JPH0665128A - (2z)−ソラネソールおよびその製造方法 - Google Patents
(2z)−ソラネソールおよびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 (2Z)−ソラネソールおよびその製造法に関
する。 【構成】 (上記式中、Rはヒドロキシル基の保護基を示す)式
〔II〕の化合物をエポキシ化、OH基の保護、塩基・ハ
ロゲン化アルキル処理、脱保護基反応に付して式〔I〕
のソラネソールを製造する方法。 【効果】 医薬品の中間体としての他に、血圧降下剤、
抗高脂血剤、抗腫瘍剤として有用である。
する。 【構成】 (上記式中、Rはヒドロキシル基の保護基を示す)式
〔II〕の化合物をエポキシ化、OH基の保護、塩基・ハ
ロゲン化アルキル処理、脱保護基反応に付して式〔I〕
のソラネソールを製造する方法。 【効果】 医薬品の中間体としての他に、血圧降下剤、
抗高脂血剤、抗腫瘍剤として有用である。
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は次の式〔I〕
【化7】 で表される(2Z)−ソラネソールおよびその製造方法に
関する。
関する。
【0002】式〔I〕で表される(2Z)−ソラネソール
は、医薬品の中間体として、またそれ自体で血圧降下
剤、抗高脂血剤、抗腫瘍剤として使用することができる
有用な化合物である。
は、医薬品の中間体として、またそれ自体で血圧降下
剤、抗高脂血剤、抗腫瘍剤として使用することができる
有用な化合物である。
【0003】
【従来の技術】ソラネソールは天然には全E型として存
在し、2位の二重結合のみがZ型の(2Z)−ソラネソー
ルは未だ知られていない新規な化合物である。
在し、2位の二重結合のみがZ型の(2Z)−ソラネソー
ルは未だ知られていない新規な化合物である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、新規化
合物である式〔I〕の(2Z)−ソラネソールを合成する
ことを目的として鋭意研究を行った結果、ソラネソール
(全E型)の2位の二重結合を選択的に異性化すること
によって(2Z)−ソラネソールが製造できることを見出
して、本発明を完成した。
合物である式〔I〕の(2Z)−ソラネソールを合成する
ことを目的として鋭意研究を行った結果、ソラネソール
(全E型)の2位の二重結合を選択的に異性化すること
によって(2Z)−ソラネソールが製造できることを見出
して、本発明を完成した。
【0005】従って本発明の目的は、新規化合物である
(2Z)−ソラネソール、およびその製造方法を提供する
ことにある。
(2Z)−ソラネソール、およびその製造方法を提供する
ことにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、次の式
〔I〕
〔I〕
【化8】 で表される(2Z)−ソラネソールは、次の式〔II〕
【化9】 で表されるソラネソールの2位の二重結合をエポキシ化
して次の式〔III〕
して次の式〔III〕
【0007】
【化10】 で表される化合物とし、この式〔III〕の化合物のヒド
ロキシル基を保護して下記式〔IV〕
ロキシル基を保護して下記式〔IV〕
【化11】 (式中、Rはヒドロキシル基の保護基を示す)で表され
る化合物とし、次いで塩基と接触させた後に、ハロゲン
化アルキルで処理して下記式〔V〕
る化合物とし、次いで塩基と接触させた後に、ハロゲン
化アルキルで処理して下記式〔V〕
【化12】 (式中、Rはヒドロキシル基の保護基を示す)で表され
る化合物とし、次いでこの式〔V〕の化合物からヒドロ
キシル基の保護基を除去して得ることができたのであ
る。
る化合物とし、次いでこの式〔V〕の化合物からヒドロ
