JPH065776A - 抵抗付セラミックパッケージの製造方法 - Google Patents
抵抗付セラミックパッケージの製造方法Info
- Publication number
- JPH065776A JPH065776A JP4184577A JP18457792A JPH065776A JP H065776 A JPH065776 A JP H065776A JP 4184577 A JP4184577 A JP 4184577A JP 18457792 A JP18457792 A JP 18457792A JP H065776 A JPH065776 A JP H065776A
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- JP
- Japan
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- resistance
- resistor
- package
- carbon
- paste
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/003—Thick film resistors
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 抵抗値のバラツキが少なく、任意の抵抗値の
形成が可能で、かつＩＣチップの実装工程での悪影響を
少なくできる抵抗付セラミックパッケージの製造方法を
提供する。 【構成】 パッケージ裏面にカーボン抵抗ペーストをス
クリーン印刷した後、該パッケージを、２００°Ｃ以下
の低温度で焼成し、かつ該カーボン表面をトリミングす
ることで該パッケージ裏面に抵抗を形成する構成よりな
る。
形成が可能で、かつＩＣチップの実装工程での悪影響を
少なくできる抵抗付セラミックパッケージの製造方法を
提供する。 【構成】 パッケージ裏面にカーボン抵抗ペーストをス
クリーン印刷した後、該パッケージを、２００°Ｃ以下
の低温度で焼成し、かつ該カーボン表面をトリミングす
ることで該パッケージ裏面に抵抗を形成する構成よりな
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、抵抗付セラミックパッ
ケージの製造方法に係り、より詳細には、抵抗値のバラ
ツキが少なく、任意の抵抗値の形成が可能で、かつＩＣ
チップの実装工程での悪影響を少なくできる抵抗付セラ
ミックパッケージの製造方法に関する。
ケージの製造方法に係り、より詳細には、抵抗値のバラ
ツキが少なく、任意の抵抗値の形成が可能で、かつＩＣ
チップの実装工程での悪影響を少なくできる抵抗付セラ
ミックパッケージの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、パッケージの多機能化に伴い、コ
ンデンサ内蔵パッケージ、抵抗付パッケージの必要性が
増大している。すなわち、近年のパッケージの構成の複
雑化に伴い、該パッケージに実装するＩＣチップからの
信号がピンに伝わる時間のバラツキが大きくなっている
ことに鑑み、パッケージ内部に抵抗を組み込んで、該ピ
ン毎の信号が伝わる時間を調節できるようにした抵抗付
パッケージの必要性が増加している。
ンデンサ内蔵パッケージ、抵抗付パッケージの必要性が
増大している。すなわち、近年のパッケージの構成の複
雑化に伴い、該パッケージに実装するＩＣチップからの
信号がピンに伝わる時間のバラツキが大きくなっている
ことに鑑み、パッケージ内部に抵抗を組み込んで、該ピ
ン毎の信号が伝わる時間を調節できるようにした抵抗付
パッケージの必要性が増加している。
【０００３】そして、このような抵抗付パッケージは、
通常、抵抗として、 RU O2を用いたハイブリッドＩＣ
用抵抗ペースト、耐熱金属（Ｗ，Mo等）に絶縁物（Al
2O3，ガラス等）を添加した抵抗ペースト、ランタン
−ボライド，酸化スズ等よりなる抵抗ペーストを用い、
該抵抗ペーストをパッケージの上面に印刷・焼成するこ
とで形成されている。
通常、抵抗として、 RU O2を用いたハイブリッドＩＣ
用抵抗ペースト、耐熱金属（Ｗ，Mo等）に絶縁物（Al
2O3，ガラス等）を添加した抵抗ペースト、ランタン
−ボライド，酸化スズ等よりなる抵抗ペーストを用い、
該抵抗ペーストをパッケージの上面に印刷・焼成するこ
とで形成されている。
【０００４】すなわち、抵抗付パッケージは、成形→印
