JPH07312329A - 密着強化処理装置および密着強化処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 密着強化剤の塗布処理終了後にその蒸気が装
置外部に漏れることを良好に防止することが可能な密着
強化処理装置および密着強化処理方法を提供する。 【構成】 プレート１０に対しチャンバ２０が昇降可能
となっており、チャンバ２０が降下すると、プレート１
０とで密閉空間Ｓ1が形成されるとともに、カバー４０
とプレート１０とで空間Ｓ2が形成される。空間Ｓ2には
ＨＭＤＳ供給ユニット５０からＨＭＤＳ蒸気が供給され
る。密閉空間Ｓ1には、排気ユニット３０が接続されて
おり、空間Ｓ2に供給された密着強化剤の蒸気をカバー
４０の開口４１を介し密閉空間Ｓ1から排気する。その
ため、密着強化処理装置の外部への当該蒸気の漏れが良
好に防止される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶用ガラス角型基
板、半導体ウエハ、カラーフィルタ用基板などの各種基
板の表面にフォトレジストなど所定の塗布液を塗布する
前に、その塗布液と基板との密着性を強化するために所
定の密着強化剤を基板表面に塗布する密着強化処理装置
および密着強化処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図８は、従来の密着強化処理装置を示す
斜視図である。この密着強化処理装置１は、同図に示す
ように、プレート型オーブン２ａ，２ｂ，２ｃに連設さ
れており、図示を省略する搬送機構によりオーブン２ｂ
による前処理が完了した基板が搬送されてくると、その
基板表面に密着強化剤を塗布する。さらに詳しく説明す
ると、この密着強化処理装置１は、プレート型オープン
２ａ，２ｂ，２ｃと同様に載置された基板を加熱する加
熱プレート３と、上下方向に移動自在なチャンバ４とを
備えており、チャンバ４を上方に退避させた状態（同図
の１点鎖線）で搬送機構からの基板をプレート３上に搭
載可能となっている。この密着強化処理装置１では、プ
レート３上に基板が載置されるとその基板がプレートに
よって加熱されるとともに、チャンバ４がプレート３上
に降下され、プレート３とチャンバ４とで密閉空間が形
成される。その後で、当該密閉空間に密着強化剤、例え
ばヘキサメチルジシラザン（以下「ＨＭＤＳ」という）
の蒸気を供給して基板にＨＭＤＳを塗布する。こうし
て、密着強化処理装置１による密着強化処理が施された
基板は、再度搬送機構により次のオーブン２ｃに搬送さ
れる。

【０００３】また、同図に示すように、密着強化処理装
置１およびプレート型オーブン２ａ，２ｂ，２ｃの間に
は、排気装置５が設けられている。各排気装置５は排気
ブロック６の上面にスリット７が形成されており、当該
スリット７を介して密着強化処理装置１およびプレート
型オーブン２ａ，２ｂ，２ｃの周囲を排気するようにな
っている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、密着強化処
理装置１による密着強化処理が完了し、基板を次のオー
ブン２ｃに搬送する際には、チャンバ４を上昇させる必
要があり、このときに密閉空間内に残存していたＨＭＤ
Ｓが密着強化処理装置１の周囲全体に広がる。密閉空間
から漏れたＨＭＤＳの一部は排気装置５によって排気さ
れるものの、その排気効率が悪く、排気装置５により捕
捉できなかったＨＭＤＳについては密着強化処理装置１
の周囲に配置された装置に飛散して種々の不具合を発生
させる。例えば、ＨＭＤＳが周辺装置の紫外線ランプや
ステッパレンズなどに飛散すると、当該飛散位置でシリ
コンの結晶が形成され、紫外線の露光不足を招くといっ
た問題が生じる。また、当該結晶は、パーティクルとな
って製品の歩留り低下の原因ともなる。