キシル基の保護基を除去して得ることができたのであ
る。
【0008】上記した本発明の式〔I〕の(2Z)−ソラ
ネソールの製造工程を反応式で示すと例えば次のように
表すことができる。
ネソールの製造工程を反応式で示すと例えば次のように
表すことができる。
【0009】
【化13】
【0010】上記反応式に従って、式〔I〕で表される
(2Z)−ソラネソールの製造法を以下に詳細に説明す
る。
(2Z)−ソラネソールの製造法を以下に詳細に説明す
る。
【0011】第1の反応工程の式〔II〕で表されるソラ
ネソールのエポキシ化による式〔III〕のエポキシ化物
の製造は、エチレン基をエポキシ基に変換する任意の方
法で実施することができる。例えば少量の鉱酸触媒の存
在下における過酸化水素とギ酸、酢酸、安息香酸などの
酸とからなる反応系中で、被処理化合物を処理してエポ
キシ基に変換する方法や、過酸自体を反応体として用い
る方法によりエポキシ化物が製造されうる。
ネソールのエポキシ化による式〔III〕のエポキシ化物
の製造は、エチレン基をエポキシ基に変換する任意の方
法で実施することができる。例えば少量の鉱酸触媒の存
在下における過酸化水素とギ酸、酢酸、安息香酸などの
酸とからなる反応系中で、被処理化合物を処理してエポ
キシ基に変換する方法や、過酸自体を反応体として用い
る方法によりエポキシ化物が製造されうる。
【0012】しかして、式〔II〕で表されるソラネソー
ルは9個のエチレン結合を有する化合物であって、式
〔III〕の化合物をうるためには特定位置のエチレン結
合のみがエポキシ化される必要があるところから、かか
る目的のためには、式〔II〕で表されるソラネソールを
酸化バナジウムアセチルアセトネートの存在下にt−ブ
チルハイドロパーオキシドでエポキシ化することによっ
て式〔III〕の化合物とする方法が好ましく用いられ
る。
ルは9個のエチレン結合を有する化合物であって、式
〔III〕の化合物をうるためには特定位置のエチレン結
合のみがエポキシ化される必要があるところから、かか
る目的のためには、式〔II〕で表されるソラネソールを
酸化バナジウムアセチルアセトネートの存在下にt−ブ
チルハイドロパーオキシドでエポキシ化することによっ
て式〔III〕の化合物とする方法が好ましく用いられ
る。
【0013】この反応の反応溶媒としては、塩化メチレ
ン、クロロホルム、四塩化炭素、ベンゼン、トルエン、
キシレンなどが用いられるが、塩化メチレンが好まし
い。反応温度は−50℃から溶媒の沸点までの範囲で行
うことができるが、好ましくは−10〜10℃の範囲で
行われる。使用するt−ブチルハイドロパーオキシドの
使用量は、式〔II〕の化合物1モルに対して1〜10モ
ル、好ましくは1〜2モルの範囲で行うことができる。
使用する酸化バナジウムアセチルアセトネートの使用量
は、式〔II〕の化合物1モルに対して0.001〜0.1
モルの範囲で、好ましくは0.001〜0.05モルの範
囲で行うことができる。反応時間は1〜24時間、好ま
しくは2〜4時間の範囲で行われる。
ン、クロロホルム、四塩化炭素、ベンゼン、トルエン、
キシレンなどが用いられるが、塩化メチレンが好まし
い。反応温度は−50℃から溶媒の沸点までの範囲で行
うことができるが、好ましくは−10〜10℃の範囲で
行われる。使用するt−ブチルハイドロパーオキシドの
使用量は、式〔II〕の化合物1モルに対して1〜10モ
ル、好ましくは1〜2モルの範囲で行うことができる。
使用する酸化バナジウムアセチルアセトネートの使用量
は、式〔II〕の化合物1モルに対して0.001〜0.1
モルの範囲で、好ましくは0.001〜0.05モルの範
囲で行うことができる。反応時間は1〜24時間、好ま
しくは2〜4時間の範囲で行われる。
【0014】次いで式〔III〕の化合物からそのヒドロ
