイプ走査技術は犂耕タイプ走査と関連する機械的応
力問題と無関係である。
【００１９】しかしながら、らせんタイプ走査は中央に
おける不連続の問題を示す。このような問題は、化学エ
ッチング装置プローブ18がウェハ面中央部32に達したと
きに発生する。プローブ18は典型的にこの中央部32から
犠牲パーキングパッド34上の開始位置に戻る。この問題
は、プローブ18が典型的にエッチングプロセス中に一定
のプラズマエッチング速度で動作しているために生じ
る。したがって、プローブ18が犠牲パーキングパッド34
に戻るときに、ウェハ10は復帰路に沿って過度にエッチ
ングされる可能性が高い。
【００２０】中央不連続の問題に対する１つの解決方法
は、プローブ18のプラズマエッチング速度を変化するこ
とである。それを行うことによって、プローブ18がウェ
ハ面中央部32に達すると、プラズマエッチング速度は減
少されることができる。したがって、ウェハ10はプロー
ブ18が犠牲パーキングパッド34に戻るときに、過度のエ
ッチングを免れる。さらに、プラズマエッチング速度の
変化はらせんタイプ走査30が一定の角速度で実行される
ことを可能にする。換言すると、プローブ18は一定の角
速度でウェハ10の表面にわたってらせん状に走査される
ことが可能であり、一方プローブ18のプラズマエッチン
グ速度はエッチングされることが望ましいウェハ表面材
料の量に応じて変化される。そうでなければ、従来技術
の場合のように、プローブ18のプラズマエッチング速度
は一定に維持され、一方で所望の滞在時間を得るように
走査速度が変化される。一定の角速度で走査する利点は
走査制御装置に与えられる機械的応力の量がさらに減少
することである。プラズマエッチング速度の変化はまた
機械的応力を減少し、浸食エッチングを最小にするため
に犂耕タイプの走査と共に使用されることができること
に留意しなければならない。
【００２１】プラズマエッチング速度の変化が実行可能
な選択ではない場合、中央不連続の問題は図３に示され
た場合のように本発明を適用することによって取除かれ
てもよい。この適用において、３つのＳＯＩウェハ10は
中央ウェハ平坦基準面40およびいくつかの周辺ウェハ基
準面41によって支持体12に整合される。化学エッチング
装置プローブ18は、３つのウェハ10の全表面にわたって
本発明のらせんタイプ走査の通路パターン30を辿る。ら
せんタイプ走査は、支持体12内であるがウェハ10の表面
の外側である開始点44から始まる。プローブ18が通路パ
ターン30中の中央点42に達したとき、それは開始点44に
戻る。しかしながら、プローブ18の復帰路46は図２の場
合のように３つのウェハ10のいずれの表面も走査しな
い。したがって、図３中の３つのウェハ10は過度にエッ
チングされない。さらに、前に示されたようにらせんタ
イプ走査は方向転換ステップを含まない。したがって、
らせんタイプ走査は犂耕タイプ走査の機械的応力問題を
示さない。
【００２２】しかしながら、図３のらせんタイプ走査は
化学エッチング装置プローブ18のエッチング速度が変化
されない場合、結果として浸食エッチングの問題を生じ
させる可能性が高い。この浸食エッチングの問題が支持
体12、中央ウェハ平坦基準面40および周辺ウェハ基準面
41に対して発生する可能性がある。しかしながら、機械
的応力問題を除去し、ウェハ処理効率を高める全体的な
利点は浸食エッチングの問題にまさる。
【００２３】図４および図５を参照すると、典型的な化
学エッチング装置60の上面図および側面図がそれぞれ示
されている。この装置60において、ウェハ10はウェハ平
坦基準面14および２つの周辺基準面15によって支持体12
に整合される。基準面14，15は支持体12に固定され、支
持体12はウェハ保持段50に固定されている。また化学エ
ッチング装置プローブ18はプローブ段52に固定されてい
る。
【００２４】化学エッチング装置60を使用すると、本発
明のらせんタイプ走査技術はいくつかの異なる方法を使
用して実行されることができる。第１に、ウェハ保持段
50、したがってウェハ10は静止したエッチングプローブ
18の下方でらせんパターンで移動することができる。第
２に、プローブ18、したがって化学エッチング装置プロ