【０００５】また、ＨＭＤＳの供給量が多すぎると、基
板表面にＨＭＤＳが過剰に塗布されてしまい、後で基板
表面にフォトレジストなど所定の塗布液を塗布すると、
その塗布液がはじかれてしまうという問題があるが、従
来の密着強化処理装置では当該問題を有効に防止するこ
とができなかった。

【０００６】本発明は、上述のような問題に鑑みてなさ
れたものであって、密着強化剤の塗布処理終了後にその
蒸気が装置外部に漏れることを良好に防止することが可
能な密着強化処理装置を提供することを第１の目的とす
る。

【０００７】また、本発明は、密着強化剤の塗布処理に
要する時間を短縮させることが可能な密着強化処理装置
及び密着強化処理方法を提供することを第２の目的とす
る。

【０００８】さらに、本発明は、基板に密着強化剤が過
剰に塗布されるのを防止することが可能な密着強化処理
方法を提供することを第３の目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、基板
に密着強化剤の蒸気を供給して基板表面に密着強化剤を
塗布する密着強化処理装置であって、上記目的を達成す
るため、基板が載置され、載置された基板を支持する基
板支持手段と、前記基板支持手段に支持された基板を包
含する密閉空間を形成するチャンバ手段と、前記密閉空
間に密着強化剤の蒸気を供給する密着強化剤供給手段
と、前記密閉空間に供給された密着強化剤の蒸気を排気
する排気手段と、を有している。

【００１０】請求項２の発明は、前記密着強化剤供給手
段によって前記密閉空間の上部から下方に向けて密着強
化剤の蒸気を吐出し、前記基板支持手段に載置された基
板に当該蒸気を供給するように構成するとともに、前記
排気手段に前記密閉空間の上部に負圧を与え、前記密閉
空間内に存在する密着強化剤の蒸気を前記密閉空間の上
部に向けて吸引する吸引手段を設けている。

【００１１】請求項３の発明は、前記基板支持手段上に
載置された基板の上方位置に配設された整流手段をさら
に備え、前記密着強化剤供給手段から前記密閉空間に吐
出された密着強化剤の蒸気を前記整流手段を介して前記
基板に供給するようにしている。

【００１２】請求項４の発明は、前記密閉空間内で前記
基板支持手段上の基板を覆うように前記基板支持手段上
に配置されたカバーをさらに備え、前記密着強化剤供給
手段からの密着強化剤の蒸気を前記チャンバ手段と前記
カバーとの間に導入し、前記カバーの側面に形成された
開口を介して前記基板に導くとともに、前記排気手段は
前記カバーの上部と連結され、前記カバーと前記基板支
持手段とで囲まれた空間に存在する前記密着強化剤の蒸
気を排気するようにしている。

【００１３】請求項５の発明は、前記密着強化剤供給手
段によって前記密閉空間の一側方から密着強化剤の蒸気
を前記基板支持手段上に載置された基板に向けて供給す
るように構成するとともに、前記排気手段に前記基板を
挟んで前記一側方と対向する前記密閉空間の他側方から
密着強化剤の蒸気を吸引除去する吸引手段を設けてい
る。

【００１４】請求項６の発明は、密着強化剤の蒸気と置
換可能な気体を前記密閉空間に供給する置換気体供給手
段をさらに備えている。

【００１５】請求項７の発明は、基板に密着強化剤の蒸
気を供給して基板表面に密着強化剤を塗布する密着強化
処理方法であって、上記第２の目的を達成するため、基
板を密閉空間内に載置して密着強化剤の蒸気を供給する
と同時に、前記密閉空間内を排気している。

【００１６】請求項８の発明は、基板に密着強化剤の蒸
気を供給して基板表面に密着強化剤を塗布する密着強化
処理方法であって、上記第３の目的を達成するため、基
板を密閉空間内に載置して密着強化剤の蒸気を供給し、
前記基板の表面に触れた密着強化剤の蒸気を強制的に前
記密閉空間より排出している。

