JPH0677358A - 超薄形面実装形パッケージ - Google Patents
超薄形面実装形パッケージInfo
- Publication number
- JPH0677358A JPH0677358A JP4229893A JP22989392A JPH0677358A JP H0677358 A JPH0677358 A JP H0677358A JP 4229893 A JP4229893 A JP 4229893A JP 22989392 A JP22989392 A JP 22989392A JP H0677358 A JPH0677358 A JP H0677358A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- die pad
- resin
- semiconductor chip
- surface mounting
- mounting type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、高速アクセス品の採れ率を向上さ
せ、かつ酸化膜の経時破壊やエレクトロマイグレーショ
ン等を防止し、また成形時の半導体チップ２及びダイパ
ッド１の移動を防止して、金線１０のショートや露出な
どの不具合を防止することを目的とするものである。 【構成】 ダイパッド１の下面をモールド樹脂４から露
出させ、放熱性を向上させるようにした。また、これに
伴って、成形時には、ダイパッド１を金型に密着させて
保持するようにした。
せ、かつ酸化膜の経時破壊やエレクトロマイグレーショ
ン等を防止し、また成形時の半導体チップ２及びダイパ
ッド１の移動を防止して、金線１０のショートや露出な
どの不具合を防止することを目的とするものである。 【構成】 ダイパッド１の下面をモールド樹脂４から露
出させ、放熱性を向上させるようにした。また、これに
伴って、成形時には、ダイパッド１を金型に密着させて
保持するようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体回路装置に関
し、特に、ダイパッド上に半導体チップを接合し、これ
をモールド樹脂により超薄形（例えば２ｍｍ以下）にパ
ッケージしてなる超薄形面実装形パッケージ（ＴＳＯ
Ｐ）に関するものである。
し、特に、ダイパッド上に半導体チップを接合し、これ
をモールド樹脂により超薄形（例えば２ｍｍ以下）にパ
ッケージしてなる超薄形面実装形パッケージ（ＴＳＯ
Ｐ）に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の超薄形面実装形パッケージ
の一例を示す断面図である。図において、１はダイパッ
ド、２はダイパッド１の上面にダイボンド材により接着
された半導体チップ、３は金線１０を介して半導体チッ
プ２の各電極（図示せず）に接続されているリード、４
はダイパッド１，半導体チップ２，リード３の一部及び
金線１０を樹脂封止しているモールド樹脂である。ま
た、Ｔ1は半導体チップ２上の樹脂厚を、Ｔ2はダイパッ
ド１より下の樹脂厚をそれぞれ示している。
の一例を示す断面図である。図において、１はダイパッ
ド、２はダイパッド１の上面にダイボンド材により接着
された半導体チップ、３は金線１０を介して半導体チッ
プ２の各電極（図示せず）に接続されているリード、４
はダイパッド１，半導体チップ２，リード３の一部及び
金線１０を樹脂封止しているモールド樹脂である。ま
た、Ｔ1は半導体チップ２上の樹脂厚を、Ｔ2はダイパッ
ド１より下の樹脂厚をそれぞれ示している。
【０００３】上記のような従来の超薄形面実装形パッケ
ージの成形方法としては、半導体チップ２が搭載された
ダイパッド１を宙吊りリード（図示せず）を介してリー
ドフレームに保持した状態（不安定な状態）で成形金型
内に位置させ、この後金型に樹脂を注入して、冷却成形
する方法が一般的である。このとき、ダイパッド１と半
導体チップ２とを、樹脂厚Ｔ1と樹脂厚Ｔ2とが等しくな
るように、モールド樹脂４の中央部に位置させていた。
ージの成形方法としては、半導体チップ２が搭載された
ダイパッド１を宙吊りリード（図示せず）を介してリー
ドフレームに保持した状態（不安定な状態）で成形金型
内に位置させ、この後金型に樹脂を注入して、冷却成形
する方法が一般的である。このとき、ダイパッド１と半
導体チップ２とを、樹脂厚Ｔ1と樹脂厚Ｔ2とが等しくな
るように、モールド樹脂４の中央部に位置させていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】以上のような従来の超
薄形面実装形パッケージでは、十分な放熱性が得られな
いため、周囲温度が高温の場合、高速動作しなくなって
しまい、高速アクセス品の採れ率が悪くなるという問題
点があった。また、発熱量が大きいため、酸化膜の経時
破壊（ＴＤＤＢ）やエレクトロマイグレーション等が生
じ、品質及び信頼性が低下するという問題点もあった。
さらに、ダイパッド１及び半導体チップ２を宙吊りリー
ドで保持しただけの不安定な状態で樹脂を注入するの
で、樹脂注入時の応力によってダイパッド１及び半導体
チップ２が樹脂中央部より上下左右に移動し、金線１０
のショートや露出などの不具合が生じることがあるなど
の問題点もあった。
薄形面実装形パッケージでは、十分な放熱性が得られな
いため、周囲温度が高温の場合、高速動作しなくなって
しまい、高速アクセス品の採れ率が悪くなるという問題
点があった。また、発熱量が大きいため、酸化膜の経時
破壊（ＴＤＤＢ）やエレクトロマイグレーション等が生
じ、品質及び信頼性が低下するという問題点もあった。
さらに、ダイパッド１及び半導体チップ２を宙吊りリー
ドで保持しただけの不安定な状態で樹脂を注入するの
で、樹脂注入時の応力によってダイパッド１及び半導体
チップ２が樹脂中央部より上下左右に移動し、金線１０
のショートや露出などの不具合が生じることがあるなど
の問題点もあった。
【０００５】この発明は、上記のような問題点を解決す
ることを課題としてなされたものであり、放熱性を改善
して、高速アクセス品の採れ率を向上させることができ
るとともに、酸化膜の経時破壊やエレクトロマイグレー
ション等を防止して、品質及び信頼性を向上させること
ができ、また成形時の半導体チップ及びダイパッドの移
動を防止して、金線のショートや露出などの不具合を防
止することができる超薄形面実装形パッケージを得るこ
とを目的とする。
ることを課題としてなされたものであり、放熱性を改善
して、高速アクセス品の採れ率を向上させることができ
るとともに、酸化膜の経時破壊やエレクトロマイグレー
ション等を防止して、品質及び信頼性を向上させること
