JPH0669145A - 半導体装置製造用の石英製装置 - Google Patents
半導体装置製造用の石英製装置Info
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- JPH0669145A JPH0669145A JP5060342A JP6034293A JPH0669145A JP H0669145 A JPH0669145 A JP H0669145A JP 5060342 A JP5060342 A JP 5060342A JP 6034293 A JP6034293 A JP 6034293A JP H0669145 A JPH0669145 A JP H0669145A
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- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
- H10P72/0436—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/10—Reaction chambers; Selection of materials therefor
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/10—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof using carriers specially adapted therefor, e.g. front opening unified pods [FOUP]
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- Glass Compositions (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、半導体装置を製造する際に用いられ
る炉心管、ウェハボート、スティック等の石英製装置に
関し、変形し難く、かつ、外部の金属汚染を十分に抑制
することを目的とする。 【構成】半導体ウェハＷの周囲の雰囲気に触れる第一の
石英層２と、前記第一の石英層２に含有される量よりも
少ない水酸基を含み、前記雰囲気に接しない部分に形成
される第二の石英層３とを有すことを含む。
る炉心管、ウェハボート、スティック等の石英製装置に
関し、変形し難く、かつ、外部の金属汚染を十分に抑制
することを目的とする。 【構成】半導体ウェハＷの周囲の雰囲気に触れる第一の
石英層２と、前記第一の石英層２に含有される量よりも
少ない水酸基を含み、前記雰囲気に接しない部分に形成
される第二の石英層３とを有すことを含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置製造用の石
英製装置及び半導体装置の製造方法に関し、より詳しく
は、半導体装置を製造する際に用いられる炉芯管、ウェ
ハボート、スティック等の石英製装置と、これを用いた
半導体装置の製造方法に関する。
英製装置及び半導体装置の製造方法に関し、より詳しく
は、半導体装置を製造する際に用いられる炉芯管、ウェ
ハボート、スティック等の石英製装置と、これを用いた
半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路装置の高集積化が進むに
つれてデバイス特性の劣化の原因となる汚染を排除した
製造プロセスが要求されている。半導体装置の製造工程
の雰囲気として、Na、Ｋなどのアルカリ金属や、Fe、Cr
等の遷移金属などによる金属汚染のない清浄な雰囲気が
必要となる。
つれてデバイス特性の劣化の原因となる汚染を排除した
製造プロセスが要求されている。半導体装置の製造工程
の雰囲気として、Na、Ｋなどのアルカリ金属や、Fe、Cr
等の遷移金属などによる金属汚染のない清浄な雰囲気が
必要となる。
【０００３】特に、約９００℃以上の熱処理工程では、
汚染金属を含む雰囲気に半導体ウェハが曝されるとその
金属が半導体ウェハ中に導入され易くなるので、その半
導体ウェハを用いて作製される半導体デバイスの特性を
劣化させることになる。したがって、熱処理工程で用い
られる治具の材料は、特に高純度のものが求められ、含
有される金属の不純物量の低減が急務となっている。
汚染金属を含む雰囲気に半導体ウェハが曝されるとその
金属が半導体ウェハ中に導入され易くなるので、その半
導体ウェハを用いて作製される半導体デバイスの特性を
劣化させることになる。したがって、熱処理工程で用い
られる治具の材料は、特に高純度のものが求められ、含
有される金属の不純物量の低減が急務となっている。
【０００４】半導体装置の基板となる半導体ウェハの熱
処理工程やその表面の膜の成長工程においては、石英や
SiＣ製の治具が用いられ、その材料も同様に不純物の含
有量を少なくする必要がある。成膜装置、加熱装置など
に用いられる炉芯管として、例えば図７(A),(B) に示す
ような円筒状の石英管ｃがあり、その内部には、半導体
ウェハｗが搭載された石英製のウェハボートｂを収容す
る構造となっている。
処理工程やその表面の膜の成長工程においては、石英や
SiＣ製の治具が用いられ、その材料も同様に不純物の含
有量を少なくする必要がある。成膜装置、加熱装置など
に用いられる炉芯管として、例えば図７(A),(B) に示す
ような円筒状の石英管ｃがあり、その内部には、半導体
ウェハｗが搭載された石英製のウェハボートｂを収容す
る構造となっている。
【０００５】そのような石英管ｃ、ウェハボートｂとな
る石英を製造する方法には、酸素・水素炎熔融法と
電気熔融法がある。これらの方法は、天然に産出される
硅石や硅砂を原料とする点では同じである。酸素・水素
炎熔融法により形成された石英は、耐熱性が劣り、熱に
より変形し易い。その欠点を解決するために開発された
方法が電気熔融法であり、この方法により形成される石
英は耐熱性に優れている。
る石英を製造する方法には、酸素・水素炎熔融法と
電気熔融法がある。これらの方法は、天然に産出される
硅石や硅砂を原料とする点では同じである。酸素・水素
炎熔融法により形成された石英は、耐熱性が劣り、熱に
より変形し易い。その欠点を解決するために開発された
方法が電気熔融法であり、この方法により形成される石
英は耐熱性に優れている。
【０００６】これは、電気熔融法により形成された石英