【００１７】

【作用】請求項１の発明では、基板支持手段とチャンバ
手段とで密閉空間が形成され、当該密閉空間に密着強化
剤の蒸気を供給することで基板表面に密着強化剤が塗布
される。また、前記密閉空間に供給された密着強化剤の
蒸気は排気手段により前記密閉空間から排気される。そ
のため、密着強化処理装置の外部への当該蒸気の漏れが
良好に防止される。

【００１８】請求項２の発明では、前記密着強化剤供給
手段からの密着強化剤の蒸気が前記密閉空間の上部から
下方に向けて吐出され、前記基板支持手段に載置された
基板に供給される。一方、吸引手段により前記密閉空間
の上部に負圧が与えられ、前記密閉空間内に残存する密
着強化剤の蒸気が前記密閉空間の上部に向けて吸引除去
される。

【００１９】請求項３の発明では、前記基板支持手段上
に載置された基板の上方位置に整流手段が配設され、前
記密着強化剤供給手段から前記密閉空間に吐出された密
着強化剤の蒸気が前記整流手段を介して前記基板に均一
に供給される。

【００２０】請求項４の発明では、前記密閉空間内で前
記基板支持手段上の基板を覆うように前記基板支持手段
上にカバーが配置される。そして、前記密着強化剤供給
手段からの密着強化剤の蒸気が前記チャンバ手段と前記
カバーとの間に導入され、さらに前記カバーの側面に形
成された開口を介して前記基板に供給される。一方、前
記排気手段が前記カバーの上部と連結され、前記カバー
と前記基板支持手段とで囲まれた空間に残存する密着強
化剤の蒸気を排気する。

【００２１】請求項５の発明では、前記密閉空間の一側
方から密着強化剤の蒸気が前記基板支持手段上に載置さ
れた基板に向けて供給されるとともに、前記基板を挟ん
で前記一側方と対向する前記密閉空間の側方から密着強
化剤の蒸気が吸引除去される。

【００２２】請求項６の発明では、置換気体供給手段か
ら密着強化剤の蒸気と置換可能な気体が前記密閉空間に
供給され、前記密閉空間内からの密着強化剤が効果的に
排出される。

【００２３】請求項７の発明では、基板が密閉空間内に
載置され、前記密閉空間に密着強化剤の蒸気が供給され
て前記基板の表面に密着強化剤が塗布される。また、そ
れと同時に、前記密閉空間内の密着強化剤の蒸気が排気
される。

【００２４】請求項８の発明では、基板の表面に触れた
密着強化剤の蒸気が強制的に密閉空間より排出されるた
め、密着強化剤が前記基板に過剰に塗布されるのが効果
的に防止される。

【００２５】

【実施例】図１は、この発明にかかる密着強化処理装置
の一実施例を示す断面図である。この密着強化処理装置
では、プレート１０にプッシャーピン（図示省略）が設
けられており、このプッシャーピンの昇降動作によって
プレート１０からの液晶用ガラス角型基板Ｗ（以下「基
板Ｗという」）の上昇およびプレート１０への基板Ｗの
載置が可能となっている。また、プレート１０には吸着
孔が設けられており、基板Ｗを真空吸着してプレート１
０上に保持することができるようになっている。

【００２６】このプレート１０の上方部でチャンバ２０
が上下方向Ｚに昇降自在となっており、図示を省略する
チャンバ駆動機構によりチャンバ２０を降下させると、
プレート１０とで密閉空間Ｓ1が形成される（図１参
照）。また、このチャンバ２０の下方外周縁部には、化
学薬品に対し耐久性を有する材料、例えばテフロン（ト
リフルオロエチレンのDu Pont社商標）製のパッキン２
１が取り付けられており、密閉空間Ｓ1の密閉性が高め
られている。このチャンバ２０の上部には排気口２２が
形成されている。そして、この排気口２２に排気ユニッ
ト３０が接続されており、密閉空間Ｓ1内を排気可能と
なっている。

