JPH0671035B2 - 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−バ - Google Patents

半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−バ

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JPH0671035B2
JPH0671035B2 JP61123119A JP12311986A JPH0671035B2 JP H0671035 B2 JPH0671035 B2 JP H0671035B2 JP 61123119 A JP61123119 A JP 61123119A JP 12311986 A JP12311986 A JP 12311986A JP H0671035 B2 JPH0671035 B2 JP H0671035B2
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JP
Japan
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prober
dielectric
electrical characteristics
transmission line
conductor
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JP61123119A
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JPS62279651A (ja
Inventor
浩 柳原
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Tanaka Precious Metal Technologies Co Ltd
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Tanaka Kikinzoku Kogyo KK
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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、ウェーハ上のIC、LSI等の電気的特性を測定
する為のプローバに関する。
(従来の技術) 従来、第6図に示すウェーハ上のIC、LSI等の電気的特
性を測定するのに、第5図に示す如く1本の信号線3と
1本のグランド4から成るプローブ針5を、第6図に示
す如く同軸ケーブル6に半田付けしたプローバ7を使用
していた。
(発明が解決しようとする問題点) ところで、上記のプローバ7は、プローブ針5を同軸ケ
ーブル6に接合する為、複数の信号線が取出せない。つ
まり平面線路のプローブ針5と、同軸のケーブル6では
多端子化が不可能である。また、形状の異なるプローブ
針5の信号線3と同軸ケーブル6とを半田付けする為、
特性インピーダンスは不整合を生じ、反射波が出てしま
い、正確な電気的特性の測定ができなくなり、特に高周
波数領域では正確な電気的特性の測定が不可能であっ
た。
一方、近時IC、LSI等は高密度、高速化の開発が進めら
れ、これに伴いこれらを評価するためのプローバとして
は、特性インピーダンスの安定化、多端子化、ウェーハ
上のパッドとの確実なコンタクトを図れるプローバが必
要で、これの開発が急がれている。
そこで、本発明は、特性インピーダンスの設定に対する
安定化、多端子化、確実なコンタクトを達成でき、高周
波数領域でも正確な電気的特性測定のできるプローバを
提供しようとするものである。
(問題点を解決するための手段) 上記問題点を解決するための第1の発明のプローバは、
誘電体上に伝送線路を複数列平行に一体に設け、反対面
に導電体を接合して成るフラットケーブルの前記伝送線
路の先端部に、プローブ針としての側面が半円形に湾曲
して隆起した接触部を設けたことを特徴とする。
上記問題点を解決するための第2の発明のプローバは、
誘電体上に伝送線路を複数列平行に設け、反対面に導電
体を接合して成るフラットケーブルの前記伝送線路の先
端部に、プローブ針としての側面が半円形に湾曲して隆
起した接触部を設け、この接触部を除いた伝送線路を挟
んで誘電体を接合し、その誘電体上に導電体を接合した
ことを特徴とする。
(実施例) 第1発明のプローバの一実施例を第1図によって説明す
る。10はポリイミドより成る幅10mm、厚さ200μの誘電
体で、この誘電体10上の長手方向に厚さ3μ、幅150μ
のCuより成る伝送線路11が200μの間隔を存して3列平
行に設けられ、その反対側の面上に厚さ3μのCuより成
る導電体12が接合されてフラットケーブル13が構成さ
れ、このフラットケーブル13の前記各伝送線路11の先端
部が高さ80μに側断面半円状に隆起せしめられて接触部
14となっている。
第2図は第2発明のプローバの一実施例で、これは第1
図の第1発明のプローバにおける誘電体10上に、接触部
14を除く伝送線路11を挟んで厚さ200μのポリイミドよ
り成る誘電体10′を接合し、さらにその誘電体10′上に
厚さ3μのCuより成る導電体12′が接合されて成るもの
である。
上述の如く各実施例のプローバ15、15′は誘電体10上に
伝送線路11が3列平行に設けられているので伝送線路11
はストリップ線路構造となっていて、伝送線路11の特性