キシ基が保護された化合物である式〔IV〕の化合物に誘
導される。この工程は、次のエポキシ基をエチレン基に
変換する工程で使用する塩基およびハロゲン化アルキル
による処理によってもしもヒドロキシル基が遊離の状態
である場合にうける脱水反応による好ましくない位置へ
の二重結合の導入を回避しようとするためのものであっ
て、かかる反応を回避することができ、しかも脱保護が
容易に行うことができる保護基である限り、既知のいか
なるヒドロキシル基の保護基を導入することができる。
かかるヒドロキシル基の保護基としては、テトラヒドロ
ピラニル基、テトラヒドロフラニル基、メトキシメチル
基、1−エトキシエチル基などのエーテル残基、トリメ
チルシリル基、t−ブチルジメチルシリル基、トリエチ
ルシリル基、t−ブチルジフェニルシリル基などのシリ
ルエーテル残基など種々の基を挙げることができる。
キシ基が保護された化合物である式〔IV〕の化合物に誘
導される。この工程は、次のエポキシ基をエチレン基に
変換する工程で使用する塩基およびハロゲン化アルキル
による処理によってもしもヒドロキシル基が遊離の状態
である場合にうける脱水反応による好ましくない位置へ
の二重結合の導入を回避しようとするためのものであっ
て、かかる反応を回避することができ、しかも脱保護が
容易に行うことができる保護基である限り、既知のいか
なるヒドロキシル基の保護基を導入することができる。
かかるヒドロキシル基の保護基としては、テトラヒドロ
ピラニル基、テトラヒドロフラニル基、メトキシメチル
基、1−エトキシエチル基などのエーテル残基、トリメ
チルシリル基、t−ブチルジメチルシリル基、トリエチ
ルシリル基、t−ブチルジフェニルシリル基などのシリ
ルエーテル残基など種々の基を挙げることができる。
【0015】しかして、この式〔III〕の化合物から式
〔IV〕の化合物を得るための1具体例として、式〔II
I〕の化合物を触媒の存在下に3,4−ジヒドロ−2H−
ピランと反応させることによるヒドロキシル基の保護基
としてのテトラヒドロピラニル基の導入を挙げることが
できる。このテトラヒドロピラニル基の導入は触媒の存
在下に容易に行うことができ、この反応に使用する触媒
としては、ピリジニウムp−トルエンスルホネート、p
−トルエンスルホン酸、酸性イオン交換樹脂などを挙げ
ることができる。その使用量は、式〔III〕の化合物1
モルに対して0.001〜1モルの範囲で、好ましくは
0.05〜0.5モルの範囲で行われる。使用する3,4
−ジヒドロ−2H−ピランの使用量は、式〔III〕の化
合物1モルに対して1〜50モルの範囲で、好ましくは
10〜30モルの範囲で行われる。使用する溶媒として
は、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、ジエチ
ルエーテル、イソプロピルエーテル、ヘキサンなどを挙
げることができる。反応温度は、−50℃から溶媒の沸
点までの範囲で行うことができるが、好ましくは室温で
行われる。反応時間は10分〜4時間、好ましくは30
分〜2時間の範囲で行われる。
〔IV〕の化合物を得るための1具体例として、式〔II
I〕の化合物を触媒の存在下に3,4−ジヒドロ−2H−
ピランと反応させることによるヒドロキシル基の保護基
としてのテトラヒドロピラニル基の導入を挙げることが
できる。このテトラヒドロピラニル基の導入は触媒の存
在下に容易に行うことができ、この反応に使用する触媒
としては、ピリジニウムp−トルエンスルホネート、p
−トルエンスルホン酸、酸性イオン交換樹脂などを挙げ
ることができる。その使用量は、式〔III〕の化合物1
モルに対して0.001〜1モルの範囲で、好ましくは
0.05〜0.5モルの範囲で行われる。使用する3,4