【００２７】図２は排気ユニット３０の構成を示す図で
ある。同図に示すように、排気ユニット３０は、チャン
バ２０の排気口２２に連結された排気管３１と、アスピ
レータ３２と、エアーバルブ３３とを備えており、エア
ー供給源（図示省略）からのエアーをエアーバルブ３３
を介してアスピレータ３２の一方端に導入すると、アス
ピレータ３２内で負圧が発生し、同時に排気管３１を介
して連通された密閉空間Ｓ1に負圧が与えられ、当該密
閉空間Ｓ1が排気され、エアー供給源からのエアーとと
もにアスピレータ３２の他方端から工場内に予め設置さ
れている排気ライン（図示省略）に送られる。したがっ
て、エアーバルブ３３の開閉を制御することで、適宜密
閉空間Ｓ1内を排気可能となっている。なお、密閉空間
Ｓ1内を排気する手段については、上記のように構成さ
れた排気ユニット３０に限定されるものではなく、他の
排気手段、例えば排気ポンプなどを用いることができ
る。

【００２８】図１に戻って、チャンバ２０の内部には、
カバー４０が設けられており、チャンバ２０と一体的に
上下方向に昇降する。そして、チャンバ２０が降下した
状態で、カバー４０はプレート１０に載置された基板Ｗ
を覆うようにしてプレート１０上に配置され、密閉空間
Ｓ1内で空間Ｓ2を形成する。なお、カバー４０の下方側
面部には開口４１が形成されており、この開口４１を介
して両空間Ｓ1，Ｓ2が相互に連通されている。

【００２９】このカバー４０の上部には、ＨＭＤＳ蒸気
を供給するためのＨＭＤＳ供給ユニット５０および窒素
ガスを供給するための窒素ガス供給ユニット６０とが接
続されている。

【００３０】図３は、ＨＭＤＳ供給ユニット５０および
窒素ガス供給ユニット６０の構成を示す図である。同図
に示すように、ＨＭＤＳ供給ユニット５０は、ＨＭＤＳ
配管５１と、エアーバルブ５２と、フィルタ５３と、Ｈ
ＭＤＳバブリングタンク５４と、流量計５５とで構成さ
れている。この実施例では、エアーバルブ５２を開く
と、フィルタ５３を介してＨＭＤＳが貯留されているＨ
ＭＤＳバブリングタンク５４内に適当な気体、例えば窒
素ガスが供給されてＨＭＤＳ蒸気を発生させることがで
きるようになっている。また、こうして発生したＨＭＤ
Ｓ蒸気は流量計５５を経由し、ＨＭＤＳ配管５１にそっ
てカバー４０の内部に形成される空間Ｓ2に吐出され
る。

【００３１】なお、図４に示すように、ＨＭＤＳバブリ
ングタンク５４と流量計５５との間にジョイント５６を
設けるとともに、そのジョイント５６とＨＭＤＳバブリ
ングタンク５４との間にエアーバルブ５７を介挿すると
ともに、エアーバルブ５８を介してジョイント５６側に
窒素ガスを供給するようにすれば、上記のようにしてＨ
ＭＤＳ蒸気をカバー４０側に供給した後、エアーバルブ
５７を閉じる一方、エアーバルブ５８を開くことでＨＭ
ＤＳ配管５１に窒素ガスを供給してパージ処理を行うこ
とができる。

【００３２】窒素ガス供給ユニット６０は、図３に示す
ように、窒素ガス供給源（図示省略）からの窒素ガスを
エアーバルブ６１，流量計６２を通過し、窒素ガス配管
６３にそって空間Ｓ2に吐出可能となっている。したが
って、エアーバルブ６１の開閉動作に応じて窒素ガス供
給源からの窒素ガスが窒素ガス配管６３を介して空間Ｓ
2に吐出される。

