JPH065926A - チップ形発光ダイオード - Google Patents
チップ形発光ダイオードInfo
- Publication number
- JPH065926A JPH065926A JP4184405A JP18440592A JPH065926A JP H065926 A JPH065926 A JP H065926A JP 4184405 A JP4184405 A JP 4184405A JP 18440592 A JP18440592 A JP 18440592A JP H065926 A JPH065926 A JP H065926A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting diode
- substrate
- electrodes
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/0198—Manufacture or treatment batch processes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電極の識別が容易に行なえるチップ形発光ダ
イオードを提供する。 【構成】 基板１１の上面に一対のリード電極１２ａ、
１２ｂが形成され、一方のリード電極１２ａに発光ダイ
オード素子１３が接合され、発光ダイオード素子１３と
他方のリード電極１２ｂとの間が金属細線１４で接続さ
れている。これらの発光ダイオード素子１３や金属細線
１４等を被ってモールド部１５が形成されている。ま
た、リード電極１２ａと、基板１１の下面の下部電極と
の間は、基板１１の側面１６ａに形成された凹部１７に
配された端子電極１８ａを介して電気的に接続され、他
方のリード電極１２ｂと、基板１１の下面の別の下部電
極との間は、平坦な側面１６ｂの配された端子電極１８
ｂを介して電気的に接続されている。電極の識別は凹部
１７の有無により行なう。
イオードを提供する。 【構成】 基板１１の上面に一対のリード電極１２ａ、
１２ｂが形成され、一方のリード電極１２ａに発光ダイ
オード素子１３が接合され、発光ダイオード素子１３と
他方のリード電極１２ｂとの間が金属細線１４で接続さ
れている。これらの発光ダイオード素子１３や金属細線
１４等を被ってモールド部１５が形成されている。ま
た、リード電極１２ａと、基板１１の下面の下部電極と
の間は、基板１１の側面１６ａに形成された凹部１７に
配された端子電極１８ａを介して電気的に接続され、他
方のリード電極１２ｂと、基板１１の下面の別の下部電
極との間は、平坦な側面１６ｂの配された端子電極１８
ｂを介して電気的に接続されている。電極の識別は凹部
１７の有無により行なう。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、家電製品等に組み込ま
れる基板の表面実装に用いられるチップ形発光ダイオー
ドに係り、特に、そのチップ形発光ダイオードの電極の
識別構造に関する。
れる基板の表面実装に用いられるチップ形発光ダイオー
ドに係り、特に、そのチップ形発光ダイオードの電極の
識別構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種のチップ形発光ダイオード
として、例えば、図５に示すようなものがある。このチ
ップ形発光ダイオード１の構成を図５を参照して説明す
る。すなわち、ガラスエポキシ樹脂基板やセラミック等
の基板２の上面に図示しない一対のリード電極が形成さ
れ、その一方のリード電極に図示しない発光ダイオード
素子が接合され、その発光ダイオード素子と他方のリー
ド電極との間が図示しない金線等の金属細線で接続され
ている。そして、これらの発光ダイオード素子や金属細
線等は、透光性合成樹脂等で被われ、モールド部３が形
成されている。また、基板２の上面の各リード電極と、
基板２の下面に配された図示しない一対の下部電極との
間は、基板２の対向する各側面の凹部４ａ、４ｂに配さ
れた端子電極５ａ、５ｂを介してそれぞれ電気的に接続
されている。さらに、基板２の上面には、電極の識別の
ために、一方側の電極（例えば、カソード側）にマーク
６が被着されている。
として、例えば、図５に示すようなものがある。このチ
ップ形発光ダイオード１の構成を図５を参照して説明す
る。すなわち、ガラスエポキシ樹脂基板やセラミック等
の基板２の上面に図示しない一対のリード電極が形成さ
れ、その一方のリード電極に図示しない発光ダイオード
素子が接合され、その発光ダイオード素子と他方のリー
ド電極との間が図示しない金線等の金属細線で接続され
ている。そして、これらの発光ダイオード素子や金属細
線等は、透光性合成樹脂等で被われ、モールド部３が形
成されている。また、基板２の上面の各リード電極と、
基板２の下面に配された図示しない一対の下部電極との
間は、基板２の対向する各側面の凹部４ａ、４ｂに配さ
れた端子電極５ａ、５ｂを介してそれぞれ電気的に接続
されている。さらに、基板２の上面には、電極の識別の
ために、一方側の電極（例えば、カソード側）にマーク
６が被着されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、このようなチップ形発光ダイオード１
は一辺が数mm程度の大きさであり、基板２に付されたマ
ーク６の一辺は１mmに満たない大きさでしかない。従っ
て、表面実装工程等で、このチップ形発光ダイオード１
の電極を識別するときに、マーク６による識別では、そ
