JPH065760B2 - 感 光 装 置 - Google Patents
感 光 装 置Info
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- JPH065760B2 JPH065760B2 JP58022534A JP2253483A JPH065760B2 JP H065760 B2 JPH065760 B2 JP H065760B2 JP 58022534 A JP58022534 A JP 58022534A JP 2253483 A JP2253483 A JP 2253483A JP H065760 B2 JPH065760 B2 JP H065760B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/40—Optical elements or arrangements
- H10F77/413—Optical elements or arrangements directly associated or integrated with the devices, e.g. back reflectors
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （イ） 産業上の利用分野 本発明は光学フィルタを備えた感光装置に関する。
（ロ） 従来技術 アモルファスシリコンの如きアモルファス半導体等の薄
膜状光半導体層を光活性層とする感光装置が実用化され
るに至って来た。欺る感光装置は薄膜状光半導体層を有
するが故に、該半導体層を支持する支持基板は不可欠な
存在である。本願出願人は上記不可欠な支持基板として
透光性の材料を使用することにより、該支持基板を受光
面とする感光装置を実用化し、更には上記支持基板の光
入射面、即ち上記光半導体層が配置せしめられている主
面とは逆の主面に光学フィルタを被着せしめた感光装置
をも試作した。
膜状光半導体層を光活性層とする感光装置が実用化され
るに至って来た。欺る感光装置は薄膜状光半導体層を有
するが故に、該半導体層を支持する支持基板は不可欠な
存在である。本願出願人は上記不可欠な支持基板として
透光性の材料を使用することにより、該支持基板を受光
面とする感光装置を実用化し、更には上記支持基板の光
入射面、即ち上記光半導体層が配置せしめられている主
面とは逆の主面に光学フィルタを被着せしめた感光装置
をも試作した。
第１図は欺る感光装置を示し、(1)は例えばガラス・耐
熱プラスチック等から成る透光性の支持基板、(2)は該
支持基板(1)の一方の主面に設けられた感光領域で、該
感光領域(2)は支持基板(1)側から第１電極層(3)、薄膜
状半導体層(4)及び第２電極層(5)が順次積層された構造
を持つ。上記第１電極層(3)は酸化スズ（ＳｎＯ２）・
酸化インジウムスズ（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２）等の透光
性材料から成り、上記半導体層(4)は面方向にＰ型層、
Ｉ型層、Ｎ型層を重畳せしめたＰＩＮ接合を有する膜厚
サブミクロン乃至ミクロンオーダのアモルファスシリコ
ンから形成され、更に上記第２電極層(5)は該アモルフ
ァスシリコンとオーミック接触するアルミニウム等の金
属から成っている。
熱プラスチック等から成る透光性の支持基板、(2)は該
支持基板(1)の一方の主面に設けられた感光領域で、該
感光領域(2)は支持基板(1)側から第１電極層(3)、薄膜
状半導体層(4)及び第２電極層(5)が順次積層された構造
を持つ。上記第１電極層(3)は酸化スズ（ＳｎＯ２）・
酸化インジウムスズ（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２）等の透光
性材料から成り、上記半導体層(4)は面方向にＰ型層、
Ｉ型層、Ｎ型層を重畳せしめたＰＩＮ接合を有する膜厚
サブミクロン乃至ミクロンオーダのアモルファスシリコ
ンから形成され、更に上記第２電極層(5)は該アモルフ
ァスシリコンとオーミック接触するアルミニウム等の金
属から成っている。
従って、上記支持基板(1)並びに第１電極層(3)を透過し
て光が光半導体層(4)に照射せしめられると、上記両電
極(3)(5)間に光起電力が生起せしめられる。
て光が光半導体層(4)に照射せしめられると、上記両電
極(3)(5)間に光起電力が生起せしめられる。
(6)は上記支持基板(1)の他方の主面に透光性の接着剤
(7)を介して被着せしめられた例えば特定の波長帯域の
みの光を透過せしめる帯域透過型の光学フィルタで、よ
り具体的にはゼラチン等の有機物質を赤、緑若しくは青
等に青色せしめた有色フィルタである。斯る有色の光学