【００３３】再度、図１に戻って、カバー４０の内部に
は、ステンレス製の板材に複数の孔７１を穿設してなる
整流板７０が固定されており、この整流板７０によって
空間Ｓ2がＨＭＤＳ導入空間（上部空間）とＨＭＤＳ処
理空間（下部空間）とに仕切られている。したがって、
ＨＭＤＳ供給ユニット５０のエアーバルブ５２（図３）
を開くと、ＨＭＤＳ蒸気がＨＭＤＳ導入空間に導入さ
れ、整流板７０によって整流された後、各孔７１からＨ
ＭＤＳ処理空間に流れ込み、上方から下方に向けて基板
Ｗの表面に均一に供給される。この実施例のように整流
板７０を設けることにより、基板ＷへのＨＭＤＳ蒸気の
均一供給が可能となり、基板ＷにＨＭＤＳをより均一に
塗布することができる。

【００３４】また、窒素ガス供給ユニット６０のエアー
バルブを開くと、上記ＨＭＤＳの場合と同様に、整流板
７０を介して基板Ｗ側に供給される。

【００３５】なお、図１に示すように、この実施例にか
かる密着強化処理装置の両サイドには、従来例と同様
に、排気装置５およびオーブン２ｂ，２ｃがそれぞれ配
置されている。また、図示を省略する搬送機構によりオ
ーブン２ｂ−密着強化処理装置−オーブン２ｃの順序で
基板Ｗを搬送可能となっている。

【００３６】次に、上記のように構成された密着強化処
理装置の動作について図５を参照しつつ説明する。

【００３７】オーブン２ｂでの処理が完了すると、搬送
機構により基板Ｗをオーブン２ｂから密着強化処理装置
に搬送する。このとき、プッシャーピン、チャンバ２０
はともに上昇しており、搬送機構からの基板Ｗの受取が
可能な状態になっている。

【００３８】基板Ｗの受取が完了すると（時刻ｔ0）、
プッシャーピンを降下させて基板Ｗをプレート１０上に
載置すると同時に、真空吸着を作動させて基板Ｗをプレ
ート１０上に吸着保持する。また、チャンバ２０につい
ても降下させて図１に示すように密閉空間Ｓ1を形成す
る。なお、この時刻ｔ0では、ＨＭＤＳ蒸気および窒素
ガスの供給は停止させ、またエアーバルブ３３を閉じて
排気ユニット３０による密閉空間Ｓ1内の排気も停止さ
せておく。

【００３９】そして、時刻ｔ0から時刻ｔ1までの間（時
間Ｔ3）、この状態を維持して、プレート１０からの熱
により基板Ｗを加熱し、その温度を上昇させる。

【００４０】時刻ｔ1になると、ＨＭＤＳ供給ユニット
５０からＨＭＤＳ蒸気を吐出させて、ＨＭＤＳの塗布処
理を開始する。この実施例では、ＨＭＤＳ蒸気の吐出開
始と同時に、窒素ガス供給ユニット６０から窒素ガスを
吐出させて基板Ｗへの気流を形成している。このため、
この窒素ガスの流れによって、ＨＭＤＳ蒸気が空間Ｓ2
内に淀むのを防止することができ、ＨＭＤＳ蒸気をより
効率的に基板Ｗの表面に運ぶことができる。ただし、基
板ＷへのＨＭＤＳ塗布処理にとって、この窒素ガスの供
給は必須構成ではなく、任意の構成である。

【００４１】また、この実施例では、ＨＭＤＳ蒸気の吐
出開始と同時に、エアーバルブ３３を開いて、排気ユニ
ット３０による排気を開始する。この排気開始により、
密閉空間Ｓ1の上部に負圧がかかり、ＨＭＤＳ蒸気およ
び窒素ガスが、矢印ＦＬで示すように、カバー４０の開
口４１を通過し、さらに排気口２２を介して排気ユニッ
ト３０側に排気される。このように、ＨＭＤＳ蒸気によ
る塗布処理と並行してＨＭＤＳ蒸気の排出を行うことに
より、一度基板基板表面にふれたＨＭＤＳ蒸気が強制的
に基板Ｗの近傍から排気され、基板Ｗの表面にＨＭＤＳ
が過剰に塗布されるのを効果的に防止することができ
る。その結果、ＨＭＤＳの過剰塗布によりフォトレジス
ト（塗布液）が基板基板Ｗの表面からはじかれるなどの
不具合を防止することができる。

