JPH0666303B2 - 反応性イオンエツチングパタ−ン形成方法 - Google Patents
反応性イオンエツチングパタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPH0666303B2 JPH0666303B2 JP60001639A JP163985A JPH0666303B2 JP H0666303 B2 JPH0666303 B2 JP H0666303B2 JP 60001639 A JP60001639 A JP 60001639A JP 163985 A JP163985 A JP 163985A JP H0666303 B2 JPH0666303 B2 JP H0666303B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reactive ion
- ion etching
- etching
- pattern
- sample wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は反応性イオンエッチング方法に関するものであ
る。
る。
（従来の技術） 反応性イオンエッチングは現在、半導体の高密度集積回
路に必要な微細寸法パターンを加工する最も重要な方法
の一つとなっている。すなわち有機レジストマスクを用
いてSiO2,Si3N4やシリコン等のエッチング加工が行なわ
れる。この有機レジストマスクはエッチング耐性の観点
から一定膜厚と矩形性が必要でかつ微細寸法性が要求さ
れ、この有機レジストマスクも反応性イオンエッチング
で形成することが必須になってきた。
路に必要な微細寸法パターンを加工する最も重要な方法
の一つとなっている。すなわち有機レジストマスクを用
いてSiO2,Si3N4やシリコン等のエッチング加工が行なわ
れる。この有機レジストマスクはエッチング耐性の観点
から一定膜厚と矩形性が必要でかつ微細寸法性が要求さ
れ、この有機レジストマスクも反応性イオンエッチング
で形成することが必須になってきた。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、反応性イオンエッチングにおいては、酸
素の反応性イオンエッチングの場合の様に酸素プラズマ
やイオンは極めて活性で有機レジストの反応生成物を含
む放電ガス雰囲気中において試料表面に対しエッチング
作用と堆積（デポジション）作用とが共存していると見
なされる。そのため、従来の反応性イオンエッチングに
おいては条件により堆積物が生じ微細寸法変化やマスク
とエッチング材の選択性の劣化等、堆積物の生成、除去
を制御できないことによるその後の加工への支障が従来
問題になっていた。
素の反応性イオンエッチングの場合の様に酸素プラズマ
やイオンは極めて活性で有機レジストの反応生成物を含
む放電ガス雰囲気中において試料表面に対しエッチング
作用と堆積（デポジション）作用とが共存していると見
なされる。そのため、従来の反応性イオンエッチングに
おいては条件により堆積物が生じ微細寸法変化やマスク
とエッチング材の選択性の劣化等、堆積物の生成、除去
を制御できないことによるその後の加工への支障が従来
問題になっていた。
（発明の目的） 本発明の目的は反応性イオンエッチングにおける試料上
への反応中間生成物の形成と除去の簡単な方法を提供し
微細寸法制御を容易にすることである。
への反応中間生成物の形成と除去の簡単な方法を提供し
微細寸法制御を容易にすることである。
（発明の構成） 本発明は、試料ウェハ上に塗布された有機膜とその上に
設けられた耐酸素エッチングマスクパターンとを有する
前記試料ウェハの、酸素を含むガスを用いた反応性イオ
ンエッチングパターン形成方法において、ターゲット電
極上のSiO2またはSiからなる基板上に前記試料ウェハを
配置して、前記有機膜をイオンエッチングする工程と、
１個以上のフツ素含有樹脂からなるリングを前記試料ウ
ェハの回りに配置して、イオンエッチングする工程とを
有することを特徴とする反応性イオンエッチングパター
ン形成方法である。
設けられた耐酸素エッチングマスクパターンとを有する
前記試料ウェハの、酸素を含むガスを用いた反応性イオ
ンエッチングパターン形成方法において、ターゲット電
極上のSiO2またはSiからなる基板上に前記試料ウェハを
配置して、前記有機膜をイオンエッチングする工程と、
１個以上のフツ素含有樹脂からなるリングを前記試料ウ
ェハの回りに配置して、イオンエッチングする工程とを
有することを特徴とする反応性イオンエッチングパター
ン形成方法である。
（実施例） 以下に本発明の実施例を図によって説明する。第１図は
本発明の実施例の一例を示す概略図である。第１図にお
いて、第１図（ｂ）は電極ターゲット11の上にシリコン
またはSiO2膜と、フッ素含有樹脂膜とを、試料ウェハ13
のまわりに配置したときの模式断面図、第１図（ａ）は
ウェハ部分の平面図を示したものである。
本発明の実施例の一例を示す概略図である。第１図にお
いて、第１図（ｂ）は電極ターゲット11の上にシリコン
またはSiO2膜と、フッ素含有樹脂膜とを、試料ウェハ13
のまわりに配置したときの模式断面図、第１図（ａ）は
ウェハ部分の平面図を示したものである。
本実施例においては電極上の層12として石英板、試料周
囲の層14,15,16,17としてポリテトラフロロエチレン膜
を用いた。中間生成物の堆積と除去の制御は、リング状
円板14,15,16,17を適宜追加しながらおこった。
囲の層14,15,16,17としてポリテトラフロロエチレン膜
を用いた。中間生成物の堆積と除去の制御は、リング状
円板14,15,16,17を適宜追加しながらおこった。
第２図は本発明におけるパターン形成方法を示す断面図
概略図である。第２図（ａ）の様に基板21の上に有機レ
ジスト膜22を塗布し酸素エッチング耐性のあるマスク層
23、たとえばシリカ塗布で形成したSiO2層を形成した。
その後酸素の反応性イオンエッチングをフッ素含有樹脂
面積の小さい条件（この場合石英板のみでポリテトラフ
ロロエチレン膜がない）で行なうと、第２図（ｂ）の様
にパターン側壁に垂直性の良好でかつ非常に薄い層24と