に含有される水酸基（ＯＨ基）の量が、酸素・水素炎熔
融法による石英のそれよりも少ないからである。その詳
細は、例えば‘工業材料’昭和49年７月号（日刊工業新
聞社刊）、”NEW GLASS” No.14. 1987 （ニューガラス
フォーラム）において報告されている。上記した２つの
方法は、天然に産出される硅石や硅砂を原料としている
ので、その中に含まれる汚染元素の量が多く、それらの
元素の外部への放出を抑える必要がある。
に含有される水酸基（ＯＨ基）の量が、酸素・水素炎熔
融法による石英のそれよりも少ないからである。その詳
細は、例えば‘工業材料’昭和49年７月号（日刊工業新
聞社刊）、”NEW GLASS” No.14. 1987 （ニューガラス
フォーラム）において報告されている。上記した２つの
方法は、天然に産出される硅石や硅砂を原料としている
ので、その中に含まれる汚染元素の量が多く、それらの
元素の外部への放出を抑える必要がある。
【０００７】その手段として、電気熔融法により形成さ
れた硬質の管の内周面に、気相成長法により高純度の合
成石英層を形成してなる石英ガラス管が、例えば特開昭
５５−１２６５４２号公報、特開平３−８４９２２号公
報において提案されている。合成石英層により不純物の
内部拡散を防止しようとするものである。また、特開昭
６３−２３６７２３号公報においては、電気熔融法によ
り形成された石英管の外周に、アルミニウム元素を含む
表面層を形成した構造が提案されている。その表面層に
より外部からの不純物の侵入を阻止しようとするもので
ある。
れた硬質の管の内周面に、気相成長法により高純度の合
成石英層を形成してなる石英ガラス管が、例えば特開昭
５５−１２６５４２号公報、特開平３−８４９２２号公
報において提案されている。合成石英層により不純物の
内部拡散を防止しようとするものである。また、特開昭
６３−２３６７２３号公報においては、電気熔融法によ
り形成された石英管の外周に、アルミニウム元素を含む
表面層を形成した構造が提案されている。その表面層に
より外部からの不純物の侵入を阻止しようとするもので
ある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、合成石英層
は、不純物の含有量が少ない一方でＯＨ基の含有量は多
く、粘性が小さくて耐熱性に劣っているので、高熱に曝
されると他の部材に融着するといった不都合がある。本
発明はこのような問題に鑑みてなされたものであって、
変形し難く、金属汚染物の内部への拡散や外部への放出
を十分に抑制でき、しかも、高温下での他の部材との融
着が生じない半導体装置製造用の石英製装置を提供す
る。
は、不純物の含有量が少ない一方でＯＨ基の含有量は多
く、粘性が小さくて耐熱性に劣っているので、高熱に曝
されると他の部材に融着するといった不都合がある。本
発明はこのような問題に鑑みてなされたものであって、
変形し難く、金属汚染物の内部への拡散や外部への放出
を十分に抑制でき、しかも、高温下での他の部材との融
着が生じない半導体装置製造用の石英製装置を提供す
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記した課題は、図２、
４に例示するように、半導体ウェハＷの周囲の雰囲気に
触れる第一の石英層２、６、９、２４と、前記第一の石
英層２、６、９、２４に含有される量よりも少ない水酸
基を含み、前記雰囲気に接しない部分に形成される第二
の石英層３、５、８、２２とを有すことを特徴とする半
導体装置製造用の石英製装置により達成する。
４に例示するように、半導体ウェハＷの周囲の雰囲気に
触れる第一の石英層２、６、９、２４と、前記第一の石
英層２、６、９、２４に含有される量よりも少ない水酸
基を含み、前記雰囲気に接しない部分に形成される第二
の石英層３、５、８、２２とを有すことを特徴とする半
導体装置製造用の石英製装置により達成する。
【００１０】または、図５、８に例示するように、半導
体ウェハＷに接触する部分に形成される第一の石英層６
と、前記半導体ウェハＷに接触しない部分に形成され、
水酸基の含有量が前記第一の石英層６よりも少ない第二
の石英層５とを有することを特徴とする半導体装置製造
用の石英製装置により達成する。または、前記第一の石
英層２、６、９、２４に含まれる水酸基は１００ppm 以
上であって、前記第二の石英層３、５、８、２２に含ま
れる水酸基は３０ppm 以下であることを特徴とする半導
体装置製造用の石英製装置。
体ウェハＷに接触する部分に形成される第一の石英層６
と、前記半導体ウェハＷに接触しない部分に形成され、
水酸基の含有量が前記第一の石英層６よりも少ない第二
の石英層５とを有することを特徴とする半導体装置製造
用の石英製装置により達成する。または、前記第一の石
英層２、６、９、２４に含まれる水酸基は１００ppm 以
上であって、前記第二の石英層３、５、８、２２に含ま
れる水酸基は３０ppm 以下であることを特徴とする半導
体装置製造用の石英製装置。
【００１１】または、前記第一の石英層２、６、９、２
４は酸素水素炎熔融法により形成され、前記第二の石英
層３、５、８、２２は電気熔融法により形成されている
ことを特徴とする半導体装置製造用の石英製装置によっ
て達成する。または、図２、４に例示するように、前記
第二の石英層３は管状に形成され、前記第一の石英層２
は前記第二の石英層３の内周面に形成されていることを
特徴とする半導体装置製造用の石英製装置により達成す
る。
４は酸素水素炎熔融法により形成され、前記第二の石英
層３、５、８、２２は電気熔融法により形成されている
ことを特徴とする半導体装置製造用の石英製装置によっ
て達成する。または、図２、４に例示するように、前記
第二の石英層３は管状に形成され、前記第一の石英層２
は前記第二の石英層３の内周面に形成されていることを
特徴とする半導体装置製造用の石英製装置により達成す
る。
【００１２】または、図５に例示するように、前記第二
の石英層５は、半導体ウェハＷを搭載する形状を有し、
その表面が前記第一の石英層６により覆われていること
を特徴とする半導体装置製造用の石英製装置により達成
する。または、図８に例示するように、前記第二の石英
層８は棒状に形成され、その表面が前記第一の石英層９
により覆われていることを特徴とする半導体装置製造用
の石英製装置により達成する。
の石英層５は、半導体ウェハＷを搭載する形状を有し、
その表面が前記第一の石英層６により覆われていること
を特徴とする半導体装置製造用の石英製装置により達成
