JPH0666404B2 - 電子機器 - Google Patents
電子機器Info
- Publication number
- JPH0666404B2 JPH0666404B2 JP29018492A JP29018492A JPH0666404B2 JP H0666404 B2 JPH0666404 B2 JP H0666404B2 JP 29018492 A JP29018492 A JP 29018492A JP 29018492 A JP29018492 A JP 29018492A JP H0666404 B2 JPH0666404 B2 JP H0666404B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- line
- pattern
- pad
- circuit board
- switch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 44
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 30
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 30
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 15
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 14
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 210000000707 wrist Anatomy 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000010617 multipoint ground Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、携帯用の小型電子機
器や小型情報機器における、静電気による誤動作や破壊
を防止する構造に関する。
器や小型情報機器における、静電気による誤動作や破壊
を防止する構造に関する。
【0002】
【従来の技術】静電気の諸現象によって、ICカードや
カメラ、腕時計等を代表事例とする携帯用電子機器およ
び接地を設けられない電子機器では、誤動作やICの破
壊を生ずることがある。
カメラ、腕時計等を代表事例とする携帯用電子機器およ
び接地を設けられない電子機器では、誤動作やICの破
壊を生ずることがある。
【0003】従来、この種の防止方法の考え方は、一般
的に接地可能な電子機器と同様としているが、しかしア
ース回路の基準電位としてのノイズ対策は、VHF帯の
周波数領域より低いところで期待できるものであり、一
点アース、多点アース等では静電気の放電時に発生する
高いエネルギーの電磁波へのアース回路の効果は皆無で
あり、新たな概念での対応を示唆するものである。
的に接地可能な電子機器と同様としているが、しかしア
ース回路の基準電位としてのノイズ対策は、VHF帯の
周波数領域より低いところで期待できるものであり、一
点アース、多点アース等では静電気の放電時に発生する
高いエネルギーの電磁波へのアース回路の効果は皆無で
あり、新たな概念での対応を示唆するものである。
【0004】例えば、エレクトロニクス・システムの
「静電気障害対策資料集」(編者:村崎憲雄)に「第6
節ECRの静電気対策5.6.2.3 電子回路とプリント板」
(222〜224 ページ) として多くの事例が紹介されている
が、簡便で充分な効果を得られるもののないことが知ら
れている。
「静電気障害対策資料集」(編者:村崎憲雄)に「第6
節ECRの静電気対策5.6.2.3 電子回路とプリント板」
(222〜224 ページ) として多くの事例が紹介されている
が、簡便で充分な効果を得られるもののないことが知ら
れている。
【0005】具体的には、アクティブ側2の電位にある
回路基板のアース側パターンを長く、太く張りめぐらす
ことや「実践ノイズ逓減技法」(著書:米国ベル研究所
HENRY.W.OTT.監訳,松井孚夫)の「筐体の
接地」(84ページ) のようにする方法は、ノイズを吸収
することを意図したものである。
回路基板のアース側パターンを長く、太く張りめぐらす
ことや「実践ノイズ逓減技法」(著書:米国ベル研究所
HENRY.W.OTT.監訳,松井孚夫)の「筐体の
接地」(84ページ) のようにする方法は、ノイズを吸収
することを意図したものである。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の接地の
不可能な携帯用電子機器においては、接地によりノイズ
を大地に放出することができず、結果的には接地の思想
を貫くことはできないものである。接地を施せない電子
機器において、積極的にノイズを吸収し消滅させようと
する意図で設けたアクティブ側2の電位にある回路基板
のパターンや、接地を意図して金属筐体のアクティブ側
2の電位を接続する構成は、アンテナの役目と化してし
まっている。
不可能な携帯用電子機器においては、接地によりノイズ
を大地に放出することができず、結果的には接地の思想
を貫くことはできないものである。接地を施せない電子
機器において、積極的にノイズを吸収し消滅させようと
する意図で設けたアクティブ側2の電位にある回路基板
のパターンや、接地を意図して金属筐体のアクティブ側
2の電位を接続する構成は、アンテナの役目と化してし
まっている。
【0007】すなわち、接地の施せない回路基板のパタ
ーンや接地を意図した金属筐体のアクティブ側2の電位
に接続した構成では、電磁波を吸収してうず電流に変換
され回路網のノイズとなる。また、帯電した電荷が放電
しない状態では、接地の浮いたアクティブ側2電位にあ
るすべてのラインは、プル側3との電界分布差を大きく
するものであり、電界効果型ICでは誤動作の一因とな
る。
ーンや接地を意図した金属筐体のアクティブ側2の電位
に接続した構成では、電磁波を吸収してうず電流に変換
され回路網のノイズとなる。また、帯電した電荷が放電
しない状態では、接地の浮いたアクティブ側2電位にあ
るすべてのラインは、プル側3との電界分布差を大きく
するものであり、電界効果型ICでは誤動作の一因とな
る。
【0008】このような状況では、アクティブ側2と入
力ライン4とプル側3の3つのライン間が、電気的に重
要な関係を有していることを示唆するものである。図7
は、入力回路の回路図である。ここで、アクティブ側2
と入力ライン4間の容量をCa、プル側3と入力ライン
4間の容量をCpとする。
力ライン4とプル側3の3つのライン間が、電気的に重
要な関係を有していることを示唆するものである。図7
は、入力回路の回路図である。ここで、アクティブ側2
と入力ライン4間の容量をCa、プル側3と入力ライン
4間の容量をCpとする。
【0009】まずCa>Cpの関係にある場合について
述べる。電源電圧のアクティブ側2とプル側3には、静
電気等で生じた電磁波が同時にインパルスとして乗るこ
とは明らかであるから、入力ライン4に現れる電位はC
aを介してアクティブ側2の電位となる。
述べる。電源電圧のアクティブ側2とプル側3には、静
電気等で生じた電磁波が同時にインパルスとして乗るこ
とは明らかであるから、入力ライン4に現れる電位はC
aを介してアクティブ側2の電位となる。
【0010】すなわち、Ca>Cpの関係においてCp
でプル側3の電位も現れようとするが、Caでアクティ
ブ側2の電位がより大きく現れようとして相殺されても
差の分だけアクティブ側2の電位が現れる。従って、S
WをONとしなくとも、入力ライン4の電位がアクティ
ブ側2の電位となるタイミングを有する。この状態がS