の面積が小さい上に、電極の判別をマーク６の有無とい
う色の違いに基づいて行なうので、光の状態等によりマ
ーク６の有無が判定しにくい場合があり、電極の識別が
しにくいという問題がある。
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、このようなチップ形発光ダイオード１
は一辺が数mm程度の大きさであり、基板２に付されたマ
ーク６の一辺は１mmに満たない大きさでしかない。従っ
て、表面実装工程等で、このチップ形発光ダイオード１
の電極を識別するときに、マーク６による識別では、そ
の面積が小さい上に、電極の判別をマーク６の有無とい
う色の違いに基づいて行なうので、光の状態等によりマ
ーク６の有無が判定しにくい場合があり、電極の識別が
しにくいという問題がある。
【０００４】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、電極の識別を容易にできるチップ形発
光ダイオードを提供することを目的とする。
たものであって、電極の識別を容易にできるチップ形発
光ダイオードを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、本発明は、四角形の基板の上面に一対のリード電極
を形成し、一方のリード電極に発光ダイオード素子を接
合し、前記発光ダイオード素子と他方のリード電極との
間を金属細線で接続し、さらに、前記基板の上面に透光
性合成樹脂製のモールド部を、前記発光ダイオード素子
および金属細線を被うように形成したチップ形発光ダイ
オードにおいて、前記各リード電極の導出端に接続する
二つの端子電極の内、一方を基板の平坦側面部に形成
し、他方の端子電極を前記側面部に対向しかつ凹部が形
成された側面部に形成したものである。
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、本発明は、四角形の基板の上面に一対のリード電極
を形成し、一方のリード電極に発光ダイオード素子を接
合し、前記発光ダイオード素子と他方のリード電極との
間を金属細線で接続し、さらに、前記基板の上面に透光
性合成樹脂製のモールド部を、前記発光ダイオード素子
および金属細線を被うように形成したチップ形発光ダイ
オードにおいて、前記各リード電極の導出端に接続する
二つの端子電極の内、一方を基板の平坦側面部に形成
し、他方の端子電極を前記側面部に対向しかつ凹部が形
成された側面部に形成したものである。
【０００６】
【作用】本発明の作用は次のとおりである。すなわち、
基板の上面に配された各リード電極の導出端に接続する
二つの端子電極の内、一方を基板の平坦側面部に形成
し、他方の端子電極を前記側面部に対向しかつ凹部が形
成された側面部に形成したことにより、電極の判別は基
板の側面に形成された凹部の有無という形状の違いに基
づいて行なえるので、電極の識別が容易になる。
基板の上面に配された各リード電極の導出端に接続する
二つの端子電極の内、一方を基板の平坦側面部に形成
し、他方の端子電極を前記側面部に対向しかつ凹部が形
成された側面部に形成したことにより、電極の判別は基
板の側面に形成された凹部の有無という形状の違いに基
づいて行なえるので、電極の識別が容易になる。
【０００７】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の一実施例を説
明する。まず、本発明の一実施例に係るチップ形発光ダ
イオード１０の構成を図１を参照して説明する。すなわ
ち、ガラスエポキシ樹脂基板やセラミック等の基板１１
の上面に一対のリード電極１２ａ、１２ｂが形成され、
その一方のリード電極１２ａに発光ダイオード素子１３
が接合され、その発光ダイオード素子１３と他方のリー
ド電極１２ｂとの間が金線等の金属細線１４で接続され
ている。そして、これらの発光ダイオード素子１３や金
属細線１４等は、透光性合成樹脂等で被われ、モールド
部１５が形成されている。また、基板１１の上面の一方
のリード電極１２ａと、基板１１の下面に配された図示
しない下部電極との間は、基板１１の側面１６ａに形成
された凹部１７に配された端子電極１８ａを介して電気
的に接続され、他方のリード電極１２ｂと、基板１１の
下面の別の下部電極との間は、上記の側面１６ａに対向
する平坦な側面１６ｂに配された端子電極１８ｂを介し
て電気的に接続されている。
明する。まず、本発明の一実施例に係るチップ形発光ダ
イオード１０の構成を図１を参照して説明する。すなわ
ち、ガラスエポキシ樹脂基板やセラミック等の基板１１
の上面に一対のリード電極１２ａ、１２ｂが形成され、
その一方のリード電極１２ａに発光ダイオード素子１３
が接合され、その発光ダイオード素子１３と他方のリー
ド電極１２ｂとの間が金線等の金属細線１４で接続され
ている。そして、これらの発光ダイオード素子１３や金
属細線１４等は、透光性合成樹脂等で被われ、モールド
部１５が形成されている。また、基板１１の上面の一方
のリード電極１２ａと、基板１１の下面に配された図示
しない下部電極との間は、基板１１の側面１６ａに形成
された凹部１７に配された端子電極１８ａを介して電気
的に接続され、他方のリード電極１２ｂと、基板１１の
下面の別の下部電極との間は、上記の側面１６ａに対向
する平坦な側面１６ｂに配された端子電極１８ｂを介し
て電気的に接続されている。
【０００８】次に、上述のようなチップ形発光ダイオー
ド１０の製造方法を図２ないし図４を参照して説明す
る。チップ形発光ダイオード１０は、図２に示すよう