−ジヒドロ−2H−ピランの使用量は、式〔III〕の化
合物1モルに対して1〜50モルの範囲で、好ましくは
10〜30モルの範囲で行われる。使用する溶媒として
は、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、ジエチ
ルエーテル、イソプロピルエーテル、ヘキサンなどを挙
げることができる。反応温度は、−50℃から溶媒の沸
点までの範囲で行うことができるが、好ましくは室温で
行われる。反応時間は10分〜4時間、好ましくは30
分〜2時間の範囲で行われる。
【0016】式〔IV〕の化合物から式〔V〕の化合物を
得るには、式〔IV〕の化合物を塩基と接触させた後に、
ハロゲン化アルキルで処理することによって、容易に行
うことができる。この工程で用いる塩基としては、リチ
ウムジフェニルホスファイド、ソジウムジフェニルホス
ファイドなどを挙げることができる。これらの塩基の使
用量は、式〔IV〕の化合物1モルに対して1〜10モル
の範囲で、好ましくは1〜1.5モルの範囲で行われ
る。使用する溶媒としては、テトラヒドロフラン、ジエ
チルエーテルなどを挙げることができる。反応温度は−
50℃から溶媒の沸点の範囲で、好ましくは0℃から室
温の範囲で行われる。反応時間は10分〜4時間、好ま
しくは30分〜2時間の範囲で行われる。
得るには、式〔IV〕の化合物を塩基と接触させた後に、
ハロゲン化アルキルで処理することによって、容易に行
うことができる。この工程で用いる塩基としては、リチ
ウムジフェニルホスファイド、ソジウムジフェニルホス
ファイドなどを挙げることができる。これらの塩基の使
用量は、式〔IV〕の化合物1モルに対して1〜10モル
の範囲で、好ましくは1〜1.5モルの範囲で行われ
る。使用する溶媒としては、テトラヒドロフラン、ジエ
チルエーテルなどを挙げることができる。反応温度は−
50℃から溶媒の沸点の範囲で、好ましくは0℃から室
温の範囲で行われる。反応時間は10分〜4時間、好ま
しくは30分〜2時間の範囲で行われる。
【0017】式〔IV〕の化合物を塩基と接触させた後
は、引き続きハロゲン化アルキルを用いて処理し式
〔V〕の化合物とする。
は、引き続きハロゲン化アルキルを用いて処理し式
〔V〕の化合物とする。
【0018】この工程に用いるハロゲン化アルキルとし
ては、ヨウ化メチル、臭化メチル、塩化メチル、ヨウ化
エチル、臭化エチル、塩化エチルなどを挙げることがで
きる。これらハロゲン化アルキルの使用量は、式〔IV〕
の化合物1モルに対して1〜10モルの範囲で、好まし
くは1〜1.5モルの範囲で行われる。反応温度は−5
0℃から溶媒の沸点の範囲で、通常は室温で行われる。
反応時間は1〜50時間の範囲で、好ましくは15〜2
5時間の範囲で行われる。
ては、ヨウ化メチル、臭化メチル、塩化メチル、ヨウ化
エチル、臭化エチル、塩化エチルなどを挙げることがで
きる。これらハロゲン化アルキルの使用量は、式〔IV〕
の化合物1モルに対して1〜10モルの範囲で、好まし
くは1〜1.5モルの範囲で行われる。反応温度は−5
0℃から溶媒の沸点の範囲で、通常は室温で行われる。
反応時間は1〜50時間の範囲で、好ましくは15〜2
5時間の範囲で行われる。
【0019】式〔V〕の化合物の脱保護工程による式
〔I〕の(2Z)−ソラネソールの製造は、脱保護のため
の任意の方法で行うことができる。例えばアルキル基の
ようなエーテル結合で結合している場合に酸を用いる加
水分解、または触媒の存在下における加水分解などの手
段で行うことができる。
〔I〕の(2Z)−ソラネソールの製造は、脱保護のため
の任意の方法で行うことができる。例えばアルキル基の
ようなエーテル結合で結合している場合に酸を用いる加
水分解、または触媒の存在下における加水分解などの手
段で行うことができる。