ーブ18は静止したウェハ10にわたってらせんパターンで
移動することができる。第３に、ウェハ保持段50は円形
パターンで移動し、一方でプローブ段52がウェハ10の半
径に沿ってプローブ18を移動し、その逆を行うこともで
きる。この第３の方法は、それが共通の円形および直線
通路パターンが使用されることを可能にするため最も実
際的である。しかしながら、ウェハ10とプローブ18との
間の任意の数の相対運動が可能であるため、本発明はこ
れらの方法に限定されるものではないことを留意すべき
である。また、これらの方法は所望の量の材料除去を達
成し、浸食エッチング問題を最小にするように化学エッ
チング速度を変化することによって補償することができ
る。
【００２５】図６を参照すると、本発明による上記の第
３の方法を使用してウェハ10上で化学エッチングプロセ
スを実行するシステムの概略図が示されている。全体的
ならせん運動は利用者からの入力部64上のマスター制御
装置62によって制御される。これらの入力部64は現在の
ウェハの厚さおよびエッチング終了後の所望する次のウ
ェハの厚さのマップを含む。マスター制御装置62はプロ
ーブ段制御装置66の放射状の運動、ウェハ段制御装置68
の円形運動および選択的プローブＲＦパワー制御装置70
による化学エッチング速度を制御する。実際の化学エッ
チングプロセスは、ウェハ保持段50、支持体12、ウェハ
10、プローブ段52およびプローブ18が配置された処理室
72の内側で発生する。このような処理室72は一般に理想
的なプロセス条件を生成するために必要とされる。
【００２６】以上、上記に述べられたの目的は効果的に
達成され、上記の装置および方法は本発明の技術的範囲
を逸脱することなく変化されることができる。上記の説
明および添付図面は単なる説明であり、それに限定され
るものではない。
【図面の簡単な説明】
【図１】支持体およびＳＯＩ半導体ウェハ上の従来技術
の犂耕タイプ走査の通路パターンの概略図。
【図２】ＳＯＩ半導体ウェハ上の本発明のらせんタイプ
走査の通路パターンの概略図。
【図３】支持体およびＳＯＩ半導体ウェハ上の本発明の
らせんタイプ走査の通路パターンの概略図。
【図４】図５のライン４−４における化学エッチング装
置の上部図。
【図５】図４のライン５−５における化学エッチング装
置の側面図。
【図６】ウェハ上で化学エッチングプロセスを実行する
システムの概略図。

Claims (27)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 走査装置によって１以上の対象物の２次
    元表面を最適に走査する方法において、 走査装置によって１以上の対象物の前記２次元表面のら
    せんタイプの走査の開始を制御し、 前記らせんタイプ走査のらせんパターン運動を制御し、 前記らせんタイプ走査の終了を制御するステップを含ん
    でいることを特徴とする走査方法。
  2. 【請求項２】 前記らせんタイプ走査のらせんパターン
    運動を制御する前記ステップは、 円形通路パターンで１以上の対象物の前記２次元表面を
    移動し、 前記２次元表面円形通路パターンの半径に沿って前記走
    査装置を移動するサブステップを含んでいる請求項１記
    載の方法。
  3. 【請求項３】 前記らせんタイプ走査のらせんパターン
    運動を制御する前記ステップは、 円形通路パターンで前記走査装置を移動し、 前記走査装置円形通路パターンの半径に沿って１以上の
    対象物の２次元表面を移動するサブステップを含んでい
    る請求項１記載の方法。
  4. 【請求項４】 前記らせんタイプ走査のらせんパターン
    運動を制御する前記ステップは、 静止した１以上の対象物の前記２次元表面を維持し、 前記静止した２次元表面に関してらせん通路パターンで
    前記装置装置を移動するサブステップを含んでいる請求
    項１記載の方法。
  5. 【請求項５】 前記らせんタイプ走査のらせんパターン
    運動を制御する前記ステップは、 前記静止した走査装置を維持し、 前記静止した走査装置に関してらせん通路パターンで１
    以上の対象物の前記２次元表面を移動するサブステップ
