JPH0664995A - KTiOPO4 単結晶及びその製造方法 - Google Patents

KTiOPO4 単結晶及びその製造方法

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JPH0664995A
JPH0664995A JP4360084A JP36008492A JPH0664995A JP H0664995 A JPH0664995 A JP H0664995A JP 4360084 A JP4360084 A JP 4360084A JP 36008492 A JP36008492 A JP 36008492A JP H0664995 A JPH0664995 A JP H0664995A
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ktiopo
single crystal
crystal
tio
melt
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JP4360084A
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Tsutomu Okamoto
勉 岡本
Koji Watabe
浩司 渡部
Tatsuo Fukui
達雄 福井
Yasushi Minoya
靖 美濃屋
Koichi Tatsuki
幸一 田附
Shigeo Kubota
重夫 久保田
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Original Assignee
Sony Corp
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B9/00Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 十分なシングルドメイン化がなされ、高品質
な結晶育成を行うことが可能なKTiOPO単結晶及
びその製造方法を提供する。 【構成】 KTiOPO原料を融剤とともに融解して
融液を作製し、所謂TSSG法によりKTiOPO
結晶を製造する際、融液中に含まれるKO,PO,
TiOのモル分率をこれらの三元状態図において、
A,B,C,D,E,Fの6点で囲まれる領域内とす
る。この時、融剤をK151340、又は融解して
これと同組成となるものとして、融液組成中に占めるK
TiOPO成分の割合を83.5〜90.0モル%と
することにより、より安定した結晶育成が可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば非線形光学材料
として用いられるKTiOPO4 単結晶及びその製造方
法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、強力な出力を有し且つコヒーレン
スの良好なレーザーの出現により、非線形光学材料を用
いて第2高調波(Second harmonic generation, 以下、
SHGと略す。)として基本波長の1/2の波長を有す
る光が得られるようになってきている。
【0003】上記非線形光学材料としては、1mm以上
の比較的大きな光学級の結晶であることが要求され、例
えば非線形光学結晶であるKTiOPO4 単結晶等が代
表的なものとして知られている。このKTiOPO4
結晶は、水熱合成法や後述のような融剤法等により製造
されるものである。
【0004】このKTiOPO4 単結晶の製造方法のう
ち、上記融剤法としては、例えばTiO2 水和物をK4
2 7 及びK3 PO4 に融解させて合成する方法〔Co
mptes Rendus 111, p177〜179 (1890), L.Ouvard 参
照。〕や、KPO3 とTiO2を所定の比率(KPO3
/TiO2 =1〜4)で温度900〜1200℃に加熱
した後、80℃/時間の速度で冷却することによりKT
iOPO4 粉末を得る方法〔Bull. Soc. Mineral Cryst
allogr. 94, p437〜439 (1971), R.Masse 等参照。〕等
が古くから知られている。
【0005】また、最近では、特公平1−52359号
公報に開示されるように、KTiOXO4 と融剤K/X
/O(Xは、P又はAs)、又はこれらの前駆物質から
なる原料を出発原料とし、温度勾配法又は均一加熱徐冷
法によりKTiOXO4 単結晶を製造する際に、上記出
発原料中の成分比を、K2 O/X2 5 /(TiO2
2 の3成分系状態図において目的生成物であるPna2
1 型のKTiOXO4が融解した溶剤と平衡状態にある
唯一の安定固体相となる領域内に設定することにより、
非線形光学材料として用いるのに十分な大きさを有する
結晶を製造する方法が提案されている。
【0006】この他、融剤としてK4 2 7 、K8
6 19、K151340を使用した場合に得られるKTi
OPO4 単結晶の溶解度曲線の測定、及び上述の特公平
1−52359号公報に記載される技術においてK6
4 13融剤を使用した場合との比較検討を行った結果に
ついても報告がなされている〔J. Crystal Growth 104,
p389 〜391 (1990), G.M.Loiacono等参照。〕。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来よ
り、KTiOPO4 単結晶の製造方法については、種々
の文献等が存在するものの、何れの方法でも単分域(シ
ングルドメイン)の結晶は得られていない。これに対し
て、本発明者等によっても上記K6 4 13融剤等を用
いたKTiOPO4 の結晶育成が試みられたが、得られ
た結晶は分極が多分域(マルチドメイン)となっている
ことが確認された。
【0008】このようなマルチドメインの存在は、SH
G出力の低下を招き、非線形光学材料のSHGとしての
効率を悪化させる要因となる〔Appl. Phis. Lett. 51,
p1322 (1987), G.M.Loiacono等参照。〕。
【0009】そこで、この問題を解消するために、例え
ばマルチドメインの存在する結晶インゴットをバルク状
もしくは基板状に切り出した後、熱処理を施したり、そ