【0020】しかして、上記した保護基がテトラヒドロ
ピラニル基である場合においては、式〔V〕の化合物を
触媒を用いてテトラヒドロピラニル基を除去することに
よって、容易に行われる。
ピラニル基である場合においては、式〔V〕の化合物を
触媒を用いてテトラヒドロピラニル基を除去することに
よって、容易に行われる。
【0021】この工程で用いる触媒としては、ピリジニ
ウムp−トルエンスルホネート、p−トルエンスルホン
酸、酸性イオン交換樹脂などを挙げることができる。そ
の使用量は、式〔V〕の化合物1モルに対して0.01
〜1モルの範囲で行われる。用いる溶媒としては、メタ
ノール、エタノールなど、またはそれらと塩化メチレ
ン、クロロホルムなどとの混合溶媒を挙げることができ
る。反応温度は−50℃から溶媒の沸点の範囲で、反応
時間は1〜24時間の範囲で行うことができる。
ウムp−トルエンスルホネート、p−トルエンスルホン
酸、酸性イオン交換樹脂などを挙げることができる。そ
の使用量は、式〔V〕の化合物1モルに対して0.01
〜1モルの範囲で行われる。用いる溶媒としては、メタ
ノール、エタノールなど、またはそれらと塩化メチレ
ン、クロロホルムなどとの混合溶媒を挙げることができ
る。反応温度は−50℃から溶媒の沸点の範囲で、反応
時間は1〜24時間の範囲で行うことができる。
【0022】以下に本発明を実施例によって詳しく説明
するが、これらは本発明を限定するものではない。
するが、これらは本発明を限定するものではない。
【0023】実施例1 (6E,10E,14E,18E,22E,26E,30E,
34E)−2,3−エポキシ−3,7,11,15,19,2
3,27,31,35−ノナメチル−6,10,14,18,
22,26,30,34−ヘキサトリアコンタオクタエン
−1−オール(式〔III〕の化合物) ソラネソール(式〔II〕の化合物;2.00g)、酸化
バナジウムアセチルアセトネート(17mg)の塩化メチ
レン(32ml)溶液に、2℃にて撹拌下にt−ブチルハ
イドロパーオキシド(3M 2,2,4−トリメチルペン
タン溶液、1.27ml)を20分間で滴下した。同温に
て1時間40分、室温にて30分間撹拌した後に、反応
液を氷水に注ぎ撹拌下に亜硫酸水素ナトリウム(2.0
g)を加えた。酢酸エチルにて抽出した後、有機相は飽
和重曹水、飽和食塩水で順次洗浄し、次いで硫酸マグネ
シウム(無水)で乾燥した。濃縮した残渣をシリカゲル
クロマトグラフィ(溶出液;20%酢酸エチル−ヘキサ
ン)にて精製して、1.78g(87%)の表題化合物
を得た。
34E)−2,3−エポキシ−3,7,11,15,19,2
3,27,31,35−ノナメチル−6,10,14,18,
22,26,30,34−ヘキサトリアコンタオクタエン
−1−オール(式〔III〕の化合物) ソラネソール(式〔II〕の化合物;2.00g)、酸化
バナジウムアセチルアセトネート(17mg)の塩化メチ
レン(32ml)溶液に、2℃にて撹拌下にt−ブチルハ
イドロパーオキシド(3M 2,2,4−トリメチルペン
タン溶液、1.27ml)を20分間で滴下した。同温に
て1時間40分、室温にて30分間撹拌した後に、反応
液を氷水に注ぎ撹拌下に亜硫酸水素ナトリウム(2.0
g)を加えた。酢酸エチルにて抽出した後、有機相は飽
和重曹水、飽和食塩水で順次洗浄し、次いで硫酸マグネ
シウム(無水)で乾燥した。濃縮した残渣をシリカゲル
クロマトグラフィ(溶出液;20%酢酸エチル−ヘキサ
ン)にて精製して、1.78g(87%)の表題化合物
を得た。
【0024】融点:38.5〜39.0℃(アセトンより
結晶化) 赤外線吸収スペクトル(液膜法):3430, 2925, 2860,
1670, 1450, 1385, 1135, 880cm-1 核磁気共鳴スペクトル(CDCl3):δ1.30(3H, s)、1.60(2