柱状層25の反応中間生成物が生成される。その後、フッ
素含有樹脂面積を増加して（この場合全面ポリテトラフ
ロロエチレン膜でおおう）酸素の反応性イオンエッチン
グを続けると反応中間生成物が第２図（ｃ）の様に除去
される。通常の酸素反応性イオンエッチングでは、パタ
ーンが微細になると、反応性イオンエッチングにおける
プラズマ性のため有機レジスト層のサイドエッチング量
が無視できなくなるが、本実施例では反応中間生成物を
利用しサイドエッチング量を減少して、矩形性がよくし
かもパターン幅変化の少ないパターン形成が可能となっ
た。本実施例では２段階エッチングそれぞれの条件とし
てSiO2100％とポリテトラフロロエチレン100％を用いた
が、２階段目のエッチングでは面積比SiO2／ポリテトラ
フロロエチレンが１以下ならばよい。またSiO2でなくSi
でもよい。
概略図である。第２図（ａ）の様に基板21の上に有機レ
ジスト膜22を塗布し酸素エッチング耐性のあるマスク層
23、たとえばシリカ塗布で形成したSiO2層を形成した。
その後酸素の反応性イオンエッチングをフッ素含有樹脂
面積の小さい条件（この場合石英板のみでポリテトラフ
ロロエチレン膜がない）で行なうと、第２図（ｂ）の様
にパターン側壁に垂直性の良好でかつ非常に薄い層24と
柱状層25の反応中間生成物が生成される。その後、フッ
素含有樹脂面積を増加して（この場合全面ポリテトラフ
ロロエチレン膜でおおう）酸素の反応性イオンエッチン
グを続けると反応中間生成物が第２図（ｃ）の様に除去
される。通常の酸素反応性イオンエッチングでは、パタ
ーンが微細になると、反応性イオンエッチングにおける
プラズマ性のため有機レジスト層のサイドエッチング量
が無視できなくなるが、本実施例では反応中間生成物を
利用しサイドエッチング量を減少して、矩形性がよくし
かもパターン幅変化の少ないパターン形成が可能となっ
た。本実施例では２段階エッチングそれぞれの条件とし
てSiO2100％とポリテトラフロロエチレン100％を用いた
が、２階段目のエッチングでは面積比SiO2／ポリテトラ
フロロエチレンが１以下ならばよい。またSiO2でなくSi
でもよい。
（発明の効果） 以上説明した様に本発明の反応性イオンエッチングにお
けるパターン形成方法によれば、試料パターン上への反
応中間生成物の形成と除去が簡単にでき、微細パターン
寸法や形状の制御を容易にする効果を有するものであ
る。
けるパターン形成方法によれば、試料パターン上への反
応中間生成物の形成と除去が簡単にでき、微細パターン
寸法や形状の制御を容易にする効果を有するものであ
る。
第１図（ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明の実施例を示す
平面図と断面図、第２図（ａ）〜（ｃ）は本発明のパタ
ーン形成方法を示す断面概略図である。 11……ターゲット電極、12……シリコンまたはSiO2層、
13……ウェハ、14,15,16,17……フッ素含有樹脂、21…
…基板、22……有機レジスト膜、23……マスク層、24,2
5……反応中間生成物。
平面図と断面図、第２図（ａ）〜（ｃ）は本発明のパタ
ーン形成方法を示す断面概略図である。 11……ターゲット電極、12……シリコンまたはSiO2層、
13……ウェハ、14,15,16,17……フッ素含有樹脂、21…
…基板、22……有機レジスト膜、23……マスク層、24,2
5……反応中間生成物。
Claims (1)
- 【請求項１】試料ウェハ上に塗布された有機膜とその上
に設けられた耐酸素エッチングマスクパターンとを有す
る前記試料ウェハの、酸素を含むガスを用いた反応性イ
オンエッチングパターン形成方法において、ターゲット
電極上のSiO2またはSiからなる基板上に前記試料ウェハ
を配置して、前記有機膜をエッチングする工程と、１個
以上のフッ素含有樹脂からなるリングを前記試料ウェハ
の回りに配置して、エッチングする工程とを有すること
を特徴とする反応性イオンエッチングパターン形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60001639A JPH0666303B2 (ja) | 1985-01-09 | 1985-01-09 | 反応性イオンエツチングパタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60001639A JPH0666303B2 (ja) | 1985-01-09 | 1985-01-09 | 反応性イオンエツチングパタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61160937A JPS61160937A (ja) | 1986-07-21 |
| JPH0666303B2 true JPH0666303B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=11507093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60001639A Expired - Lifetime JPH0666303B2 (ja) | 1985-01-09 | 1985-01-09 | 反応性イオンエツチングパタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666303B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4520777B2 (ja) * | 2004-06-28 | 2010-08-11 | 日本オプネクスト株式会社 | 半導体光素子の製造方法 |
-
1985
- 1985-01-09 JP JP60001639A patent/JPH0666303B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61160937A (ja) | 1986-07-21 |
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