JPH0675284B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH0675284B2 JPH0675284B2 JP12534485A JP12534485A JPH0675284B2 JP H0675284 B2 JPH0675284 B2 JP H0675284B2 JP 12534485 A JP12534485 A JP 12534485A JP 12534485 A JP12534485 A JP 12534485A JP H0675284 B2 JPH0675284 B2 JP H0675284B2
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Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は磁気記録媒体は、特に高分子フイルム上に強磁
性金属からなる磁気記録層を配したいわゆる金属薄膜型
磁気記録媒体に関するものである。
性金属からなる磁気記録層を配したいわゆる金属薄膜型
磁気記録媒体に関するものである。
従来の技術 従来、磁気記録層として広く実用に供されているもの
は、γ−Fe2O3,Coをドープしたγ−Fe2O3，CrO2，或い
はFe等の強磁性合金微小粉末磁性材料を塩化ビニル−酢
酸ビニル共重合体，スチレンブタンジエン共重合体，エ
ポキシ樹脂等の有機バインダ中に分散させて、高分子フ
イルム等の基板上に塗布，乾燥させた塗布型磁性層であ
る。近年高密度記録への要求の高まりと共に、スパッタ
リング，イオンプレーティング，湿式めっき法，電子ビ
ーム蒸着法等で形成した強磁性金属薄膜を磁気記録層と
する金属薄膜型が注目され実用化への努力が種々行われ
ている。しかしながら、これらは従来の塗布型のものに
比較して走行中にヘッドとの接触により、磁気記録層が
剥離したり、傷ついたりする欠点を有していた。
は、γ−Fe2O3,Coをドープしたγ−Fe2O3，CrO2，或い
はFe等の強磁性合金微小粉末磁性材料を塩化ビニル−酢
酸ビニル共重合体，スチレンブタンジエン共重合体，エ
ポキシ樹脂等の有機バインダ中に分散させて、高分子フ
イルム等の基板上に塗布，乾燥させた塗布型磁性層であ
る。近年高密度記録への要求の高まりと共に、スパッタ
リング，イオンプレーティング，湿式めっき法，電子ビ
ーム蒸着法等で形成した強磁性金属薄膜を磁気記録層と
する金属薄膜型が注目され実用化への努力が種々行われ
ている。しかしながら、これらは従来の塗布型のものに
比較して走行中にヘッドとの接触により、磁気記録層が
剥離したり、傷ついたりする欠点を有していた。
第２図は従来の磁気記録媒体の拡大断面図である。
第２図に於て、１はポリエチレンテレフタレート等の高
分子フイルム、２は例えばCo-Ni-Oから成る斜め蒸着
膜、３は保護膜である。
分子フイルム、２は例えばCo-Ni-Oから成る斜め蒸着
膜、３は保護膜である。
３の保護膜により上記した磁気記録層に起る破壊現象を
努力抑制することが考えられ、多くの提案が成されてい
る。
努力抑制することが考えられ、多くの提案が成されてい
る。
例えば特開昭52-153707号，特開昭53-88704号，特開昭5
9-171026号の公報〕 発明が解決しようとする問題点 しかしながら第２図のような構成では、使用される磁気
ヘッドがフェライトから合金ヘッドに移行し、使用され
る環境条件が広範囲になると、静電ノイズがランダムに
発生し、信号対雑音比が瞬時的に低下することがみら
れ、高密度磁気記録での信頼性がなくなるという問題点
を有していた。
9-171026号の公報〕 発明が解決しようとする問題点 しかしながら第２図のような構成では、使用される磁気
ヘッドがフェライトから合金ヘッドに移行し、使用され
る環境条件が広範囲になると、静電ノイズがランダムに
発生し、信号対雑音比が瞬時的に低下することがみら
れ、高密度磁気記録での信頼性がなくなるという問題点
を有していた。
本発明は上記問題点に鑑み、信頼性の向上をはかった強
磁性金属薄膜を有する磁気記録媒体を提供するものであ
る。
磁性金属薄膜を有する磁気記録媒体を提供するものであ
る。
問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するため本発明の磁気記録媒体は、微
粒子で形成された粗さの異なる表面を有する高分子フイ
ルムの粗さの小さい方の面に強磁性金属薄膜を配し、も
う一方の面にSiOx（ｘ＝1.2〜1.7）と滑剤層の２層を配
した構成を具えたものである。
粒子で形成された粗さの異なる表面を有する高分子フイ
ルムの粗さの小さい方の面に強磁性金属薄膜を配し、も