ができ、また成形時の半導体チップ及びダイパッドの移
動を防止して、金線のショートや露出などの不具合を防
止することができる超薄形面実装形パッケージを得るこ
とを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る超薄形面
実装形パッケージは、ダイパッドの半導体チップが接合
されていない方の面を、モールド樹脂から露出させたも
のである。
実装形パッケージは、ダイパッドの半導体チップが接合
されていない方の面を、モールド樹脂から露出させたも
のである。
【０００７】
【作用】この発明においては、ダイパッドをモールド樹
脂から露出させることによって、放熱性を向上させるこ
とができるとともに、成形時にダイパッドを金型内に安
定して保持することができる。
脂から露出させることによって、放熱性を向上させるこ
とができるとともに、成形時にダイパッドを金型内に安
定して保持することができる。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。図１はこの発明の一実施例による超薄形面実装形パ
ッケージを示す断面図であり、図において、半導体チッ
プ２が搭載されたダイパッド１は、モールド樹脂４の最
下部に位置しており、その下面がモールド樹脂４から露
出している。
る。図１はこの発明の一実施例による超薄形面実装形パ
ッケージを示す断面図であり、図において、半導体チッ
プ２が搭載されたダイパッド１は、モールド樹脂４の最
下部に位置しており、その下面がモールド樹脂４から露
出している。
【０００９】このようなパッケージでは、ダイパッド１
の下面がモールド樹脂４から露出しているため、放熱性
が向上し、高速アクセス品の採れ率が向上する。また、
酸化膜の経時破壊やエレクトロマイグレーション等の発
生も防止され、品質及び信頼性が向上する。さらに、従
来技術におけるダイパッド１より下の樹脂厚（図３のＴ
2）分を削除できるので、全体として一層の薄形化が望
める。
の下面がモールド樹脂４から露出しているため、放熱性
が向上し、高速アクセス品の採れ率が向上する。また、
酸化膜の経時破壊やエレクトロマイグレーション等の発
生も防止され、品質及び信頼性が向上する。さらに、従
来技術におけるダイパッド１より下の樹脂厚（図３のＴ
2）分を削除できるので、全体として一層の薄形化が望
める。
【００１０】また、このようなパッケージをモールド成
形する場合には、ダイパッド１の露出を前提としている
ため、図２に示すように、ダイパッド１を金型５に密着
させた状態で樹脂を注入すればよい。これにより、樹脂
注入時の樹脂応力によるダイパッド１の移動が防止さ
れ、金線１０のショートや露出の不具合が防止され、品
質が向上するとともに、製品採れ率（アセンブリ歩留ま
り）が向上する。
形する場合には、ダイパッド１の露出を前提としている
ため、図２に示すように、ダイパッド１を金型５に密着
させた状態で樹脂を注入すればよい。これにより、樹脂
注入時の樹脂応力によるダイパッド１の移動が防止さ
れ、金線１０のショートや露出の不具合が防止され、品
質が向上するとともに、製品採れ率（アセンブリ歩留ま
り）が向上する。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の超薄形
面実装形パッケージは、ダイパッドの半導体チップが接
合されていない方の面を、モールド樹脂から露出させの
で、放熱性を改善して、高速アクセス品の採れ率を向上
させることができるとともに、酸化膜の経時破壊やエレ
クトロマイグレーション等を防止して、品質及び信頼性
を向上させることができるなどの効果を奏する。また、
ダイパッド側のモールド樹脂を削除したことにより、全
体を一層薄形化することができるという効果も奏する。
さらに、ダイパッドを金型に密着させることにより、成
形時にダイパッドを金型内に安定して保持することがで
き、これにより成形時の半導体チップ及びダイパッドの
移動を防止して、金線のショートや露出などの不具合を
防止することができ、この結果品質及び製品採れ率を向
上させることができるなどの効果も奏する。
面実装形パッケージは、ダイパッドの半導体チップが接
合されていない方の面を、モールド樹脂から露出させの
で、放熱性を改善して、高速アクセス品の採れ率を向上
させることができるとともに、酸化膜の経時破壊やエレ
クトロマイグレーション等を防止して、品質及び信頼性
を向上させることができるなどの効果を奏する。また、
ダイパッド側のモールド樹脂を削除したことにより、全
体を一層薄形化することができるという効果も奏する。
さらに、ダイパッドを金型に密着させることにより、成
形時にダイパッドを金型内に安定して保持することがで
き、これにより成形時の半導体チップ及びダイパッドの
移動を防止して、金線のショートや露出などの不具合を
防止することができ、この結果品質及び製品採れ率を向
上させることができるなどの効果も奏する。
【図１】この発明の一実施例による超薄形面実装形パッ
ケージを示す断面図である。
ケージを示す断面図である。
【図２】図１のパッケージの成形時の状態を示す断面図
である。
である。
【図３】従来の超薄形面実装形パッケージの一例を示す
断面図である。
断面図である。
１ ダイパッド ２ 半導体チップ ４ モールド樹脂
Claims (1)
- 【請求項１】 ダイパッドの一方の面上に接合された半
導体チップが、モールド樹脂により樹脂封止されている
超薄形面実装形パッケージにおいて、上記ダイパッドの
他方の面が上記モールド樹脂から露出していることを特
徴とする超薄形面実装形パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4229893A JPH0677358A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 超薄形面実装形パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4229893A JPH0677358A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 超薄形面実装形パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677358A true JPH0677358A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=16899377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4229893A Pending JPH0677358A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 超薄形面実装形パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677358A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990013923A1 (en) * | 1989-05-02 | 1990-11-15 | Globe-Union Inc. | Conductive components containing conductive metal oxide |