する。または、図８に例示するように、前記第二の石英
層８は棒状に形成され、その表面が前記第一の石英層９
により覆われていることを特徴とする半導体装置製造用
の石英製装置により達成する。
【００１３】または、図４、図５、８に例示するよう
に、前記第一の石英層２、６、９、２４と前記第二の石
英層３、５、８、２２の間には、気相成長法により形成
されて水酸基の含有量が前記第一の石英層よりも多い第
三の石英層７、１０、２３を有することを特徴とする半
導体装置製造用の石英製装置により達成する。または、
前記第三の石英層７、１０、２３の水酸基が２００ppm
以上であることを特徴とする半導体装置製造用の石英製
装置により達成する。
に、前記第一の石英層２、６、９、２４と前記第二の石
英層３、５、８、２２の間には、気相成長法により形成
されて水酸基の含有量が前記第一の石英層よりも多い第
三の石英層７、１０、２３を有することを特徴とする半
導体装置製造用の石英製装置により達成する。または、
前記第三の石英層７、１０、２３の水酸基が２００ppm
以上であることを特徴とする半導体装置製造用の石英製
装置により達成する。
【００１４】
【作 用】本発明によれば、半導体ウェハＷに面する側
の第一の石英層のＯＨ基の含有量を多くして、その反対
側の第二の石英層のＯＨ基の含有量を少なくしているの
で、この構造では、変形が生じ難く、かつ、第一の石英
層を通して放出される不純物の量が大幅に低減する。こ
れは、ＯＨ基の含有量によって汚染物の拡散量が制限さ
れるためである。
の第一の石英層のＯＨ基の含有量を多くして、その反対
側の第二の石英層のＯＨ基の含有量を少なくしているの
で、この構造では、変形が生じ難く、かつ、第一の石英
層を通して放出される不純物の量が大幅に低減する。こ
れは、ＯＨ基の含有量によって汚染物の拡散量が制限さ
れるためである。
【００１５】また、内面を高純度の合成石英層により形
成した場合のように、管内に収納するウェハバスケット
が高温下で管内壁面に融着することはない。さらに、第
一の石英層と第二の石英層との間に、第三の石英層を介
在させ、そのＯＨ基の量を第一の石英層よりも多くして
いる。これにより、外部から侵入して第一の石英層に到
達する不純物の量を第三の石英層により捕捉させる。こ
れにより第一の石英層への不純物の拡散が防止され、不
純物の放出量がさらに低減する。
成した場合のように、管内に収納するウェハバスケット
が高温下で管内壁面に融着することはない。さらに、第
一の石英層と第二の石英層との間に、第三の石英層を介
在させ、そのＯＨ基の量を第一の石英層よりも多くして
いる。これにより、外部から侵入して第一の石英層に到
達する不純物の量を第三の石英層により捕捉させる。こ
れにより第一の石英層への不純物の拡散が防止され、不
純物の放出量がさらに低減する。
【００１６】
【実施例】実施例の説明に先立ち、酸素・水素炎熔融
法、電気熔融法、合成石英法の各々の方法により形
成した石英に含まれるＯＨ基と金属不純物放出量を調べ
た結果を説明する。酸素・水素炎熔融法により形成され
た石英ではＯＨ基の含有量が約２００ppm以上になる。
また、電気熔融法によれば、石英中のＯＨ基の含有量が
３０ppm 以下と少なくなる。さらに、気相成長法による
合成石英では、数百〜数千ppm の範囲で多量のＯＨ基を
含む。
法、電気熔融法、合成石英法の各々の方法により形
成した石英に含まれるＯＨ基と金属不純物放出量を調べ
た結果を説明する。酸素・水素炎熔融法により形成され
た石英ではＯＨ基の含有量が約２００ppm以上になる。
また、電気熔融法によれば、石英中のＯＨ基の含有量が
３０ppm 以下と少なくなる。さらに、気相成長法による
合成石英では、数百〜数千ppm の範囲で多量のＯＨ基を
含む。
【００１７】酸素・水素炎熔融法により形成された石英
と、電気熔融法により形成された石英について、それぞ
れの金属不純物含有量を調べたところ、表１に示すよう
な結果が得られ、有意差がない。
と、電気熔融法により形成された石英について、それぞ
れの金属不純物含有量を調べたところ、表１に示すよう
な結果が得られ、有意差がない。
【００１８】
【表１】
【００１９】次に、酸素・水素炎熔融法と電気熔融法に
よる２種類の石英について、高温熱処理時に放出される
金属不純物量を調べる。その遷移金属の放出量の調査
は、例えば図１に示すようにして行う。まず、シリコン
基板Ｘの表面に窒化シリコン膜Ｙを形成し、その窒化シ
リコン膜Ｙに試料の石英板Ｚを接触させた状態で、シリ
コン基板Ｘ及び石英板Ｚを例えば１１００℃の窒素雰囲
気中に６時間おく。これにより、石英板Ｚ中の不純物を
窒化シリコン膜Ｙに放出させる。
よる２種類の石英について、高温熱処理時に放出される
金属不純物量を調べる。その遷移金属の放出量の調査
は、例えば図１に示すようにして行う。まず、シリコン
基板Ｘの表面に窒化シリコン膜Ｙを形成し、その窒化シ
リコン膜Ｙに試料の石英板Ｚを接触させた状態で、シリ
コン基板Ｘ及び石英板Ｚを例えば１１００℃の窒素雰囲
気中に６時間おく。これにより、石英板Ｚ中の不純物を
窒化シリコン膜Ｙに放出させる。
【００２０】次に、フッ酸溶液により窒化シリコン膜Ｙ
を溶かし、そのフッ酸溶液に含まれる金属元素を原子吸
光分析装置により分析する。調査結果は表２のようにな
り、ＯＨ基の含有量が少ない電気熔融石英からFe、Cr、
Ni、Cu等の遷移金属が多量に放出され、また、ＯＨ基の
多い酸素水素炎熔融石英から放出される金属不純物量は
非常に少ないことが明らかになった。
を溶かし、そのフッ酸溶液に含まれる金属元素を原子吸
光分析装置により分析する。調査結果は表２のようにな
り、ＯＨ基の含有量が少ない電気熔融石英からFe、Cr、
Ni、Cu等の遷移金属が多量に放出され、また、ＯＨ基の
多い酸素水素炎熔融石英から放出される金属不純物量は
非常に少ないことが明らかになった。
【００２１】
【表２】
【００２２】ＯＨ基の少ない石英は、SiとＯとの結合が
強くて耐熱性の点で優れているにもかかわらず、実際の
熱処理工程では半導体ウェハに対する金属汚染源となる
ことが分かる。また、遷移金属の含有量によって耐熱性
や不純物放出量を決定することはできないことも、表
１、表２から明らかである。このように、石英製造方法
の違いによって高温熱処理下での汚染金属放出量に違い
が見られるのは、石英中の金属不純物がＯＨ基に何らか
の形で捕捉されてその石英中における拡散速度が遅くな
ることに起因すると考えられる。