【００４２】そして、時刻ｔ2になるまで、つまり時間
Ｔ4の間、ＨＭＤＳ蒸気を吐出し続けて、基板表面への
ＨＭＤＳの塗布を行い、時刻ｔ2でＨＭＤＳ供給ユニッ
ト５０からのＨＭＤＳ蒸気の吐出を停止する。この実施
例では、ＨＭＤＳ蒸気の吐出の停止後も、時刻ｔ3まで
窒素ガス供給ユニット６０から窒素ガスを吐出し続け、
窒素ガスによって空間Ｓ2に残存するＨＭＤＳ蒸気を排
気ユニット３０側に排出する。このため、装置内でのＨ
ＭＤＳ蒸気の残存をほとんどゼロにすることができる。

【００４３】時刻ｔ3になると、窒素ガス供給ユニット
６０からの窒素ガスの吐出を停止させると同時に、基板
Ｗを次のオーブン２ｃに搬送するための準備を行う。す
なわち、真空吸着を解除するとともに、プッシャーピン
およびチャンバ２０を上昇させる。

【００４４】なお、このとき、排気ユニット３０につい
ては時刻ｔ4まで、つまり時間Ｔ6の間、作動させた状態
のままにしておく。その理由は、排気ユニット３０を作
動させておくことで、チャンバ２０を上昇させた際に、
チャンバ２０周辺の空気がチャンバ２０内部に吸い込ま
れ、仮にチャンバ２０内にＨＭＤＳ蒸気が残存していた
としても、その空気流れに沿って排気ユニット３０側に
排気され、その結果、装置周辺にＨＭＤＳ蒸気が拡散す
るのをより効果的に防止することができるからである。

【００４５】時刻ｔ4になると、排気ユニット３０を停
止させるとともに、搬送機構のオープンアームを閉じて
プッシャーピンから基板Ｗを受取り、次のオーブン２ｃ
に搬送する。

【００４６】上記した一連の動作を繰り返すことで、連
続して、密着強化処理装置からのＨＭＤＳ蒸気の漏れを
効果的に防止しながら基板Ｗの表面にＨＭＤＳを塗布す
ることができる。

【００４７】以上、実施例に即して本発明を説明した
が、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、様
々な変形が可能である。

【００４８】上記では、常圧でＨＭＤＳ蒸気を装置内に
供給して基板ＷにＨＭＤＳを塗布する常圧密閉方式の密
着強化処理装置に本発明を適用した場合について説明し
たが、本発明の適用対象は当該方式の装置に限定される
ものではなく、ＨＭＤＳ蒸気の供給前に装置内を減圧す
る減圧密閉方式の装置にも適用することができる。

【００４９】また、上記実施例では、基板Ｗの上方より
ＨＭＤＳ蒸気を供給する一方、カバー４０の開口４１を
通過し、チャンバ２０とカバー４０との間を通って排気
ユニット３０側に排気するようにしているが、この関係
を逆転させてもよい。すなわち、図６に示すように、チ
ャンバ２０の上外周縁部にＨＭＤＳ配管５１を、また上
中央部に窒素ガス配管６３をそれぞれ接続し、チャンバ
２０とカバー４０との間を通過し、同図の矢印ＦＬのよ
うに基板Ｗの側面からＨＭＤＳ蒸気を供給する一方、排
気ユニット３０をカバー４０の上部に接続して基板Ｗ側
から上方向に流れるＨＭＤＳおよび窒素ガスを排気する
ようにしてもよい。