フィルタ(6)としては例えばイーストマン・コダック社
のWrattengelatin filterが市販されており、赤色フィ
ルタとしてはそのＮｏ．25、緑色フィルタとしはＮｏ．
58、また青色フィルタとしてはＮｏ．47Ｂの各品番のも
のが使用される。
(7)を介して被着せしめられた例えば特定の波長帯域の
みの光を透過せしめる帯域透過型の光学フィルタで、よ
り具体的にはゼラチン等の有機物質を赤、緑若しくは青
等に青色せしめた有色フィルタである。斯る有色の光学
フィルタ(6)としては例えばイーストマン・コダック社
のWrattengelatin filterが市販されており、赤色フィ
ルタとしてはそのＮｏ．25、緑色フィルタとしはＮｏ．
58、また青色フィルタとしてはＮｏ．47Ｂの各品番のも
のが使用される。
この様に支持基板(1)の光入射面に光学フィルタ(6)を配
置することによって斯るフィルタ特性に応じた特定波長
の光が感光領域(2)に照射せしめられる。
置することによって斯るフィルタ特性に応じた特定波長
の光が感光領域(2)に照射せしめられる。
尚、第１図に於いて、(8)(8)は光照射により発生した光
起電力を外部に導出する一対のリード体で、上記第１電
極層(3)並びに第２電極層(5)と電気的且つ機械的に結合
されている。更に、(9)は上記リード体(8)(8)並びに感
光領域(2)をモールドするエポキシ系の着色モールド体
である。
起電力を外部に導出する一対のリード体で、上記第１電
極層(3)並びに第２電極層(5)と電気的且つ機械的に結合
されている。更に、(9)は上記リード体(8)(8)並びに感
光領域(2)をモールドするエポキシ系の着色モールド体
である。
然し乍ら、斯る構造の感光装置は構成に欠くことのでき
ない支持基板(1)によって光学フィルタ(6)の支持をも兼
用せしめることができる反面、光学フィルタ(6)が光入
射面に露出するために傷付き易く、この傷により光学フ
ィルタ(6)透過後の入射光が散乱する危惧を有してい
た。特に第２図の如く光学フィルタ(6)として上記赤、
緑及び青各色フィルタ(6R)(6G)(6B)を並置すると共に、
各色フィルタ(6R)(6G)(6B)に対向して３個の感光領域(2
R)(2G)(2B)を配置した所謂フルカラーセンサに於いて、
入射光の散乱が発生すると、該散乱により隣接せる感光
領域(2R)(2G)、(2R)(2B)、(2G)(2B)に到達してはならな
い光が到達する結果、クロストークを生ぜしめ色識別感
度の低下をもたらしたり、中間色等では誤識別する事故
を招く。
ない支持基板(1)によって光学フィルタ(6)の支持をも兼
用せしめることができる反面、光学フィルタ(6)が光入
射面に露出するために傷付き易く、この傷により光学フ
ィルタ(6)透過後の入射光が散乱する危惧を有してい
た。特に第２図の如く光学フィルタ(6)として上記赤、
緑及び青各色フィルタ(6R)(6G)(6B)を並置すると共に、
各色フィルタ(6R)(6G)(6B)に対向して３個の感光領域(2
R)(2G)(2B)を配置した所謂フルカラーセンサに於いて、
入射光の散乱が発生すると、該散乱により隣接せる感光
領域(2R)(2G)、(2R)(2B)、(2G)(2B)に到達してはならな
い光が到達する結果、クロストークを生ぜしめ色識別感
度の低下をもたらしたり、中間色等では誤識別する事故
を招く。
また、上記傷が深くなると、光学フィルタ(6)により規
制された波長帯域以外の光（ホワイト光）が透過し、Ｓ
／Ｎ比を劣化せしめる原因となる。
制された波長帯域以外の光（ホワイト光）が透過し、Ｓ
／Ｎ比を劣化せしめる原因となる。
斯るホワイト光は、上記の光学フィルタ(6)の傷の他
に、支持基板(1)の側面から感光領域(2)に到達すること
もあり、色識別感度の他の低下原因となっている。
に、支持基板(1)の側面から感光領域(2)に到達すること
もあり、色識別感度の他の低下原因となっている。
更に、光学フィルタ(6)として安価な有機物質のフィル
タを使用すると、該有機フィルタは高価なガラスフィル
タ等に較べ表面硬度が低いために、上記光散乱及びＳ／
Ｎ比の劣化の原因となる傷が付く確率が高いのみなら
ず、信頼性の点についても問題を含んでいる。即ち、有
機フィルタは耐湿性に欠け湿気により波打ったり一方向
に反ったり、遂には剥離したりすることがあると共に、
光学的な特性をも変動する欠点を有している。
タを使用すると、該有機フィルタは高価なガラスフィル
タ等に較べ表面硬度が低いために、上記光散乱及びＳ／
Ｎ比の劣化の原因となる傷が付く確率が高いのみなら
ず、信頼性の点についても問題を含んでいる。即ち、有
機フィルタは耐湿性に欠け湿気により波打ったり一方向
に反ったり、遂には剥離したりすることがあると共に、
光学的な特性をも変動する欠点を有している。