の熱処理時に電場を印加したりすることにより、シング
ルドメイン化する方法が採用されている。
【0010】例えば、上述のマルチドメインの存在につ
いて検討を行ったG.M.Loiacono等によれば、育成された
マルチドメインの単結晶からC軸(分極軸)に対して垂
直方向に板状体を切り出し、この板状体(C板)の表裏
両面にそれぞれ電極を形成して、温度500℃程度に加
熱した状態で所定の電圧を印加することにより、シング
ルドメイン化が図られるとしている。
【0011】しかしながら、これら従来の方法は、マル
チドメインの配列のし方(例えばジグザグの分極行きを
有する配列等)によってはシングルドメイン化が難しい
こと、電極形成等を含めた単分域処理(ポーリング)の
プロセスが煩雑であること、分域の境界に生じた欠陥が
ポーリング後も存在し易いこと等、様々な欠点を抱えて
おり、十分なシングルドメイン化を達成することは困難
とされている。
【0012】そこで、本発明はこのような実情に鑑みて
提案されたものであって、十分なシングルドメイン化が
なされ、高品質な結晶育成を行うことが可能なKTiO
PO4 単結晶及びその製造方法を提供することを目的と
する。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上述の目
的を達成せんものと鋭意研究の結果、出発原料をフラッ
クス(融剤)に溶解させて過飽和状態とし、この融液中
に種結晶を浸漬して結晶成長を行うことにより、育成さ
れたKTiOPO4 単結晶が育成終了時の状態で何ら処
理を施すことなくシングルドメイン化されていることを
見出し、本発明を完成するに至った。
【0014】即ち、本願の第1の発明は、育成終了時の
状態でシングルドメインであることを特徴とするもので
ある。
【0015】また、本願の第2の発明は、KTiOPO
4 原料を融剤とともに融解して融液となし、該融液に種
結晶を接触せしめ、飽和温度以下の温度で徐冷しながら
KTiOPO4 単結晶を育成するに際し、上記融液中に
含まれるK2 O,P2 5 ,TiO2 のモル分率をK2
O−P2 5 −TiO2 三元状態図上において、A(K
2 O:0.4150,P2 5 :0.3906,TiO
2 :0.1944)、B(K2 O:0.3750,P2
5 :0.3565,TiO2 :0.2685)、C
(K2 O:0.3750,P2 5 :0.3438,T
iO2 :0.2813)、D(K2 O:0.3850,
2 5 :0.3260,TiO2 :0.2890)、
E(K2 O:0.4000,P2 5 :0.3344,
TiO2 :0.2656)、F(K2 O:0.415
8,P2 5 :0.3744,TiO2 :0.209
8)の5点で囲まれる領域内とすることを特徴とするも
のである。
【0016】さらに、本願の第3の発明は上記融剤をK
151340、又は融解してこれと同組成となる組成物と
するとともに、上記融液組成中で上記KTiOPO4
分が占める割合を83.5〜90.0モル%とすること
を特徴とするものである。
【0017】本発明は、所謂TSSG(Top Seeded Sol
ution Growth)法によりKTiOPO4 単結晶を製造す
るものである。上記TSSG法とは、出発原料をフラッ
クス(融剤)に融解させて過飽和状態とし、この融液中
に種結晶を浸漬して、この種結晶を結晶成長させる方法
であり、所謂融剤法の一種である。
【0018】このTSSG法によれば、得られるKTi
OPO4 単結晶の大型化が期待されるとともに、種結晶
の方位を規定することによって育成結晶の成長方位を制
御することが可能となる。
【0019】本発明では、このTSSG法によりKTi
OPO4 単結晶を製造するに際し、上記融液中に含まれ
るK2 O,P2 5 ,TiO2 のモル分率をK2 O−P
2 5 −TiO2 三元状態図上において、A(K2 O:
0.4150,P2 5 :0.3906,TiO2
0.1944)、B(K2 O:0.3750,P
2 5:0.3565,TiO2 :0.2685)、C
(K2 O:0.3750,P25 :0.3438,T
iO2 :0.2813)、D(K2 O:0.3850,
2 5 :0.3260,TiO2 :0.2890)、
E(K2 O:0.4000,P2 5 :0.3344,
TiO2 :0.2656)、F(K2 O:0.415
8,P2 5 :0.3744,TiO2 :0.209
8)の5点で囲まれる領域内とする。
【0020】このような条件とすることにより、育成さ
れたKTiOPO4 単結晶が育成終了時(アズグロウ
ン)の状態で何ら処理を施すことなくシングルドメイン
(単分域)となる。
【0021】上記融液中に含まれるK2 O,P2 5
TiO2 のモル分率が上記領域外であると、育成される
結晶がKTiOPO4 結晶ではなく別の相であるKTi
2 (PO4 3 結晶となる、あるいはKTiOPO4
晶のマルチドメイン化(多分域化)が発生するといった
不都合が生じる。また、上記三元状態図中線分B−C−
Dで示される領域よりも融液中のKTiOPO4 成分が
多いと、シングルドメイン化されたKTiOPO4 単結
晶を得ることができるものの、融液の飽和温度が高くな
り結晶に着色が生じる、育成温度を高温とする必要があ
ることから融剤の蒸発が激しくなり組成が変化してしま
うといった虞があり、線分B−C−Dが融液中のKTi
OPO4 成分含有量の上限となる。
【0022】さらに、融剤をK151340、又は融解し
てこれと同組成となる組成物とするとともに、融液組成
中で上記KTiOPO4 成分が占める割合を83.5〜
90.0モル%とする、すなわち上記融液中に含まれる
2 O,P2 5 ,TiO2のモル分率をK2 O−P2
5 −TiO2 三元状態図上において、C−F線分とす
ることにより、上記A,B,C,D,E,Fで示される
多角形領域中において最も組成領域を広くとることがで
き、且つ異相を析出することなく質の安定した結晶を育
成することが可能であるため、より好ましい。
【0023】また、上記種結晶としては、KTiOPO
4 結晶が使用されることが望ましい。そして、少なくと
もこの種結晶が上記融液に接する部分でC軸が液面に対
して略鉛直方向となるようにすることが望ましい。この
ように、種結晶の方位を規定することにより、育成結晶