W操作なくて入力回路が動作する誤動作である。
でプル側3の電位も現れようとするが、Caでアクティ
ブ側2の電位がより大きく現れようとして相殺されても
差の分だけアクティブ側2の電位が現れる。従って、S
WをONとしなくとも、入力ライン4の電位がアクティ
ブ側2の電位となるタイミングを有する。この状態がS
W操作なくて入力回路が動作する誤動作である。
【0011】尚、抵抗(Rp)はプル手段を得るための
ものであり、回路1はSWの後段に設けられる。図8
は、図7に示した入力回路の静電気等による誤動作を説
明するための、時刻により変化する各部の電圧波形図で
ある。V1 はアクティブ電位、V2 はプル電位、V3 は
入力ライン電位で通常はV2 である。VT は通常状態で
の回路1のスレッシュホールド電位でここではV2 /2
とする。
ものであり、回路1はSWの後段に設けられる。図8
は、図7に示した入力回路の静電気等による誤動作を説
明するための、時刻により変化する各部の電圧波形図で
ある。V1 はアクティブ電位、V2 はプル電位、V3 は
入力ライン電位で通常はV2 である。VT は通常状態で
の回路1のスレッシュホールド電位でここではV2 /2
とする。
【0012】tは時刻、toは電源電圧であるV0 が静
電気等で変動しV2 (to)に急変した時点の時刻、V2 (t
o)は時刻toにおける電位、V3 (to)はV2(to) を容量
CaとCpで分圧した入力ライン電位であり、V2 (to)
・Cp/(Ca+Cp)となる。
電気等で変動しV2 (to)に急変した時点の時刻、V2 (t
o)は時刻toにおける電位、V3 (to)はV2(to) を容量
CaとCpで分圧した入力ライン電位であり、V2 (to)
・Cp/(Ca+Cp)となる。
【0013】VT (to)は回路1のスレッシュホールド電
位で V2 (to)/2となる。V2 (t)は時刻tの関数で
表せる電源電圧で、その時定数は容量Ca、Cp及びノ
イズ源容量による合成容量をCap、電源の内部抵抗をr
とするとほぼC・rに等しい。
位で V2 (to)/2となる。V2 (t)は時刻tの関数で
表せる電源電圧で、その時定数は容量Ca、Cp及びノ
イズ源容量による合成容量をCap、電源の内部抵抗をr
とするとほぼC・rに等しい。
【0014】V2 (t)は時刻tの関数で表せる入力ライ
ン4の電位で、 V3 (t)〜V2 (t)・Cp/(Ca+Cp) exp{−t/(Cap・Rp)} であり、その時定数は容量CaとCpの合成容量Cap
とプル手段抵抗Rp(Rpはrよりも一般にかなり大き
いから)の積、Cap・Rpにほぼ等しい。
ン4の電位で、 V3 (t)〜V2 (t)・Cp/(Ca+Cp) exp{−t/(Cap・Rp)} であり、その時定数は容量CaとCpの合成容量Cap
とプル手段抵抗Rp(Rpはrよりも一般にかなり大き
いから)の積、Cap・Rpにほぼ等しい。
【0015】VT (t)は時刻tの関数で表せる回路1
のスレッシュホールド電位V2 (t)/2である。図7
および図8において、具体的に説明する。静電気では人
が帯電する電圧が10kVを越えることもあり、接地の
施せない電子機器や携帯用電子機器の取り扱い上で重大
な影響があることが知られている。
のスレッシュホールド電位V2 (t)/2である。図7
および図8において、具体的に説明する。静電気では人
が帯電する電圧が10kVを越えることもあり、接地の
施せない電子機器や携帯用電子機器の取り扱い上で重大
な影響があることが知られている。
【0016】ここで、放電に伴う電磁波ノイズによりV
2 が時刻toにV2 (to)に急増したとすると、回路1の
スレッシュホールド電位VT =V2 /2は、VT (to)=
V2 (to)/2に、入力ライン4電位V3 =V2 は、 V2 (to)=V2 +{V2(to) −V2 }・Cp/(Ca+Cp) に変化する。
2 が時刻toにV2 (to)に急増したとすると、回路1の
スレッシュホールド電位VT =V2 /2は、VT (to)=
V2 (to)/2に、入力ライン4電位V3 =V2 は、 V2 (to)=V2 +{V2(to) −V2 }・Cp/(Ca+Cp) に変化する。
【0017】容量の関係が、Ca>Cpとすると変動し
たV2(to) の大きさによっては入力ライン4電位のV3
(to)がスレッシュホールド電圧VT (to)=V2 (to)/2
に達することとなり誤入力する。例えば、容量の関係が
Ca=1.5Cpの場合には、V2 (to)が通常状態のV
2 の6倍以上、Ca=4Cpの場合にはV2 (to)がV2
の8/3倍以上で、入力ライン4電位V3 (to)はスレッ
シュホールド電圧VT (to)=V2 (to)/2に達して誤入
力となる。
たV2(to) の大きさによっては入力ライン4電位のV3
(to)がスレッシュホールド電圧VT (to)=V2 (to)/2
に達することとなり誤入力する。例えば、容量の関係が
Ca=1.5Cpの場合には、V2 (to)が通常状態のV
2 の6倍以上、Ca=4Cpの場合にはV2 (to)がV2
の8/3倍以上で、入力ライン4電位V3 (to)はスレッ
シュホールド電圧VT (to)=V2 (to)/2に達して誤入
力となる。
【0018】以上の考え方は、次に示す仮説を導き出す
手法と実際の電子機器における実験と調査によって裏付
けられるものである。以下に静電気の耐性向上に関する
概念、仮説の導き方の手法、仮説に対する確認実験につ
いて述べる。 (1)概念 図9は、電磁波のエネルギーとノイズに関する概念図で
ある。図中領域100は電波(VHF),赤外線、可視
光線、紫外線、X線などの電磁波の全ての領域を表すも
のである。放電の状態は電子のなだれ現象であり、電圧
に比例した運動エネルギーを持って対電極となった金属
へ衝突する。
手法と実際の電子機器における実験と調査によって裏付
けられるものである。以下に静電気の耐性向上に関する
概念、仮説の導き方の手法、仮説に対する確認実験につ
いて述べる。 (1)概念 図9は、電磁波のエネルギーとノイズに関する概念図で
ある。図中領域100は電波(VHF),赤外線、可視
光線、紫外線、X線などの電磁波の全ての領域を表すも
のである。放電の状態は電子のなだれ現象であり、電圧
に比例した運動エネルギーを持って対電極となった金属
へ衝突する。
【0019】帯電した電荷のほとんどが移動することに
もなる。電荷の移動経路はインピーダンスの低いところ
を選んで流れるが、電子回路網を通過しない構成とする
ことが重要である。運動エネルギーEは衝突により電磁
波に変換される。電子の運動エネルギーEは、 E=1/2mν2 =eV エネルギーは保存され、電磁波に変換されるから eV=hν eV=hc/λ 帯電電圧Vが最大のところで波長λが最小となるから λmin =hc/eVmax 波長λを〔オングストローム〕帯電電圧を〔kV〕の単位
とし、 h:6.625 ×10-27erg・sec c:2.9979×108 m ・ sec -1 e:1.602 ×10-12 erg を代入すると、 λmin 〔オングストローム〕=12.4/Vmax 〔kV〕 となり、帯電電圧が分かっていれば簡単に波長λmin が
算出できる。
もなる。電荷の移動経路はインピーダンスの低いところ
を選んで流れるが、電子回路網を通過しない構成とする
ことが重要である。運動エネルギーEは衝突により電磁
波に変換される。電子の運動エネルギーEは、 E=1/2mν2 =eV エネルギーは保存され、電磁波に変換されるから eV=hν eV=hc/λ 帯電電圧Vが最大のところで波長λが最小となるから λmin =hc/eVmax 波長λを〔オングストローム〕帯電電圧を〔kV〕の単位