に、Ｘ方向に２個、Ｙ方向に複数個（図では８個）が配
された合計１６個のチップ形発光ダイオード１０を一ユ
ニットとして、複数ユニットが一枚の基板１１上に形成
され製造される。
ド１０の製造方法を図２ないし図４を参照して説明す
る。チップ形発光ダイオード１０は、図２に示すよう
に、Ｘ方向に２個、Ｙ方向に複数個（図では８個）が配
された合計１６個のチップ形発光ダイオード１０を一ユ
ニットとして、複数ユニットが一枚の基板１１上に形成
され製造される。
【０００９】基板１１には、各ユニット間に基板１１を
貫通する溝２１が形成されており、この溝２１の対向す
る内側面には、Ｙ方向に配された各チップ形発光ダイオ
ード１０の端子電極１８ｂが一体となって形成されてい
る。また、基板１１の上面には、各チップ形発光ダイオ
ード１０と同数のリード電極１２ｂが、前述の端子電極
１８ｂに接続されて形成されている。さらに、各ユニッ
ト内には、互いに対向するように形成された前述のリー
ド電極１２ｂの間に、Ｘ方向に配された２個のチップ形
発光ダイオード１０用のリード端子１２ａが、Ｙ方向に
並設され、それらのリード電極１２ａの中央にはスルー
ホール２２が形成され、そのスルーホール２２の内壁に
はＹ方向に配された各チップ形発光ダイオード１０の端
子電極１８ａがそれぞれ形成されている。なお、基板１
１の下面には、溝２１とスルーホール２２部分の端子電
極１８ａ、１８ｂにそれぞれ接続された状態で、各下部
電極が形成されている。
貫通する溝２１が形成されており、この溝２１の対向す
る内側面には、Ｙ方向に配された各チップ形発光ダイオ
ード１０の端子電極１８ｂが一体となって形成されてい
る。また、基板１１の上面には、各チップ形発光ダイオ
ード１０と同数のリード電極１２ｂが、前述の端子電極
１８ｂに接続されて形成されている。さらに、各ユニッ
ト内には、互いに対向するように形成された前述のリー
ド電極１２ｂの間に、Ｘ方向に配された２個のチップ形
発光ダイオード１０用のリード端子１２ａが、Ｙ方向に
並設され、それらのリード電極１２ａの中央にはスルー
ホール２２が形成され、そのスルーホール２２の内壁に
はＹ方向に配された各チップ形発光ダイオード１０の端
子電極１８ａがそれぞれ形成されている。なお、基板１
１の下面には、溝２１とスルーホール２２部分の端子電
極１８ａ、１８ｂにそれぞれ接続された状態で、各下部
電極が形成されている。
【００１０】上述のような基板１１の各リード電極１２
ａには、それぞれ発光ダイオード素子１３が接合され、
その発光ダイオード素子１３と他方のリード電極１２ｂ
との間は、それぞれ金属細線１４で接続される（図２参
照）。
ａには、それぞれ発光ダイオード素子１３が接合され、
その発光ダイオード素子１３と他方のリード電極１２ｂ
との間は、それぞれ金属細線１４で接続される（図２参
照）。
【００１１】次に、図３に示すように、Ｙ方向に配され
た各チップ形発光ダイオード１０のモールド部１５を一
体に形成し、これらの発光ダイオード素子１３や金属細
線１４等を透光性合成樹脂等で被う。
た各チップ形発光ダイオード１０のモールド部１５を一
体に形成し、これらの発光ダイオード素子１３や金属細
線１４等を透光性合成樹脂等で被う。
【００１２】最後に、図４の一点鎖線で示す箇所を切断
し、単体のチップ形発光ダイオード１０を形成する。こ
のとき、溝２１の内側面がチップ形発光ダイオード１０
の一方の側面１６ｂとなり、また、スルーホール２２を
半分に切断した切断面がチップ形発光ダイオード１０の
他方の側面１６ａとなり、その側面１６ａの切断された
スルーホール２２が図１の凹部１７となる。
し、単体のチップ形発光ダイオード１０を形成する。こ
のとき、溝２１の内側面がチップ形発光ダイオード１０
の一方の側面１６ｂとなり、また、スルーホール２２を
半分に切断した切断面がチップ形発光ダイオード１０の
他方の側面１６ａとなり、その側面１６ａの切断された
スルーホール２２が図１の凹部１７となる。
【００１３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、基板の上面に配された各リード電極の導出端
に接続する二つの端子電極の内、一方を基板の平坦側面
部に形成し、他方の端子電極を前記側面部に対向しかつ
凹部が形成された側面部に形成したことにより、電極の
判別は基板の側面に形成された凹部の有無という形状の
違いに基づいて行なえ、従って、表面実装工程等におい
て、電極の判別を容易に行なうことができる。
によれば、基板の上面に配された各リード電極の導出端
に接続する二つの端子電極の内、一方を基板の平坦側面
部に形成し、他方の端子電極を前記側面部に対向しかつ
凹部が形成された側面部に形成したことにより、電極の
判別は基板の側面に形成された凹部の有無という形状の
違いに基づいて行なえ、従って、表面実装工程等におい
て、電極の判別を容易に行なうことができる。
【図１】本発明の一実施例に係るチップ形発光ダイオー
ドの構成を示す斜視図である。
ドの構成を示す斜視図である。
【図２】実施例装置の製造工程において、発光ダイオー
ド素子とリード電極との間を金属細線で接続した状態を
示す図である。
ド素子とリード電極との間を金属細線で接続した状態を
示す図である。
【図３】実施例装置の製造工程において、モールド部が
形成された状態を示す図である。
形成された状態を示す図である。
【図４】実施例装置の製造工程において、基板の切断位
置を示す図である。
置を示す図である。
【図５】従来例に係るチップ形発光ダイオードの概略構
成を示す斜視図である。
成を示す斜視図である。