の成長方位を良好に制御することができる。ここで、上
記種結晶の結晶軸は、a=12.82Å、b=6.40
Å、c=10.58Åとしてとられている。
【0024】更に、この育成中においては、適度な過飽
和度を保つために、飽和温度以下の温度で徐冷を行う必
要がある。徐冷を行うに際し、上記種結晶を回転させる
ことが望ましい。これにより、融液組成の均一化が図ら
れ、良好な結晶成長が行われる。この場合、種結晶の回
転速度は30〜300rpmの範囲が適当である。回転
速度が30rpmよりも遅いと、十分な攪拌効果が得ら
れず、融液の局所的な不均一性から融液中に自然析出結
晶が生じ易くなる。また、回転速度が300rpmより
も速いと、液表面の乱れが生じて結晶上面が波うち、そ
の部分から鬆(結晶内に成長しない空洞が生じる)が発
生して結晶の質を劣化させる。
【0025】このように種結晶を回転させる方法として
は、結晶の偏芯を防止するために、一定時間毎に回転方
向を変化させる、所謂リバースターンが好ましい。ま
た、徐冷速度は、あまり遅すぎると、成長に長時間を必
要とし実用的でなく、また速すぎると、過度の過飽和度
のために、本来の種結晶部分に成長する以外に融液内に
自然析出結晶が生じ、それが成長中の結晶に付着した
り、或いは急成長による鬆が発生したりして、結晶の品
質が劣化する虞れがある。従って、これらの問題を回避
するために、上記徐冷温度は0.01〜5℃/時間とさ
れることが好ましく、より好ましくは0.1〜1℃/時
間とされる。
【0026】
【作用】出発原料であるKTiOPO4 成分を融剤に対
して所定の割合で溶解させて過飽和状態とし、この融液
中に種結晶を接触させて、飽和温度以下の温度で徐冷し
ながら結晶成長を行うことにより、育成されたKTiO
PO4 単結晶が育成終了時の状態で何ら処理を施すこと
なくシングルドメインとなる。
【0027】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例により説明す
るが、本発明がこの実施例に限定されるものでないこと
は言うまでもない。先ず、本実施例において使用した単
結晶育成装置の構成について説明する。この単結晶育成
装置においては、図1に示すように、所定の温度に保持
された育成炉内に、出発原料であるKTiOPO4 成分
が融剤に融解されてなる融液1を収容してなる白金ルツ
ボ2と、この白金ルツボ2を保持するためのアルミナボ
ール3及びアルミナ炉材4と、上記融液1を加熱するた
めのカンタル線抵抗加熱ヒータ5と、上記育成炉内の温
度を制御するための温度検出用熱電対6とを有する。
【0028】上記育成炉上部には、種結晶7を回転させ
るとともに、育成されたKTiOPO4 単結晶8を上記
融液1中から引き上げるための回転・引上げ機構9が配
設される。この回転・引上げ機構9の先端には、白金角
棒10及びサファイア棒11を介して上記種結晶7が取
り付けられる。
【0029】実施例1 上記単結晶育成装置を用い、以下のようにしてKTiO
PO4 単結晶の結晶成長を行った。先ず、出発原料とし
て下記の試薬を用い、これら試薬から合成されるKTi
OPO4 成分をK151340融剤(P2 5 ,K2 Oの
モル%が、46.43%,53.57%)に溶解させた
時に、融液組成中にKTiOPO4 成分が占める割合が
83.66モル%(K151340融剤の割合は16.3
4モル%)となるように、すなわち図2に示すようなK
2 O−P2 5 −TiO2 三元状態図上におけるK2
−P2 5 の線上でP2 5 のモル比(P2 5 /(P
2 5 +K2O))が46.43モル%である点とKT
iOPO4 組成(K2 O:P2 5 :TiO2 =0.2
5:0.25:0.50)の点を結ぶ直線上でK2 Oが
0.415モルである点で示される組成、つまり図3中
1 で示すK2 O,P2 5 ,TiO2 のモル分率が
0.415,0.3737,0.2113となる点で示
される組成となるように各試薬をそれぞれ秤量した。
【0030】なお、融液組成をK151340融剤とKT
iOPO4 成分のモル比に換算した。また、ここでは、
出発原料として下記の試薬を選定したが、反応後にこれ
と同組成となるような試薬であればこれらに限るもので
はなく、例えばK2 CO3 ,KNO3 ,NH4 2 PO
4 等の試薬を使用すれば、同様な結晶育成を行うことが
可能である。
【0031】使用した試薬 KH2 PO4 456.54g K2 HPO4 72.49g TiO2 85.15g
【0032】続いて、上記試薬を混合した後、直径70
mmの白金ルツボ内に投入して、温度800℃にて仮焼
した。続いて、仮焼した混合物を高温に加熱して完全に
溶解して融液を作製した。この融液の高さは、約60m
mであった。この時、白金ルツボ中心部の静止状態での
メルト内部深さ方向の温度分布を測定したところ、液表
面温度に比べて、液表面から50mmの深さの部分の方
が5℃程度高くなっており、その間はなだらかに変化し
ていた。
【0033】次に、上記融液中にKTiOPO4 結晶を
試験的に浸漬し、上記組成を有する融液の飽和温度TS
を測定した。この飽和温度TS の測定に際しては、上記
融液を一定温度に保ちながら、この融液中に上記KTi
OPO4 結晶を浸漬し、回転速度を200rpmとして
30分間保持して、上記KTiOPO4 結晶の成長状況
を観察した。そして、この融液の温度を変化させて同様
の操作を繰り返し行い、KTiOPO4 結晶が融解も結
晶成長もしない時の融液表面の温度を測定して、この温
度を飽和温度TS とした。
【0034】この結果、上記組成における融液の飽和温
度TS は994℃であることが判った。
【0035】そこで、実際に下記に示す育成条件でKT
iOPO4 単結晶を作製した。なお、本実施例では、種
結晶7として断面方形状(a軸×b軸:2mm×2m
m)であり、且つ長さ(C軸方向)10〜15mmのC
軸が略鉛直方向であるKTiOPO4 結晶を使用した。 結晶の育成条件 種結晶方位 <001> 種結晶回転速度 200rpm(但し、10分間隔
のリバースターンを行った。) 種結晶引上げ速度 0mm/時間 徐冷温度 0.25℃/時間 徐冷温度範囲 990〜951℃
【0036】育成終了後、得られたKTiOPO4 単結
晶を上記回転・引上げ機構9により融液1から引き上