4H, s)、 1.68(3H, s)、1.9〜2.2(30H, m)、 2.97(1H, t,
J=4.4Hz)、 3.60〜3.90(2H, m)、 5.11(8H, m)
結晶化) 赤外線吸収スペクトル(液膜法):3430, 2925, 2860,
1670, 1450, 1385, 1135, 880cm-1 核磁気共鳴スペクトル(CDCl3):δ1.30(3H, s)、1.60(2
4H, s)、 1.68(3H, s)、1.9〜2.2(30H, m)、 2.97(1H, t,
J=4.4Hz)、 3.60〜3.90(2H, m)、 5.11(8H, m)
【0025】実施例2 (6E,10E,14E,18E,22E,26E,30E,
34E)−2,3−エポキシ−3,7,11,15,19,2
3,27,31,35−ノナメチル−6,10,14,18,
22,26,30,34−ヘキサトリアコンタオクタエン
−1−オール テトラヒドロピラニルエーテル(式〔I
V〕の化合物) 式〔III〕の化合物(10.60g)、3,4−ジヒドロ
−2H−ピラン(27.57g)、ピリジニウムp−ト
ルエンスルホネート(0.41g)の塩化メチレン(5
0ml)溶液を室温下に30分間撹拌した。反応液を飽和
重曹水、飽和食塩水で順次洗浄した後に、硫酸マグネシ
ウム(無水)で乾燥した。濃縮した残渣をシリカゲルク
ロマトグラフィ(溶出液;5%酢酸エチル−ヘキサン)
にて精製して、10.64g(89%)の表題化合物を
得た。
34E)−2,3−エポキシ−3,7,11,15,19,2
3,27,31,35−ノナメチル−6,10,14,18,
22,26,30,34−ヘキサトリアコンタオクタエン
−1−オール テトラヒドロピラニルエーテル(式〔I
V〕の化合物) 式〔III〕の化合物(10.60g)、3,4−ジヒドロ
−2H−ピラン(27.57g)、ピリジニウムp−ト
ルエンスルホネート(0.41g)の塩化メチレン(5
0ml)溶液を室温下に30分間撹拌した。反応液を飽和
重曹水、飽和食塩水で順次洗浄した後に、硫酸マグネシ
ウム(無水)で乾燥した。濃縮した残渣をシリカゲルク
ロマトグラフィ(溶出液;5%酢酸エチル−ヘキサン)
にて精製して、10.64g(89%)の表題化合物を
得た。
【0026】赤外線吸収スペクトル(液膜法):2920,
2850, 1670, 1445, 1385, 1125, 1035cm-1 核磁気共鳴スペクトル(CDCl3):δ1.29(3H, s)、1.60(2
4H, s)、 1.67(3H, s)、1.9〜2.2(30H, m)、 3.00(1H, t,
J=5.5Hz)、 3.34〜3.95(4H, m)、 4.65(1H, m)、5.11(8H,
m)
2850, 1670, 1445, 1385, 1125, 1035cm-1 核磁気共鳴スペクトル(CDCl3):δ1.29(3H, s)、1.60(2
4H, s)、 1.67(3H, s)、1.9〜2.2(30H, m)、 3.00(1H, t,
J=5.5Hz)、 3.34〜3.95(4H, m)、 4.65(1H, m)、5.11(8H,
m)
【0027】実施例3 (2Z,6E,10E,14E,18E,22E,26E,3
0E,34E)−3,7,11,15,19,23,27,3
1,35−ノナメチル−2,6,10,14,18,22,2
6,30,34−ヘキサトリアコンタノナエン−1−オー
ル テトラヒドロピラニルエーテル(式〔V〕の化合
物) ジフェニルホスフィン(4.58g)の乾燥テトラヒド
ロフラン(70ml)溶液とブチルリチウム(1.6Mヘ
キサン溶液、15.4ml)から調製したリチウムジフェ
ニルホスファイドの溶液に、式〔IV〕の化合物(15.