強くて耐熱性の点で優れているにもかかわらず、実際の
熱処理工程では半導体ウェハに対する金属汚染源となる
ことが分かる。また、遷移金属の含有量によって耐熱性
や不純物放出量を決定することはできないことも、表
１、表２から明らかである。このように、石英製造方法
の違いによって高温熱処理下での汚染金属放出量に違い
が見られるのは、石英中の金属不純物がＯＨ基に何らか
の形で捕捉されてその石英中における拡散速度が遅くな
ることに起因すると考えられる。
【００２３】（ａ）本発明の第１実施例の説明 図２(A) は、本発明の第１実施例を示す装置の側方の断
面図、図２(B) はその正面図である。これらの図におい
て符号１は、成膜装置やアニール装置等に用いられる横
型の炉芯管で、この炉芯管１は二層構造の石英層２，３
からなり、その内側の石英層２は、酸素・水素炎熔融法
により形成されて１００ppm 以上のＯＨ基が含まれ、ま
た、外側の石英層３は、例えば電気熔融法により形成さ
れて３０ppm 以下のＯＨ基を含有している。
面図、図２(B) はその正面図である。これらの図におい
て符号１は、成膜装置やアニール装置等に用いられる横
型の炉芯管で、この炉芯管１は二層構造の石英層２，３
からなり、その内側の石英層２は、酸素・水素炎熔融法
により形成されて１００ppm 以上のＯＨ基が含まれ、ま
た、外側の石英層３は、例えば電気熔融法により形成さ
れて３０ppm 以下のＯＨ基を含有している。
【００２４】酸素・水素炎熔融法は、酸素と水素を供給
しながら火炎により硅砂、硅石などを熔融する方法であ
り、その酸素と水素によってＯＨ基が多く含有されるこ
とになる。これに対して、電気熔融法は、真空雰囲気中
で硅砂、硅石などをヒーターにより熔融する方法であ
り、原理的にＯＨ基の含有量が少い。上記した炉芯管１
が、半導体装置形成用の成膜装置や加熱装置に使用され
る場合には、その周囲がヒータＨによって囲まれ、その
中には半導体ウェハＷを搭載したウェハボート４が置か
れることになる。
しながら火炎により硅砂、硅石などを熔融する方法であ
り、その酸素と水素によってＯＨ基が多く含有されるこ
とになる。これに対して、電気熔融法は、真空雰囲気中
で硅砂、硅石などをヒーターにより熔融する方法であ
り、原理的にＯＨ基の含有量が少い。上記した炉芯管１
が、半導体装置形成用の成膜装置や加熱装置に使用され
る場合には、その周囲がヒータＨによって囲まれ、その
中には半導体ウェハＷを搭載したウェハボート４が置か
れることになる。
【００２５】以上のような炉芯管１によれば、外側の石
英層３内にはＯＨ基が少なく、しかも、Fe,Cu,Cr,Ni 等
の金属が表１に示すような量で含有されているので、そ
の金属は内側の石英層２に拡散するおそれがあるが、内
側の石英層２では多量のＯＨ基によりそれらの金属が何
らかの形で捕捉され、拡散速度が遅くなって炉芯管１内
部空間に放出される量が低減される。
英層３内にはＯＨ基が少なく、しかも、Fe,Cu,Cr,Ni 等
の金属が表１に示すような量で含有されているので、そ
の金属は内側の石英層２に拡散するおそれがあるが、内
側の石英層２では多量のＯＨ基によりそれらの金属が何
らかの形で捕捉され、拡散速度が遅くなって炉芯管１内
部空間に放出される量が低減される。
【００２６】このため、上記したような炉芯管１を用い
た成膜装置やアニール装置等によれば、半導体ウェハＷ
の汚染が十分に抑制される。特に、ヒータＨのヒータ線
材から炉芯管１の壁を拡散して炉芯管１の内部空間に侵
入してくる金属不純物は、金属の拡散定数が小さい内側
の石英層２内で捕捉されるために、実質的な汚染ブロッ
ク効果を有する。
た成膜装置やアニール装置等によれば、半導体ウェハＷ
の汚染が十分に抑制される。特に、ヒータＨのヒータ線
材から炉芯管１の壁を拡散して炉芯管１の内部空間に侵
入してくる金属不純物は、金属の拡散定数が小さい内側
の石英層２内で捕捉されるために、実質的な汚染ブロッ
ク効果を有する。
【００２７】また、外側の石英層３はＯＨ基が少なく、
例えば１１００℃の温度でも軟化しないので、半導体装
置製造プロセスで炉芯管１自体が変形することはない。
なお、二層構造の炉芯管を形成する方法としては、内径
と外形が１mm程度の差がある径の異なる２つの石英管を
使用し、一方の石英管を他方の石英管の中にはめ込んだ
後に、バーナー等によりそれらを熔かして一体化する方
法や、ＯＨ基の少ない石英管の内部に硅砂、硅石等の粉
体を塗布し、これを酸素・水素の雰囲気中で熔融させる
方法等がある。
例えば１１００℃の温度でも軟化しないので、半導体装
置製造プロセスで炉芯管１自体が変形することはない。
なお、二層構造の炉芯管を形成する方法としては、内径
と外形が１mm程度の差がある径の異なる２つの石英管を
使用し、一方の石英管を他方の石英管の中にはめ込んだ
後に、バーナー等によりそれらを熔かして一体化する方
法や、ＯＨ基の少ない石英管の内部に硅砂、硅石等の粉
体を塗布し、これを酸素・水素の雰囲気中で熔融させる
方法等がある。
【００２８】次に、上記した二層構造の石英板から放出
される金属の量を分析した結果を示す。その分析は、表
２を分析する際に使用した汚染検出用ウェハ、即ち、窒
化シリコン膜Ｙで覆われたシリコン基板Ｘを使用する。
そして、図３に示すように、厚さ４mmの電気熔融石英層
ｑ1 と厚さ１mmの酸素水素炎熔融石英層ｑ2 からなる二
層構造の試料Ｑを３枚用意し、第一と第二の試料Ｑの酸
素水素熔融石英層ｑ2 により第１の汚染検出用ウェハを
挟み、さらに、第二と第三の試料Ｑの電気熔融石英層ｑ
1 によって第２の汚染検出用ウェハを挟んで、これらを
１１００℃の窒素雰囲気に６時間放置した。
される金属の量を分析した結果を示す。その分析は、表
２を分析する際に使用した汚染検出用ウェハ、即ち、窒
化シリコン膜Ｙで覆われたシリコン基板Ｘを使用する。
そして、図３に示すように、厚さ４mmの電気熔融石英層
ｑ1 と厚さ１mmの酸素水素炎熔融石英層ｑ2 からなる二
層構造の試料Ｑを３枚用意し、第一と第二の試料Ｑの酸
素水素熔融石英層ｑ2 により第１の汚染検出用ウェハを
挟み、さらに、第二と第三の試料Ｑの電気熔融石英層ｑ
1 によって第２の汚染検出用ウェハを挟んで、これらを
１１００℃の窒素雰囲気に６時間放置した。
【００２９】そして、２枚の汚染検出用ウェハの窒化シ
リコン膜Ｙを別々なフッ酸溶液中に溶かし、それらを原
子吸光分析したところ、表３に示す結果が得られた。
リコン膜Ｙを別々なフッ酸溶液中に溶かし、それらを原