げ、結晶下端が上記融液表面からの距離が約5mmの高
さ位置に配されるように保持して、50℃/時間の冷却
速度で室温まで冷却した後、この単結晶育成装置内から
取り出し、重量8.2gのKTiOPO4 単結晶8を得
た。
【0037】得られたKTiOPO4 単結晶において
は、図4に示すように、現れた自然面が(100)、
(011)、(201)、(110)であった。
【0038】以上のようにして作製されたKTiOPO
4 単結晶を用い、以下の方法によってドメイン観察を行
った。即ち、上記KTiOPO4 単結晶を(001)板
(C板)に切り出して表面を鏡面研磨し、このC板をH
F(フッ酸):HNO3 (硝酸)=1:4の割合で混合
された溶液中で室温にて20分間エッチングさせた後、
上記鏡面研磨された表面を観察した。この時、得られた
KTiOPO4 単結晶が多分域(マルチドメイン)とな
っていると、その分極方向によるエッチング速度の差に
依存して上記C板の面に段差が生じる。そこで、この現
象を利用し、上記C板の表面を光学顕微鏡で観察するこ
とにより、結晶の分極を容易に調べることができる。
【0039】この結果、上記KTiOPO4 単結晶に
は、マルチドメインは殆ど見られず、鬆の発生した部分
にのみドメインが観察されただけであった。
【0040】実施例2〜5 次に、上記実施例1と同様、融剤としてK1513
40(P2 5 ,K2 Oのモル%が、46.43%,5
3.57%)を用いて実施例1よりもKTiOPO4
分を多くした融液組成にてKTiOPO4 単結晶を製造
した。即ち、表1に示す融液組成となるように各試料を
秤量し、上記実施例1と同様にして仮焼した。なお、実
施例2の組成は図3中J2 、実施例3の組成は図3中J
3 、実施例4の組成は図3中J4 、実施例5の組成は図
3中J5 で示される。
【0041】
【表1】
【0042】その後、得られた混合物の飽和温度TS
測定した。この結果を表2に示す。
【0043】
【表2】
【0044】続いて、徐冷温度範囲を表2に示すように
変えた他は上記実施例1と同じ育成条件でKTiOPO
4 結晶の育成を行った。育成終了後、上記実施例1と同
じ条件で冷却して、KTiOPO4 単結晶を得た。な
お、得られたKTiOPO4 単結晶の重量は、実施例2
において5.4g、実施例3において12.2g、実施
例4において29.1g、実施例5において25.2g
であった。
【0045】得られたKTiOPO4 単結晶に現れた自
然面は、(100)、(011)、(201)、(11
0)であり、実施例1と同じ結果を示すことが判った。
【0046】以上のようにして作製されたKTiOPO
4 単結晶を(001)板で切り出し、エッチング法によ
りドメイン観察を行ったところ、マルチドメインは殆ど
見られず、鬆の発生した部分にのみドメインが観察され
ただけであった。
【0047】次に徐冷温度範囲について検討した。
【0048】実施例6 表1中に示すように融液組成を上記実施例2と同一と
し、表2中に示すように徐冷温度範囲を994〜927
℃と実施例2より広い温度範囲に変え、その他は実施例
2と同様にしてKTiOPO4 単結晶を作製した。得ら
れたKTiOPO4 単結晶の重量は22.9gであっ
た。
【0049】また、得られたKTiOPO4 単結晶に現
れた自然面は、(100)、(011)、(201)、
(110)であり、実施例1と同様の結果を示すことが
わかった。
【0050】以上のようにして作製されたKTiOPO
4 単結晶を(001)板で切り出し、エッチング法によ
りドメイン観察を行ったところ、マルチドメインは殆ど
見られず、鬆の発生した部分にのみドメインが観察され
ただけであった。徐冷温度範囲を変えてもシングルドメ
インは維持されたままであることがわかった。
【0051】実施例7 次に、融剤としてP2 5 のモル比(P2 5 /(P2
5 +K2 O))が48.00モル%である融剤を用
い、KTiOPO4 単結晶を作製した。すなわち、融液
中の諸成分が表1に示すものとなるように各試薬を秤量
し、上記実施例1と同様にして仮焼した。なお、本実施
例の組成は図3中J7 で示される。
【0052】その後、得られた混合物の飽和温度Tsを
測定した。この結果を表2に示す。
【0053】続いて、徐冷温度範囲を表2に示すように
変えた他は上記実施例1と同じ育成条件でKTiOPO
4 単結晶の結晶成長を行った。育成終了後、上記実施例
1と同様の条件で冷却して、KTiOPO4 単結晶を得
た。尚、得られたKTiOPO4 単結晶の重量は3.3
gであった。但し、育成終了後の固化した融液を温水で
洗浄したところ、数mm角のサイコロ状の無色透明の結
晶が約19g存在していた。X線粉末回折法によりこの
サイコロ状の結晶はKTi2 (PO4 3 組成物となっ
ていることがわかった。尚、実施例1〜4ではこのよう
なサイコロ状の結晶は析出していなかった。この融液組
成では、KTiOPO4 組成とKTi2 (PO4 3
成の2相が析出することがわかった。
【0054】得られたKTiOPO4 単結晶に現れた自
然面は、(100)、(011)、(201)、(11
0)であり、実施例1と同様の結果を示すことがわかっ
た。
【0055】以上のようにして作製されたKTiOPO
4 単結晶を(001)板で切り出し、エッチング法によ
りドメイン観察を行ったところ、マルチドメインは殆ど
見られず、鬆の発生した部分にのみドメインが観察され
ただけであった。
【0056】実施例8 次に、上記実施例7と同様、融剤としてP2 5 のモル
比(P2 5 /(P25 +K2 O))が48.00モ
ル%である融剤を用い、上記実施例7よりもKTiOP
4 成分を多くしてKTiOPO4 単結晶を作製した。
すなわち、融液中の諸成分が表1に示すものとなるよう
に各試薬を秤量し、上記実施例1と同様にして仮焼し
た。なお、本実施例の組成は図3中J8 にて示される。
【0057】その後、得られた混合物の飽和温度Tsを
測定した。この結果を表2に示す。
【0058】続いて、徐冷温度範囲を表2に示すように
変えた他は上記実施例1と同じ育成条件でKTiOPO
4 単結晶の結晶成長を行った。育成終了後、上記実施例
1と同様の条件で冷却して、KTiOPO4 単結晶を得
た。尚、得られたKTiOPO4 単結晶の重量は10.