【００５０】また、カバー４０や整流板７０は必須構成
ではなく、必要に応じて設ければよい。

【００５１】また、ＨＭＤＳ蒸気の供給方向や排気方向
については、上記実施例に限定されるものでなく、例え
ば図７に示すように、チャンバ２０の一側面部にＨＭＤ
Ｓ配管５１および窒素ガス配管６３を接続して、基板Ｗ
に向けてＨＭＤＳ蒸気を供給するとともに、基板Ｗを挟
んでＨＭＤＳ配管５１および窒素ガス配管６３と対向し
てチャンバ２０の側面部に排気管３１を接続してＨＭＤ
Ｓ蒸気を排気ユニット３０に吸引排気するようにしても
よい。

【００５２】

【発明の効果】以上のように、請求項１の発明によれ
ば、基板支持手段とチャンバ手段とで形成される密閉空
間を供給された密着強化剤の蒸気を排気手段により前記
密閉空間から排気するようにしているので、密着強化処
理装置の外部への当該蒸気の漏れを良好に防止すること
ができる。

【００５３】また、請求項２の発明によれば、前記密着
強化剤供給手段からの密着強化剤の蒸気を前記密閉空間
の上部から下方に向けて吐出して、基板に密着強化剤を
塗布する一方、吸引手段により前記密閉空間の上部に負
圧を与え、前記密閉空間内に残存する密着強化剤の蒸気
を前記密閉空間の上部に向けて吸引除去しているので、
短時間で密着強化剤の塗布処理を行うことができる。

【００５４】また、請求項３の発明によれば、前記基板
支持手段上に載置された基板の上方位置に整流手段を配
設したため、前記密着強化剤供給手段から前記密閉空間
に吐出された密着強化剤の蒸気を前記整流手段を介して
前記基板に均一に供給することができ、密着強化剤を前
記基板の表面に良好に塗布することができる。

【００５５】また、請求項４の発明によれば、前記密閉
空間内で前記基板支持手段上の基板を覆うように前記基
板支持手段上にカバーを配置することで、前記密着強化
剤供給手段からの密着強化剤の蒸気を前記チャンバ手段
ーと前記カバーとの間に導入し、さらに前記カバーの側
面に設けられた開口を介して前記基板に供給するととも
に、前記排気手段を前記カバーの上部と連結して前記カ
バーと前記基板支持手段とで囲まれた空間に残存する密
着強化剤の蒸気を排気するようにしているので、短時間
で密着強化剤の塗布処理を行うことができる。

【００５６】また、請求項５の発明によれば、前記密閉
空間の一側方から密着強化剤の蒸気を前記基板支持手段
上に載置された基板に向けて供給するとともに、前記基
板を挟んで前記一側方と対向する前記密閉空間の側方か
ら密着強化剤の蒸気を吸引除去しているので、密着強化
剤の基板への塗布と同時に、前記密閉空間内に残存する
密着強化剤の蒸気を排気することができ、短時間で密着
強化剤の塗布処理を行うことができる。

【００５７】また、請求項６の発明によれば、置換気体
供給手段から密着強化剤の蒸気と置換可能な気体を前記
密閉空間に供給しているので、前記密閉空間内からの密
着強化剤を効果的に排出することができる。

【００５８】また、請求項７の発明によれば、密閉空間
を排気することで当該密閉空間に供給された密着強化剤
の蒸気を取り除いているため、密着強化処理装置の外部
への当該蒸気の漏れを良好に防止することができる。

【００５９】さらに、請求項８の発明によれば、基板の
表面に触れた密着強化剤の蒸気を強制的に密閉空間より
排出するため、密着強化剤が前記基板に過剰に塗布され
るのを効果的に防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明にかかる密着強化処理装置の一実施例
を示す断面図である。