刷→焼成→Ｎｉメッキ→ロー付→Ａｕメッキの工程で得
たパッケージの上面に、前記抵抗ペースト印刷→抵抗焼
成の工程で抵抗を形成することで製造されている。
刷→焼成→Ｎｉメッキ→ロー付→Ａｕメッキの工程で得
たパッケージの上面に、前記抵抗ペースト印刷→抵抗焼
成の工程で抵抗を形成することで製造されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述した抵抗
ペーストを用いて形成した抵抗付パッケージの場合、次
のような問題がある。すなわち、 抵抗ペーストとして RU O2を用いたもの、ランタン
−ボライド，酸化スズを用いたものにあっては、その焼
成温度を、８００℃以上とする必要があるので、パッケ
ージのＮｉメッキ部がＡｕメッキ表面に拡散し、酸化す
るケースが生じ、その結果として、ＩＣの実装（ダイア
タッチ、ワイヤボンディング、シール）に悪影響を及ぼ
す。 抵抗ペーストとして耐熱金属に絶縁物を添加したも
のを用いたものにあっては、印刷厚みにバラツキがある
ため、抵抗値にバラツキが生じ易く、その安定性に欠
け、かつトリミングが困難である。またパッケージサイ
ズの制約により、パターンを十分に長くできないため、
高抵抗の要求に対応できない。 パッケージ表面に抵抗を形成することになるので、
ＩＣチップの実装密度が低下する。 等の問題がある。
ペーストを用いて形成した抵抗付パッケージの場合、次
のような問題がある。すなわち、 抵抗ペーストとして RU O2を用いたもの、ランタン
−ボライド，酸化スズを用いたものにあっては、その焼
成温度を、８００℃以上とする必要があるので、パッケ
ージのＮｉメッキ部がＡｕメッキ表面に拡散し、酸化す
るケースが生じ、その結果として、ＩＣの実装（ダイア
タッチ、ワイヤボンディング、シール）に悪影響を及ぼ
す。 抵抗ペーストとして耐熱金属に絶縁物を添加したも
のを用いたものにあっては、印刷厚みにバラツキがある
ため、抵抗値にバラツキが生じ易く、その安定性に欠
け、かつトリミングが困難である。またパッケージサイ
ズの制約により、パターンを十分に長くできないため、
高抵抗の要求に対応できない。 パッケージ表面に抵抗を形成することになるので、
ＩＣチップの実装密度が低下する。 等の問題がある。
【０００６】ところで、パッケージにおいて、ＩＣチッ
プの実装密度を向上させ得る構造としては、該パッケー
ジの裏面に抵抗を形成する構成が提案されている（特開
平１−２１４０５１号公報参照）。そして、この構成に
あっては、広い面積を有するパッケージの裏面を有効活
用でき、かつ該パッケージの上面へのチップ抵抗等の設
置によるＩＣチップの実装密度の低下を軽減でき、かつ
抵抗値の修正（トリミング）を行うことができるという
利点を有する。
プの実装密度を向上させ得る構造としては、該パッケー
ジの裏面に抵抗を形成する構成が提案されている（特開
平１−２１４０５１号公報参照）。そして、この構成に
あっては、広い面積を有するパッケージの裏面を有効活
用でき、かつ該パッケージの上面へのチップ抵抗等の設
置によるＩＣチップの実装密度の低下を軽減でき、かつ
抵抗値の修正（トリミング）を行うことができるという
利点を有する。
【０００７】しかし、この抵抗付パッケージにあって
も、抵抗ペーストとしては、 RU O2等を用いるので、そ
の焼成温度を８００℃以上とする必要があり、そのため
にパッケージの導体部のＮｉメッキ部がＡｕメッキ表面
に拡散し、酸化するケースが生じ、また抵抗値のバラツ
キが大きく、高抵抗の要求に対応できないという課題が
残る。
も、抵抗ペーストとしては、 RU O2等を用いるので、そ
の焼成温度を８００℃以上とする必要があり、そのため
にパッケージの導体部のＮｉメッキ部がＡｕメッキ表面
に拡散し、酸化するケースが生じ、また抵抗値のバラツ
キが大きく、高抵抗の要求に対応できないという課題が
残る。
【０００８】本発明は、以上のような問題点に対処して
創案したものであって、その目的とする処は、抵抗値の
バラツキが少なく、任意の抵抗値の形成が可能で、かつ
ＩＣチップの実装工程での悪影響を少なくできる抵抗付
セラミックパッケージの製造方法を提供することにあ
る。
創案したものであって、その目的とする処は、抵抗値の
バラツキが少なく、任意の抵抗値の形成が可能で、かつ
ＩＣチップの実装工程での悪影響を少なくできる抵抗付
セラミックパッケージの製造方法を提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】そして、上記課題を解決