2gであった。
【0059】本実施例においては上記実施例7のように
固化した融液中にサイコロ状のKTi2 (PO4 3
晶が存在することはなかった。
【0060】得られたKTiOPO4 単結晶に現れた自
然面は、(100)、(011)、(201)、(11
0)であり、実施例1と同様の結果を示すことがわかっ
た。
【0061】以上のようにして作製されたKTiOPO
4 単結晶を(001)板で切り出し、エッチング法によ
りドメイン観察を行ったところ、マルチドメインは殆ど
見られず、鬆の発生した部分にのみドメインが観察され
ただけであった。徐冷温度範囲を変えてもシングルドメ
インは維持されたままであることがわかった。
【0062】実施例9、10 次に、融剤としてP2 5 のモル比(P2 5 /(P2
5 +K2 O))が43.00モル%である融剤を用い
て、KTiOPO4 単結晶を作製した。すなわち、融液
中の諸成分が表1に示すものとなるように各試薬を秤量
し、上記実施例1と同様にして仮焼した。なお、実施例
9の組成は図3中J9 、実施例10の組成は図3中J10
で示される。
【0063】その後、得られた混合物の飽和温度Tsを
測定した。この結果を表2に示す。
【0064】続いて、徐冷温度範囲を表2に示すように
変えた他は上記実施例1と同じ育成条件でKTiOPO
4 単結晶の結晶成長を行った。育成終了後、上記実施例
1と同様の条件で冷却して、KTiOPO4 単結晶を得
た。尚、得られたKTiOPO4 単結晶の重量は、実施
例9において35.1、実施例10において49.7g
であった。
【0065】得られたKTiOPO4 単結晶に現れた自
然面は、(100)、(011)、(201)、(11
0)であり、実施例1と同様の結果を示すことがわかっ
た。
【0066】以上のようにして作製されたKTiOPO
4 単結晶を(001)板で切り出し、エッチング法によ
りドメイン観察を行ったところ、マルチドメインは殆ど
見られず、鬆の発生した部分にのみドメインが観察され
ただけであった。
【0067】比較例1〜4 ここで、上述の実施例1〜6と同様に融剤としてK15
1340を用いて、実施例1〜6よりもKTiOPO4
分を少なくした融液組成にてKTiOPO4 単結晶を製
造した場合について検討した。即ち、表3に示す融液組
成となるように各試料を秤量し、上記実施例1と同様に
して仮焼した後、得られた混合物の飽和温度TS を測定
した。この結果を表4に示す。
【0068】
【表3】
【0069】
【表4】
【0070】なお、比較例1の組成は図3中H1 、比較
例2の組成は図3中H2 、比較例3の組成は図3中
3 、比較例4の組成は図3中H4 にて示される。
【0071】続いて、徐冷温度範囲を表4に示すように
変えた他は上記実施例1と同じ育成条件でKTiOPO
4 結晶の結晶成長を行った。育成終了後、上記実施例1
と同じ条件で冷却して、KTiOPO4 単結晶を得た。
なお、得られたKTiOPO4 単結晶の重量は、比較例
1において6.2g、比較例2において6.8g、比較
例3において6.4g、比較例4において5.9gであ
った。
【0072】得られたKTiOPO4 単結晶に現れた自
然面は、(100)、(011)、(201)、(11
0)であった。
【0073】以上のようにして作製されたKTiOPO
4 単結晶を(001)板で切り出し、エッチング法によ
りドメイン観察を行ったところ、比較例1,2に関して
は、結晶のシードに近い上部でマルチドメインが観察さ
れ、全域に亘ってシングルドメインとはなっていなかっ
た。また、比較例3では、結晶のほぼ全域に亘ってマル
チドメインが観察された。比較例4では、図4に示すよ
うに、得られたKTiOPO4 単結晶8のほぼ全域に亘
って額縁状のマルチドメイン(図中斜線領域)が観察さ
れた。
【0074】次に、徐冷温度範囲について検討した。比較例5〜6 表3中に示すように融液組成を上記比較例2,3と同一
とし、表4中に示すように徐冷温度範囲を978〜92
8℃(比較例2より広い温度範囲)、965〜940℃
(比較例3より狭い温度範囲)に変え、その他は比較例
2,3と同様にしてKTiOPO4 単結晶を作製した。
【0075】この結果、KTiOPO4 単結晶が比較例
5では重量21.0g、比較例6では重量3.1gそれ
ぞれ得られた。これらKTiOPO4 単結晶に現れた自
然面は、上記比較例2,3と同様に(100)、(01
1)、(201)、(110)であった。続いて、この
KTiOPO4 単結晶のドメイン観察を上述のようにし
て行ったところ、比較例5では、結晶のシードに近い上
部から中間部にかけてマルチドメインが観察され、全域
に亘ってシングルドメインとはなっていなかった。ま
た、比較例6では、結晶のほぼ全域に亘ってマルチドメ
インが観察された。
【0076】ここで上述の実施例1〜5及び比較例1〜
4の結果を図3中に示す。図3中○は、シングルドメイ
ン化されたKTiOPO4 単結晶を得ることのできた組
成を示し、図3中●は、得られたKTiOPO4 単結晶
がマルチドメイン化された組成を示す。図3の結果を見
てわかるように、上記実施例1〜5においてはシングル
ドメイン化されたKTiOPO4 単結晶を得ることがで
き、比較例1〜4においてはシングルドメイン化された
KTiOPO4 単結晶を得ることは出来なかった。よっ
て、フラックスとしてK151340融剤を用いたKTi
OPO4 単結晶の育成においては、アズグロウン結晶で
のシングルドメイン化は融液組成に依存しており、この
融液組成中にKTiOPO4 成分が占める割合を83.
5モル%以上の組成とすることにより、シングルドメイ
ン化が達成されることが判った。また、この融液組成中
にKTiOPO4 成分が占める割合の上限は、実施例5
から、飽和温度の上昇による得られる結晶の着色、或い
は高温育成によるフラックスの蒸発等を考慮すると9
0.0モル%とすることができる。
【0077】さらに、実施例6、比較例5,6の結果を
考えあわせると、フラックスとしてK151340融剤を
用いたKTiOPO4 単結晶の育成においては、徐冷温
度はKTiOPO4 単結晶のシングルドメイン化に影響
を及ぼさないことがわかる。
【0078】ここで、上記実施例1〜6においてシング
ルドメイン化が達成されたKTiOPO4 単結晶のSH
G特性を調べたところ、光強度のピークが1つ存在する
のみであり、完全にシングルドメイン化されていること
が確認された。例えば、実施例1で得られたKTiOP
4 単結晶と、比較例4で得られたKTiOPO4 単結
晶のSHG特性を図5に示す。なお、SHG特性の測定
に際し、試料の厚さは約2.5mm、YAG入力100
mW、YAG入力波長1064nm、SHG出力波長5
32nmとし、SHG出力(μWオーダー)をフォトマ
ルで測定した。
【0079】図5より、実施例1では、図中実線で示す
ように光強度のピークが1つ存在するのみであったのに