子吸光分析したところ、表３に示す結果が得られた。
【００３０】
【表３】
【００３１】これによれば、石英管の外側を電気熔融石
英層とし、その内側を酸素水素炎熔融石英層とすれば、
耐熱性に優れ、内部に放出する金属量が少ない炉芯管が
得られる。しかも、ヒータのような炉芯管から放出され
る金属をもブロックする効果があり、半導体装置製造プ
ロセスに適用する場合の効果は大きい。なお、電気熔融
法による石英層３の厚みを増やすにつれて、炉芯管１の
耐熱性が向上する。
英層とし、その内側を酸素水素炎熔融石英層とすれば、
耐熱性に優れ、内部に放出する金属量が少ない炉芯管が
得られる。しかも、ヒータのような炉芯管から放出され
る金属をもブロックする効果があり、半導体装置製造プ
ロセスに適用する場合の効果は大きい。なお、電気熔融
法による石英層３の厚みを増やすにつれて、炉芯管１の
耐熱性が向上する。
【００３２】（ｂ）本発明の第２実施例の説明 図４(A),(B) は、本発明の第２実施例を示す石英管の構
造を示す側断面図と正断面図である。図において符号２
１は、成膜装置やアニール装置等に用いられる横型の炉
芯管で、この炉芯管２１は三層構造の石英層２２，２
３，２４から構成されている。最も外側の一層目の石英
層２２は、電気熔融法により形成されて３０ppm 以下の
ＯＨ基が含有され、また、最も内側の三層目の石英層２
４は、酸素・水素炎熔融法により形成されて１００ppm
以上のＯＨ基が含まれている。さらに、それらの石英層
２２，２４の間に挟まれる二層目の石英層２３は、気相
成長法により形成された合成石英層であって三層目の石
英層２４よりも多い２００ppm 以上のＯＨ基が含有され
ている。気相成長法による合成石英を形成する場合は、
反応ガスとして例えばSiCl4 、O2及びH2を使用する。
造を示す側断面図と正断面図である。図において符号２
１は、成膜装置やアニール装置等に用いられる横型の炉
芯管で、この炉芯管２１は三層構造の石英層２２，２
３，２４から構成されている。最も外側の一層目の石英
層２２は、電気熔融法により形成されて３０ppm 以下の
ＯＨ基が含有され、また、最も内側の三層目の石英層２
４は、酸素・水素炎熔融法により形成されて１００ppm
以上のＯＨ基が含まれている。さらに、それらの石英層
２２，２４の間に挟まれる二層目の石英層２３は、気相
成長法により形成された合成石英層であって三層目の石
英層２４よりも多い２００ppm 以上のＯＨ基が含有され
ている。気相成長法による合成石英を形成する場合は、
反応ガスとして例えばSiCl4 、O2及びH2を使用する。
【００３３】以上のような炉芯管２１によれば、第一実
施例と同様に、最も内側の石英層２４では多くのＯＨ基
を含むために、その中で汚染金属が何らかの形で捕捉さ
れ、炉芯管２１の内部空間に放出される量が減少する。
また、電気熔融石英層２２から拡散する金属不純物、或
いは炉のヒータ線材等のような炉芯管２１の外からその
中を拡散する金属不純物は、ＯＨ基を多量に含んだ二層
目の合成石英層２３中でその拡散速度が低下するため
に、管内への汚染元素の放出量が第一実施例に比べて低
減する。
施例と同様に、最も内側の石英層２４では多くのＯＨ基
を含むために、その中で汚染金属が何らかの形で捕捉さ
れ、炉芯管２１の内部空間に放出される量が減少する。
また、電気熔融石英層２２から拡散する金属不純物、或
いは炉のヒータ線材等のような炉芯管２１の外からその
中を拡散する金属不純物は、ＯＨ基を多量に含んだ二層
目の合成石英層２３中でその拡散速度が低下するため
に、管内への汚染元素の放出量が第一実施例に比べて低
減する。
【００３４】なお、合成石英層２３中のＯＨ基の含有量
が多いほど、その効果が著しい。本実施例のように三層
構造の石英層を用いて形成された炉芯管は、耐熱性に優
れるとともに、半導体ウェハに対して実質的な意味でク
リーンであるという特徴を有する。 （ｃ）本発明の第３実施例の実施例の説明 図５(A) は、図２に示すウェハバスケット４の正面図、
図５(B) は、その破線部分を正面から見た部分断面図、
図５(C) は、その側部断面図である。
が多いほど、その効果が著しい。本実施例のように三層
構造の石英層を用いて形成された炉芯管は、耐熱性に優
れるとともに、半導体ウェハに対して実質的な意味でク
リーンであるという特徴を有する。 （ｃ）本発明の第３実施例の実施例の説明 図５(A) は、図２に示すウェハバスケット４の正面図、
図５(B) は、その破線部分を正面から見た部分断面図、
図５(C) は、その側部断面図である。
【００３５】炉芯管１に収納されるウェハバスケット４
は、略Ｕ字状の枠体４ａを間隔をおいて平行に複数個並
べ、それぞれの枠体４ａの底部と両側部を図示しない棒
状の橋絡部によって繋いで一体化したものである。ま
た、その底部には足４ｂが設けられ、また、枠体４ａの
内向側（ウェハＷに最も近い側）には、半導体ウェハＷ
を支持する突起４ｃと溝４ｄが形成されている。
は、略Ｕ字状の枠体４ａを間隔をおいて平行に複数個並
べ、それぞれの枠体４ａの底部と両側部を図示しない棒
状の橋絡部によって繋いで一体化したものである。ま
た、その底部には足４ｂが設けられ、また、枠体４ａの
内向側（ウェハＷに最も近い側）には、半導体ウェハＷ
を支持する突起４ｃと溝４ｄが形成されている。
【００３６】このウェハバスケット４は、基体となる石
英層５とその周囲を覆う外側の石英層６の二層から構成
されている。基体となる石英層５は、電気熔融法により
形成された石英材からなり、ＯＨ基の含有量が３０ppm
以下と少なくて数百℃以上の温度で軟化しないように構
成されている。また、被覆用の石英層６は、酸素水素炎
熔融法により形成された石英材からなり、１００ppm 以
上のＯＨ基が含まれるように構成されている。
英層５とその周囲を覆う外側の石英層６の二層から構成
されている。基体となる石英層５は、電気熔融法により
形成された石英材からなり、ＯＨ基の含有量が３０ppm
以下と少なくて数百℃以上の温度で軟化しないように構
成されている。また、被覆用の石英層６は、酸素水素炎
熔融法により形成された石英材からなり、１００ppm 以
上のＯＨ基が含まれるように構成されている。
【００３７】このようなウェハバスケット４を使用すれ
ば、第１実施例と同様に、天然の石英に含まれるFe、Cu
等の重金属は、外側の石英層６に含まれる多量のＯＨ基
によって捕捉されるために外部に漏れにくくなり、外側
の石英層６に直接接触する半導体ウェハＷの汚染量が大
幅に低減する。この場合の熱変形は、基体となる石英層