とし、 h:6.625 ×10-27erg・sec c:2.9979×108 m ・ sec -1 e:1.602 ×10-12 erg を代入すると、 λmin 〔オングストローム〕=12.4/Vmax 〔kV〕 となり、帯電電圧が分かっていれば簡単に波長λmin が
算出できる。
【0020】例えば、帯電電圧Vmax が24.8kVであれば
0.5オングストロームを最短波長とする広帯域な電磁波
となる。しかし、すべてが変換されるのではない。変換
効率εは、
0.5オングストロームを最短波長とする広帯域な電磁波
となる。しかし、すべてが変換されるのではない。変換
効率εは、
【0021】
【数1】 ただし、係数K=1.1 ×10-9 Z:衝突された金属の原子番号 I:放電電流 である。
【0022】従って、電子のなだれ現象である静電気の
スパークの、一部は電磁波に変換されるが核外電子にか
かわるものであり、X線より波長の長いものである。そ
の範囲は図9の領域101で示される。また、Siをベ
ースとする半導体では、エネルギーギャップEg(=
1.2eV)より大きなエネルギーを持った電磁波や粒
子線等の照射によって電子は自由に動作することにな
る。
スパークの、一部は電磁波に変換されるが核外電子にか
かわるものであり、X線より波長の長いものである。そ
の範囲は図9の領域101で示される。また、Siをベ
ースとする半導体では、エネルギーギャップEg(=
1.2eV)より大きなエネルギーを持った電磁波や粒
子線等の照射によって電子は自由に動作することにな
る。
【0023】限界波長で表せば、 ν=E/h λ=c/ν により、10331.5 オングストロームより短い電磁波の照
射で自由に動作することになる。その範囲は図9の領域
102に示される。
射で自由に動作することになる。その範囲は図9の領域
102に示される。
【0024】このようにアクティブ側2の電位と接続さ
れた金属部品がアンテナとなり、前記λmin =12.4/V
max に従って、静電気のスパーク時の電磁波を吸収し、
うず電流として電子回路網へ流入しその結果ノイズとな
る。電子機器のノイズ対象領域はすべての電磁波帯にお
よぶものであるが、(図9の領域104)アース回路で
ノイズ対策の効果のある領域(図9の領域106)は、
無線通信系で言うVHF帯までの電波では一点アース
で、UHF帯域(導波管を扱う領域)では多点アースで
対応できるが万能ではない。
れた金属部品がアンテナとなり、前記λmin =12.4/V
max に従って、静電気のスパーク時の電磁波を吸収し、
うず電流として電子回路網へ流入しその結果ノイズとな
る。電子機器のノイズ対象領域はすべての電磁波帯にお
よぶものであるが、(図9の領域104)アース回路で
ノイズ対策の効果のある領域(図9の領域106)は、
無線通信系で言うVHF帯までの電波では一点アース
で、UHF帯域(導波管を扱う領域)では多点アースで
対応できるが万能ではない。
【0025】すなわち、静電気による電子機器への弊害
に対する対策は、アース回路以外の概念が必要である。
新たに概念による領域を図9の領域105で示す。一般
的に扱われる人体の電気的等価定数は、抵抗1kΩ前
後、静電容量200pF〜500pFである。
に対する対策は、アース回路以外の概念が必要である。
新たに概念による領域を図9の領域105で示す。一般
的に扱われる人体の電気的等価定数は、抵抗1kΩ前
後、静電容量200pF〜500pFである。
【0026】例えば、静電電圧Vを20kV、抵抗Rを
800Ω、帯電容量Cを500pFでの電荷量Q等につ
いての、静電気放電特性を図10に示す。電荷量Qは、 Q=C・V=500×10-12 ×20×103 =10-5(C) となる。
800Ω、帯電容量Cを500pFでの電荷量Q等につ
いての、静電気放電特性を図10に示す。電荷量Qは、 Q=C・V=500×10-12 ×20×103 =10-5(C) となる。
【0027】放電された側の抵抗を0とした場合に、1
0μCの電荷が1/eになるまでの放電所要時間(τ)
は、 τ=C・R =500×10-12 ×800 =4×10-7(sec) となるが、実際には放電された側の抵抗は多からずあ
り、より長い時間を費やす。
0μCの電荷が1/eになるまでの放電所要時間(τ)
は、 τ=C・R =500×10-12 ×800 =4×10-7(sec) となるが、実際には放電された側の抵抗は多からずあ
り、より長い時間を費やす。
【0028】このような放電が電子回路網中のC・MO
SICを通過すると酸化膜を完全に破壊(飛散)させる
エネルギーを有している。また、放電が起こらず帯電状
態にあれば、アース回路の考え方で構成された電子回路
網ではアクティブ側2の電位があらゆるところに張りめ
ぐらされているために、プル側3、入力ライン4および
電界効果型ICでは帯電による電界で誤入力、誤動作と
なる。
SICを通過すると酸化膜を完全に破壊(飛散)させる
エネルギーを有している。また、放電が起こらず帯電状
態にあれば、アース回路の考え方で構成された電子回路
網ではアクティブ側2の電位があらゆるところに張りめ
ぐらされているために、プル側3、入力ライン4および
電界効果型ICでは帯電による電界で誤入力、誤動作と
なる。
【0029】以上のことから、静電気による電子機器へ
の弊害をまとめると、 (a)アクティブ側2と接続される回路基板上に設けら
れるパターンや金属構成部品は、静電気の持つエネルギ
ーの大きさにより、アンテナ化され電磁波を吸収してう
ず電流を発生して電子回路網中のノイズとなる。
の弊害をまとめると、 (a)アクティブ側2と接続される回路基板上に設けら
れるパターンや金属構成部品は、静電気の持つエネルギ
ーの大きさにより、アンテナ化され電磁波を吸収してう
ず電流を発生して電子回路網中のノイズとなる。
【0030】特に、携帯用電子機器では理想的な接地な
どあり得ないから、このノイズエネルギーは電子回路網
中で消費させることになり誤動作の一因となる(図9の
領域103に示される範囲)。 (b)Siをベースとした半導体では、10331.5 オング
ストロームより短い波長の電磁波照射で誤動作を招く。
どあり得ないから、このノイズエネルギーは電子回路網
中で消費させることになり誤動作の一因となる(図9の
領域103に示される範囲)。 (b)Siをベースとした半導体では、10331.5 オング
ストロームより短い波長の電磁波照射で誤動作を招く。
【0031】(c)帯電した電荷が電子回路網中を流れ
れば誤動作し、特に半導体中を流れれば酸化膜が破壊
(飛散) する。 (d)電子回路網が電界効果型ICを備えている場合に
は、電界効果型ICそのものが原理的に電界に弱いもの
であるから、静電気が帯電している状態での電界分布の
乱れに作用される。 (2)仮説の導き方の手法 半導体集積回路(IC)のチップは、入出力端子(以下
ICパッドという)等を多数持っている。ここではその
レイアウトについて検討する。尚、説明を簡素化するた
め、必要最小限のモデル化によって展開する。
れば誤動作し、特に半導体中を流れれば酸化膜が破壊
(飛散) する。 (d)電子回路網が電界効果型ICを備えている場合に
は、電界効果型ICそのものが原理的に電界に弱いもの
であるから、静電気が帯電している状態での電界分布の
乱れに作用される。 (2)仮説の導き方の手法 半導体集積回路(IC)のチップは、入出力端子(以下
ICパッドという)等を多数持っている。ここではその
レイアウトについて検討する。尚、説明を簡素化するた
め、必要最小限のモデル化によって展開する。
【0032】図11は、モデル化したICパッドのレイ
アウト図を示す。これは実際には回路基板上に実装構成
後の静電気に弱いものである。図13もモデル化したI
Cパッドのレイアウト図であり、これは実際には回路基
板上に実装構成後静電気に弱かった他のICである。