対して、比較例4では、図中破線で示すように光強度の
ピークが2つ存在しており、マルチドメインであること
が示唆される。また、この条件でのタイプ2の位相整合
角度は、K6 4 13融剤を使用した場合のθ=90
°、Φ=23.2°と比較して、K151340融剤を用
いた場合では、θ=90°であるが、Φは約21°であ
り、約2°も低角度側にシフトしていた。
【0080】さらに、融剤の組成を変えた場合につい
て、得られた結晶の分極を調べた。比較例7 融剤としてP2 5 のモル比(P2 5 /(P2 5
2 O))が50.00モル%である融剤を用い、KT
iOPO4 単結晶を作製した。すなわち、融液中の諸成
分が表3に示すものとなるように各試薬を秤量し、上記
実施例1と同様にして仮焼した。なお、本比較例の組成
は図3中H7 にて示される。
【0081】その後、得られた混合物の飽和温度Tsの
測定を試みたが、1004℃の温度でのKTiOPO4
種結晶上への析出物は、KTiOPO4 結晶とは異な
り、サイコロ状のKTi2 (PO4 3 結晶となってい
た。この融液組成では初晶としてKTi2 (PO4 3
結晶が析出することがわかった。
【0082】そこで、TSSG法による結晶育成は行わ
ず、融液の温度を800℃迄下げ、その温度で22時間
保持した後、急冷して800℃の平衡状態での固体相を
調べた。
【0083】固化した融液を温水で洗浄し、析出物をX
線粉末回折法により同定したところ、KTi2 (P
4 3 組成が大部分を占めており、KTiOPO4
成は僅かに検出できる程度であった。
【0084】比較例8 融剤としてP2 5 のモル比(P2 5 /(P2 5
2 O))が49.00モル%である融剤を用いてKT
iOPO4 単結晶を作製した。すなわち、融液中の諸成
分が表3に示すものとなるように各試薬を秤量し、上記
実施例1と同様にして仮焼した。なお、本比較例の組成
は図3中H8 にて示される。
【0085】その後、得られた混合物の飽和温度Tsの
測定を試みた。1025℃の温度でKTiOPO4 結晶
は若干融けるが、KTiOPO4 結晶表面上にサイコロ
状のKTi2 (PO4 3 の微結晶が析出していた。更
に、温度を1014℃迄下げて観察したところ、KTi
OPO4 種結晶上にKTiOPO4 結晶が成長してい
た。この時にはKTi2 (PO4 3 結晶の析出は見ら
れなかった。かなり不安定な融液構成と考えられるが、
TSSG法による育成を試みた。徐冷温度範囲を下記の
表4に示すように変えた他は、上記実施例1と同じ育成
条件で育成を行った。
【0086】得られた結晶の重量は17.1gであった
が、結晶の形状は立方形状を示しており、明らかにKT
iOPO4 結晶とは異なっていた。得られた結晶をX線
粉末回折により同定したところ、KTi2 (PO4 3
結晶であることが確認された。
【0087】比較例9 上述の実施例9、10と同様に融剤としてP2 5 のモ
ル比(P2 5 /(P2 5 +K2 O))が43.00
モル%である融剤を用い、実施例9、10よりもKTi
OPO4 成分を少なくした融液組成にてKTiOPO4
単結晶を作製した。
【0088】すなわち、融液中の諸成分が表3に示すも
のとなるように各試薬を秤量し、上記実施例1と同様に
して仮焼した後、得られた混合物の飽和温度Tsを測定
した。この結果を表4に示す。なお、本比較例の組成は
図3中H9 にて示される。
【0089】続いて、徐冷温度範囲を表4に示すように
変えた他は上記実施例1と同じ育成条件でKTiOPO
4 結晶の育成を行った。育成終了後、上記実施例1と同
じ条件で冷却してKTiOPO4 単結晶を得た。得られ
たKTiOPO4 単結晶の重量は15.8gであった。
【0090】得られたKTiOPO4 単結晶に現れた自
然面は、(100)、(011)、(201)、(11
0)であり、実施例1と同じ結果を示すことが確認され
た。
【0091】以上のように作製されたKTiOPO4
結晶を(001)板で切り出し、エッチング法によりド
メイン観察を行ったところ、主に〈010〉方向に平行
な50μm〜0.5mm程度のストライプ幅をもったド
メインが少し生じていた。従って、上述の実施例9、1
0と同様の融剤を用いても融液組成中のKTiOPO4
成分が少なくなると、シングルドメインの結晶を得るこ
とができないことがわかった。
【0092】比較例10〜12 融剤としてP2 5 のモル比(P2 5 /(P2 5
2 O))が40.00モル%であるK6 4 13
及びP2 5 のモル比が33.33モル%であるK4
2 7 を用いてKTiOPO4 単結晶を作製した。すな
わち、融液中の諸成分が表3に示すものとなるように各
試薬を秤量し、上記実施例1と同様にして仮焼した後、
得られた混合物の飽和温度Tsを測定した。この結果を
表4に示す。なお、比較例10の組成は図3中H10、比
較例11の組成は図3中H11にて示される。
【0093】続いて、徐冷温度範囲を表4に示すように
変えた他は上記実施例1と同じ育成条件でKTiOPO
4 結晶の育成を行った。育成終了後、上記実施例1と同
じ条件で冷却してKTiOPO4 単結晶を得た。得られ
たKTiOPO4 単結晶の重量は比較例10では32.
0g、比較例11では26.4g、比較例12では3
8.5gであった。
【0094】得られたKTiOPO4 単結晶に現れた自
然面は、(100)、(011)、(201)、(11
0)であり、実施例1と同じ結果を示すことが確認され
た。
【0095】その後、このKTiOPO4 単結晶のドメ
イン観察を上述のようにして行ったところ、比較例1
0、11では、主に<010>方向に平行な50μm〜
0.5mm程度のストライプ幅をもったドメインが顕著
に生じていた。また、比較例12では、<100>方
向、及び<010>方向に平行な50μm程度のストラ
イプ幅をもったドメインが顕著に生じていた。従って、
フラックスとしてK6 413融剤、K4 2 7 融剤
を使用した場合では、良好なシングルドメインの結晶を
得ることができないことが判った。
【0096】ここで上述の比較例7〜11の結果を図3
中に示す。前述のように図3中●は、得られたKTiO
PO4 単結晶がマルチドメイン化された組成を示し、図
3中▲はKTiOPO4 単結晶ではなくKTi2 (PO
4 3 結晶が得られた組成を示す。図3の結果を見て明
らかなように、融剤のP2 5 の割合の多い比較例7,
8においてはKTi2 (PO4 3 結晶が得られ、融剤
のP2 5 の割合の少ない比較例9〜11においては、
KTiOPO4 単結晶がマルチドメイン化されている。
【0097】よって、比較例1〜12の結果から、KT
iOPO4 単結晶の育成が可能であり、且つアズグロウ
ン結晶でのシングルドメイン化が可能である融液組成
は、上記融液中に含まれるK2 O,P2 5 ,TiO2
のモル分率がK2 O−P2 5−TiO2 三元状態図上
において、A(K2 O:0.4150,P2 5 :0.