５によって防止される。
ば、第１実施例と同様に、天然の石英に含まれるFe、Cu
等の重金属は、外側の石英層６に含まれる多量のＯＨ基
によって捕捉されるために外部に漏れにくくなり、外側
の石英層６に直接接触する半導体ウェハＷの汚染量が大
幅に低減する。この場合の熱変形は、基体となる石英層
５によって防止される。
【００３８】なお、基体となる石英層５と被覆用の石英
層６との間に、図５(D),(E) に示すように、中間層とし
て気相成長法による合成石英層７を介在させることによ
り、不純物の放出をさらに抑制するようにしてもよい。 （ｄ）本発明の第４実施例の説明 図６(A) は、半導体装置を製造する際に使用する石英製
の作業棒を示す実施例である。
層６との間に、図５(D),(E) に示すように、中間層とし
て気相成長法による合成石英層７を介在させることによ
り、不純物の放出をさらに抑制するようにしてもよい。 （ｄ）本発明の第４実施例の説明 図６(A) は、半導体装置を製造する際に使用する石英製
の作業棒を示す実施例である。
【００３９】作業棒は、芯部をなす石英層８と、その全
体を被覆する石英層９から構成されている。芯部の石英
層８は、ＯＨ基の含有量が例えば３０ppm 以下と少なく
て数百℃の温度下で軟化しないように、電気熔融法によ
り形成される。被覆用の石英層９は、ＯＨ基を例えば１
００ppm 以上に多く含ませる酸素・水素炎熔融法により
形成される。
体を被覆する石英層９から構成されている。芯部の石英
層８は、ＯＨ基の含有量が例えば３０ppm 以下と少なく
て数百℃の温度下で軟化しないように、電気熔融法によ
り形成される。被覆用の石英層９は、ＯＨ基を例えば１
００ppm 以上に多く含ませる酸素・水素炎熔融法により
形成される。
【００４０】このような作業棒６を使用すれば、上記実
施例と同様に、Fe、Cuなどの金属の外に漏れる量が抑制
され、半導体ウェハＷの汚染量を大幅に低減できる。な
お、芯部の石英層８と被覆用の石英層９との間に、図６
(B) に示すような合成石英層１０を介在させてもよ
い。、合成石英層１０は、被覆用の石英層９よりもＯＨ
基が多い。
施例と同様に、Fe、Cuなどの金属の外に漏れる量が抑制
され、半導体ウェハＷの汚染量を大幅に低減できる。な
お、芯部の石英層８と被覆用の石英層９との間に、図６
(B) に示すような合成石英層１０を介在させてもよ
い。、合成石英層１０は、被覆用の石英層９よりもＯＨ
基が多い。
【００４１】（ｅ）本発明のその他の実施例の説明 半導体装置の製造工程で使用される上記以外の石英装置
に関しても、石英装置の基体となる部分の石英層を電気
熔融法により形成してＯＨ基を少なくし、また、半導体
ウェハに面する側（ウェハに最も近い側）の石英層を酸
素水素炎熔融法により形成してそのＯＨ基を多くし、そ
の基体を覆うような層構造にする。
に関しても、石英装置の基体となる部分の石英層を電気
熔融法により形成してＯＨ基を少なくし、また、半導体
ウェハに面する側（ウェハに最も近い側）の石英層を酸
素水素炎熔融法により形成してそのＯＨ基を多くし、そ
の基体を覆うような層構造にする。
【００４２】これによれば、熱による変形を抑え、か
つ、半導体ウェハへの不純物の導入が低減される。な
お、中間層として合成石英を介在させてもよい。
つ、半導体ウェハへの不純物の導入が低減される。な
お、中間層として合成石英を介在させてもよい。
【００４３】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、半導
体ウェハに面する側の第一の石英層のＯＨ基の含有量を
多くして、その反対側の第二の石英層のＯＨ基の含有量
を少なくしている。したがって、第一の石英層に含まれ
る金属が何らかの形でＯＨ基に捕捉されることになり、
その第一の石英層を通して放出される不純物の量を十分
に少なくして、半導体ウェハの汚染量を十分に低減でき
る。しかも、第二の石英層はＯＨ基が少ないために粘性
が高く、熱による石英製品の変形を抑制できる。
体ウェハに面する側の第一の石英層のＯＨ基の含有量を
多くして、その反対側の第二の石英層のＯＨ基の含有量
を少なくしている。したがって、第一の石英層に含まれ
る金属が何らかの形でＯＨ基に捕捉されることになり、
その第一の石英層を通して放出される不純物の量を十分
に少なくして、半導体ウェハの汚染量を十分に低減でき
る。しかも、第二の石英層はＯＨ基が少ないために粘性
が高く、熱による石英製品の変形を抑制できる。
【００４４】さらに、その中間層としてＯＨ基の多い合
成石英を用いれば、その効果はさらに大きくなる。
成石英を用いれば、その効果はさらに大きくなる。
【図１】石英層からの汚染物放出量の調査方法の一例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】本発明の第１実施例を示す断面図である。
【図３】本発明の第１実施例の不純物放出量の調査状態
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図４】本発明の第２実施例を示す断面図である。
【図５】本発明の第３実施例を示す正面図と部分断面図
である。
である。
【図６】本発明の第４実施例を示す断面図である。
【図７】従来装置の一例を示す断面図である。
１、２１ 炉芯管 ２、２４ 石英層（酸素・水素炎熔融石英層） ３、２２ 石英層（電気熔融石英層） ２３ 石英層（合成石英層） ４ ウェハバスケット ５、８ 石英層（電気熔融石英層） ６、９ 石英層（酸素・水素炎熔融石英層） ７、１０ 合成石英層 Ｗ 半導体ウェハ Ｈ ヒーター
フロントページの続き (72)発明者 奥井 芳子 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (9)
- 【請求項１】半導体ウェハ（Ｗ）の周囲の雰囲気に触れ
る第一の石英層（２、６、９、２４）と、 前記第一の石英層（２、６、９、２４）に含有される量
よりも少ない水酸基を含み、前記雰囲気に接しない部分
に形成される第二の石英層（３、５、８、２２）とを有
すことを特徴とする半導体装置製造用の石英製装置。 - 【請求項２】半導体ウェハ（Ｗ）に接触する部分に形成
される第一の石英層（６）と、 前記半導体ウェハ（Ｗ）に接触しない部分に形成され、
水酸基の含有量が前記第一の石英層（６）よりも少ない
第二の石英層（５）とを有することを特徴とする半導体
装置製造用の石英製装置。 - 【請求項３】前記第一の石英層（２、６、９、２４）に