アウト図を示す。これは実際には回路基板上に実装構成
後の静電気に弱いものである。図13もモデル化したI
Cパッドのレイアウト図であり、これは実際には回路基
板上に実装構成後静電気に弱かった他のICである。
【0033】図12は図11のICパッドのレイアウト
に関する位置関係を比較するためのマトリクス図であ
る。図14は図13のICパッドのレイアウトに関する
位置関係を比較するためのマトリクス図である。
に関する位置関係を比較するためのマトリクス図であ
る。図14は図13のICパッドのレイアウトに関する
位置関係を比較するためのマトリクス図である。
【0034】マトリクスの座標名はICパッドの機能名
であり、例えば、図11においてX IN, XOUT は発振回
路を構成するICパッドであり、φ1,φ2 は昇圧回路を
構成するICパッドである。VDDはアクティブ側2の電
位のICパッドであり、VSSはプル側3の電位のICパ
ッドである。SWは回路1のICパッドで入力ライン4
にあるスイッチの一端と接続するものである。
であり、例えば、図11においてX IN, XOUT は発振回
路を構成するICパッドであり、φ1,φ2 は昇圧回路を
構成するICパッドである。VDDはアクティブ側2の電
位のICパッドであり、VSSはプル側3の電位のICパ
ッドである。SWは回路1のICパッドで入力ライン4
にあるスイッチの一端と接続するものである。
【0035】図12のマトリクス図中に、XINの両隣に
あるXOUT とVSSについてXINの行にあるXOUT とVSS
の列枠内に白丸印を記入する。次にXOUT の両隣にある
XINとSWについてXOUT の行にあるXINとSWの列枠
内に白丸印を記入する。次にφ1 についても同じように
記入し、順次φ2 , SW,VDD,VSSについても同様に
列枠内を白丸印で埋める。同様にして第13図から第1
4図を得る。
あるXOUT とVSSについてXINの行にあるXOUT とVSS
の列枠内に白丸印を記入する。次にXOUT の両隣にある
XINとSWについてXOUT の行にあるXINとSWの列枠
内に白丸印を記入する。次にφ1 についても同じように
記入し、順次φ2 , SW,VDD,VSSについても同様に
列枠内を白丸印で埋める。同様にして第13図から第1
4図を得る。
【0036】次に、回路基板上に実装構成後静電気に弱
いものである図12のマトリクス図の対角線の右上部
と、図14のマトリクス図の対角線の左下部とを合わせ
て図15のマトリクス比較図とする。図15上では対角
線について線対称となった白丸印を黒丸印にする。この
黒丸印の行列が図11と図13のICパッドレイアウト
として、同じ隣同士の関係にあることを表すものであ
る。
いものである図12のマトリクス図の対角線の右上部
と、図14のマトリクス図の対角線の左下部とを合わせ
て図15のマトリクス比較図とする。図15上では対角
線について線対称となった白丸印を黒丸印にする。この
黒丸印の行列が図11と図13のICパッドレイアウト
として、同じ隣同士の関係にあることを表すものであ
る。
【0037】すなわち、XINとXOUT 、φ1 とφ2 、V
DDとSWが、図11でも図13でも隣同士の位置関係に
ある類似レイアウトであることがわかる。次に、回路基
板上に実装構成後静電気に強いものであることが判明し
ているICパッドのレイアウトで示す図16に対応する
図17に示すマトリクス図の対角線の右上部と、やはり
実装構成後静電気に強いことが判明しているICパッド
のレイアウトを示す図18に対応する図19のマトリク
ス図の対角線の左下部とを合わせて図20のマトリクス
比較図とする。
DDとSWが、図11でも図13でも隣同士の位置関係に
ある類似レイアウトであることがわかる。次に、回路基
板上に実装構成後静電気に強いものであることが判明し
ているICパッドのレイアウトで示す図16に対応する
図17に示すマトリクス図の対角線の右上部と、やはり
実装構成後静電気に強いことが判明しているICパッド
のレイアウトを示す図18に対応する図19のマトリク
ス図の対角線の左下部とを合わせて図20のマトリクス
比較図とする。
【0038】図20では対角線で線対称となった白丸印
を黒丸印にする。この黒丸印の行列が図16と図18の
ICパッドレイアウトとして、同じ隣同士の関係にある
ことを表すものである。すなわち、XINとXOUT 、φ1
とφ2 、VSSとSWが、図15でも図17でも隣同士の
位置関係にある類似レイアウトであることがわかる。
を黒丸印にする。この黒丸印の行列が図16と図18の
ICパッドレイアウトとして、同じ隣同士の関係にある
ことを表すものである。すなわち、XINとXOUT 、φ1
とφ2 、VSSとSWが、図15でも図17でも隣同士の
位置関係にある類似レイアウトであることがわかる。
【0039】以上のことから、回路基板上に実装構成後
の静電気に弱かったICと強かったICの類似点を比較
をすると、 弱いもの:XINとXOUT 、φ1 とφ2 、VDDとSW 強いもの:XINとXOUT 、φ1 とφ2 、VSSとSW となる。
の静電気に弱かったICと強かったICの類似点を比較
をすると、 弱いもの:XINとXOUT 、φ1 とφ2 、VDDとSW 強いもの:XINとXOUT 、φ1 とφ2 、VSSとSW となる。
【0040】弱いIC、強いICの両方にある類似点は
強弱に無関係であるから、消去すると、 弱いもの:VDDとSW 強いもの:VSSとSW となる。
強弱に無関係であるから、消去すると、 弱いもの:VDDとSW 強いもの:VSSとSW となる。
【0041】この結果を検討すると、回路基板上に実装
構成後静電気に弱いもの強いものが生まれるのは、アー
ス回路の思想で設計された結果、VDD(アクティブ側
2)がVSS(プル側3)より多くのパターンを回路基板
上に張りめぐらされているものであり、このことが、下
記の仮説を導き出す重要なことであった。
構成後静電気に弱いもの強いものが生まれるのは、アー
ス回路の思想で設計された結果、VDD(アクティブ側
2)がVSS(プル側3)より多くのパターンを回路基板
上に張りめぐらされているものであり、このことが、下
記の仮説を導き出す重要なことであった。
【0042】仮説−1 弱いICは、VDDとSW(アクティブ側2と入力ライン
4)とが隣接する実装構成にある。すなわち、アクティ
ブ側2と入力ライン4間の浮遊容量Caが大きい。
4)とが隣接する実装構成にある。すなわち、アクティ
ブ側2と入力ライン4間の浮遊容量Caが大きい。
【0043】仮説−2 強いICは、VSSとSW(プル側3と入力ライン4)と
が隣接する実装構成にある。すなわち、プル側3と入力
ライン4間の浮遊容量CpがCaより小さい。 (3)確認実験 前記の仮説−1、仮説−2について、2つの事例につい
て次に説明する。
が隣接する実装構成にある。すなわち、プル側3と入力
ライン4間の浮遊容量CpがCaより小さい。 (3)確認実験 前記の仮説−1、仮説−2について、2つの事例につい
て次に説明する。
【0044】図21は、電子腕時計の回路実体図であ
る。スイッチパターン4aは、入力ライン4の一端であ
る。スイッチバネ2bは、アクティブ側2の電位にあ
る。スイッチパターン4a上にスイッチバネ2bが10
mm2 の対面面積9を有し、0.3mm離れた構造にある。
見方を変えるとこれは空気コンデンサを形成している構
造となっている。この状態において、静電気耐性は弱
く、各種動作制御に対しての誤動作となる。
る。スイッチパターン4aは、入力ライン4の一端であ
る。スイッチバネ2bは、アクティブ側2の電位にあ
る。スイッチパターン4a上にスイッチバネ2bが10
mm2 の対面面積9を有し、0.3mm離れた構造にある。
見方を変えるとこれは空気コンデンサを形成している構