01g)の乾燥テトラヒドロフラン(60ml)を室温下
10分間で滴下した。室温にて30分間撹拌した後に、
ヨウ化メチル(4.38g)を滴下した。室温にて3時
間撹拌した後に、一晩放置した。ヘキサン(200ml)
を加えて撹拌した後に、上澄みをセライトにて濾過し
た。濾液は水洗、飽和食塩水洗後に、硫酸マグネシウム
(無水)にて乾燥した。濃縮した残渣をシリカゲルクロ
マトグラフィ(溶出液;4%酢酸エチル−ヘキサン)に
て精製して、11.22g(76%)の表題化合物を得
た。
0E,34E)−3,7,11,15,19,23,27,3
1,35−ノナメチル−2,6,10,14,18,22,2
6,30,34−ヘキサトリアコンタノナエン−1−オー
ル テトラヒドロピラニルエーテル(式〔V〕の化合
物) ジフェニルホスフィン(4.58g)の乾燥テトラヒド
ロフラン(70ml)溶液とブチルリチウム(1.6Mヘ
キサン溶液、15.4ml)から調製したリチウムジフェ
ニルホスファイドの溶液に、式〔IV〕の化合物(15.
01g)の乾燥テトラヒドロフラン(60ml)を室温下
10分間で滴下した。室温にて30分間撹拌した後に、
ヨウ化メチル(4.38g)を滴下した。室温にて3時
間撹拌した後に、一晩放置した。ヘキサン(200ml)
を加えて撹拌した後に、上澄みをセライトにて濾過し
た。濾液は水洗、飽和食塩水洗後に、硫酸マグネシウム
(無水)にて乾燥した。濃縮した残渣をシリカゲルクロ
マトグラフィ(溶出液;4%酢酸エチル−ヘキサン)に
て精製して、11.22g(76%)の表題化合物を得
た。
【0028】赤外線吸収スペクトル(液膜法):2930,
2850, 1670, 1445, 1385, 1120, 1025cm-1 核磁気共鳴スペクトル(CDCl3):δ1.60(24H, s)、 1.68
(3H, s)、 1.76(3H, s)、1.93〜2.12(32H, m)、 3.50(1H,
m)、 3.85(1H, m)、 4.00(1H, m)、 4.12(1H, m)、4.62(1H,
m)、 5.11(8H, m)、 5.38(1H, t, J=7.1Hz)
2850, 1670, 1445, 1385, 1120, 1025cm-1 核磁気共鳴スペクトル(CDCl3):δ1.60(24H, s)、 1.68
(3H, s)、 1.76(3H, s)、1.93〜2.12(32H, m)、 3.50(1H,
m)、 3.85(1H, m)、 4.00(1H, m)、 4.12(1H, m)、4.62(1H,
m)、 5.11(8H, m)、 5.38(1H, t, J=7.1Hz)
【0029】実施例4 (2Z)−ソラネソール(式〔I〕の化合物) 式〔IV〕の化合物(10.70g)、ピリジニウムp−
トルエンスルホネート(0.38g)のメタノール(7
0ml)−塩化メチレン(45ml)溶液を50℃にて2時
間30分撹拌した。反応液を飽和重曹水に注ぎ、クロロ
ホルムにて抽出した。有機相は飽和食塩水にて洗浄後
に、硫酸マグネシウム(無水)にて乾燥した。濃縮した
残渣をシリカゲルクロマトグラフィ(溶出液;10%酢
酸エチル−ヘキサン)にて精製して、9.09g(96
%)の表題化合物を得た。
トルエンスルホネート(0.38g)のメタノール(7
0ml)−塩化メチレン(45ml)溶液を50℃にて2時
間30分撹拌した。反応液を飽和重曹水に注ぎ、クロロ
ホルムにて抽出した。有機相は飽和食塩水にて洗浄後
に、硫酸マグネシウム(無水)にて乾燥した。濃縮した
残渣をシリカゲルクロマトグラフィ(溶出液;10%酢
酸エチル−ヘキサン)にて精製して、9.09g(96
%)の表題化合物を得た。
【0030】融点:36.6〜37.0℃(アセトンより
結晶化) 赤外線吸収スペクトル(液膜法):3370, 2920, 2855,
1670, 1450, 1385, 1105, 1000cm-1 核磁気共鳴スペクトル(CDCl3):δ1.60(24H, s)、 1.68
(3H, s)、 1.75(3H, s)、1.98〜2.15(32H, m)、 4.09(2H,
d, J=7.1Hz)、 5.11(8H, m)、 5.43(1H, t, J=7.1Hz)