    を含んでいる請求項１記載の方法。
  6. 【請求項６】 化学エッチングプロセスを受ける１以上
    の半導体ウェハの表面を最適に走査する方法において、 ウェハ保持段に前記１つ以上の半導体ウェハを整合して
    保持し、 化学エッチング装置のプローブを初期化し、 前記化学エッチング装置プローブによって１以上の半導
    体ウェハの前記表面のらせんタイプ走査のらせんパター
    ン運動を制御し、それによって前記表面が所望の厚さに
    対応するように形成されることを特徴とする走査方法。
  7. 【請求項７】 ウェハ保持段に前記１以上の半導体ウェ
    ハを保持する前記ステップは、 ウェハ保持段に支持体を固定し、 前記支持体に複数の基準面を固定し、 前記支持体上の前記複数の基準面に前記１つ以上の半導
    体ウェハを整合して保持するサブステップを含んでいる
    請求項６記載の方法。
  8. 【請求項８】 らせんタイプ走査のらせんパターン運動
    を制御する前記ステップは、 円形通路パターンで前記ウェハ保持段を移動し、 前記ウェハ保持段円形通路パターンの半径に沿って前記
    化学エッチング装置プローブを移動するサブステップを
    含んでいる請求項６記載の方法。
  9. 【請求項９】 さらに前記上記の移動ステップと関連し
    た機械的応力が減少され、前記上記のエッチングステッ
    プと関連した浸食エッチングが最小にされるように、前
    記化学エッチング装置プローブの化学エッチング速度を
    変化するステップを含んでいる請求項８記載の方法。
  10. 【請求項１０】 らせんタイプ走査のらせんパターン運
    動を制御する前記ステップは、 円形通路パターンで前記化学エッチング装置プローブを
    移動し、 前記化学装置プローブ円形通路パターンの半径に沿って
    に沿って前記ウェハ保持段を移動するサブステップを含
    んでいる請求項６記載の方法。
  11. 【請求項１１】 さらに前記の移動ステップと関連した
    機械的応力が減少され、前記のエッチングステップと関
    連した浸食エッチングが最小にされるように、前記化学
    エッチング装置プローブの化学エッチング速度を変化す
    るステップを含んでいる請求項１０記載の方法。
  12. 【請求項１２】 らせんタイプ走査のらせんパターン運
    動を制御する前記ステップは、 前記ウェハ保持段を静止して維持し、 前記静止したウェハ保持段に関してらせん通路パターン
    で前記化学エッチング装置プローブを移動するサブステ
    ップを含んでいる請求項６記載の方法。
  13. 【請求項１３】 さらに前記の移動ステップと関連した
    機械的応力が減少され、前記のエッチングステップと関
    連した浸食エッチングが最小にされるように、前記化学
    エッチング装置プローブの化学エッチング速度を変化す
    るステップを含んでいる請求項１２記載の方法。
  14. 【請求項１４】 らせんタイプ走査のらせんパターン運
    動を制御する前記ステップは、 化学エッチング装置プローブを静止して維持し、 前記静止した化学エッチング装置プローブに関してらせ
    ん通路パターンで前記ウェハ保持段を移動するサブステ
    ップを含んでいる請求項６記載の方法。
  15. 【請求項１５】 さらに前記の移動ステップと関連した
    機械的応力が減少され、前記のエッチングステップと関
    連した浸食エッチングが最小にされるように、化学エッ
    チング装置プローブの化学エッチング速度を変化するス
    テップを含んでいる請求項１４記載の方法。
  16. 【請求項１６】 前記化学エッチング装置プローブを初
    期化する前記ステップは、 前記化学エッチングプロセスが始まる前に前記１以上の
    半導体ウェハに関して開始点に前記化学エッチング装置
    プローブを位置し、 所望の化学エッチング速度に前記化学エッチング装置プ
    ローブを設定し、 前記化学エッチングプロセスが終了した後に開始点に前
    記化学エッチング装置プローブを再度位置設定するサブ
    ステップを含んでいる請求項６記載の方法。