3906,TiO2 :0.1944)、B(K2 O:
0.3750,P2 5 :0.3565,TiO2
0.2685)、C(K2 O:0.3750,P
2 5 :0.3438,TiO2 :0.2813)、D
(K2 O:0.3850,P2 5 :0.3260,T
iO2 :0.2890)、E(K2 O:0.4000,
2 5 :0.3344,TiO2 :0.2656)、
F(K2 O:0.4158,P2 5 :0.3744,
TiO2 :0.2098)の5点で囲まれる領域内の組
成であることが確認された。
【0098】
【発明の効果】上述の説明からも明らかなように、本発
明のKTiOPO4 単結晶及びその製造方法では、融液
組成が、上記融液中に含まれるK2 O,P2 5 ,Ti
2 のモル分率をK2 O−P2 5 −TiO2 三元状態
図上において、A(K2 O:0.4150,P2 5
0.3906,TiO2 :0.1944)、B(K
2 O:0.3750,P2 5 :0.3565,TiO
2 :0.2685)、C(K2 O:0.3750,P2
5 :0.3438,TiO2 :0.2813)、D
(K2 O:0.3850,P2 5 :0.3260,T
iO2 :0.2890)、E(K2 O:0.4000,
2 5 :0.3344,TiO2 :0.2656)、
F(K2 O:0.4158,P2 5 :0.3744,
TiO2 :0.2098)の5点で囲まれる領域内と規
定されているので、育成終了時の状態でシングルドメイ
ンとなる。
【0099】このように、本発明によれば、融液組成と
融剤の種類を選定するだけで、ポーリング処理等の処理
を必要とすることなく、シングルドメイン化が達成さ
れ、非線形光学材料としてのSHG効率が高く、高品位
なKTiOPO4 単結晶を得ることができる。このた
め、本発明では、熱処理装置、電場印加のための電源等
の付帯設備の必要が無く、またポーリング処理等の処理
にかかわるプロセスが無くなるため、基板加工、電場印
加、熱処理工程等に費やす時間が省略でき、生産効率の
向上が図られる。更に、本発明では、これらの工程にお
いて結晶にダメージが発生するのを防止される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用したKTiOPO4 単結晶の育成
時に使用した単結晶育成装置の構成を示す模式的な断面
図である。
【図2】K2 O−P2 5 −TiO2 三元状態図であ
る。
【図3】K2 O−P2 5 −TiO2 三元状態図の拡大
図である。
【図4】本発明のKTiOPO4 単結晶に現れた自然面
を示す模式図である。
【図5】融液中でKTiOPO4 成分の占める割合を少
なくした場合に得られたKTiOPO4 単結晶の分極を
示す模式的な平面図である。
【図6】本発明のKTiOPO4 単結晶のSHG特性を
示す特性図である。
【符号の説明】
1・・・融液 2・・・白金ルツボ 5・・・ヒータ 6・・・温度検出用熱電対 7・・・種結晶 8・・・KTiOPO4 単結晶 9・・・回転・引上げ機構
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成5年4月7日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項2
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0015
【補正方法】変更
【補正内容】
【0015】 また、本願の第2の発明は、KTiOP
原料を融剤とともに融解して融液となし、該融液に
種結晶を接触せしめ、飽和温度以下の温度で徐冷しなが
らKTiOPO単結晶を育成するに際し、上記融液中
に含まれるKO,P,TiOのモル分率をK
O−P−TiO三元状態図上において、A
(KO:0.4150,P:0.3906,T
iO:0.1944)、B(KO:0.3750,
:0.3565,TiO:0.2685)、
C(KO:0.3750,P:0.3438,
TiO:0.2813)、D(KO:0.385
0,P:0.3260,TiO:0.289
0)、E(KO:0.4000,P:0.33
44,TiO:0.2656)、F(KO:0.4
158,P:0.3744,TiO:0.20
98)の6点で囲まれる領域内とすることを特徴とする
ものである。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0019
【補正方法】変更
【補正内容】
【0019】 本発明では、このTSSG法によりKT
iOPO単結晶を製造するに際し、上記融液中に含ま
れるKO,P,TiOのモル分率をKO−
−TiO三元状態図上において、A(K
O:0.4150,P:0.3906,TiO
:0.1944)、B(KO:0.3750,P
:0.3565,TiO:0.2685)、C
(KO:0.3750,P:0.3438,T
iO:0.2813)、D(KO:0.3850,
:0.3260,TiO:0.2890)、
E(KO:0.4000,P:0.3344,
TiO:0.2656)、F(KO:0.415
8,P:0.3744,TiO:0.209
8)の6点で囲まれる領域内とする。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0069
【補正方法】変更
【補正内容】
【0069】
【表4】
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0097
【補正方法】変更
【補正内容】
【0097】 よって、比較例1〜12の結果から、K
TiOPO単結晶の育成が可能であり、且つアズグロ
ウン結晶でのシングルドメイン化が可能である融液組成
は、上記融液中に含まれるKO,P,TiO
のモル分率がKO−P−TiO三元状態図上
において、A(KO:0.4150,P:0.