造となっている。この状態において、静電気耐性は弱
く、各種動作制御に対しての誤動作となる。
【0045】次に、スイッチバネ2bの形状を変え対面
面積9から対面面積10のように面積を小さくすると、
静電気耐性は強くなる。これは、仮説−1を立証するも
のである。追試験として対面面積9の状態でスイッチパ
ターン4aとプル側3電位VSS間にコンデンサを挿入し
静電気耐性を調べると、ある値以上の容量を持ったコン
デンサから耐性を有するようになることが判った。
面積9から対面面積10のように面積を小さくすると、
静電気耐性は強くなる。これは、仮説−1を立証するも
のである。追試験として対面面積9の状態でスイッチパ
ターン4aとプル側3電位VSS間にコンデンサを挿入し
静電気耐性を調べると、ある値以上の容量を持ったコン
デンサから耐性を有するようになることが判った。
【0046】図22は、電子腕時計の他の回路実体図を
示す。アクティブ側2の電位にあるVDDパターン2bに
仮説VDDパターン11をスイッチパターン4aに隣接し
て設けない構成では、静電気耐性は強い。これに対して
図に示すように仮説VDDパターン11をスイッチパター
ン4aに隣接して構成すると静電気耐性は弱くなり、誤
表示等の誤動作の原因となる。
示す。アクティブ側2の電位にあるVDDパターン2bに
仮説VDDパターン11をスイッチパターン4aに隣接し
て設けない構成では、静電気耐性は強い。これに対して
図に示すように仮説VDDパターン11をスイッチパター
ン4aに隣接して構成すると静電気耐性は弱くなり、誤
表示等の誤動作の原因となる。
【0047】これは、仮説−2に関係する立証の1つで
ある。回路基板上でアクティブ側2のパターンを長くす
ることや面積を多く確保する考え方はアース回路の考え
方の流れの中の1つであるが、静電気耐性に関してはノ
イズ処理の効果は皆無であり、かえって状況を悪化させ
てしまうものであることが判明した。
ある。回路基板上でアクティブ側2のパターンを長くす
ることや面積を多く確保する考え方はアース回路の考え
方の流れの中の1つであるが、静電気耐性に関してはノ
イズ処理の効果は皆無であり、かえって状況を悪化させ
てしまうものであることが判明した。
【0048】従来のアース回路は、静電気耐性を意図し
て施しても、実際には静電気の放電電流が金属筐体から
電子回路網へ流れICの破壊や回路網内の電気的情報の
乱れ等が生じる。また、雷や静電気放電等に伴って生じ
た高いエネルギーの電磁波が金属筐体やアクティブ側2
のパターンに吸収され、うず電流となり、ノイズとして
電子回路網内の電気的情報を乱す。
て施しても、実際には静電気の放電電流が金属筐体から
電子回路網へ流れICの破壊や回路網内の電気的情報の
乱れ等が生じる。また、雷や静電気放電等に伴って生じ
た高いエネルギーの電磁波が金属筐体やアクティブ側2
のパターンに吸収され、うず電流となり、ノイズとして
電子回路網内の電気的情報を乱す。
【0049】さらには、電子機器が静電気により帯電し
放電しない状態では、張りめぐらされたアクティブ側2
(アース側)がプル側3より効果的な受容体となり、プ
ル側3に作用する電界より大きく作用して誤動作するこ
とが判明した。そこで、本発明は、上記したようなアー
ス回路の考え方で対処できない課題を除去して、静電気
の諸現象に耐性を有する電子機器を提供することを目的
としてなされたものである。
放電しない状態では、張りめぐらされたアクティブ側2
(アース側)がプル側3より効果的な受容体となり、プ
ル側3に作用する電界より大きく作用して誤動作するこ
とが判明した。そこで、本発明は、上記したようなアー
ス回路の考え方で対処できない課題を除去して、静電気
の諸現象に耐性を有する電子機器を提供することを目的
としてなされたものである。
【0050】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は、電子機器において、以下に記載する構成
とした。 (1)ICパッドのアクティブ側2となるパッドと入力
ライン4となるパッドとの間に、アクティブ側2のパッ
ドでもなく、入力ライン4のパッドでもなく、テスト入
力のパッドでもない別のパッドを設けたICを有する構
成とし、また、電源電圧の低い方の電位をプル側3とし
て、ICパッドのプル側3となるパッドと入力ライン4
となるパッドが隣接して配置したICを有する構成とし
た。 (2)回路基板のパターンのアクティブ側2となるパタ
ーンラインと入力ライン4となる回路基板のスイッチラ
インSWのパターンラインとの間に、アクティブ側2の
パターンラインでもなく、入力ライン4となる回路基板
のスイッチラインSWのパターンラインでもなく、テス
ト入力のパターンラインでもない別のパターンラインを
設けた回路基板を有する構成とし、また、回路基板のパ
ターンのプル側3となるパターンラインと入力ライン4
となる回路基板のスイッチラインSWのパターンが隣接
して配置した回路基板を有する構成とした。 (3)回路基板のパターンのアクティブ側2となる配線
と入力ライン4となる回路基板のスイッチラインSWの
配線との間に、アクティブ側2の配線でもなく、入力ラ
イン4となる回路基板のスイッチラインSWの配線でも
なく、テスト入力の配線でもない別の配線を設けた回路
基板を有する構成とし、また、回路基板のパターンのプ
ル側3となる配線と入力ライン4となる回路基板のスイ
ッチラインSWの配線が隣接して配置した回路基板を有
する構成とした。 (4)電源電圧の高い方の電位をアクティブ側2とし、
電源電圧の低い方の電位をプル側3として、入力ライン
4の一端とアクティブ側2との間に接続されたスイッチ
SWを有し、入力ライン4とプル側3との間に接続され
た抵抗Rpを有し、アクティブ側2と入力ライン4との
間の静電容量Caが、プル側3と入力ライン4との間の
静電容量Cpよりも小さい関係となるようにICパッド
と回路基板を接続した構成にある電子回路網8を有する
構成とし、また、電源電圧の低い方の電位をアクティブ
側2とし、電源電圧の高い方の電位をプル側3とする電
源ラインを有する電子機器において、入力ライン4の一
端とアクティブ側2との間に接続されたスイッチSWを
有し、入力ライン4とプル側3との間に接続された抵抗
Rpを有し、アクティブ側2と入力ライン4との間の静
電容量Caが、プル側3と入力ライン4との間の静電容
量Cpよりも小さい関係となるようにICパッドと回路
基板を接続した構成にある電子回路網8を有する構成と
した。 (5)電子回路網8は金属筐体7の内側に配置し、電子
回路網8と金属筐体7は導通していない構成とした。
め、本発明は、電子機器において、以下に記載する構成
とした。 (1)ICパッドのアクティブ側2となるパッドと入力
ライン4となるパッドとの間に、アクティブ側2のパッ
ドでもなく、入力ライン4のパッドでもなく、テスト入
力のパッドでもない別のパッドを設けたICを有する構
成とし、また、電源電圧の低い方の電位をプル側3とし
て、ICパッドのプル側3となるパッドと入力ライン4
となるパッドが隣接して配置したICを有する構成とし
た。 (2)回路基板のパターンのアクティブ側2となるパタ
ーンラインと入力ライン4となる回路基板のスイッチラ
インSWのパターンラインとの間に、アクティブ側2の
パターンラインでもなく、入力ライン4となる回路基板
のスイッチラインSWのパターンラインでもなく、テス
ト入力のパターンラインでもない別のパターンラインを
設けた回路基板を有する構成とし、また、回路基板のパ
ターンのプル側3となるパターンラインと入力ライン4
となる回路基板のスイッチラインSWのパターンが隣接
して配置した回路基板を有する構成とした。 (3)回路基板のパターンのアクティブ側2となる配線
と入力ライン4となる回路基板のスイッチラインSWの