  17. 【請求項１７】 化学エッチングプロセスを受ける１以
    上の半導体ウェハの表面を最適に走査する方法におい
    て、 ウェハ保持段に前記１つ以上の半導体ウェハを整合して
    配置し、 化学エッチング装置のプローブを初期化し、 前記化学エッチング装置プローブによって１以上の半導
    体ウェハの前記表面の犂耕タイプの走査を制御し、 化学エッチング装置プローブの化学エッチング速度を変
    化し、それによって前記表面が所望の厚さに対応するよ
    うに形成されることを特徴とする走査方法。
  18. 【請求項１８】 ウェハ保持段に前記１以上の半導体ウ
    ェハを整合して配置する前記ステップは、 ウェハ保持段に支持体を固定し、 前記支持体に複数の基準面を固定し、 前記支持体上の前記複数の基準面に前記１以上の半導体
    ウェハを整合して配置するサブステップを含んでいる請
    求項１７記載の方法。
  19. 【請求項１９】 前記化学エッチング装置プローブを初
    期化する前記ステップは、 前記化学エッチングプロセスが始まる前に前記１つ以上
    の半導体ウェハに関して開始点に前記化学エッチング装
    置プローブを位置し、 所望の化学エッチング速度に前記化学エッチング装置プ
    ローブを設定し、 前記化学エッチングプロセスが終了した後に前記開始点
    に前記化学エッチング装置プローブを再度位置設定する
    サブステップを含んでいる請求項１７記載の方法。
  20. 【請求項２０】 変化する前記ステップは前記化学エッ
    チングプローブのＲＦパワーを変化することを含んでい
    る請求項１７記載の方法。
  21. 【請求項２１】 化学エッチングプロセスを経た１以上
    の半導体ウェハの表面を最適に走査する装置において、 ウェハ保持段に前記１以上の半導体ウェハを整合して配
    置する手段と、 化学エッチング装置プローブによって１以上の半導体ウ
    ェハの前記表面のらせんタイプ走査のらせんパターン運
    動を制御する手段とを具備し、それによって前記表面が
    所望の厚さに対応するように形成されることを特徴とす
    る走査装置。
  22. 【請求項２２】 記録する前記手段は、 支持体と、 前記支持体に固定されたウェハ平坦基準面と、 前記支持体に固定された複数の周辺基準面とを具備して
    いる請求項２１記載の装置。
  23. 【請求項２３】 制御する前記手段は前記らせんタイプ
    走査の前記らせんパターン運動を制御するマスター制御
    装置を具備している請求項２１記載の装置。
  24. 【請求項２４】 制御する前記手段はさらに前記プロー
    ブに関して前記ウェハの運動を制御するウェハ段制御装
    置を具備している請求項２３記載の装置。
  25. 【請求項２５】 制御する前記手段はさらに前記ウェハ
    に関して前記プローブの運動を制御するプローブ段制御
    装置を具備している請求項２３記載の装置。
  26. 【請求項２６】 さらに化学エッチング装置プローブの
    化学エッチング速度を変化する手段を具備し、それによ
    って前記表面が所望の厚さに対応するように形成される
    請求項２１記載の装置。
  27. 【請求項２７】 化学エッチングプロセスを経た１つ以
    上の半導体ウェハの表面を最適に走査する装置におい
    て、 ウェハ保持段に前記１つ以上の半導体ウェハを整合して
    配置する手段と、 前記化学エッチング装置プローブによって１つ以上の半
    導体ウェハの前記表面の犂耕タイプ走査を制御する手段
    と、 前記化学エッチング装置プローブの化学エッチング速度
    を変化する手段とを具備し、それによって前記表面が所
    望の厚さに対応するように形成されることを特徴とする
    走査装置。
JP5145217A 1992-06-16 1993-06-16 １以上の対象物の２次元表面を最適に走査する装置および方法 Pending JPH0653178A (ja)

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