3906,TiO:0.1944)、B(KO:
0.3750,P:0.3565,TiO
0.2685)、C(KO:0.3750,P
:0.3438,TiO:0.2813)、D
(KO:0.3850,P:0.3260,T
iO:0.2890)、E(KO:0.4000,
:0.3344,TiO:0.2656)、
F(KO:0.4158,P:0.3744,
TiO:0.2098)の6点で囲まれる領域内の組
成であることが確認された。
【手続補正6】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0098
【補正方法】変更
【補正内容】
【0098】
【発明の効果】 上述の説明からも明らかなように、本
発明のKTiOPO単結晶及びその製造方法では、融
液組成が、上記融液中に含まれるKO,P,T
iOのモル分率をKO−P−TiO三元状
態図上において、A(KO:0.4150,P
:0.3906,TiO:0.1944)、B
(KO:0.3750,P:0.3565,T
iO:0.2685)、C(KO:0.3750,
:0.3438,TiO:0.2813)、
D(KO:0.3850,P:0.3260,
TiO:0.2890)、E(KO:0.400
0,P:0.3344,TiO:0.265
6)、F(KO:0.4158,P:0.37
44,TiO:0.2098)の6点で囲まれる領域
内と規定されているので、育成終了時の状態でシングル
ドメインとなる。
【手続補正7】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図2
【補正方法】変更
【補正内容】
【図2】
【手続補正8】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図3
【補正方法】変更
【補正内容】
【図3】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 美濃屋 靖 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 田附 幸一 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 久保田 重夫 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 育成終了時の状態でシングルドメインで
    あるKTiOPO4 単結晶。
  2. 【請求項2】 KTiOPO4 原料を融剤とともに融解
    して融液となし、該融液に種結晶を接触せしめ、飽和温
    度以下の温度で徐冷しながらKTiOPO4 単結晶を育
    成するに際し、 上記融液中に含まれるK2 O,P2 5 ,TiO2 のモ
    ル分率をK2 O−P25 −TiO2 三元状態図上にお
    いて、A(K2 O:0.4150,P2 5 :0.39
    06,TiO2 :0.1944)、B(K2 O:0.3
    750,P2 5 :0.3565,TiO2 :0.26
    85)、C(K2 O:0.3750,P2 5 :0.3
    438,TiO2 :0.2813)、D(K2 O:0.
    3850,P2 5 :0.3260,TiO2 :0.2
    890)、E(K2 O:0.4000,P2 5 :0.
    3344,TiO2 :0.2656)、F(K2 O:
    0.4158,P2 5 :0.3744,TiO2
    0.2098)の5点で囲まれる領域内とすることを特
    徴とするKTiOPO4 単結晶の製造方法。
  3. 【請求項3】 上記融剤をK151340、又は融解して
    これと同組成となる組成物とするとともに、上記融液組
    成中で上記KTiOPO4 成分が占める割合を83.5
    〜90.0モル%とすることを特徴とする請求項2記載
    のKTiOPO4 単結晶の製造方法。
  4. 【請求項4】 上記種結晶がKTiOPO4 結晶であ
    り、少なくとも該種結晶が上記融液に接する部分でC軸
    が液面に対して略鉛直方向となるようにすることを特徴
    とする請求項2記載のKTiOPO4 単結晶の製造方
    法。
  5. 【請求項5】 上記種結晶はC軸に長い柱状単結晶であ
    ることを特徴とする請求項4記載のKTiOPO4 単結
    晶の製造方法。
  6. 【請求項6】 上記種結晶を回転しながら徐冷すること
    を特徴とする請求項4記載のKTiOPO4 単結晶の製
    造方法。
  7. 【請求項7】 上記種結晶を徐冷する際の回転速度を3
    0〜300rpmとすることを特徴とする請求項6記載
    のKTiOPO4 単結晶の製造方法。
  8. 【請求項8】 上記種結晶を徐冷する際の回転がリバー
    スターンであることを特徴とする請求項6記載のKTi
    OPO4 単結晶の製造方法。
  9. 【請求項9】 上記種結晶を徐冷する際の徐冷速度が
    0.01〜5℃/時間であることを特徴とする請求項2
    記載のKTiOPO4 単結晶の製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5788764A (en) * 1995-01-19 1998-08-04 Hoya Corporation KTP solid solution single crystals and process for the production thereof
JP2017134110A (ja) * 2016-01-25 2017-08-03 株式会社島津製作所 分極反転素子、分極反転素子の製造方法及び分極反転素子の製造装置

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69415716T2 (de) * 1993-05-10 1999-11-04 International Superconductivity Technology Center, Tokio/Tokyo Verfahren zur Herstellung eines Metalloxid-Kristalls
US7317859B2 (en) * 2004-08-25 2008-01-08 Advanced Photonics Crystals Periodically poled optical crystals and process for the production thereof
RU2307073C1 (ru) * 2005-12-12 2007-09-27 Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В. Тананаева Кольского научного центра Российской академии наук Способ получения порошка фосфата титанила щелочного металла
US8389099B1 (en) 2007-06-01 2013-03-05 Rubicon Technology, Inc. Asymmetrical wafer configurations and method for creating the same
CN103451731B (zh) * 2013-08-30 2015-09-09 山东华特知新材料有限公司 一种gtr-ktp晶体的制备方法
CN114032614B (zh) * 2021-10-13 2022-10-21 四川大学 一种非线性光学晶体亚磷酸亚锗的制备方法和应用

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4231838A (en) * 1978-04-20 1980-11-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for flux growth of KTiOPO4 and its analogues
US4305778A (en) * 1979-06-18 1981-12-15 E. I. Du Pont De Nemours And Company Hydrothermal process for growing a single crystal with an aqueous mineralizer
FR2609976B2 (fr) * 1985-07-26 1989-11-03 Centre Nat Rech Scient Syntheses en flux de cristaux et epitaxies de solutions solides isotypes de ktiopo4
FR2585345B1 (fr) * 1985-07-26 1989-08-18 Centre Nat Rech Scient Procede de synthese en flux de cristaux du type du ktiopo4 ou monophosphate de potassium et de titanyle
US4761202A (en) * 1986-05-30 1988-08-02 U.S. Philips Corporation Process for crystal growth of KTiOPO4 from solution
US4724038A (en) * 1986-06-02 1988-02-09 Hughes Aircraft Company Process for preparing single crystal binary metal oxides of improved purity
US5066356A (en) * 1990-01-05 1991-11-19 E. I. Du Pont De Nemours And Company Hydrothermal process for growing optical-quality single crystals
US5084206A (en) * 1990-02-02 1992-01-28 E. I. Du Pont De Nemours And Company Doped crystalline compositions and a method for preparation thereof
US5264073A (en) * 1992-02-28 1993-11-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Hydrothermal process for growing optical-quality single crystals and aqueous mineralizer therefor

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5788764A (en) * 1995-01-19 1998-08-04 Hoya Corporation KTP solid solution single crystals and process for the production thereof
JP2017134110A (ja) * 2016-01-25 2017-08-03 株式会社島津製作所 分極反転素子、分極反転素子の製造方法及び分極反転素子の製造装置

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US5370076A (en) 1994-12-06

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