１０ … チップ形発光ダイオード １１ … 基板 １２ａ、１２ｂ … リード電極 １３ … 発光ダイオード素子 １４ … 金属細線 １５ … モールド部 １６ａ、１６ｂ … 側面 １７ … 凹部 １８ａ、１８ｂ … 端子電極 ２１ … 溝 ２２ … スルーホール
Claims (1)
- 【請求項１】 四角形の基板の上面に一対のリード電極
を形成し、一方のリード電極に発光ダイオード素子を接
合し、前記発光ダイオード素子と他方のリード電極との
間を金属細線で接続し、さらに、前記基板の上面に透光
性合成樹脂製のモールド部を、前記発光ダイオード素子
および金属細線を被うように形成したチップ形発光ダイ
オードにおいて、 前記各リード電極の導出端に接続する二つの端子電極の
内、一方を基板の平坦側面部に形成し、他方の端子電極
を前記側面部に対向しかつ凹部が形成された側面部に形
成したことを特徴とするチップ形発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4184405A JPH065926A (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | チップ形発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4184405A JPH065926A (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | チップ形発光ダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065926A true JPH065926A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=16152597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4184405A Pending JPH065926A (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | チップ形発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065926A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0936432A (ja) * | 1995-07-17 | 1997-02-07 | Sharp Corp | 横発光型ｌｅｄおよびその製造方法 |
| JPH11163409A (ja) * | 1997-12-01 | 1999-06-18 | Matsushita Electron Corp | 発光装置 |
| WO2001045181A1 (en) * | 1999-12-17 | 2001-06-21 | Yoon Sun Kwan | Led lamp having female type leads formed on pcb |
| JP2001168393A (ja) * | 1999-12-08 | 2001-06-22 | Rohm Co Ltd | チップ型半導体発光装置 |
| WO2006035626A1 (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 発光体ユニット |
| JP2007059837A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Stanley Electric Co Ltd | 表面実装型ｌｅｄ |
| WO2008059650A1 (en) * | 2006-11-14 | 2008-05-22 | Harison Toshiba Lighting Corp. | Light emitting device, its manufacturing method and its mounted substrate |
| JP2008205516A (ja) * | 2008-05-29 | 2008-09-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2008205515A (ja) * | 2008-05-29 | 2008-09-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2008258455A (ja) * | 2007-04-06 | 2008-10-23 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
| JP2022121383A (ja) * | 2021-02-08 | 2022-08-19 | 隆達電子股▲ふん▼有限公司 | 発光素子パッケージ、表示装置及び表示装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-06-18 JP JP4184405A patent/JPH065926A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0936432A (ja) * | 1995-07-17 | 1997-02-07 | Sharp Corp | 横発光型ｌｅｄおよびその製造方法 |
| JPH11163409A (ja) * | 1997-12-01 | 1999-06-18 | Matsushita Electron Corp | 発光装置 |