含まれる水酸基は１００ppm 以上であって、前記第二の
石英層（３、５、８、２２）に含まれる水酸基は３０pp
m 以下であることを特徴とする請求項１又は２記載の半
導体装置製造用の石英製装置。 - 【請求項４】前記第一の石英層（２、６、９、２４）は
酸素水素炎熔融法により形成され、前記第二の石英層
（３、５、８、２２）は電気熔融法により形成されてい
ることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置製
造用の石英製装置。 - 【請求項５】前記第二の石英層（３）は管状に形成さ
れ、前記第一の石英層（２）は前記第二の石英層（３）
の内周面に形成されていることを特徴とする請求項１、
３又は４記載の半導体装置製造用の石英製装置。 - 【請求項６】前記第二の石英層（５）は、半導体ウェハ
（Ｗ）を搭載する形状を有し、その表面が前記第一の石
英層（６）により覆われていることを特徴とする請求項
２、３又は４記載の半導体装置製造用の石英製装置。 - 【請求項７】前記第二の石英層（８）は棒状に形成さ
れ、その表面が前記第一の石英層（９）により覆われて
いることを特徴とする請求項１、２、３又は４記載の半
導体装置製造用の石英製装置。 - 【請求項８】前記第一の石英層（２、６、９、２４）と
前記第二の石英層（３、５、８、２２）の間には、気相
成長法により形成されて水酸基の含有量が前記第一の石
英層よりも多い第三の石英層（７、１０、２３）を有す
ることを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６又は
７記載の半導体装置製造用の石英製装置。 - 【請求項９】前記第三の石英層（７、１０、２３）の水
酸基が２００ppm 以上であることを特徴とする請求項８
記載の半導体装置製造用の石英製装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06034293A JP3253734B2 (ja) | 1992-06-19 | 1993-03-19 | 半導体装置製造用の石英製装置 |
| KR93011122A KR970002425B1 (en) | 1992-06-19 | 1993-06-17 | Apparatus made of silica for semiconductor device fabrication |
| US08/077,645 US5395452A (en) | 1992-06-19 | 1993-06-17 | Apparatus made of silica for semiconductor device fabrication |
| EP93109746A EP0574935B1 (en) | 1992-06-19 | 1993-06-18 | Apparatus made of silica for semiconductor device fabrication |
| DE69322546T DE69322546T2 (de) | 1992-06-19 | 1993-06-18 | Apparat aus Silica für Halbleiteranordnungsherstellung |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16146292 | 1992-06-19 | ||
| JP4-161462 | 1992-06-19 | ||
| JP06034293A JP3253734B2 (ja) | 1992-06-19 | 1993-03-19 | 半導体装置製造用の石英製装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0669145A true JPH0669145A (ja) | 1994-03-11 |
| JP3253734B2 JP3253734B2 (ja) | 2002-02-04 |
Family
ID=26401411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06034293A Expired - Lifetime JP3253734B2 (ja) | 1992-06-19 | 1993-03-19 | 半導体装置製造用の石英製装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5395452A (ja) |
| EP (1) | EP0574935B1 (ja) |
| JP (1) | JP3253734B2 (ja) |
| KR (1) | KR970002425B1 (ja) |
| DE (1) | DE69322546T2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JPH088194A (ja) * | 1994-06-16 | 1996-01-12 | Kishimoto Sangyo Kk | 気相成長機構および熱処理機構における加熱装置 |
| US5882722A (en) * | 1995-07-12 | 1999-03-16 | Partnerships Limited, Inc. | Electrical conductors formed from mixtures of metal powders and metallo-organic decompositions compounds |
| US7625420B1 (en) * | 1997-02-24 | 2009-12-01 | Cabot Corporation | Copper powders methods for producing powders and devices fabricated from same |
| US6338809B1 (en) | 1997-02-24 | 2002-01-15 | Superior Micropowders Llc | Aerosol method and apparatus, particulate products, and electronic devices made therefrom |
| TW460943B (en) * | 1997-06-11 | 2001-10-21 | Applied Materials Inc | Reduction of mobile ion and metal contamination in HDP-CVD chambers using chamber seasoning film depositions |
