JPH0628276B2 - 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針 - Google Patents
半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針Info
- Publication number
- JPH0628276B2 JPH0628276B2 JP61042371A JP4237186A JPH0628276B2 JP H0628276 B2 JPH0628276 B2 JP H0628276B2 JP 61042371 A JP61042371 A JP 61042371A JP 4237186 A JP4237186 A JP 4237186A JP H0628276 B2 JPH0628276 B2 JP H0628276B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe needle
- transmission line
- electrical characteristics
- dielectric substrate
- measuring electrical
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、ウェーハ上のIC、LSI等の電気的特性を
測定する為のプローブ針に関する。
測定する為のプローブ針に関する。
(従来の技術) 従来、第5図に示すウェーハ1上のIC、LSI等の電
気的特性を測定するのに、高い周波数領域でも電気的特
性の測定可能なプローブ針として、第4図に示す如く同
軸ケーブル3の先端中心に信号線4を突出し、同軸ケー
ブル3の先端外周にグランド部5を取付けてその尖端を
信号線4の尖端に平行に200 μ程度接近させて成る同軸
型プローブ針6を、第5図の如く計測器7のX、Y、Z
軸方向に移動可能なアーム8にセットし、ウェーハ1上
のIC、LSI等のパッド2に接触させてパラメータを
測定する方法が採られている。
気的特性を測定するのに、高い周波数領域でも電気的特
性の測定可能なプローブ針として、第4図に示す如く同
軸ケーブル3の先端中心に信号線4を突出し、同軸ケー
ブル3の先端外周にグランド部5を取付けてその尖端を
信号線4の尖端に平行に200 μ程度接近させて成る同軸
型プローブ針6を、第5図の如く計測器7のX、Y、Z
軸方向に移動可能なアーム8にセットし、ウェーハ1上
のIC、LSI等のパッド2に接触させてパラメータを
測定する方法が採られている。
(発明が解決しようとする問題点) ところで、上記同軸型プローブ針6は、信号線4とグラ
ンド部5が同軸ケーブル3の先端で数mmにわたって同軸
構造をとらない為、特性インピーダンスがその部分で変
化してしまい、高周波数領域での正確な電気的特性測定
ができなかった。また、この構造では多端子化が不可能
であった。さらに、上記同軸型プローブ針6は、信号線
4とグランド部5がシールドされていないので、クロス
トーク、即ち雑音が大きいと言う問題があった。
ンド部5が同軸ケーブル3の先端で数mmにわたって同軸
構造をとらない為、特性インピーダンスがその部分で変
化してしまい、高周波数領域での正確な電気的特性測定
ができなかった。また、この構造では多端子化が不可能
であった。さらに、上記同軸型プローブ針6は、信号線
4とグランド部5がシールドされていないので、クロス
トーク、即ち雑音が大きいと言う問題があった。
一方、近時IC、LSIは、高密度、高速化の開発が進
められ、これに伴いこれらを評価するためのプローバと
しては、特性インピーダンスの安定化、多端子化、ウェ
ーハ上のパッドとの確実なコンタクト及びクロストーク
の低減の図れるプローブ針を備えることが必要で、これ
の開発が急がれている。
められ、これに伴いこれらを評価するためのプローバと
しては、特性インピーダンスの安定化、多端子化、ウェ
ーハ上のパッドとの確実なコンタクト及びクロストーク
の低減の図れるプローブ針を備えることが必要で、これ
の開発が急がれている。
そこで本発明は、特性インピーダンスの設定に対する安
定化、多端子化、確実なコンタクト及びクロストークの
低減を達成でき、高周波数領域で正確な電気的特性測定
のできるプローブ針を提供しようとするものである。
定化、多端子化、確実なコンタクト及びクロストークの
低減を達成でき、高周波数領域で正確な電気的特性測定
のできるプローブ針を提供しようとするものである。
(問題点を解決するための手段) 上記問題点を解決するための本発明のプローブ針は、誘
電体基板上に伝送線路を複数列平行に設け、この各伝送
線路の先端部を上方に隆起させて、該隆起部の下側の該
誘電体板との間に弾性体を充填して隆起部を接触部とな
し、前記各伝送線路の両側にて誘電体板上にグランド線
路を平行に設けたことを特徴とする。
電体基板上に伝送線路を複数列平行に設け、この各伝送
線路の先端部を上方に隆起させて、該隆起部の下側の該
誘電体板との間に弾性体を充填して隆起部を接触部とな
し、前記各伝送線路の両側にて誘電体板上にグランド線
路を平行に設けたことを特徴とする。
(実施例) 本発明のプローブ針の一実施例を第1図によって説明す
ると、10はアルミナ(Al2O3)より成る長さ40mm、幅
10mm、厚さ0.6 mmの誘電体基板で、この誘電体基板10上
の長手方向に厚さ3μ、幅150 μのCuより成る伝送線
路11が 200μの間隔を存して3列平行に設けらえてい
る。各伝送線路11の先端部を上方に側面台形状に屈曲成
形して隆起させ、この台形状の隆起部12′の下側の誘電
体基板10との間に弾性体、例えばポリイミド15を充填し
て、隆起部12′を接触部となっている。前記各伝送線路
11間及びその両外側にて誘電体基板10上には厚さ3μ、
幅 150μのCuより成るグランド線路14が伝送線路11と
200μの間隔を存して平行に設けられている。
ると、10はアルミナ(Al2O3)より成る長さ40mm、幅
10mm、厚さ0.6 mmの誘電体基板で、この誘電体基板10上
の長手方向に厚さ3μ、幅150 μのCuより成る伝送線
路11が 200μの間隔を存して3列平行に設けらえてい
る。各伝送線路11の先端部を上方に側面台形状に屈曲成
形して隆起させ、この台形状の隆起部12′の下側の誘電
体基板10との間に弾性体、例えばポリイミド15を充填し
て、隆起部12′を接触部となっている。前記各伝送線路
11間及びその両外側にて誘電体基板10上には厚さ3μ、
幅 150μのCuより成るグランド線路14が伝送線路11と
200μの間隔を存して平行に設けられている。
上述の如く本発明のプローブ針16′は、誘電体基板10上
に伝送線路11が3列平行に設けられているので伝送線路
11はストリップ線路構造となっていて、伝送線路11の特
性インピーダンスには変化は無く、どの部分でも一定で
ある。そこで実施例の第2図のプローブ針16′を第3図
に示す如く計測器7のX、Y、Z軸方向に移動可能なア
ーム8にセットし、ウェーハ1上のIC、LSI等のパ
ッド2に接触させて、パラメータを測定したところ、高
周波領域で、本例では30GHZの高周波数で正確に電気
的特性測定ができた。また、この測定を繰り返し行って
も、各伝送線路11上の先端部には隆起部12′が設けら
れ、その下側は弾性体15が充填され、隆起部12が弾性変
形できるようにしてあるので、前記パラメータの測定に
おいて、測定するウェーハ1上のIC、LSI等のパッ
ド2と接触した際、各伝送線路11の接触部は潰れること
が無く、常に確実に安定して接触する。さらに、各伝送
線路11間にグランド線路14が設けられているので、各伝
送線路11間がシールドされてクロストークが低減され
て、雑音が大幅に低減される。
に伝送線路11が3列平行に設けられているので伝送線路
11はストリップ線路構造となっていて、伝送線路11の特
性インピーダンスには変化は無く、どの部分でも一定で
ある。そこで実施例の第2図のプローブ針16′を第3図
に示す如く計測器7のX、Y、Z軸方向に移動可能なア
ーム8にセットし、ウェーハ1上のIC、LSI等のパ
ッド2に接触させて、パラメータを測定したところ、高
周波領域で、本例では30GHZの高周波数で正確に電気
的特性測定ができた。また、この測定を繰り返し行って
も、各伝送線路11上の先端部には隆起部12′が設けら
れ、その下側は弾性体15が充填され、隆起部12が弾性変
形できるようにしてあるので、前記パラメータの測定に
おいて、測定するウェーハ1上のIC、LSI等のパッ
ド2と接触した際、各伝送線路11の接触部は潰れること
が無く、常に確実に安定して接触する。さらに、各伝送
線路11間にグランド線路14が設けられているので、各伝
送線路11間がシールドされてクロストークが低減され
て、雑音が大幅に低減される。
尚、上記実施例のプローブ針16′の誘電体基板10は、ア
ルミナより成るが、石英でも良いものである。また上記
実施例では伝送線路11が3列であるが、これに限るもの
ではなく、2列以上何列でも良いもので、数10列、数10
0 列の場合もある。さらに伝送線路11の表面には、Au
めっきを施しても良いものである。
ルミナより成るが、石英でも良いものである。また上記
実施例では伝送線路11が3列であるが、これに限るもの
ではなく、2列以上何列でも良いもので、数10列、数10
0 列の場合もある。さらに伝送線路11の表面には、Au
めっきを施しても良いものである。
(発明の効果) 以上の説明で判るように本発明のプローブ針は、誘電体
基板上に伝送線路を複数列平行に設けたものであるか
ら、伝送線路はストリップ線路構造となっている。従っ
て、特性インピーダンスの設定を安定化させることがで
き、また、各伝送線路はどの部分でも特性インピーダン
スを一定化でき、さらに複数列の伝送線路によって多端
子化が実現できる。その上本発明のプローブ針は、各伝
送線路間にグラド線路が設けられているので、各伝送線
路間がシールドされて、クロストークが低減され、雑音
が大幅に低減される。その上本発明のプローブ針は、複
数の伝送線路の先端部を誘電体基板と隔離して隆起さ
せ、該隆起部を接触部としてその下側に電気絶縁性弾性
体を充填して、隆起部が弾性変形できるようにしている
ので、測定物と接触した際、各伝送線路の接触部は潰れ
ることが無く、全て常に確実に安定して接触する。かく
して、高密度、高速化されるウェーハ上のIC、LSI
等の高周波領域での電気的特性の測定を正確、確実に安
定して行うことができる。
基板上に伝送線路を複数列平行に設けたものであるか
ら、伝送線路はストリップ線路構造となっている。従っ
て、特性インピーダンスの設定を安定化させることがで
き、また、各伝送線路はどの部分でも特性インピーダン
スを一定化でき、さらに複数列の伝送線路によって多端
子化が実現できる。その上本発明のプローブ針は、各伝
送線路間にグラド線路が設けられているので、各伝送線
路間がシールドされて、クロストークが低減され、雑音
が大幅に低減される。その上本発明のプローブ針は、複
数の伝送線路の先端部を誘電体基板と隔離して隆起さ
せ、該隆起部を接触部としてその下側に電気絶縁性弾性
体を充填して、隆起部が弾性変形できるようにしている
ので、測定物と接触した際、各伝送線路の接触部は潰れ
ることが無く、全て常に確実に安定して接触する。かく
して、高密度、高速化されるウェーハ上のIC、LSI
等の高周波領域での電気的特性の測定を正確、確実に安
定して行うことができる。
第1図は比較例のプローブ針を示す斜視図、第2図は本
発明のプローブ針の実施例を示す斜視図、第3図は第1
図のプローブ針の使用状態を示す概略図、第4図は従来
の同軸型プローブ針の斜視図、第5図は第4図の同軸型
プローブ針の使用状態を示す概略図である。
発明のプローブ針の実施例を示す斜視図、第3図は第1
図のプローブ針の使用状態を示す概略図、第4図は従来
の同軸型プローブ針の斜視図、第5図は第4図の同軸型
プローブ針の使用状態を示す概略図である。
Claims (1)
- 【請求項1】誘電体基板上に、伝送線路を複数列平行に
設け、この各伝送線路の先端部を上方に隆起させて、該
隆起部の下側の誘電体基板との間に弾性材を充填して隆
起部を接触部となし、前記各伝送線路の両側にて誘電体
基板上にグランド線路を平行に設けたことを特徴とする
半導体ウェーハの電気的特性測定用プローブ針。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61042371A JPH0628276B2 (ja) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61042371A JPH0628276B2 (ja) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62199025A JPS62199025A (ja) | 1987-09-02 |
| JPH0628276B2 true JPH0628276B2 (ja) | 1994-04-13 |
Family
ID=12634183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61042371A Expired - Lifetime JPH0628276B2 (ja) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0628276B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59141239A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-13 | Fujitsu Ltd | Ic測定用プロ−バ |
| US4697143A (en) * | 1984-04-30 | 1987-09-29 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe |
| JPS612338A (ja) * | 1984-06-15 | 1986-01-08 | Hitachi Ltd | 検査装置 |
| JPS6114389U (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-28 | 日立電子エンジニアリング株式会社 | 高周波コンタクト装置 |
-
1986
- 1986-02-27 JP JP61042371A patent/JPH0628276B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62199025A (ja) | 1987-09-02 |
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