（ハ） 発明の目的 本発明は斯る点に鑑みて為されたものであって、その目
的には、主にクロストーク若しくは感度の低下をもたら
す入射光の散乱及び又はＳ／Ｎ比の劣化を抑圧すること
にある。更に本発明の他の目的は、光学フィルタとして
安価な有機物質から成るフィルタを、信頼性に関する問
題点をも同時に解消せしめた状態で使用可能ならしめる
ことにある。
的には、主にクロストーク若しくは感度の低下をもたら
す入射光の散乱及び又はＳ／Ｎ比の劣化を抑圧すること
にある。更に本発明の他の目的は、光学フィルタとして
安価な有機物質から成るフィルタを、信頼性に関する問
題点をも同時に解消せしめた状態で使用可能ならしめる
ことにある。
（ニ） 発明の構成 本発明は、薄膜状光半導体層を含む感光領域を一方の主
面に支持する透光性の支持基板と、該支持基板の他方の
主面に設けられ上記感光領域と対向する光学フィルタ
と、該光学フィルタの光入射面を覆い受光面を形成する
透光性の受光基板と、上記支持基板の側面と上記感光領
域の背面と上記受光基板の側面または背面の一部と連な
って覆う着色のモールド体と、を備えることを特徴とす
る。
面に支持する透光性の支持基板と、該支持基板の他方の
主面に設けられ上記感光領域と対向する光学フィルタ
と、該光学フィルタの光入射面を覆い受光面を形成する
透光性の受光基板と、上記支持基板の側面と上記感光領
域の背面と上記受光基板の側面または背面の一部と連な
って覆う着色のモールド体と、を備えることを特徴とす
る。
（ホ） 実施例 第３図は本発明の一実施例を示し第１図の従来例と同じ
ものについては同番号が付してあり、(1)は透光性の支
持基板、(2)は感光領域、(3)は第１電極層、(4)はアモ
ルファス半導体等の薄膜状光半導体層、(5)は第２電極
層、(6)は例えば赤、緑若しくは青等に着色せしめられ
た有機物質から成る帯域透過型の光学フィルタ、(7)は
透光性の接着剤、(8)(8)はリード体、(9)はモールド体
で、異なるところは新たに上記光学フィルタ(6)の露出
せる光入射面を覆い受光面を形成する透光性の受光基板
(10)を設けたところと、着色のモールド体(9)が感光領
域(2)の背面に加えて、透光性の支持基板(1)の側面と上
記受光基板(10)の背面の一部をも被覆するようにしたと
ころにある。即ち、上記受光基板(10)はガラス、プラス
チック等の透光性材料から成り、上記光学フィルタ(6)
の光入射面に対し透光性の接着剤(11)を介して被着せし
められ、光学フィルタ(6)の露出せる光入射面を外気か
ら遮断する如く被覆する。
ものについては同番号が付してあり、(1)は透光性の支
持基板、(2)は感光領域、(3)は第１電極層、(4)はアモ
ルファス半導体等の薄膜状光半導体層、(5)は第２電極
層、(6)は例えば赤、緑若しくは青等に着色せしめられ
た有機物質から成る帯域透過型の光学フィルタ、(7)は
透光性の接着剤、(8)(8)はリード体、(9)はモールド体
で、異なるところは新たに上記光学フィルタ(6)の露出
せる光入射面を覆い受光面を形成する透光性の受光基板
(10)を設けたところと、着色のモールド体(9)が感光領
域(2)の背面に加えて、透光性の支持基板(1)の側面と上
記受光基板(10)の背面の一部をも被覆するようにしたと
ころにある。即ち、上記受光基板(10)はガラス、プラス
チック等の透光性材料から成り、上記光学フィルタ(6)
の光入射面に対し透光性の接着剤(11)を介して被着せし
められ、光学フィルタ(6)の露出せる光入射面を外気か
ら遮断する如く被覆する。
一方、着色モールド体(9)は透光性の支持基板(1)の側面
をも被覆すべく、受光基板(10)が支持基板(1)の側面か
ら突出する突出部(10a)を備えている。斯る支持基板(1)
の側面被覆構造により、当該側面から入射せんとするホ
ワイト光の遮光が施される。また、上記突出部(10a)の
存在により、モールド体(9)と、感光領域(2)、支持基板
(1)及び受光基板(10)を主体とする被モールド体との接
触面積の増大が図れ、強固なモールド構造が得られる。
斯る突出長ｄの具体例としては、基板サイズにより大き
く変動するが、0.1mm〜10mm程度が適当であり、例えば
第３図の構造に於いて、支持基板（１）として6mm×6mm
の正方形状のガラス基板を用いた場合、8mm×8mmの正方
形状ガラス基板から成る受光基板(10)が使用に供せら
れ、従ってこの実施例に於ける突出長ｄは1mmである。
をも被覆すべく、受光基板(10)が支持基板(1)の側面か
ら突出する突出部(10a)を備えている。斯る支持基板(1)
の側面被覆構造により、当該側面から入射せんとするホ
ワイト光の遮光が施される。また、上記突出部(10a)の
存在により、モールド体(9)と、感光領域(2)、支持基板