| JPH11238728A (ja) * | 1997-12-16 | 1999-08-31 | Fujitsu Ltd | 半導体デバイスの製造の際に使用される熱処理治具及びその製造法 |
| US20030148024A1 (en) * | 2001-10-05 | 2003-08-07 | Kodas Toivo T. | Low viscosity precursor compositons and methods for the depositon of conductive electronic features |
| KR100345304B1 (ko) * | 2000-10-12 | 2002-07-25 | 한국전자통신연구원 | 수직형 초고진공 화학증착장치 |
| US7629017B2 (en) * | 2001-10-05 | 2009-12-08 | Cabot Corporation | Methods for the deposition of conductive electronic features |
| US7524528B2 (en) * | 2001-10-05 | 2009-04-28 | Cabot Corporation | Precursor compositions and methods for the deposition of passive electrical components on a substrate |
| US20060159838A1 (en) * | 2005-01-14 | 2006-07-20 | Cabot Corporation | Controlling ink migration during the formation of printable electronic features |
| KR20040077655A (ko) * | 2001-10-19 | 2004-09-06 | 슈페리어 마이크로파우더스 엘엘씨 | 전자 형상 증착용 테잎 조성물 |
| US7553512B2 (en) * | 2001-11-02 | 2009-06-30 | Cabot Corporation | Method for fabricating an inorganic resistor |
| US7824466B2 (en) | 2005-01-14 | 2010-11-02 | Cabot Corporation | Production of metal nanoparticles |
| US8383014B2 (en) | 2010-06-15 | 2013-02-26 | Cabot Corporation | Metal nanoparticle compositions |
| US8167393B2 (en) * | 2005-01-14 | 2012-05-01 | Cabot Corporation | Printable electronic features on non-uniform substrate and processes for making same |
| CN101102905B (zh) * | 2005-01-14 | 2011-01-12 | 卡伯特公司 | 防伪特征件、其使用及其制造方法 |
| US20060158497A1 (en) * | 2005-01-14 | 2006-07-20 | Karel Vanheusden | Ink-jet printing of compositionally non-uniform features |
| TW200640596A (en) * | 2005-01-14 | 2006-12-01 | Cabot Corp | Production of metal nanoparticles |
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| US7533361B2 (en) * | 2005-01-14 | 2009-05-12 | Cabot Corporation | System and process for manufacturing custom electronics by combining traditional electronics with printable electronics |
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|---|---|---|---|---|
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| JPS5849290B2 (ja) * | 1980-08-18 | 1983-11-02 | 富士通株式会社 | 石英反応管 |
| JPS61222534A (ja) * | 1985-03-28 | 1986-10-03 | Anelva Corp | 表面処理方法および装置 |
| US4830982A (en) * | 1986-12-16 | 1989-05-16 | American Telephone And Telegraph Company | Method of forming III-V semi-insulating films using organo-metallic titanium dopant precursors |
| GB8702834D0 (en) * | 1987-02-09 | 1987-03-18 | Tsl Group Plc | Improving sag resistance of component |
| JPH068181B2 (ja) * | 1987-03-26 | 1994-02-02 | 信越石英株式会社 | 半導体工業用石英ガラス製品 |
| JP2610050B2 (ja) * | 1989-08-29 | 1997-05-14 | 信越石英株式会社 | 半導体熱処理用石英ガラス管 |
| JPH0729798B2 (ja) * | 1989-08-31 | 1995-04-05 | 信越石英株式会社 | 半導体熱処理用複合石英ガラス管の製造方法 |
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