するための手段としての本発明の抵抗付セラミックパッ
ケージの製造方法は、パッケージ裏面にカーボン抵抗を
スクリーン印刷した後、該パッケージを、２００°Ｃ以
下の低温度で焼成し、かつ該カーボン表面をトリミング
することで該パッケージ裏面に抵抗を形成するようにし
た構成よりなる。
するための手段としての本発明の抵抗付セラミックパッ
ケージの製造方法は、パッケージ裏面にカーボン抵抗を
スクリーン印刷した後、該パッケージを、２００°Ｃ以
下の低温度で焼成し、かつ該カーボン表面をトリミング
することで該パッケージ裏面に抵抗を形成するようにし
た構成よりなる。
【００１０】
【作用】本発明の抵抗付セラミックパッケージの製造方
法は、抵抗ペーストとして、カーボン抵抗を用い、これ
を該パッケージと一体として、２００℃以下の温度で焼
成するので、該焼成の際に、該パッケージ表面のＮｉメ
ッキ部のＡｕメッキ表面への拡散を小さくでき、また後
工程の実装工程において、ダイボンド、ワイヤボンディ
ング、シール時において、熱の発生を少なくできること
より、抵抗値のドリフトを小さくできるように作用す
る。
法は、抵抗ペーストとして、カーボン抵抗を用い、これ
を該パッケージと一体として、２００℃以下の温度で焼
成するので、該焼成の際に、該パッケージ表面のＮｉメ
ッキ部のＡｕメッキ表面への拡散を小さくでき、また後
工程の実装工程において、ダイボンド、ワイヤボンディ
ング、シール時において、熱の発生を少なくできること
より、抵抗値のドリフトを小さくできるように作用す
る。
【００１１】また、パッケージの裏面にカーボン抵抗ペ
ーストを印刷・焼成した後、トリミングにより抵抗値を
調整するようにしているので、抵抗値の精度を向上でき
ると共に、該抵抗値の種類を多くとれ、高抵抗の要求に
も対応できる。
ーストを印刷・焼成した後、トリミングにより抵抗値を
調整するようにしているので、抵抗値の精度を向上でき
ると共に、該抵抗値の種類を多くとれ、高抵抗の要求に
も対応できる。
【００１２】
【実施例】以下、図面を参照しながら、本発明を具体化
した実施例について説明する。ここに、図１は、本発明
の製造方法で得た抵抗付セラミックパッケージの断面図
である。
した実施例について説明する。ここに、図１は、本発明
の製造方法で得た抵抗付セラミックパッケージの断面図
である。
【００１３】本実施例の抵抗付セラミックパッケージの
製造方法は、概略すると、予め導体配線パターンを形
成したパッケージ１にカーボン抵抗２を印刷する抵抗印
刷工程と、２００°Ｃ以下の低温度でカーボン抵抗２
を焼成する抵抗焼成工程と、カーボン表面をトリミン
グして所望の抵抗値の抵抗２を形成する抵抗形成工程の
三つの工程を有する。以下、それぞれの工程について説
明する。
製造方法は、概略すると、予め導体配線パターンを形
成したパッケージ１にカーボン抵抗２を印刷する抵抗印
刷工程と、２００°Ｃ以下の低温度でカーボン抵抗２
を焼成する抵抗焼成工程と、カーボン表面をトリミン
グして所望の抵抗値の抵抗２を形成する抵抗形成工程の
三つの工程を有する。以下、それぞれの工程について説
明する。
【００１４】−抵抗印刷工程− 本工程は、パッケージ１の裏面３にカーボン抵抗ペース
トをスクリーン印刷する工程である。ここで、パッケー
ジ１の裏面３を用いるのは、広い面積を有するパッケー
ジの裏面を有効活用することで、パッケージ１の上面へ
の抵抗２の形成によるＩＣチップ４の実装密度の低下を
軽減することを考慮したことによる。また、カーボン抵
抗ペーストの印刷は、スクリーン印刷によって行い、シ
ート抵抗を形成する。ここで、抵抗ぺーストとして、カ
ーボン抵抗ペーストを用いたのは、その焼成温度を低い
温度とすることができることによる。
トをスクリーン印刷する工程である。ここで、パッケー
ジ１の裏面３を用いるのは、広い面積を有するパッケー
ジの裏面を有効活用することで、パッケージ１の上面へ
の抵抗２の形成によるＩＣチップ４の実装密度の低下を
軽減することを考慮したことによる。また、カーボン抵
抗ペーストの印刷は、スクリーン印刷によって行い、シ
ート抵抗を形成する。ここで、抵抗ぺーストとして、カ
ーボン抵抗ペーストを用いたのは、その焼成温度を低い
温度とすることができることによる。
【００１５】−抵抗焼成工程− 本工程は、２００°Ｃ以下の低温度でパッケージ１の裏
面に印刷したカーボン抵抗ペーストを焼成・一体化する
工程である。ここで、焼成温度を２００℃以下の低温度