結晶化) 赤外線吸収スペクトル(液膜法):3370, 2920, 2855,
1670, 1450, 1385, 1105, 1000cm-1 核磁気共鳴スペクトル(CDCl3):δ1.60(24H, s)、 1.68
(3H, s)、 1.75(3H, s)、1.98〜2.15(32H, m)、 4.09(2H,
d, J=7.1Hz)、 5.11(8H, m)、 5.43(1H, t, J=7.1Hz)
Claims (2)
- 【請求項1】 次の式〔I〕 【化1】 で表される(2Z)−ソラネソール。
- 【請求項2】 次の式〔II〕 【化2】 で表されるソラネソールの2位の二重結合をエポキシ化
して次の式〔III〕 【化3】 で表される化合物とし、この式〔III〕の化合物のヒド
ロキシル基を保護して次の式〔IV〕 【化4】 (式中、Rはヒドロキシル基の保護基を示す)で表され
る化合物とし、次いで塩基と接触させた後に、ハロゲン
化アルキルで処理して次の式〔V〕 【化5】 で表される化合物とし、次いでこの式〔V〕の化合物か
らヒドロキシル基の保護基を除去して次の式〔I〕 【化6】 で表される(2Z)−ソラネソールを製造する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21788192A JPH0665128A (ja) | 1992-08-17 | 1992-08-17 | (2z)−ソラネソールおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21788192A JPH0665128A (ja) | 1992-08-17 | 1992-08-17 | (2z)−ソラネソールおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0665128A true JPH0665128A (ja) | 1994-03-08 |
Family
ID=16711237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21788192A Pending JPH0665128A (ja) | 1992-08-17 | 1992-08-17 | (2z)−ソラネソールおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0665128A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2093222A1 (en) * | 2008-02-22 | 2009-08-26 | Newbiotechnic, S.A. | Polyisoprenoid epoxides useful for decreasing cholesterol and/or increasing coenzyme Q biosynthesis |
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1992
- 1992-08-17 JP JP21788192A patent/JPH0665128A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2093222A1 (en) * | 2008-02-22 | 2009-08-26 | Newbiotechnic, S.A. | Polyisoprenoid epoxides useful for decreasing cholesterol and/or increasing coenzyme Q biosynthesis |
| WO2009103360A1 (en) * | 2008-02-22 | 2009-08-27 | Newbiotechnic, S.A. | Polyisoprenoid epoxides useful for decreasing cholesterol and/or increasing coenzyme q biosynthesis |
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