う一方の面にSiOx（ｘ＝1.2〜1.7）と滑剤層の２層を配
した構成を具えたものである。
作用 本発明は上記した構成により、磁気ヘッドと摺接しない
側の面で発生する電荷が、SiOxの半導層により適当に分
散安定に放電するので、異常な放電による静電ノイズを
誘起しないので、信号対雑音比（S/Nと記す）がパルス
的に低下することになるし、滑剤の作用により、摩擦帯
電量も低くできるので、相乗効果で優れたS/Nを安定に
得、高密度磁気記録での信号誤り率を極めて小さくでき
信頼性が向上するものである。
側の面で発生する電荷が、SiOxの半導層により適当に分
散安定に放電するので、異常な放電による静電ノイズを
誘起しないので、信号対雑音比（S/Nと記す）がパルス
的に低下することになるし、滑剤の作用により、摩擦帯
電量も低くできるので、相乗効果で優れたS/Nを安定に
得、高密度磁気記録での信号誤り率を極めて小さくでき
信頼性が向上するものである。
実施例 以下、本発明の実施例の磁気記録媒体について図面を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
第１図は本発明の実施例の磁気記録媒体の拡大断面図で
ある。
ある。
第１図に於て４は微粒子で形成された表面粗さの異なる
２つの面をもつ高分子フィルムで、厚み12μｍで、ポリ
エチレンテレフタレート中に重合残渣からなる内在粒子
或いは、外部より加えたシリカなどの不活性粒子を含む
もので、共押し出し法にて得たもので、表面粗さは触針
式粗さ計にて測定した結果、平均粗さ（Ra）で0.003μ
ｍと0.029μｍである。0.003μｍの面を仮にＡ面と呼
び、0.029μｍの面をＢ面と呼ぶ。
２つの面をもつ高分子フィルムで、厚み12μｍで、ポリ
エチレンテレフタレート中に重合残渣からなる内在粒子
或いは、外部より加えたシリカなどの不活性粒子を含む
もので、共押し出し法にて得たもので、表面粗さは触針
式粗さ計にて測定した結果、平均粗さ（Ra）で0.003μ
ｍと0.029μｍである。0.003μｍの面を仮にＡ面と呼
び、0.029μｍの面をＢ面と呼ぶ。
Ａ面を0.04Torrのアルゴン雰囲気で、13.56MHzの高周波
電界を印加することで誘起した高周波グロー放電処理し
てCo-Cr（Cr:20.3wt％）を斜め蒸着して、厚み0.16μ
ｍ、保磁力1460（Oe）角形比0.89の強磁性金属薄膜５を
配した。
電界を印加することで誘起した高周波グロー放電処理し
てCo-Cr（Cr:20.3wt％）を斜め蒸着して、厚み0.16μ
ｍ、保磁力1460（Oe）角形比0.89の強磁性金属薄膜５を
配した。
Ｂ面には、高周波スパッタリング法でSiOx膜６を配し
た。
た。
高周波は13.56MHzを用い、純度４−ナインのシリコンを
ターゲットにして、ArとO2の混合気体をArとO2の混合比
率1:10から1:1まで、ArとO2のトータルの圧力を0.1Torr
から0.01Torrの範囲で調節して、SiOx膜を0.25μｍ形成
した。
ターゲットにして、ArとO2の混合気体をArとO2の混合比
率1:10から1:1まで、ArとO2のトータルの圧力を0.1Torr
から0.01Torrの範囲で調節して、SiOx膜を0.25μｍ形成
した。
ここでｘは1.2から1.7の範囲が、硬さと半導電的性質の
両面から適切である。
両面から適切である。
この上に、滑剤としてステアリン酸を真空蒸着し、約40
Åの滑剤層７を配した。
Åの滑剤層７を配した。
これを8mm幅にスリットして、PCM録音再生時のパルス的
にS/Nが低下する時間の累積時間を測定した。比較テー
プとして市販の8mmビデオ用の合金塗布形テープ（MPテ
ープ）を用いた。
にS/Nが低下する時間の累積時間を測定した。比較テー
プとして市販の8mmビデオ用の合金塗布形テープ（MPテ
ープ）を用いた。
使用したテープの長さは90分長で、90分に対して、S/N
が6dB以上低下した時間の累積で示した。
が6dB以上低下した時間の累積で示した。
記録ビット長は0.35μｍでトラックピッチは16μｍであ
る。
る。
以上のように本実施例によれば、微粒子で形成された粗
さの異なる表面を有する高分子フイルムの粗さの小さい
面に強磁性金属薄膜を配し、もう一方の面にSiOx（ｘ＝
1.2〜1.7）層と滑剤層の２層を配することで、特に湿度
の低い環境で頻発する静電気によるノイズに基づくS/N
のパルス的低下は、PCM録音再生に於ても全く問題のな
い水準に保つことができ、強磁性金属薄膜のもつ高密度
磁気記録再生での高いS/Nの特長を十分生かせるもので
ある。
さの異なる表面を有する高分子フイルムの粗さの小さい
面に強磁性金属薄膜を配し、もう一方の面にSiOx（ｘ＝