としたのは、抵抗ペーストとして、カーボン抵抗を用い
たことと、熱によってパッケージ１に形成されている導
体部５のＮｉメッキ部がＡｕメッキ表面に拡散するのを
最小限とすることを考慮したことによる。他のペースト
を用いる場合は、その焼成温度を、８００℃以上とする
必要があり、該熱によってパッケージ１に形成されてい
る導体部のＮｉメッキ部がＡｕメッキ表面に拡散すると
いう問題が生じることになり、カーボン抵抗ペーストを
用いることで、このような問題が解消できる。
面に印刷したカーボン抵抗ペーストを焼成・一体化する
工程である。ここで、焼成温度を２００℃以下の低温度
としたのは、抵抗ペーストとして、カーボン抵抗を用い
たことと、熱によってパッケージ１に形成されている導
体部５のＮｉメッキ部がＡｕメッキ表面に拡散するのを
最小限とすることを考慮したことによる。他のペースト
を用いる場合は、その焼成温度を、８００℃以上とする
必要があり、該熱によってパッケージ１に形成されてい
る導体部のＮｉメッキ部がＡｕメッキ表面に拡散すると
いう問題が生じることになり、カーボン抵抗ペーストを
用いることで、このような問題が解消できる。
【００１６】−抵抗形成工程− 本工程は、前工程でパッケージ１の裏面に設けたシート
抵抗の表面をトリミングすることにより、所望の抵抗を
形成し、抵抗値の精度を高める工程である。ここで、ト
リミングはレーザーによって行い、その抵抗値精度を向
上させ、かつ多くの種類の抵抗値が自由に得られること
を考慮したことによる。そして、このトリミングによ
り、±２％以下の精度が得られ、またボンディング後
で、±５％以下の精度が得られる。また、抵抗値の種類
としては、８０オーム〜２００キロオームの範囲内の抵
抗値が得られる。
抵抗の表面をトリミングすることにより、所望の抵抗を
形成し、抵抗値の精度を高める工程である。ここで、ト
リミングはレーザーによって行い、その抵抗値精度を向
上させ、かつ多くの種類の抵抗値が自由に得られること
を考慮したことによる。そして、このトリミングによ
り、±２％以下の精度が得られ、またボンディング後
で、±５％以下の精度が得られる。また、抵抗値の種類
としては、８０オーム〜２００キロオームの範囲内の抵
抗値が得られる。
【００１７】また、上述した各工程で得た抵抗付セラミ
ックパッケージへのＩＣチップの実装には、ダイアタッ
チ材料として、Ａｇ−エポキシ樹脂を用い、またシール
方法として、シームウェルドを採用している。これは、
熱の発生を少なくし、抵抗値ドリフトを小さくすること
を考慮したことによる。従って、この材料・方法を用い
ることにより低温度で処理でき、パッケージへの実装工
程での問題を回避でき、かつ抵抗値精度を維持できる。
すなわち、抵抗ペーストとして、カーボン抵抗ペースト
を用いると共に、実装工程での、ダイアタッチ材料とし
て、Ａｇ−エポキシ樹脂を用い、またシール方法とし
て、シームウェルドを用いる組み合わせにより、抵抗ド
リフトを小さくできる。
ックパッケージへのＩＣチップの実装には、ダイアタッ
チ材料として、Ａｇ−エポキシ樹脂を用い、またシール
方法として、シームウェルドを採用している。これは、
熱の発生を少なくし、抵抗値ドリフトを小さくすること
を考慮したことによる。従って、この材料・方法を用い
ることにより低温度で処理でき、パッケージへの実装工
程での問題を回避でき、かつ抵抗値精度を維持できる。
すなわち、抵抗ペーストとして、カーボン抵抗ペースト
を用いると共に、実装工程での、ダイアタッチ材料とし
て、Ａｇ−エポキシ樹脂を用い、またシール方法とし
て、シームウェルドを用いる組み合わせにより、抵抗ド
リフトを小さくできる。
【００１８】なお、本発明は、上述した実施例に限定さ
れるものでなく、本発明の要旨を変更しない範囲内で変
形実施できる構成を含む。
れるものでなく、本発明の要旨を変更しない範囲内で変
形実施できる構成を含む。
【００１９】
【発明の効果】以上の説明より明らかなように、本発明
の抵抗付セラミックパッケージの製造方法によれば、抵
抗ペーストとして、カーボン抵抗を用い、これを該パッ
ケージにスクリーン印刷により塗布して、２００℃以下
の温度で焼成するので、該焼成の際に、該パッケージ表
面の導体部のＮｉメッキ部のＡｕメッキ表面への拡散を
小さくでき、また後工程の実装工程において、ダイボン
ド、ワイヤボンディング、シール時において、熱の発生
を少なくできることより、抵抗値のドリフトを小さくで
きるという効果を有する。
の抵抗付セラミックパッケージの製造方法によれば、抵