【図２】排気ユニットの構成を示す図である。

【図３】ＨＭＤＳ供給ユニットおよび窒素ガス供給ユニ
ットの構成を示す図である。

【図４】ＨＭＤＳ供給ユニットの変形例を示す図であ
る。

【図５】図１の密着強化処理装置の動作を示すタイミン
グチャートである。

【図６】この発明にかかる密着強化処理装置の別の実施
例を示す断面図である。

【図７】この発明にかかる密着強化処理装置のさらに別
の実施例を示す断面図である。

【図８】従来の密着強化処理装置を示す斜視図である。

【符号の説明】

１０ プレート ２０ チャンバ ３０ 排気ユニット ４０ カバー ５０ ＨＭＤＳ供給ユニット ６０ 窒素ガス供給ユニット ７０ 整流板 ８０ 隙間 Ｓ1 密閉空間 Ｓ2 空間

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に密着強化剤の蒸気を供給して基板
   表面に密着強化剤を塗布する密着強化処理装置におい
   て、 基板が載置され、載置された基板を支持する基板支持手
   段と、 前記基板支持手段に支持された基板を包含する密閉空間
   を形成するチャンバ手段と、 前記密閉空間に密着強化剤の蒸気を供給する密着強化剤
   供給手段と、 前記密閉空間に供給された密着強化剤の蒸気を排気する
   排気手段と、を有することを特徴とする密着強化処理装
   置。
2. 【請求項２】 前記密着強化剤供給手段は前記密閉空間
   の上部から下方に向けて密着強化剤の蒸気を吐出し、前
   記基板支持手段に載置された基板に当該蒸気を供給する
   とともに、 前記排気手段は前記密閉空間の上部に負圧を与え、前記
   密閉空間内に存在する密着強化剤の蒸気を前記密閉空間
   の上部に向けて吸引する吸引手段を備えた請求項１記載
   の密着強化処理装置。
3. 【請求項３】 前記基板支持手段上に載置された基板の
   上方位置に配設された整流手段をさらに備え、 前記密着強化剤供給手段から前記密閉空間に吐出された
   密着強化剤の蒸気を前記整流手段を介して前記基板に供
   給する請求項２記載の密着強化処理装置。
4. 【請求項４】 前記密閉空間内で前記基板支持手段上の
   基板を覆うように前記基板支持手段上に配置されたカバ
   ーをさらに備え、 前記密着強化剤供給手段からの密着強化剤の蒸気を前記
   チャンバ手段と前記カバーとの間に導入し、前記カバー
   の側面に形成された開口を介して前記基板に導くととも
   に、 前記排気手段は前記カバーの上部と連結され、前記カバ
   ーと前記基板支持手段とで囲まれた空間に存在する前記
   密着強化剤の蒸気を排気する請求項１記載の密着強化処
   理装置。
5. 【請求項５】 前記密着強化剤供給手段は前記密閉空間
   の一側方から密着強化剤の蒸気を前記基板支持手段上に
   載置された基板に向けて供給するとともに、 前記排気手段は前記基板を挟んで前記一側方と対向する
   前記密閉空間の他側方から密着強化剤の蒸気を吸引除去
   する吸引手段を有する請求項１記載の密着強化処理装
   置。
6. 【請求項６】 密着強化剤の蒸気と置換可能な気体を前
   記密閉空間に供給する置換気体供給手段をさらに備えた
   請求項１記載の密着強化処理装置。
7. 【請求項７】 基板に密着強化剤の蒸気を供給して基板
   表面に密着強化剤を塗布する密着強化処理方法におい
   て、 基板を密閉空間内に載置して密着強化剤の蒸気を供給す
   ると同時に、前記密閉空間内を排気することを特徴とす
   る密着強化処理方法。
8. 【請求項８】 基板に密着強化剤の蒸気を供給して基板
   表面に密着強化剤を塗布する密着強化処理方法におい
   て、 基板を密閉空間内に載置して密着強化剤の蒸気を供給
   し、前記基板の表面に触れた密着強化剤の蒸気を強制的
   に前記密閉空間より排出することを特徴とする密着強化
   処理方法。