配線との間に、アクティブ側2の配線でもなく、入力ラ
イン4となる回路基板のスイッチラインSWの配線でも
なく、テスト入力の配線でもない別の配線を設けた回路
基板を有する構成とし、また、回路基板のパターンのプ
ル側3となる配線と入力ライン4となる回路基板のスイ
ッチラインSWの配線が隣接して配置した回路基板を有
する構成とした。 (4)電源電圧の高い方の電位をアクティブ側2とし、
電源電圧の低い方の電位をプル側3として、入力ライン
4の一端とアクティブ側2との間に接続されたスイッチ
SWを有し、入力ライン4とプル側3との間に接続され
た抵抗Rpを有し、アクティブ側2と入力ライン4との
間の静電容量Caが、プル側3と入力ライン4との間の
静電容量Cpよりも小さい関係となるようにICパッド
と回路基板を接続した構成にある電子回路網8を有する
構成とし、また、電源電圧の低い方の電位をアクティブ
側2とし、電源電圧の高い方の電位をプル側3とする電
源ラインを有する電子機器において、入力ライン4の一
端とアクティブ側2との間に接続されたスイッチSWを
有し、入力ライン4とプル側3との間に接続された抵抗
Rpを有し、アクティブ側2と入力ライン4との間の静
電容量Caが、プル側3と入力ライン4との間の静電容
量Cpよりも小さい関係となるようにICパッドと回路
基板を接続した構成にある電子回路網8を有する構成と
した。 (5)電子回路網8は金属筐体7の内側に配置し、電子
回路網8と金属筐体7は導通していない構成とした。
【0051】
【実施例】(1)第一実施例 図1は本発明の第一実施例を示す回路図である。図1に
おいて、(a)は電源電圧の高い方の電位をアクティブ
側2とする図、(b)は電源電圧の低い方の電位をアク
ティブ側2とする図である。
おいて、(a)は電源電圧の高い方の電位をアクティブ
側2とする図、(b)は電源電圧の低い方の電位をアク
ティブ側2とする図である。
【0052】入力ライン4の一端はスイッチSWに接続
され、また、反対の一端は回路1と接続されている。ス
イッチSWをONとすると入力ラインはアクティブ側2
の電位となり、スイッチSWがOFFのときはプル抵抗
Rpを介してプル側3の電位となる。 アクティブ側2
と入力ライン4間の静電容量をCaとし、入力ライン4
とプル側3間の静電容量をCpとして、Ca<Cpの関
係に設定する。
され、また、反対の一端は回路1と接続されている。ス
イッチSWをONとすると入力ラインはアクティブ側2
の電位となり、スイッチSWがOFFのときはプル抵抗
Rpを介してプル側3の電位となる。 アクティブ側2
と入力ライン4間の静電容量をCaとし、入力ライン4
とプル側3間の静電容量をCpとして、Ca<Cpの関
係に設定する。
【0053】このように設定すれば、電源ラインである
アクティブ側2とプル側3とには、例えば、インパルス
ノイズが同時に乗ったとしても、Ca<Cpの関係によ
り入力ライン4にはCpを介してプル側3の電位が現
れ、結果としてインパルスノイズは入力ライン4に誘引
することなく誤動作を防止する回路となる。 (2)第二実施例 図2は、本発明の第二実施例のモデル化したICパッド
レイアウト図である。図2において、(a)は電源電圧
の高い方の電位をアクティブ側2とする回路構成におけ
るICパッドレイアウト図、(b)は電源電圧の低い方
の電位をアクティブ側2とする回路構成におけるICパ
ッドレイアウト図である。
アクティブ側2とプル側3とには、例えば、インパルス
ノイズが同時に乗ったとしても、Ca<Cpの関係によ
り入力ライン4にはCpを介してプル側3の電位が現
れ、結果としてインパルスノイズは入力ライン4に誘引
することなく誤動作を防止する回路となる。 (2)第二実施例 図2は、本発明の第二実施例のモデル化したICパッド
レイアウト図である。図2において、(a)は電源電圧
の高い方の電位をアクティブ側2とする回路構成におけ
るICパッドレイアウト図、(b)は電源電圧の低い方
の電位をアクティブ側2とする回路構成におけるICパ
ッドレイアウト図である。
【0054】(a)ではVDDのパッド(アクティブ側
2)とSWのパッド(入力ライン4)の間にVDDのパッ
ドおよびSWのパッドとテスト用入力パッド以外の端子
を設ける(図ではXIN)。すなわち、アクティブ側2と
入力ライン4間の浮遊容量Caを必然的に小さな値にな
るように設計配慮するものである。このようにすると、
回路基板上でのパターンレイアウトが必然的にCaを小
さくする指向となりCa<Cpの関係となるようにす
る。
2)とSWのパッド(入力ライン4)の間にVDDのパッ
ドおよびSWのパッドとテスト用入力パッド以外の端子
を設ける(図ではXIN)。すなわち、アクティブ側2と
入力ライン4間の浮遊容量Caを必然的に小さな値にな
るように設計配慮するものである。このようにすると、
回路基板上でのパターンレイアウトが必然的にCaを小
さくする指向となりCa<Cpの関係となるようにす
る。
【0055】(b)ではVSSのパッド(アクティブ側
2)とSWのパッド(入力ライン4)の間にVSSのパッ
ド及びSWのパッドとテスト用入力パッド以外のパッド
を設ける(図ではφ2 )。すなわち、アクティブ側2と
入力ライン4間の浮遊容量Caを必然的に小さな値にな
るように設計配慮するものである。このようにすると、
回路基板上でのパターンレイアウトが必然的にCaを小
さくするようになり、かなりCa<Cpの関係となるよ
うになる。 (3)第三実施例 図3は、本発明の第三実施例のモデル化したICパッド
レイアウト図である。図3において、(a)は電源電圧
の高い方の電位をアクティブ側2とする回路構成におけ
るICパッドレイアウト図、(b)は電源電圧の低い方
の電位をアクティブ側2とする回路構成におけるICパ
ッドレイアウト図である。
2)とSWのパッド(入力ライン4)の間にVSSのパッ
ド及びSWのパッドとテスト用入力パッド以外のパッド
を設ける(図ではφ2 )。すなわち、アクティブ側2と
入力ライン4間の浮遊容量Caを必然的に小さな値にな
るように設計配慮するものである。このようにすると、
回路基板上でのパターンレイアウトが必然的にCaを小
さくするようになり、かなりCa<Cpの関係となるよ
うになる。 (3)第三実施例 図3は、本発明の第三実施例のモデル化したICパッド
レイアウト図である。図3において、(a)は電源電圧
の高い方の電位をアクティブ側2とする回路構成におけ
るICパッドレイアウト図、(b)は電源電圧の低い方
の電位をアクティブ側2とする回路構成におけるICパ
ッドレイアウト図である。
【0056】(a)ではVSSのパッド(プル側3)にS
Wのパッド(入力ライン4)を隣同士とする。すなわ
ち、プル側3と入力ライン4間の浮遊容量Cpを極力大
きくなるように設計配慮するものである。このようにす
ると、回路基板上でのパターンレイアウトが必然的にC
pを大きくするようになり、Ca<Cpの関係となる。 (4)第四実施例 図4は、本発明の第四実施例の回路基板パターンレイア
ウトの部分図である。ICチップ6より配線されている
アクティブパターンライン2cとスイッチパターンSW
3 との間にアクティブパターンラインやSWパターンラ
インあるいはテスト用パターンライン以外のパターン5
を設けアクティブ側2とSW3 間は必然的に静電容量C
aを小さく指向することによって本発明の第一実施例で
述べたCa<Cpを実現することとなる。 (5)第五実施例 図5は、本発明の第五実施例の回路基板パターンレイア
ウトの部分図である。プルパターンライン3aは、SW
1 およびSW3 パターンラインと隣接して設けられて、
プル側2とSW間は必然的に静電容量Cpを大きく指向
することによって本発明の第一実施例で述べたCa<C
pを実現することとなる。