抗ペーストとして、カーボン抵抗を用い、これを該パッ
ケージにスクリーン印刷により塗布して、２００℃以下
の温度で焼成するので、該焼成の際に、該パッケージ表
面の導体部のＮｉメッキ部のＡｕメッキ表面への拡散を
小さくでき、また後工程の実装工程において、ダイボン
ド、ワイヤボンディング、シール時において、熱の発生
を少なくできることより、抵抗値のドリフトを小さくで
きるという効果を有する。
【００２０】従って、本発明によれば、抵抗値のバラツ
キが少なく、任意の抵抗値の形成が可能で、かつＩＣチ
ップの実装工程での悪影響を少なくできる抵抗付セラミ
ックパッケージの製造方法を提供できる。
キが少なく、任意の抵抗値の形成が可能で、かつＩＣチ
ップの実装工程での悪影響を少なくできる抵抗付セラミ
ックパッケージの製造方法を提供できる。
【図１】本発明の製造方法で得た抵抗付セラミックパッ
ケージの断面図である。
ケージの断面図である。
１・・・パッケージ、２・・・抵抗、３・・・パッケー
ジの裏面、４・・・ＩＣチップ、５・・・導体部
ジの裏面、４・・・ＩＣチップ、５・・・導体部
Claims (1)
- 【請求項１】 パッケージ裏面にカーボン抵抗ペースト
をスクリーン印刷した後、該パッケージを、２００°Ｃ
以下の低温度で焼成し、かつ該カーボン表面をトリミン
グすることで該パッケージ裏面に抵抗を形成することを
特徴とする抵抗付セラミックパッケージの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4184577A JPH065776A (ja) | 1992-06-17 | 1992-06-17 | 抵抗付セラミックパッケージの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4184577A JPH065776A (ja) | 1992-06-17 | 1992-06-17 | 抵抗付セラミックパッケージの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065776A true JPH065776A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=16155645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4184577A Pending JPH065776A (ja) | 1992-06-17 | 1992-06-17 | 抵抗付セラミックパッケージの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065776A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014168081A1 (ja) | 2013-04-11 | 2014-10-16 | 昭和電工株式会社 | カーボン部材、カーボン部材の製造方法、レドックスフロー電池および燃料電池 |
| US9136777B2 (en) | 2010-02-18 | 2015-09-15 | Koninklijke Philips N.V. | Capacitively coupled power supply system |
-
1992
- 1992-06-17 JP JP4184577A patent/JPH065776A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9136777B2 (en) | 2010-02-18 | 2015-09-15 | Koninklijke Philips N.V. | Capacitively coupled power supply system |
| WO2014168081A1 (ja) | 2013-04-11 | 2014-10-16 | 昭和電工株式会社 | カーボン部材、カーボン部材の製造方法、レドックスフロー電池および燃料電池 |
| KR20150125710A (ko) | 2013-04-11 | 2015-11-09 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 카본 부재, 카본 부재의 제조 방법, 레독스 플로우 전지 및 연료 전지 |
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