JPH065647A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH065647A
JPH065647A JP16521192A JP16521192A JPH065647A JP H065647 A JPH065647 A JP H065647A JP 16521192 A JP16521192 A JP 16521192A JP 16521192 A JP16521192 A JP 16521192A JP H065647 A JPH065647 A JP H065647A
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JP
Japan
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semiconductor element
relay
metal thin
lead
lead frame
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JP16521192A
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English (en)
Inventor
Sadayuki Moroi
定幸 諸井
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NEC Kyushu Ltd
Original Assignee
NEC Kyushu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】金属細線により半導体素子電極とリードフレー
ム内部リードの間を中継部にて中継して接続するのに中
継部での接続強度を増大すること。 【構成】半導体素子搭載部１の上の半導体素子４の電極
とリードフレーム内部リード２との間が中継部の絶縁体
層３のボンディングパッド３ａ上で、半導体素子電極か
らの金属細線５の他端と内部リード６の他端とが重ねら
れボンディングパッドと共にボンディング接続されてい
る。 【効果】両金属細線が重ねてボンディングパッドに接続
されているので、ボンディングパッドから剥離しても半
導体素子と内部リードとは導通断が起こらない。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はリードフレームの半導体
素子搭載部に搭載した半導体素子上の電極とリードフレ
ームの内部リードとの間を前記リードフレーム半導体素
子搭載部縁辺の中継部を介して金属細線で接続してなる
半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の半導体装置は、図４の断
面図に示すように、リードフレームの半導体素子搭載部
１に搭載された半導体素子４上の電極とリードフレーム
の内部リード２との間を、半導体素子搭載部縁辺に設け
た中継部で中継させて金属細線５と６により接続してお
った。中継部はガラスエポキシなどの絶縁体層３上に、
銅などで配線パターン３ｃを形成して成り、この配線パ
ターン３ｃの両端にそれぞれ一端を半導体素子電極に接
続した金属細線５の他端と内部リード２に一端を接続し
た金属細線６の他端をボンディング接続していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の半導体装置
では、中継部の配線パターンへのボンディング接続の
際、配線パターンの下に絶縁体層があるため、ボンディ
ング圧力や超音波振動が十分に加わらず、金属細線の十
分な接続強度を得られなかった。このため樹脂封止時に
金属細線が剥離し、断線するという問題があった。
【０００４】また絶縁体層に配線パターンを設けた中継
部は多くの工数を要し、リードフレームが高価になり、
かつ、汎用性に欠けるため一層コストアップを来たすと
いう問題もあった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題に対して本発明
では、中継部を絶縁体層と簡単なボンディングパッドま
たは導電体細粒で構成し、さらに２本の金属細線の端を
重ねてボンディング接続している。
【０００６】
【実施例】つぎに図面を参照して本発明を説明する。図
１は本発明の一実施例の金属細線により半導体素子電極
とリードフレーム内部リード間を接続した状態の断面
図、図２は図１の中継部の平面図である。図１と図２に
おいて、リードフレームの半導体素子搭載部１に半導体
素子４が固着され、この半導体素子４の電極とリードフ
レームの内部リード２との間は、半導体素子搭載部１の
縁辺に設けている中継部で一旦中継された金属細線５と
６で接続されている。中継部は絶縁体層３の上にボンデ
ィングパッド３ａを形成して成り、このボンディングパ
ッド３ａの上で一端が半導体素子電極に接続された金属
細線５の他端と、内部リード２に一端が接続された金属
細線６の他端とが重ね合わされてボンディング接続され
ている。
【０００７】このような両金属細線５と６を直接接続し
ていることにより、金属細線が中継部から剥離しても半
導体素子から内部リードまでの導通が保たれるので、絶
縁体層３上のボンディングパッド３ａは単なる点状のも
のでもよく、多工数の配線パターンの必要はない。
【０００８】図３は本発明の実施例２の中継部の断面図
である。図において、半導体素子搭載部１縁辺の絶縁体
層３上にはＡｕの細粒３ｂが散布され、細粒３ｂの上に
半導体素子および内部リードからの両金属細線５と６と
の他端を重ね合わせてボンディング接続されている。そ
して接続後は接続部以外のＡｕ細粒は取り除かれる。本
例では、絶縁体層３上にボンディングパッドや配線パタ
ーンを設けるのに比べて極めて簡単にできる利点があ
る。
【０００９】
【発明の効果】上記のように本発明では、半導体素子の
電極とリードフレームの内部リードとの間を、中間に中
継部を設けて金属細線で接続する際に、この中継部にお
ける半導体素子電極および内部リードからの両金属細線
端を重ねて直接接続することにより、この金属細線が中
継部の導電体より剥離することがあっても、両金属細線
の間の導通が保たれる。また、中継部の導電体として、
Ａｕなどの細粒を散布したものを用いることにより、導
電体形成の工数を大幅に少なくできるという効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１の半導体素子電極とリードフ
レーム内部リードとの間を金属細線により中継部にて中
継接続した状態を示す断面図である。
【図２】図１の中継部の平面図である。
【図３】本発明の実施例２の半導体素子電極とリードフ
レーム内部リードとの間を金属細線により中継部にて中
継接続した中継部を示す断面図である。
【図４】従来の半導体装置の半導体素子電極とリードフ
レーム内部リードとの間を金属細線により中継部にて中
継接続した状態を示す断面図である。
【符号の説明】
１ 半導体素子搭載部 ２ 内部リード ３ 絶縁体層 ３ａ ボンディングパッド ３ｂ Ａｕ細粒 ３ｃ 配線パターン ４ 半導体素子 ５，６ 金属細線

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 リードフレームの半導体素子搭載部に半
    導体素子を搭載し、前記半導体素子搭載部の縁辺に設け
    た絶縁体層の上に導電体を有する中継部を中継点として
    前記半導体素子上の電極と前記リードフレームの内部リ
    ードとの間を金属細線で接続し樹脂封止した半導体装置
    において、前記中継部において前記半導体素子電極につ
    ながる金属細線の他端と内部リードにつながる金属細線
    の他端とが重ね合わせ接続されていることを特徴とする
    半導体装置。
  2. 【請求項２】 上記中継部の導電体は前記絶縁体層上に
    散布された金属細粒からなることを特徴とする請求項１
    の半導体装置。
JP16521192A 1992-06-24 1992-06-24 半導体装置 Pending JPH065647A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10324069B4 (de) * 2003-05-27 2005-06-23 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung und Verfahren zur leitenden Verbindung von Kontaktflecken bei Halbleiterchips
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DE102004047306B4 (de) * 2004-09-29 2008-02-07 Infineon Technologies Ag Leistungs-Halbleiterbauteil mit mehreren Bauteilkomponenten
US7391121B2 (en) 2005-02-10 2008-06-24 Infineon Technologies Ag Semiconductor device with a number of bonding leads and method for producing the same
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Date Code Title Description
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19980616