インピーダンスには変化は無く、どの部分でも一定であ
る。そこで各実施例のプローバ15、15′を夫々第3図及
び第4図に示す如く計測器16のX、Y、Z軸方向に移動
可能なアーム17に支持されたプローバホルダー18に取付
け、基端をコネクタ19に連結して計測器16に接続した
上、該プローバ15、15′の先端の接触部14を、ウェーハ
1上のIC、LSI等のパッド2に接触させて、電気的特性
を測定したところ、高周波数領域で、本例では30GHzの
高周波数で正確にパラメータ測定ができた。また、この
測定を繰り返して行っても、各伝送線路11上の先端部に
は隆起した接触部14が設けられているので、前記電気的
特性の測定において、ウェーハ1上のIC、LSI等のパッ
ド2とは常に確実に安定して接触する。さらに導電体12
が誘電体11に、導電体12′が誘電体10′上に夫々に接合
されて、導電層が2層あるいは3層に形成されているの
で、特性インピーダンスの設定に対し著しく安定する。
また、誘電体10上の各伝送線路12が誘電体10′に挟まれ
て、電気的にシールドされているプローバ15′は、外部
からのノイズが低減され、しかも各伝送線路11間のクロ
ストークが低減される。
尚、上記各実施例のプローバにおける誘電体10及び10′
はポリイミドより成るが、これに限るものではなく、ポ
リエステルでも良い。また上記各実施例では伝送線路11
が3列であるが、これに限るものではなく、2例以上な
ら何列でも良いもので、数10列、数100列の場合もあ
る。
(発明の効果) 以上の説明で判るように本発明のプローバは、フラット
ケーブルの誘電体上に、伝送線路が複数列平行に設けら
れていて、該伝送線路がストリップ線路構造となってい
る。従って、特性インピーダンスの設定を安定化させる
ことができ、また、各伝送線路はどの部分でも特性イン
ピーダンスを一定化でき、さらに複数列の伝送線路によ
って多端子化が実現できる。その上本発明のプローバ
は、伝送線路の先端部に側面が半円形に湾曲して隆起し
た接触部が設けられているので、伝送線路の消耗が無
く、測定物との接触も安定する。また誘電体上の各伝送
線路が誘電体に挟まれて電気的にシールドされている場
合は、外部からのノイズが低減され、しかも各伝送線路
間のクロストークが低減される。また誘電体上に導電体
が接合されて導電層が少なくとも2層形成されているの
で、特性インピーダンスの設定に対し著しく安定する。
かくして、高密度、高速化される半導体ウェーハ上のI
C、LSI等の高周波数領域での電気的特性の測定を正確、
確実に安定して行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は夫々本発明のプローバの実施例を示
す一部斜視図、第3図及び第4図は第1図及び第2図の
プローバの使用状態を示す概略図、第5図は従来のプロ
ーバを示す斜視図、第6図は従来のプローバの使用状態
を示す概略図である。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】誘電体上に伝送線路を複数列平行に一体に
    設け、反対面に導電体を接合して成るフラットケーブル
    の前記伝送線路の先端部に、プローブ針としての側面が
    半円形に湾曲して隆起した接触部を設けたことを特徴と
    する半導体ウェーハの電気的特性測定用プローバ。
  2. 【請求項2】誘電体上に伝送線路を複数列平行に設け、
    反対面に導電体を接合して成るフラットケーブルの前記
    伝送線路の先端部に、プローブ針としての側面が半円形
    に湾曲して隆起した接触部を設け、この接触部を除いた
    伝送線路を挟んで誘電体を接合し、その誘電体上に導電
    体を接合したことを特徴とする半導体ウェーハの電気的
    特性測定用プローバ。
JP61123119A 1986-05-28 1986-05-28 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−バ Expired - Lifetime JPH0671035B2 (ja)

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JPS62279651A JPS62279651A (ja) 1987-12-04
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Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59141239A (ja) * 1983-01-31 1984-08-13 Fujitsu Ltd Ic測定用プロ−バ
US4697143A (en) * 1984-04-30 1987-09-29 Cascade Microtech, Inc. Wafer probe
JPS612338A (ja) * 1984-06-15 1986-01-08 Hitachi Ltd 検査装置
JPS6114389U (ja) * 1984-06-29 1986-01-28 日立電子エンジニアリング株式会社 高周波コンタクト装置

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JPS62279651A (ja) 1987-12-04

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