Wのパッド(入力ライン4)を隣同士とする。すなわ
ち、プル側3と入力ライン4間の浮遊容量Cpを極力大
きくなるように設計配慮するものである。このようにす
ると、回路基板上でのパターンレイアウトが必然的にC
pを大きくするようになり、Ca<Cpの関係となる。 (4)第四実施例 図4は、本発明の第四実施例の回路基板パターンレイア
ウトの部分図である。ICチップ6より配線されている
アクティブパターンライン2cとスイッチパターンSW
3 との間にアクティブパターンラインやSWパターンラ
インあるいはテスト用パターンライン以外のパターン5
を設けアクティブ側2とSW3 間は必然的に静電容量C
aを小さく指向することによって本発明の第一実施例で
述べたCa<Cpを実現することとなる。 (5)第五実施例 図5は、本発明の第五実施例の回路基板パターンレイア
ウトの部分図である。プルパターンライン3aは、SW
1 およびSW3 パターンラインと隣接して設けられて、
プル側2とSW間は必然的に静電容量Cpを大きく指向
することによって本発明の第一実施例で述べたCa<C
pを実現することとなる。
【0057】いずれにしても各パターンラインでの例え
ばスルホール部等も含め、どの部分においてもCa<C
p関係となるように設計配慮するものである。 (六)第六実施例 図6は、本発明の第六実施例の構成を示す図である。本
発明の第一実施例乃至第五実施例の電子回路網8を金属
筐体7内に配置した電子機器を示す図である。ここで、
金属筐体7を一電極として静電気放電が生じたとする
と、帯電電荷は金属筐体の容量分だけ放電時の電子なだ
れ現象のもとで移動するが、電子回路網8に流入しない
ように金属筐体7と電子回路網8とを電気的導通をしな
い構成にすることにより、その現象は防止される。
ばスルホール部等も含め、どの部分においてもCa<C
p関係となるように設計配慮するものである。 (六)第六実施例 図6は、本発明の第六実施例の構成を示す図である。本
発明の第一実施例乃至第五実施例の電子回路網8を金属
筐体7内に配置した電子機器を示す図である。ここで、
金属筐体7を一電極として静電気放電が生じたとする
と、帯電電荷は金属筐体の容量分だけ放電時の電子なだ
れ現象のもとで移動するが、電子回路網8に流入しない
ように金属筐体7と電子回路網8とを電気的導通をしな
い構成にすることにより、その現象は防止される。
【0058】また上記のような放電と同時に、金属筐体
7に衝突した電子の運動エネルギーが高いエネルギーを
含む電磁波に変換され金属筐体7がアンテナとして電磁
波を吸収し、うず電流を発生するが、本実施例によれば
金属筐体7内で熱に変換され消費されるのみで電子回路
網8への流入はない。
7に衝突した電子の運動エネルギーが高いエネルギーを
含む電磁波に変換され金属筐体7がアンテナとして電磁
波を吸収し、うず電流を発生するが、本実施例によれば
金属筐体7内で熱に変換され消費されるのみで電子回路
網8への流入はない。
【0059】さて、実際には金属筐体7が密閉構造とな
る電子機器は極めて少なく、静電気に伴う電磁波は電子
回路網8を直撃することがほとんどであり、この場合に
本発明の基本となってくるCa<Cpにより電子機器を
静電気の諸現象に伴う弊害を阻止するものである。
る電子機器は極めて少なく、静電気に伴う電磁波は電子
回路網8を直撃することがほとんどであり、この場合に
本発明の基本となってくるCa<Cpにより電子機器を
静電気の諸現象に伴う弊害を阻止するものである。
【0060】すなわち、これらの実施例の構成を必要に
応じて併用することにより静電気による電子機器への弊
害(a)、(b)、(c)、及び(d)を阻止するもの
である。本発明は、静電気の諸現象や雷、さらには外部
電界等による弊害を容認できない医療用電子機器、航空
機搭載の電子機器、電離放射線や粒子放射線および荷電
粒子に遭遇しやすい人工衛星や気象観測用電子機器およ
び原子力関係用電子機器等に有効であり、民生用として
は、ロボット、ICカード、電子計算機、電子計測機
器、電子カメラ、電子腕時計等に極めて有効である。
応じて併用することにより静電気による電子機器への弊
害(a)、(b)、(c)、及び(d)を阻止するもの
である。本発明は、静電気の諸現象や雷、さらには外部
電界等による弊害を容認できない医療用電子機器、航空
機搭載の電子機器、電離放射線や粒子放射線および荷電
粒子に遭遇しやすい人工衛星や気象観測用電子機器およ
び原子力関係用電子機器等に有効であり、民生用として
は、ロボット、ICカード、電子計算機、電子計測機
器、電子カメラ、電子腕時計等に極めて有効である。
【0061】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように、静電気
や外部電界によって誤動作しにくい電子機器を得るとい
う効果を有する。
や外部電界によって誤動作しにくい電子機器を得るとい
う効果を有する。
【図1】本発明の第一実施例を示す回路図である。
【図2】本発明の第二実施例のモデル化したICパッド
レイアウト図である。
レイアウト図である。
【図3】本発明の第三実施例のモデル化したICパッド
レイアウト図である。
レイアウト図である。
【図4】本発明の第四実施例の回路基板パターンレイア
ウトの部分図である。
ウトの部分図である。
【図5】本発明の第五実施例の回路基板パターンレイア
ウトの部分図である。
ウトの部分図である。
【図6】第発明の第六実施例の構成を示す図である。
【図7】入力回路の回路図である。
【図8】入力回路の誤動作を説明するための電圧波形図
である。
である。
【図9】電磁波のエネルギーとノイズに関する概念図で
ある。
ある。
【図10】静電気放電特性を示す波形図である。
【図11】発明を説明するためのICパッドのレイアウ
ト図である。
ト図である。
【図12】本発明を説明するためのICパッドのレイア
ウト図である。
ウト図である。
【図13】本発明を説明するためのICパッドのレイア
ウト図である。
ウト図である。
【図14】本発明を説明するためのICパッドのマトリ
クス図である。
クス図である。
【図15】本発明を説明するためのICパッドのマトリ
クス図である。
クス図である。
【図16】本発明を説明するためのICパッドのレイア
ウト図である。
ウト図である。
【図17】本発明を説明するためのICパッドのマトリ
クス図である。
クス図である。
【図18】本発明を説明するためのICパッドのレイア
ウト図である。
ウト図である。
【図19】本発明を説明するためのICパッドのマトリ
クス図である。
クス図である。
【図20】本発明を説明するためのICパッドのマトリ
クス図である。
クス図である。
【図21】本発明を説明するための回路パターン図であ
る。
る。
【図22】本発明を説明するための回路パターン図であ
る。
る。
1 回路 2 アクティブ側 3 プル側 4 入力ライン 5 パターン 6 ICチップ 7 金属筐体 8 電子回路網
Claims (9)
- 【請求項1】 スイッチラインの一端となるICパッド
のアクティブ側(2)となるパッドと、スイッチライン
の他端となる入力ライン(4)となるパッドとの間に、
アクティブ側(2)のパッドでもなく、入力ライン
(4)のパッドでもなく、テスト入力のパッドでもない
別のパッドを設けたICを有することを特徴とする電子
機器。 - 【請求項2】 スイッチラインと接続されないICパッ
ドのプル側(3)となるパッドとスイッチラインの一端
となる入力ライン(4)となるパッドが隣接して配置し
たICを有することを特徴とする電子機器。 - 【請求項3】 スイッチラインの一端となる回路基板の
パターンのアクティブ側(2)となるパターンライン
と、スイッチラインの他端となる入力ライン(4)とな
る回路基板のスイッチライン(SW)のパターンライン