(1)及び受光基板(10)を主体とする被モールド体との接
触面積の増大が図れ、強固なモールド構造が得られる。
斯る突出長ｄの具体例としては、基板サイズにより大き
く変動するが、0.1mm〜10mm程度が適当であり、例えば
第３図の構造に於いて、支持基板（１）として6mm×6mm
の正方形状のガラス基板を用いた場合、8mm×8mmの正方
形状ガラス基板から成る受光基板(10)が使用に供せら
れ、従ってこの実施例に於ける突出長ｄは1mmである。
尚、上記両基板(1)(10)の肉厚はともに0.4mmであった。
第４図は本発明の他の実施例を示し、第３図の実施例と
は、支持基板(1)と受光基板(10)の大きさ関係が逆転し
たところが相違する。即ち、この実施例にあっては、支
持基板(1)の方が大きい構成にあり、受光基板(10)の側
面から突出する突出部(1a)を有している。そして、着色
モールド体(9)は支持基板(1)の側面のみならず、受光基
板(10)の側面をも覆っている。
は、支持基板(1)と受光基板(10)の大きさ関係が逆転し
たところが相違する。即ち、この実施例にあっては、支
持基板(1)の方が大きい構成にあり、受光基板(10)の側
面から突出する突出部(1a)を有している。そして、着色
モールド体(9)は支持基板(1)の側面のみならず、受光基
板(10)の側面をも覆っている。
本実施例においても、着色モールド体(9)を感光領域(2)
の背面から受光基板(10)の側面にまで連なって覆ってい
ることから、受光基板(10)、感光領域(2)そして支持基
板(1)を主体とする被モールド体を強固なモールド構造
とすることが可能となる。
の背面から受光基板(10)の側面にまで連なって覆ってい
ることから、受光基板(10)、感光領域(2)そして支持基
板(1)を主体とする被モールド体を強固なモールド構造
とすることが可能となる。
（ヘ） 発明の効果 本発明は以上の説明から明らかな如く、光学フィルタの
光入射面を透光性の受光基板で覆ったので、該光学フィ
ルタを支持基板と相俟って露出せしめることなく外気か
ら遮断せしめることができ、フィルタが傷付くことを防
止し得、仮に受光基板が傷付いたとしてもそれが光学フ
ィルタに悪影響を与えるものではなく、無視し得る程度
の光散乱が発生するだけであり、従って光学フィルタを
透過する光は散逸せず、Ｓ／Ｎ比の劣化を抑圧せしめる
ことができる。
光入射面を透光性の受光基板で覆ったので、該光学フィ
ルタを支持基板と相俟って露出せしめることなく外気か
ら遮断せしめることができ、フィルタが傷付くことを防
止し得、仮に受光基板が傷付いたとしてもそれが光学フ
ィルタに悪影響を与えるものではなく、無視し得る程度
の光散乱が発生するだけであり、従って光学フィルタを
透過する光は散逸せず、Ｓ／Ｎ比の劣化を抑圧せしめる
ことができる。
更に斯るＳ／Ｎ比の劣化は、着色モールド体が支持基板
の側面をも覆うことによって、側面からのホワイト光の
入射を遮断し得る結果、より一層低減でき、色識別感度
の向上が図れる。
の側面をも覆うことによって、側面からのホワイト光の
入射を遮断し得る結果、より一層低減でき、色識別感度
の向上が図れる。
また、その着色モールド体が感光領域の背面と支持基板
の側面と受光基板の側面または背面の一部とに連なって
覆うことにより、そのモールド構造を強固なものとする
ことができる。
の側面と受光基板の側面または背面の一部とに連なって
覆うことにより、そのモールド構造を強固なものとする
ことができる。
しかも、光学フィルタを外気から遮断せしめることがで
きるので、機械的強度及び耐湿性に欠ける安価な有機物
質から成るフィルタを使用するにも拘らず高信頼性を実
現することができる。
きるので、機械的強度及び耐湿性に欠ける安価な有機物
質から成るフィルタを使用するにも拘らず高信頼性を実
現することができる。
第１図は従来例の断面図、第２図は他の従来例の断面
図、第３図は本発明の一実施例の断面図、第４図は本発
明の他の実施例断面図、を夫々示している。 (1)…支持基板、(2)…感光領域、 (4)…薄膜状光半導体層、 (6)…光学フィルタ、(10)…受光基板、 (12)…凹部。
図、第３図は本発明の一実施例の断面図、第４図は本発
明の他の実施例断面図、を夫々示している。 (1)…支持基板、(2)…感光領域、 (4)…薄膜状光半導体層、 (6)…光学フィルタ、(10)…受光基板、 (12)…凹部。