| KR100260994B1 (ko) * | 1996-12-06 | 2000-07-01 | 마이클 디. 오브라이언 | 원 사이드 몰딩 초박형 반도체 패키지 |
| US6608369B2 (en) | 2000-06-01 | 2003-08-19 | Seiko Epson Corporation | Lead frame, semiconductor device and manufacturing method thereof, circuit board and electronic equipment |
| WO2012138868A3 (en) * | 2011-04-05 | 2013-02-21 | Texas Instruments Incorporated | Exposed die package for direct surface mounting |
-
1992
- 1992-08-28 JP JP4229893A patent/JPH0677358A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990013923A1 (en) * | 1989-05-02 | 1990-11-15 | Globe-Union Inc. | Conductive components containing conductive metal oxide |
| KR100260994B1 (ko) * | 1996-12-06 | 2000-07-01 | 마이클 디. 오브라이언 | 원 사이드 몰딩 초박형 반도체 패키지 |
| US6608369B2 (en) | 2000-06-01 | 2003-08-19 | Seiko Epson Corporation | Lead frame, semiconductor device and manufacturing method thereof, circuit board and electronic equipment |
| WO2012138868A3 (en) * | 2011-04-05 | 2013-02-21 | Texas Instruments Incorporated | Exposed die package for direct surface mounting |
| CN103703549A (zh) * | 2011-04-05 | 2014-04-02 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 用于直接表面安装的裸露芯片封装 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6028356A (en) | Plastic-packaged semiconductor integrated circuit | |
| JPH041503B2 (ja) | ||
| JPH0350758A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| US5446959A (en) | Method of packaging a power semiconductor device | |
| JPH047848A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法とそれに用いるリードフレーム | |
| JPH0455341B2 (ja) | ||
| JPH05299530A (ja) | 樹脂封止半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS5992556A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0677358A (ja) | 超薄形面実装形パッケージ | |
| US6194779B1 (en) | Plastic mold type semiconductor device | |
| JPH05291459A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3179003B2 (ja) | Ｔｓｏｐまたはｕｔｓｏｐのような超薄型半導体パッケージの成形装置および成形方法 | |
| JP2555428B2 (ja) | リードフレームおよびそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JPH0338057A (ja) | フラグレス・リードフレーム、それを用いたパッケージおよび製法 | |
| JPH05144865A (ja) | 半導体装置の製造方法と製造装置 | |
| JPH01241831A (ja) | 半導体集積回路装置の樹脂封止方法 | |
| JPH0653266A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2001185567A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0582573A (ja) | 樹脂封止型半導体装置用金型 | |
| JP2765606B2 (ja) | 半導体パッケージ構造 | |
| JPS63174347A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JPH05259360A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH02295140A (ja) | 半導体装置の樹脂封止方法 | |
| JPH01209751A (ja) | リードフレーム | |
| JPS63137464A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |