JPH0673464B2 - 光学活性なシス−イミダゾリジンジカルボン酸誘導体の製造法 - Google Patents
光学活性なシス−イミダゾリジンジカルボン酸誘導体の製造法Info
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- JPH0673464B2 JPH0673464B2 JP8448286A JP8448286A JPH0673464B2 JP H0673464 B2 JPH0673464 B2 JP H0673464B2 JP 8448286 A JP8448286 A JP 8448286A JP 8448286 A JP8448286 A JP 8448286A JP H0673464 B2 JPH0673464 B2 JP H0673464B2
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は一般式（Ｉ） （式中、Ｒは低級アルキル基を示す。Bzlはベンジル基
を示す。４位、５位の配位は4S、5Rの配位である。） で示される光学活性なシス−イミダゾリジンジカルボン
酸誘導体の製造法に関するものである。
を示す。４位、５位の配位は4S、5Rの配位である。） で示される光学活性なシス−イミダゾリジンジカルボン
酸誘導体の製造法に関するものである。
すなわち本発明は一般式（II） （式中、Ｒは低級アルキル基を示す。Bzlはベンジル基
を示す。） で示されるシス−イミダゾリジンジカルボン酸ジエステ
ル類（以下ジエステル類と略称する。）に好アルカリ性
バシラス（Bacillus）属を含むバシラス属に属するエス
テラーゼ生産菌または好アルカリ性バシラス属を含むバ
シラス属に属するエステラーゼ生産菌由来のエステラー
ゼを接続せしめることにより、前記一般式（Ｉ）で示さ
れる光学活性シス−イミダゾリジンジカルボン酸誘導体
（以下、ハーフエステル類と略称する。）を製造する方
法を提供するものである。
を示す。） で示されるシス−イミダゾリジンジカルボン酸ジエステ
ル類（以下ジエステル類と略称する。）に好アルカリ性
バシラス（Bacillus）属を含むバシラス属に属するエス
テラーゼ生産菌または好アルカリ性バシラス属を含むバ
シラス属に属するエステラーゼ生産菌由来のエステラー
ゼを接続せしめることにより、前記一般式（Ｉ）で示さ
れる光学活性シス−イミダゾリジンジカルボン酸誘導体
（以下、ハーフエステル類と略称する。）を製造する方
法を提供するものである。
一般式（Ｉ）および（II）において低級アルキル基とは
メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブ
チル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル基等の
C1〜C6アルキル基を意味する。
メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブ
チル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル基等の
C1〜C6アルキル基を意味する。
本発明によって得られる光学活性ハースエステル類
（Ｉ）はビオチンおよびその他医薬品の合成中間体とし
て極めて重要な化合物である。
（Ｉ）はビオチンおよびその他医薬品の合成中間体とし
て極めて重要な化合物である。
従来、微生物による光学活性ハーフエステル類（Ｉ）の
製造方法としては、クロモバクテリウム（Chromobacter
ium）属によるもの（特開昭58−190395）しか知られて
いなかった。
製造方法としては、クロモバクテリウム（Chromobacter
ium）属によるもの（特開昭58−190395）しか知られて
いなかった。
そこで本発明者らは、新たに自然界から分離された微生
物を用いてジエステル類（II）から光学活性ハーフエス
テル類（Ｉ）の製造方法を鋭意検討した。その結果、好
アルカリ性バシラス（Bacillus）属を含むバシラス属に
属するエステラーゼ生産菌または好アルカリ性バシラス
属を含むバシラス属に属するエステラーゼ生産菌由来の
エステラーゼを用いた場合、光学活性ハーフエステル類
（Ｉ）が得られることを見い出し、本発明を完成するに
至った。
物を用いてジエステル類（II）から光学活性ハーフエス
テル類（Ｉ）の製造方法を鋭意検討した。その結果、好
アルカリ性バシラス（Bacillus）属を含むバシラス属に
属するエステラーゼ生産菌または好アルカリ性バシラス
属を含むバシラス属に属するエステラーゼ生産菌由来の
エステラーゼを用いた場合、光学活性ハーフエステル類
（Ｉ）が得られることを見い出し、本発明を完成するに
至った。
本発明の方法においては、好アルカリ性バシラス（Baci
llus）属を含むバシラス属に属するエステラーゼ生産菌
または好アルカリ性バシラス属を含むバシラス属に属す
るエステラーゼ生産菌由来のエステラーゼをジエステル
類（II）に接触せしめることにより半加水分解する。こ
の際、反応は緩和な条件下で収率よく進行し、本発明の
目的化合物ハーフエステル類（Ｉ）を得ることができ、
しかも半加水分解反応は立体選択的又は特異的に進行す
る。
llus）属を含むバシラス属に属するエステラーゼ生産菌
または好アルカリ性バシラス属を含むバシラス属に属す
るエステラーゼ生産菌由来のエステラーゼをジエステル
類（II）に接触せしめることにより半加水分解する。こ
の際、反応は緩和な条件下で収率よく進行し、本発明の
目的化合物ハーフエステル類（Ｉ）を得ることができ、
しかも半加水分解反応は立体選択的又は特異的に進行す
る。
即ち、メソ体であるジエステル類（II）を半加水分解す
る際、２種類の光学対掌体の生成が考えられるが、本発
明の方法を用いればそれらの２種類のうちいずれか一方
の対掌体のみが過剰に生産し、さらに場合によっては一
方的に１種類の対掌体のみを生産するといういわゆる不
斉加水分解が生ずるのである。
る際、２種類の光学対掌体の生成が考えられるが、本発
明の方法を用いればそれらの２種類のうちいずれか一方
の対掌体のみが過剰に生産し、さらに場合によっては一
方的に１種類の対掌体のみを生産するといういわゆる不
斉加水分解が生ずるのである。
本発明の方法により、選択的に得られるハーフエステル
類（Ｉ）は4S、5R配位をもつものであり、光学活性なｄ
−ビオチンに変換することができる。たとえば、その一
例は特開昭58−190395に記載されている。
類（Ｉ）は4S、5R配位をもつものであり、光学活性なｄ
−ビオチンに変換することができる。たとえば、その一
例は特開昭58−190395に記載されている。
本発明に用いられる微生物はバシラス属に属するバシラ
ス・エスピー（Bacillus sp.）VA−47株（微工研菌寄第
8730号）又は好アルカリ性バシラス・エスピー VA−62
株（微工研菌寄第8729号）ならびに当該微生物に紫外
線、Ｘ線、γ線等の照射、化学変異処理剤、ファージ接
触、形質転換、形質導入、接合による遺伝子組換、細胞
融合による遺伝子組換、プラスミドによる遺伝子導入な
どの変異処理を施して得られる人工変異株もしくは自然
変異株を包合するほか、バシラス属に属しジエステル類
（II）を光学活性ハーフエステル類（Ｉ）に変換する菌
株を一般に包合する。
ス・エスピー（Bacillus sp.）VA−47株（微工研菌寄第
8730号）又は好アルカリ性バシラス・エスピー VA−62
株（微工研菌寄第8729号）ならびに当該微生物に紫外
線、Ｘ線、γ線等の照射、化学変異処理剤、ファージ接
触、形質転換、形質導入、接合による遺伝子組換、細胞
融合による遺伝子組換、プラスミドによる遺伝子導入な
どの変異処理を施して得られる人工変異株もしくは自然
変異株を包合するほか、バシラス属に属しジエステル類
（II）を光学活性ハーフエステル類（Ｉ）に変換する菌
株を一般に包合する。
なお、上記に例示の菌株は、いずれも新菌種であり、主
要な菌学的性状は、次の通りである。
要な菌学的性状は、次の通りである。
（ａ） 形態的性質（肉汁寒天培地及び肉汁培地） （ｂ） 各種培地における生育状態 （１） 肉汁寒天平板培養 （30℃、２日間） （２） 肉汁寒天斜面培養（30℃、２日間） （３） 肉汁液体培養（30℃、３日間） （４） 肉汁ゼラチン穿刺培養（22℃１カ月） （５） リトマスミルク培養（30℃、１か月） （ｃ） 生理学的性質 以上の菌学的性質に示されたように、これらの２菌株
は、好気的条件下に生育する有胞子性桿菌であることか
らバージェイズ・マニュアル・オブ・デターミネイティ
ブ・バクテリオロジー（Bergey′s Manual of Determin
ative Bacteriology）第８版の検索式に従いバシラス属
に属することは、明らかである。さらにVA−47株と同属
中の菌種を比較すると、類似菌株としてバシラス・ファ
スティディオサス（Bacillus fastidiosus）及びバシラ
ス・アルカロフィラス（Bacillus alkalophilus）があ
げられるが、バシラス・ファスティディオサスは、細胞
の大きさが直径1.5〜2.5μｍ、長さ３〜６μｍとVA−47
株より大きく、硝酸塩の還元能もない点でVA−47株とは
異なる。バシラス・アルカロフィラスは、好アルカリ性
でpH7では生育せず、硝酸塩の還元能もない点でVA−47
株とは異なる。
は、好気的条件下に生育する有胞子性桿菌であることか
らバージェイズ・マニュアル・オブ・デターミネイティ
ブ・バクテリオロジー（Bergey′s Manual of Determin
ative Bacteriology）第８版の検索式に従いバシラス属
に属することは、明らかである。さらにVA−47株と同属
中の菌種を比較すると、類似菌株としてバシラス・ファ
スティディオサス（Bacillus fastidiosus）及びバシラ
ス・アルカロフィラス（Bacillus alkalophilus）があ
げられるが、バシラス・ファスティディオサスは、細胞
の大きさが直径1.5〜2.5μｍ、長さ３〜６μｍとVA−47
株より大きく、硝酸塩の還元能もない点でVA−47株とは
異なる。バシラス・アルカロフィラスは、好アルカリ性
でpH7では生育せず、硝酸塩の還元能もない点でVA−47
株とは異なる。
またVA−62株と同属中の菌種と比較すると、類似菌とし
てバシラス・ブレビス（Bacillus brevis）及びバシラ
ス・アルカロフィラス（Bacillus alkalophilus）があ
げられるが、バシラス・ブレビスは、生育の最高温度が
40〜60℃でスターチ加水分解力がなく、耐塩性もNaCl5
％以下である点でVA−62株とは異なる。バシラス・アル
カロフィラスは、アルカリ性の培地でのみ生育する点が
VA−62株と同じであるが、ふくらみを持った胞子のうち
形成せず、硝酸塩の還元能もない点でVA−62菌とは異な
る。
てバシラス・ブレビス（Bacillus brevis）及びバシラ
ス・アルカロフィラス（Bacillus alkalophilus）があ
げられるが、バシラス・ブレビスは、生育の最高温度が
40〜60℃でスターチ加水分解力がなく、耐塩性もNaCl5
％以下である点でVA−62株とは異なる。バシラス・アル
カロフィラスは、アルカリ性の培地でのみ生育する点が
VA−62株と同じであるが、ふくらみを持った胞子のうち
形成せず、硝酸塩の還元能もない点でVA−62菌とは異な
る。
以上のことから、本発明者らは、VA−47株及びVA−62株
をバシラス属に属する新菌種と認め、バシラス・エスピ
ーVA−47及びバシラス・エスピーVA−62と命名した。こ
れらの２菌株は、工業技術院微生物工業技術研究所に受
託番号微工研菌寄第8730号及び受託番号微工研菌寄第87
29号として寄託されている。
をバシラス属に属する新菌種と認め、バシラス・エスピ
ーVA−47及びバシラス・エスピーVA−62と命名した。こ
れらの２菌株は、工業技術院微生物工業技術研究所に受
託番号微工研菌寄第8730号及び受託番号微工研菌寄第87
29号として寄託されている。
本発明に用いられる微生物を培養する培地としては、通
常行われる微生物の培養に常用される炭素源、窒素源、
無機物等を含む各種の培地を使用することができる。培
地の炭素源としては、たとえばグルコース、フラクトー
ス、シュクロース、デンプン、グリセリン、糖蜜などの
炭水化物、グルコン酸、ピルビン酸、酢酸、クエン酸、
などの有機酸類、グリシン、グルタミン酸、アラニン、
アスパラギンなどのアミノ酸類、ｎ−パラフィンなどの
炭化水素類などである。窒素源としてはたとえば肉エキ
ス、ペプトン、酵母エキス、乾燥酵母、味液、大豆粉、
ないしはその加水分解物、カゼインないしその加水分解
物、各種アミノ酸、各種アンモニウム塩、硝酸塩などで
ある。無機物の例は、リン酸塩、あるいはマグネシウ
ム、カリウム、カルシウム、ナトリウム、鉄、マンガン
などの塩類である。
常行われる微生物の培養に常用される炭素源、窒素源、
無機物等を含む各種の培地を使用することができる。培
地の炭素源としては、たとえばグルコース、フラクトー
ス、シュクロース、デンプン、グリセリン、糖蜜などの
炭水化物、グルコン酸、ピルビン酸、酢酸、クエン酸、
などの有機酸類、グリシン、グルタミン酸、アラニン、
アスパラギンなどのアミノ酸類、ｎ−パラフィンなどの
炭化水素類などである。窒素源としてはたとえば肉エキ
ス、ペプトン、酵母エキス、乾燥酵母、味液、大豆粉、
ないしはその加水分解物、カゼインないしその加水分解
物、各種アミノ酸、各種アンモニウム塩、硝酸塩などで
ある。無機物の例は、リン酸塩、あるいはマグネシウ
ム、カリウム、カルシウム、ナトリウム、鉄、マンガン
などの塩類である。
培養は通常好気的に行われ、振とう培養あるいは通気撹
はん培養が好適である。培養日数は、通常半日から７日
間が適当である。バシラス・エスピーVA−47株の培養温
度は、通常25〜37℃が好ましく、培養液pHは、6.5〜８
程度が好ましい。バシラス・エスピーVA−62株の培養温
度は、20〜30℃が好ましく培養液pHは、８〜10が好まし
い。
はん培養が好適である。培養日数は、通常半日から７日
間が適当である。バシラス・エスピーVA−47株の培養温
度は、通常25〜37℃が好ましく、培養液pHは、6.5〜８
程度が好ましい。バシラス・エスピーVA−62株の培養温
度は、20〜30℃が好ましく培養液pHは、８〜10が好まし
い。
本菌株の培養により光学活性ハーフエステル類（Ｉ）を
得るには、生育の当初からあるいは後にジエステル類
（II）を培養液に添加し、培養を継続し、半加水分解を
行わせる方法が最も簡便である。基質濃度は0.1〜10％
程度が適当である。培養物中に蓄積された光学活性ハー
フエステル類（Ｉ）を単離精製するには、有機化合物の
単離精製に通常用いられる単離精製手段を適用すればよ
い。
得るには、生育の当初からあるいは後にジエステル類
（II）を培養液に添加し、培養を継続し、半加水分解を
行わせる方法が最も簡便である。基質濃度は0.1〜10％
程度が適当である。培養物中に蓄積された光学活性ハー
フエステル類（Ｉ）を単離精製するには、有機化合物の
単離精製に通常用いられる単離精製手段を適用すればよ
い。
光学活性ハーフエステル類（Ｉ）はまた本菌株の培養液
から遠心分離またはろ過等により集菌した微生物細胞を
用いて半加水分解する方法、あるいは微生物の細胞から
超音波処理、リゾチーム処理等により酵素を遊離させ冷
却下遠心分離、硫安分画、沈殿透析等によりエステラー
ゼを得てこれを用いて半加水分解する方法にても実施で
きる。これらの場合には、ジエステル類（II）を好まし
くはpH6〜９に調製した水溶液又は緩衝溶液にけん濁す
るか溶解し、ジエステル類（II）に対して微生物の細胞
もしくはエステラーゼを好ましくは0.001〜0.1重量比添
加し、好ましくは10〜40℃で撹はんすることにより反応
が進行し、通常１時間〜数日間で反応が終了する。
から遠心分離またはろ過等により集菌した微生物細胞を
用いて半加水分解する方法、あるいは微生物の細胞から
超音波処理、リゾチーム処理等により酵素を遊離させ冷
却下遠心分離、硫安分画、沈殿透析等によりエステラー
ゼを得てこれを用いて半加水分解する方法にても実施で
きる。これらの場合には、ジエステル類（II）を好まし
くはpH6〜９に調製した水溶液又は緩衝溶液にけん濁す
るか溶解し、ジエステル類（II）に対して微生物の細胞
もしくはエステラーゼを好ましくは0.001〜0.1重量比添
加し、好ましくは10〜40℃で撹はんすることにより反応
が進行し、通常１時間〜数日間で反応が終了する。
上述、水溶液とは硫酸、塩酸、リン酸等の鉱酸、酢酸、
クエン酸等の有機酸、水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム、炭酸ナトリウム等の無機塩基、トリエチルアミン、
ピリジン等の有機塩基、酢酸ナトリウム、塩化ナトリウ
ム等の塩を添加した水溶液を意味する。
クエン酸等の有機酸、水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム、炭酸ナトリウム等の無機塩基、トリエチルアミン、
ピリジン等の有機塩基、酢酸ナトリウム、塩化ナトリウ
ム等の塩を添加した水溶液を意味する。
緩衝溶液とは、リン酸二水素カリウム・水酸化ナトリウ
ム、リン酸二水素カリウム、リン酸一水素ナトリウム、
フタル酸水素カリウム・塩酸、グリシン・塩化ナトリウ
ム・水酸化ナトリウム等の一般的緩衝溶液を意味し、反
応を妨げるもの以外は特に制限はない。
ム、リン酸二水素カリウム、リン酸一水素ナトリウム、
フタル酸水素カリウム・塩酸、グリシン・塩化ナトリウ
ム・水酸化ナトリウム等の一般的緩衝溶液を意味し、反
応を妨げるもの以外は特に制限はない。
又、必要に応じメタノール、エタノール、ｎ−プロパノ
ール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｔ−ブタノ
ールの如きアルコール系溶媒、エーテル、テトラヒドロ
フラン、ジオキサンの如きエーテル系溶媒、ベンゼン、
トルエン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチル
エチルケトン、ジエチルケトン等のケトン系溶媒、トリ
エチルアミン、ピリジン等のアミン系溶媒、ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルスルホキシド等の極性溶媒、又、
ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノラウレー
ト等の如き界面活性剤を添加する事もできる。
ール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｔ−ブタノ
ールの如きアルコール系溶媒、エーテル、テトラヒドロ
フラン、ジオキサンの如きエーテル系溶媒、ベンゼン、
トルエン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチル
エチルケトン、ジエチルケトン等のケトン系溶媒、トリ
エチルアミン、ピリジン等のアミン系溶媒、ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルスルホキシド等の極性溶媒、又、
ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノラウレー
ト等の如き界面活性剤を添加する事もできる。
以下に実施例をもって本発明をさらに詳細に説明する
が、本発明はこれらにより限定されないことは勿論のこ
とである。
が、本発明はこれらにより限定されないことは勿論のこ
とである。
実施例１） 可溶性デンプン1g、酵母エキス0.5g、ペプトン0.5g、K2
HPO4、0.1g、MgSO4・7H2O0.02g、CuSO4・5H2O0.0005g、
MnCl4・4H2O0.0005g、ZnSO4・7H2O0.0001g、FeSO4・7H2
O0.0002g、蒸溜水100mlからなる溶液を希水酸化ナトリ
ウムにてpH7.6に調整した。
HPO4、0.1g、MgSO4・7H2O0.02g、CuSO4・5H2O0.0005g、
MnCl4・4H2O0.0005g、ZnSO4・7H2O0.0001g、FeSO4・7H2
O0.0002g、蒸溜水100mlからなる溶液を希水酸化ナトリ
ウムにてpH7.6に調整した。
この液体培地を120℃にて20分間滅菌した後、バシラス
・エスピー（Bacillus sp.）VA−47株を接種し、28℃で
48時間振とう培養した。これにシス−1,3−ジベンジル
−２−オキソイミダゾリジン−4,5−カルボン酸ジメチ
ルエステル400mgを添加した後、さらに28℃で72時間振
とう反応させた。
・エスピー（Bacillus sp.）VA−47株を接種し、28℃で
48時間振とう培養した。これにシス−1,3−ジベンジル
−２−オキソイミダゾリジン−4,5−カルボン酸ジメチ
ルエステル400mgを添加した後、さらに28℃で72時間振
とう反応させた。
この反応液に酢酸エチル100mlを加え、希塩酸にて酸性
とした後、セライトろ過した。ろ液を分液し、有機溶媒
層を水にて洗浄後、無水硫酸マグネシウムにて乾燥し、
減圧濃縮した。残さに５％重そう水20mlを加え、溶解後
エーテル20mlにて洗浄し、分液した。
とした後、セライトろ過した。ろ液を分液し、有機溶媒
層を水にて洗浄後、無水硫酸マグネシウムにて乾燥し、
減圧濃縮した。残さに５％重そう水20mlを加え、溶解後
エーテル20mlにて洗浄し、分液した。
水層を希硫酸にてpH2とし、析出した白色結晶をろ過
し、水にて洗浄後乾燥した。（4S、5R）−1,3−ジベン
ジル−５−メトキシカルボニル−２−オキソイミダゾリ
ジン−４−カルボン酸が、300mg得られた。
し、水にて洗浄後乾燥した。（4S、5R）−1,3−ジベン
ジル−５−メトキシカルボニル−２−オキソイミダゾリ
ジン−４−カルボン酸が、300mg得られた。
融点 149〜151℃ ▲［α］20 365▼ −28.0゜（Ｃ＝１、DMF）であった。
実施例２） 可溶性デンプン1g、酵母エキス0.5g、ペプトン0.5g、K2
HPO4、0.1g、MgSO4・7H2O0.02g、CuSO4・5H2O0.0005g、
MnCl4・4H2O0.0005g、ZnSO4・7H2O0.0001g、FeSO4・7H2
O0.0002g、蒸溜水100mlからなる溶液を希水酸化ナトリ
ウムにてpH9.0に調整した。
HPO4、0.1g、MgSO4・7H2O0.02g、CuSO4・5H2O0.0005g、
MnCl4・4H2O0.0005g、ZnSO4・7H2O0.0001g、FeSO4・7H2
O0.0002g、蒸溜水100mlからなる溶液を希水酸化ナトリ
ウムにてpH9.0に調整した。
この液体培地を120℃にて20分間滅菌した後、バシラス
・エスピー（Bacillus sp.）VA−62株を接種し、28℃で
48時間振とう培養した。これにシス−1,3−ジベンジル
−２−オキソイミダゾリジン−4,5−カルボン酸ジメチ
ルエステル400mgを添加した後、さらに28℃で72時間振
とう反応させた。
・エスピー（Bacillus sp.）VA−62株を接種し、28℃で
48時間振とう培養した。これにシス−1,3−ジベンジル
−２−オキソイミダゾリジン−4,5−カルボン酸ジメチ
ルエステル400mgを添加した後、さらに28℃で72時間振
とう反応させた。
この反応液に酢酸エチル100mlを加え、希塩酸にて酸性
とした後、セライトろ過した。ろ液を分液し、有機溶媒
層を水にて洗浄後、無水硫酸マグネシウムにて乾燥し、
減圧濃縮した。残さに５％重そう水20mlを加え、溶解後
エーテル20mlにて洗浄し、分液した。
とした後、セライトろ過した。ろ液を分液し、有機溶媒
層を水にて洗浄後、無水硫酸マグネシウムにて乾燥し、
減圧濃縮した。残さに５％重そう水20mlを加え、溶解後
エーテル20mlにて洗浄し、分液した。
水層を希硫酸にてpH2とし、析出した白色結晶をろ過
し、水にて洗浄後乾燥した。（4S、5R）−1,3−ジベン
ジル−５−メトキシカルボニル−２−オキソイミダゾリ
ジン−４−カルボン酸が、320mg得られた。
し、水にて洗浄後乾燥した。（4S、5R）−1,3−ジベン
ジル−５−メトキシカルボニル−２−オキソイミダゾリ
ジン−４−カルボン酸が、320mg得られた。
融点 149〜151℃ ▲［α］20 365▼ −28.0゜（Ｃ＝１、DMF）であった。
実施例３） 実施例１）で用いた液体培地10mlの入った試験管を120
℃にて20分間滅菌した後、バシラス・エスピーVA−47株
を接種し、28℃で２日間振とう培養して得た前培養5ml
ずつを、下記の培地A250mlの入った2L坂口フラスコ４本
に接種し、30℃で40時間振とう培養した。
℃にて20分間滅菌した後、バシラス・エスピーVA−47株
を接種し、28℃で２日間振とう培養して得た前培養5ml
ずつを、下記の培地A250mlの入った2L坂口フラスコ４本
に接種し、30℃で40時間振とう培養した。
培養液を8000rpm20分間、冷却下で遠心分離して集菌し
た。菌体を0.85％食塩水100mlにて３回洗浄（遠心分離
にて）し、洗浄湿菌体15.7gを得た。
た。菌体を0.85％食塩水100mlにて３回洗浄（遠心分離
にて）し、洗浄湿菌体15.7gを得た。
洗浄湿菌体15.7gとシス−1,3−ジベンジル−２−オキソ
イミダゾリジン−4,5−カルボン酸ジメチルエステル5.0
gをpH8.0 0.01M−リン酸緩衝500mlにけん濁し、１規定
水酸化ナトリウム水溶液にてpH8付近に調整しながら30
℃で170時間撹はんした。
イミダゾリジン−4,5−カルボン酸ジメチルエステル5.0
gをpH8.0 0.01M−リン酸緩衝500mlにけん濁し、１規定
水酸化ナトリウム水溶液にてpH8付近に調整しながら30
℃で170時間撹はんした。
この反応液を遠心分離し、菌体と上清液に分離した（菌
体は回収）。上清液を希硫酸にてpH2とし析出した白色
結晶をろ過し、水にて洗浄後乾燥した。
体は回収）。上清液を希硫酸にてpH2とし析出した白色
結晶をろ過し、水にて洗浄後乾燥した。
（4S,5R）−1,3−ジベンジル−５−メトキシカルボニル
−２−オキソイミダゾリジン−４−カルボン酸が、4.5g
得られた。
−２−オキソイミダゾリジン−４−カルボン酸が、4.5g
得られた。
融点 145〜147℃ ▲［α］20 365▼ −25.0゜（Ｃ＝１、DMF）であった。
実施例４） 実施例１）で用いた液体培地10mlの入った試験管を120
℃にて20分間滅菌した後、バシラス・エスピーVA−62株
を接種し、28℃で２日間振とう培養して得た前培養液5m
lずつを、下記の培地B250mlの入った2L坂口フラスコ５
本に接種し、30℃で40時間振とう培養した。
℃にて20分間滅菌した後、バシラス・エスピーVA−62株
を接種し、28℃で２日間振とう培養して得た前培養液5m
lずつを、下記の培地B250mlの入った2L坂口フラスコ５
本に接種し、30℃で40時間振とう培養した。
培養液を800rpm20分間、冷却下で遠心分離して集菌し
た。菌体を0.85％食塩水100mlにて３回洗浄（遠心分離
にて）し、洗浄湿菌体10.5gを得た。
た。菌体を0.85％食塩水100mlにて３回洗浄（遠心分離
にて）し、洗浄湿菌体10.5gを得た。
洗浄湿菌体10.5gとシス−1,3−ジベンジル−２−オキソ
イミダゾリジン−4,5−カルボン酸ジメチルエステル5.0
gをpH8.0 0.01M−リン酸緩衝500mlにけん濁し、１規定
水酸化ナトリウム水溶液にてpH8付近に調整しながら30
℃で100時間撹はんした。
イミダゾリジン−4,5−カルボン酸ジメチルエステル5.0
gをpH8.0 0.01M−リン酸緩衝500mlにけん濁し、１規定
水酸化ナトリウム水溶液にてpH8付近に調整しながら30
℃で100時間撹はんした。
この反応液を遠心分離し、菌体と上清液に分離した。上
清液を希硫酸にてpH2とし析出した白色結晶をろ過し、
水にて洗浄後乾燥した。
清液を希硫酸にてpH2とし析出した白色結晶をろ過し、
水にて洗浄後乾燥した。
（4S,5R）−1,3−ジベンジル−５−メトキシカルボニル
−２−オキソイミダゾリジン−４−カルボン酸が、4.6g
得られた。
−２−オキソイミダゾリジン−４−カルボン酸が、4.6g
得られた。
融点 146〜148℃ ▲［α］20 365▼ −26.0゜（Ｃ＝１、DMF）であった。
実施例５） 実施例３）で回収した菌体とシス−1,3−ジベンジル−
２−オキソイミダゾリジン−4,5−カルボン酸ジメチル
エステル5.0gをpH8.0 0.01M−リン酸緩衝500mlにけん濁
し、１規定水酸化ナトリウム水溶液にてpH8付近に調整
しながら30℃で190時間撹はんした。
２−オキソイミダゾリジン−4,5−カルボン酸ジメチル
エステル5.0gをpH8.0 0.01M−リン酸緩衝500mlにけん濁
し、１規定水酸化ナトリウム水溶液にてpH8付近に調整
しながら30℃で190時間撹はんした。
この反応液を遠心分離し、菌体と上清液に分離した。上
清液を希硫酸にてpH2とし析出した白色結晶をろ過し、
水にて洗浄後乾燥した。
清液を希硫酸にてpH2とし析出した白色結晶をろ過し、
水にて洗浄後乾燥した。
（4S,5R）−1,3−ジベンジル−５−メトキシカルボニル
−２−オキソイミダゾリジン−４−カルボン酸が、4.4g
得られた。
−２−オキソイミダゾリジン−４−カルボン酸が、4.4g
得られた。
融点 149〜151℃ ▲［α］20 365▼ −28.0゜（Ｃ＝１、DMF）であった。
Claims (1)
- 【請求項１】一般式 （式中、Ｒは低級アルキル基を示す。Bzlはベンジル基
を示す。） で示されるシス−イミダゾリジンジカルボン酸ジエステ
ル類に好アルカリ性バシラス（Bacillus）属を含むバシ
ラス属に属するエステラーゼ生産菌または好アルカリ性
バシラス属を含むバシラス属に属するエステラーゼ生産
菌由来のエステラーゼを接触せしめることを特徴とする
一般式 （式中、Ｒは低級アルキル基を示す。Bzlはベンジル基
を示す。４位、５位の配位は4S、5Rの配位である。） で示される光学活性なシス−イミダゾリジンジカルボン
酸誘導体の製造法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8448286A JPH0673464B2 (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | 光学活性なシス−イミダゾリジンジカルボン酸誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8448286A JPH0673464B2 (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | 光学活性なシス−イミダゾリジンジカルボン酸誘導体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62239998A JPS62239998A (ja) | 1987-10-20 |
| JPH0673464B2 true JPH0673464B2 (ja) | 1994-09-21 |
Family
ID=13831861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8448286A Expired - Fee Related JPH0673464B2 (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | 光学活性なシス−イミダゾリジンジカルボン酸誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0673464B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2334746A1 (en) * | 2000-02-09 | 2001-08-09 | Sumitomo Chemical Co., Ltd. | Process for producing optically active hemiesters |
| CN107794251A (zh) * | 2017-08-08 | 2018-03-13 | 国家海洋局第二海洋研究所 | 一种深海新型耐碱酯酶及应用 |
-
1986
- 1986-04-11 JP JP8448286A patent/JPH0673464B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62239998A (ja) | 1987-10-20 |
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