| JP2001168393A (ja) * | 1999-12-08 | 2001-06-22 | Rohm Co Ltd | チップ型半導体発光装置 |
| WO2001045181A1 (en) * | 1999-12-17 | 2001-06-21 | Yoon Sun Kwan | Led lamp having female type leads formed on pcb |
| WO2006035626A1 (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 発光体ユニット |
| KR101252675B1 (ko) * | 2005-08-26 | 2013-04-09 | 스탠리 일렉트릭 컴퍼니, 리미티드 | 표면실장형 ｌｅｄ |
| JP2007059837A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Stanley Electric Co Ltd | 表面実装型ｌｅｄ |
| WO2008059650A1 (en) * | 2006-11-14 | 2008-05-22 | Harison Toshiba Lighting Corp. | Light emitting device, its manufacturing method and its mounted substrate |
| JP2008258455A (ja) * | 2007-04-06 | 2008-10-23 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
| JP2008205515A (ja) * | 2008-05-29 | 2008-09-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2008205516A (ja) * | 2008-05-29 | 2008-09-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2022121383A (ja) * | 2021-02-08 | 2022-08-19 | 隆達電子股▲ふん▼有限公司 | 発光素子パッケージ、表示装置及び表示装置の製造方法 |
| JP2024016159A (ja) * | 2021-02-08 | 2024-02-06 | 隆達電子股▲ふん▼有限公司 | 発光素子パッケージ |
| US12206059B2 (en) | 2021-02-08 | 2025-01-21 | Lextar Electronics Corporation | Light emitting element package including substrate with edge notch and display device including light emitting element package |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH065926A (ja) | チップ形発光ダイオード | |
| KR900011053A (ko) | 발광다이오드 어레이 헤드의 제조방법 | |
| JPS58500880A (ja) | オプトエレクトロニクコンポ−ネント | |
| KR20010085475A (ko) | 전자 반도체 소자의 제조 방법 | |
| US3855606A (en) | Semiconductor arrangement | |
| KR960039320A (ko) | 집적 광전 패키지 및 그 제조 방법 | |
| JP2000196000A (ja) | チップ電子部品及びその製造方法 | |
| JP3139613B2 (ja) | 表面実装型半導体発光装置及びその製造方法 | |
| JPH07326797A (ja) | 側面発光型の半導体発光装置を製造する方法 | |
| JP2001352105A (ja) | 表面実装型発光素子 | |
| JPH08186284A (ja) | 表面実装型フォトカプラ及びその製造方法 | |
| JPH05235413A (ja) | 発光体 | |
| JPH06310763A (ja) | 発光ダイオードランプ | |
| JPS63200550A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JPH07211937A (ja) | 発光ダイオード | |
| JP2003078172A (ja) | Ｌｅｄリードフレーム | |
| JPS5934931Y2 (ja) | 発光表示装置 | |
| JPH04102378A (ja) | 発光ダイオード装置の製造方法 | |
| US20020047194A1 (en) | Semiconductor device and lead frame assembly/lead frame for making a semiconductor device | |
| JPH06728Y2 (ja) | フォトインタラプタ | |
| JPH06283751A (ja) | 光半導体装置 | |
| JPS5924186Y2 (ja) | Ｌｅｄダイヤル指針 | |
| JPH0478192B2 (ja) | ||
| JPS63287045A (ja) | 光半導体装置の製造方法 | |
| JPH08204238A (ja) | 発光装置 |