1.2〜1.7）層と滑剤層の２層を配することで、特に湿度
の低い環境で頻発する静電気によるノイズに基づくS/N
のパルス的低下は、PCM録音再生に於ても全く問題のな
い水準に保つことができ、強磁性金属薄膜のもつ高密度
磁気記録再生での高いS/Nの特長を十分生かせるもので
ある。
なお本実施例において高分子フイルムはポリエチレンテ
レフタレートとしたが、ポリアミド，ポリスルフォン，
ポリフエニレンサルファイド，ポリカーボネート，ポリ
イミド等でもよく、Ａ面の粗さは、Raで0.001μｍから
0.01μｍ、Ｂ面粗さは、Raで0.02から0.2μｍであれば
良い。
レフタレートとしたが、ポリアミド，ポリスルフォン，
ポリフエニレンサルファイド，ポリカーボネート，ポリ
イミド等でもよく、Ａ面の粗さは、Raで0.001μｍから
0.01μｍ、Ｂ面粗さは、Raで0.02から0.2μｍであれば
良い。
強磁性金属薄膜はCo-Crの斜め蒸着膜としたが、垂直蒸
着膜，垂直スパッタ膜であってもよく、軟磁性層との積
層でもよい。
着膜，垂直スパッタ膜であってもよく、軟磁性層との積
層でもよい。
又、材料としては、Co-Fe,Co-Ni,Co-Ti,Co-O,Co-Mg,Co-
V,Co-W,Co-Ta,Co-Mo,Co-Ni-Cr,Co-Ni-O等でもよい。
V,Co-W,Co-Ta,Co-Mo,Co-Ni-Cr,Co-Ni-O等でもよい。
SiOx薄膜は、高周波スパッタリング法で形成したが、反
応性蒸着法でもよく、膜厚は0.15μｍから1.0μｍまで
であればよい。
応性蒸着法でもよく、膜厚は0.15μｍから1.0μｍまで
であればよい。
滑剤としてはステアリン酸を用い、真空蒸着法により形
成したが、溶液塗布法，グロー重合法などで形成した、
脂肪酸，脂肪酸エステル，脂肪酸アミド，弗素アルコー
ル，炭化水素系重合膜などいずれでもよい。
成したが、溶液塗布法，グロー重合法などで形成した、
脂肪酸，脂肪酸エステル，脂肪酸アミド，弗素アルコー
ル，炭化水素系重合膜などいずれでもよい。
発明の効果 以上のように本実施例によれば、静電気によるパルス的
なS/N低下のない、高密度磁気記録媒体を得るといった
すぐれた効果を得ることができる。
なS/N低下のない、高密度磁気記録媒体を得るといった
すぐれた効果を得ることができる。
第１図は本発明の一実施例に係る磁気記録媒体の拡大断
面図、第２図は従来の磁気記録媒体の拡大断面図であ
る。 ４……高分子フィルム、５……強磁性金属薄膜、６……
SiOx層、７……滑剤層。
面図、第２図は従来の磁気記録媒体の拡大断面図であ
る。 ４……高分子フィルム、５……強磁性金属薄膜、６……
SiOx層、７……滑剤層。
Claims (1)
- 【請求項１】微粒子で形成された粗さの異なる表面を有
する高分子フイルムし粗さの小さい面に強磁性金属薄膜
を配し、もう一方の面にSiOx層（ｘ＝1.2〜1.7）と滑剤
層の２層を配して成ることを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12534485A JPH0675284B2 (ja) | 1985-06-10 | 1985-06-10 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12534485A JPH0675284B2 (ja) | 1985-06-10 | 1985-06-10 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61284825A JPS61284825A (ja) | 1986-12-15 |
| JPH0675284B2 true JPH0675284B2 (ja) | 1994-09-21 |
Family
ID=14907791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12534485A Expired - Lifetime JPH0675284B2 (ja) | 1985-06-10 | 1985-06-10 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0675284B2 (ja) |
-
1985
- 1985-06-10 JP JP12534485A patent/JPH0675284B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61284825A (ja) | 1986-12-15 |
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