フロントページの続き (72)発明者 中島 三郎 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 中山 正一郎 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 八木 啓吏 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 中野 昭一 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 桑野 幸徳 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (56)参考文献 特公 昭48−22033（ＪＰ，Ｂ１) 特公 昭53−26797（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (4)
- 【請求項１】薄膜状半導体層を含む感光領域を一方の主
面に支持する透光性の支持基板、該支持基板の他方の主
面に設けられ上記感光領域と対向する光学フィルタ、該
光学フィルタの光入射面を覆い受光面を形成する透光性
の受光基板、上記支持基板の側面と上記感光領域の背面
と上記受光基板の側面または背面の一部とを連なって覆
う着色のモールド体、を備えることを特徴とする感光装
置。 - 【請求項２】上記光学フィルタは有機物質から成ること
を特徴とした特許請求の範囲第１項記載の感光装置。 - 【請求項３】上記薄膜状光半導体層はアモルファス半導
体を主体とすることを特徴とした特許請求の範囲第１項
若しくは第２項記載の感光装置。 - 【請求項４】上記支持基板と受光基板との大きさは相違
することを特徴とした特許請求の範囲第１項乃至第３項
何れか記載の感光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58022534A JPH065760B2 (ja) | 1983-02-14 | 1983-02-14 | 感 光 装 置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58022534A JPH065760B2 (ja) | 1983-02-14 | 1983-02-14 | 感 光 装 置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59148372A JPS59148372A (ja) | 1984-08-25 |
| JPH065760B2 true JPH065760B2 (ja) | 1994-01-19 |
Family
ID=12085462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58022534A Expired - Lifetime JPH065760B2 (ja) | 1983-02-14 | 1983-02-14 | 感 光 装 置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065760B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4755666A (en) * | 1986-06-16 | 1988-07-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photosensor frame |
| EP0253664B1 (en) * | 1986-07-16 | 1992-10-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor photo-sensor and method for manufacturing the same |
| JPH0351855U (ja) * | 1989-09-26 | 1991-05-20 | ||
| JPH0385664U (ja) * | 1989-12-22 | 1991-08-29 | ||
| JP5317712B2 (ja) * | 2008-01-22 | 2013-10-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5822158Y2 (ja) * | 1976-07-07 | 1983-05-11 | シチズン時計株式会社 | 太陽電池時計 |
| JPS5822158U (ja) * | 1981-08-06 | 1983-02-10 | ヤマハ株式会社 | バドミントン用ラケツトフレ−ム |
-
1983
- 1983-02-14 JP JP58022534A patent/JPH065760B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59148372A (ja) | 1984-08-25 |
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