との間に、アクティブ側(2)のパターンラインでもな
く、入力ライン(4)となる回路基板のスイッチライン
(SW)のパターンラインでもなく、テスト入力のパタ
ーンラインでもない別のパターンラインを設けた回路基
板を有することを特徴とする電子機器。 - 【請求項4】 スイッチラインと接続されない回路基板
のパターンのプル側(3)となるパターンラインとスイ
ッチラインの一端となる入力ライン(4)となる回路基
板のスイッチライン(SW)のパターンが隣接して配置
した回路基板を有することを特徴とする電子機器。 - 【請求項5】 スイッチラインの一端となる回路基板の
パターンのアクティブ側(2)となる有線配線と、スイ
ッチラインの他端となる入力ライン(4)となる回路基
板のスイッチライン(SW)の有線配線との間に、アク
ティブ側(2)の有線配線でもなく、入力ライン(4)
となる回路基板のスイッチライン(SW)の有線配線で
もなく、テスト入力の有線配線でもない別の有線配線を
設けたことを特徴とする電子機器。 - 【請求項6】 スイッチラインと接続されない回路基板
のパターンのプル側(3)となる有線配線とスイッチラ
インの一端となる入力ライン(4)となる回路基板のス
イッチライン(SW)の有線配線が隣接して配置したこ
とを特徴とする電子機器。 - 【請求項7】 電源電圧の高い方の電位をアクティブ側
(2)とし、電源電圧の低い方の電位をプル側(3)と
して、入力ライン(4)の一端とアクティブ側(2)と
の間に接続されたスイッチ(SW)を有し、入力ライン
(4)とプル側(3)との間に接続された抵抗(Rp)
を有し、アクティブ側(2)と入力ライン(4)との間
の静電容量(Ca)が、プル側(3)と入力ライン
(4)との間の静電容量(Cp)よりも小さい関係とな
るようにICパッドを配置し、しかも、回路基板のパタ
ーンをレイアウトした構成にある電子回路網(8)を有
することを特徴とする電子機器。 - 【請求項8】 電源電圧の低い方の電位をアクティブ側
(2)とし、電源電圧の高い方の電位をプル側(3)と
する電源ラインを有する電子機器において、入力ライン
(4)の一端とアクティブ側(2)との間に接続された
スイッチ(SW)を有し、入力ライン(4)とプル側
(3)との間に接続された抵抗(Rp)を有し、アクテ
ィブ側(2)と入力ライン(4)との間の静電容量(C
a)が、プル側(3)と入力ライン(4)との間の静電
容量(Cp)よりも小さい関係となるようにICパッド
を配置し、しかも、回路基板のパターンをレイアウトし
た構成にある電子回路網(8)を有することを特徴とす
る電子機器。 - 【請求項9】 請求項7または請求項8記載の電子機器
において、電子回路網(8)は金属筐体(7)の内側に
配置し、電子回路網(8)と金属筐体(7)は導通して
いないことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29018492A JPH0666404B2 (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | 電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29018492A JPH0666404B2 (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | 電子機器 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61500420A Division JP2543688B2 (ja) | 1984-12-21 | 1985-12-20 | 電子機器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0689965A JPH0689965A (ja) | 1994-03-29 |
| JPH0666404B2 true JPH0666404B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=17752842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29018492A Expired - Fee Related JPH0666404B2 (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | 電子機器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666404B2 (ja) |
-
1992
- 1992-10-28 JP JP29018492A patent/JPH0666404B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0689965A (ja) | 1994-03-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5005106A (en) | Multifunctional card having an electromagnetic wave protection | |
| US3676742A (en) | Means including a spark gap for protecting an integrated circuit from electrical discharge | |
| US6491228B1 (en) | IC card | |
| JPH04157799A (ja) | 筐体の構造 | |
| JP2543688B2 (ja) | 電子機器 | |
| US6714392B2 (en) | Electronic component and utilization of a guard structure contained therein | |
| JPH0832494B2 (ja) | 携帯形半導体記憶装置 | |
| JPH0334658B2 (ja) | ||
| JPH0666404B2 (ja) | 電子機器 | |
| KR940003158B1 (ko) | 정전 방지회로를 가진 전자기기 | |
| JPWO1986003910A1 (ja) | 電子機器 | |
| US5214562A (en) | Electrostatic discharge protective circuit of shunting transistors | |
| KR20010051815A (ko) | 전기 기기 | |
| CN214627466U (zh) | 一种具有emc设计的电路板及led显示屏 | |
| JP3474687B2 (ja) | 雷、静電気保護用アースパターン | |
| JPS62221194A (ja) | 電子機器 | |
| JPS62205698A (ja) | 耐静電気性構造の電子機器 | |
| KR100793148B1 (ko) | 차동구조로 된 고주파 회로의 정전기 방지회로 | |
| JPS62205700A (ja) | 携帯電子機器の外装材料 | |
| JPH05197850A (ja) | データ記録担体およびそのデータ記録担体を使用する電子装置 | |
| JPH03272599A (ja) | 半導体部品の保護方法 | |
| JPS62204182A (ja) | 電子腕時計 | |
| JPH07192105A (ja) | Icカード | |
| JPS6297896A (ja) | Icカ−ド | |
| JPS62216397A (ja) | 電子機器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |