JPH0677467A - ショットキバリア半導体装置 - Google Patents
ショットキバリア半導体装置Info
- Publication number
- JPH0677467A JPH0677467A JP24875492A JP24875492A JPH0677467A JP H0677467 A JPH0677467 A JP H0677467A JP 24875492 A JP24875492 A JP 24875492A JP 24875492 A JP24875492 A JP 24875492A JP H0677467 A JPH0677467 A JP H0677467A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- schottky barrier
- metal layer
- layer
- semiconductor device
- barrier
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 電極金属層がショットキバリア金属層に侵入
し、半導体基体表面に形成される電位障壁に障害を与え
る構造を改善して、信頼性が高く、経済的で、かつ、製
造容易なショットキバリア半導体装置を得ることを目的
とする。 【構成】 ショットキバリア金属層と電極金属層間にＴ
ｉＮ又はＴｉＷから成る金属障壁層を介在せしむる構成
を主たる特徴とする。
し、半導体基体表面に形成される電位障壁に障害を与え
る構造を改善して、信頼性が高く、経済的で、かつ、製
造容易なショットキバリア半導体装置を得ることを目的
とする。 【構成】 ショットキバリア金属層と電極金属層間にＴ
ｉＮ又はＴｉＷから成る金属障壁層を介在せしむる構成
を主たる特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はショットキバリア半導体
装置の構造に関するものである。
装置の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｌ等のショットキ
バリア金属と半導体基体の接触によって生じる電位障壁
を利用するショットキバリア半導体装置が従来から知ら
れている。
バリア金属と半導体基体の接触によって生じる電位障壁
を利用するショットキバリア半導体装置が従来から知ら
れている。
【０００３】図１は、従来例の断面構造図であり、１は
シリコン単結晶から成る半導体基体、２はショットキバ
リア金属層、３は電極金属層、４は半田層、５は酸化膜
等の絶縁膜、６は半導体基体１の導電型（例えば、Ｎ
型）と逆の導電型（例えば、Ｐ型）によるガ−ドリング
領域である。
シリコン単結晶から成る半導体基体、２はショットキバ
リア金属層、３は電極金属層、４は半田層、５は酸化膜
等の絶縁膜、６は半導体基体１の導電型（例えば、Ｎ
型）と逆の導電型（例えば、Ｐ型）によるガ−ドリング
領域である。
【０００４】図１の製造過程で、半導体基体１にガ−ド
リング領域６及び絶縁膜５を形成した後、５の開口部に
例えば、Ｍｏのショットキバリア金属層２、Ｎｉの電極
金属層３を順次、蒸着して形成しており、次いで半田層
４をスパッタにより設けていた。なお、電極金属層３は
半田付用のオ−ミック金属でＮｉ、Ｃ（２）ｒ等が用い
られている。
リング領域６及び絶縁膜５を形成した後、５の開口部に
例えば、Ｍｏのショットキバリア金属層２、Ｎｉの電極
金属層３を順次、蒸着して形成しており、次いで半田層
４をスパッタにより設けていた。なお、電極金属層３は
半田付用のオ−ミック金属でＮｉ、Ｃ（２）ｒ等が用い
られている。
【０００５】
【発明の解決しようとする課題】半導体基体１の表面に
ショットキバリア金属層２、電極金属層３を順次、積層
する構造において、製造又は使用上の温度上昇等に起因
して、金属間の相互拡散現象によって電極金属層３がシ
ョットキバリア金属層２の中に侵入し、半導体基体１の
表面に到達し、電位障壁に影響を及ぼすことがある。も
ちろん、ショットキバリア金属層２を厚くすれば回避で
きるが、経済性等の理由から好ましくない。現状は、高
融点金属のモリブデンをショットキバリア金属に用いた
ダイオ−ドが多く、電子ビ−ム蒸着法を用いて堆積して
いるが、この方法では堆積速度が遅く、所望の厚さを得
るには多大な時間の損失になっている。このような問題
点を解決し、高信頼、経済的、かつ、製造容易なショッ
トキバリア半導体装置を得る。
ショットキバリア金属層２、電極金属層３を順次、積層
する構造において、製造又は使用上の温度上昇等に起因
して、金属間の相互拡散現象によって電極金属層３がシ
ョットキバリア金属層２の中に侵入し、半導体基体１の
表面に到達し、電位障壁に影響を及ぼすことがある。も
ちろん、ショットキバリア金属層２を厚くすれば回避で
きるが、経済性等の理由から好ましくない。現状は、高
融点金属のモリブデンをショットキバリア金属に用いた
ダイオ−ドが多く、電子ビ−ム蒸着法を用いて堆積して
いるが、この方法では堆積速度が遅く、所望の厚さを得
るには多大な時間の損失になっている。このような問題
点を解決し、高信頼、経済的、かつ、製造容易なショッ
トキバリア半導体装置を得る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、ショットキバ
リア金属層と電極金属層間にＴｉＮ又はＴｉＷからなる
金属障壁層を介在せしむる構成、及び金属障壁層の厚さ
の好ましい範囲を０.０３〜０.１μｍとする構成を特徴
とする。
リア金属層と電極金属層間にＴｉＮ又はＴｉＷからなる
金属障壁層を介在せしむる構成、及び金属障壁層の厚さ
の好ましい範囲を０.０３〜０.１μｍとする構成を特徴
とする。
【０００７】
【実施例】図２は、本発明の実施例を示す断面構造図で
あり、図１と同一符号は同等部分をあらわす。７は本発
明の要部となるＴｉＮ又はＴｉＷから成る金属障壁層で
ある。
あり、図１と同一符号は同等部分をあらわす。７は本発
明の要部となるＴｉＮ又はＴｉＷから成る金属障壁層で
ある。
【０００８】図１の従来構造において、ショットキバリ
ア金属層２の厚さは、例えばＭｏで０.４μｍ程度のも
のは使用されているが、その厚さを大幅に低減すること
は、前記の理由から実現できなかった。しかしながら、
図２の本発明構造において、金属障壁層７のＴｉＮを
０.０５μｍの厚さで反応性スパッタ法（３）を用いて
堆積させた。又、ショットキバリア金属層２のＭｏの厚
さを０.０１μｍと低減し、電気的特性及び信頼性の面
で優れ、しかも経済的な構造を得た。なお、本発明構造
において、ＴｉＮ又はＴｉＷから成る金属障壁層７の厚
さの許容範囲は実験的にみて、０.０３〜０.１μｍであ
った。
ア金属層２の厚さは、例えばＭｏで０.４μｍ程度のも
のは使用されているが、その厚さを大幅に低減すること
は、前記の理由から実現できなかった。しかしながら、
図２の本発明構造において、金属障壁層７のＴｉＮを
０.０５μｍの厚さで反応性スパッタ法（３）を用いて
堆積させた。又、ショットキバリア金属層２のＭｏの厚
さを０.０１μｍと低減し、電気的特性及び信頼性の面
で優れ、しかも経済的な構造を得た。なお、本発明構造
において、ＴｉＮ又はＴｉＷから成る金属障壁層７の厚
さの許容範囲は実験的にみて、０.０３〜０.１μｍであ
った。
【０００９】本発明構造の他の実施例としては、ショッ
トキバリア金属層と電極金属層の間に温度ストレス耐量
を改善するため、０.１〜２μｍのＡｌ層を介在させる
構造においてもそのＡｌ層とショットキバリア金属２の
間に、本願のＴｉＮ又はＴｉＷから成る金属障壁層を介
在させることにより、本願の目的を達成する。
トキバリア金属層と電極金属層の間に温度ストレス耐量
を改善するため、０.１〜２μｍのＡｌ層を介在させる
構造においてもそのＡｌ層とショットキバリア金属２の
間に、本願のＴｉＮ又はＴｉＷから成る金属障壁層を介
在させることにより、本願の目的を達成する。
【００１０】本発明構造は、半導体基体１の表面を凹凸
状にしたトレンチ型のものや、表面に複数の逆導電型領
域を設けたものにも実施できるのは当然である。その
他、本発明の要旨の範囲で種々の変形、部分的付加、材
料変換、他の部品との組合せをなし得るものである。
状にしたトレンチ型のものや、表面に複数の逆導電型領
域を設けたものにも実施できるのは当然である。その
他、本発明の要旨の範囲で種々の変形、部分的付加、材
料変換、他の部品との組合せをなし得るものである。
【００１１】
【発明の効果】以上説明のとおり、ＴｉＮ又はＴｉＷか
ら成る金属障壁層を介在させることにより、製造又は使
用時の温度上昇で電極金属層がショットキバリア金属層
内に侵入し、電位障壁の損傷をきたすことがないので高
信頼、経済的、かつ、製造容易なショットキバリア半導
体装置を得ることができ、パワ−用整流装置等に利用し
て極めて有効である。
ら成る金属障壁層を介在させることにより、製造又は使
用時の温度上昇で電極金属層がショットキバリア金属層
内に侵入し、電位障壁の損傷をきたすことがないので高
信頼、経済的、かつ、製造容易なショットキバリア半導
体装置を得ることができ、パワ−用整流装置等に利用し
て極めて有効である。
【図１】従来装置の断面構造図である。
【図２】本発明装置の断面構造図である。
（４） １ 半導体基体 ２ ショットキバリア金属層 ３ 電極金属層 ４ 半田層 ５ 絶縁層 ６ ガ−ドリング領域 ７ ＴｉＮ又はＴｉＷから成る金属障壁層
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基体表面にショットキバリア金属
層及び電極金属層を順次、被着せしめるショットキバリ
ア半導体装置において、ショットキバリア金属層と電極
金属層間にＴｉＮ又はＴｉＷから成る金属障壁層を介在
させて構成したことを特徴とするショットキバリア半導
体装置。 - 【請求項２】 ＴｉＮ又はＴｉＷから成る金属障壁層の
厚さを０.０３〜０.１μｍとしたことを特徴とする請求
項１のショットキバリア半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24875492A JPH0677467A (ja) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | ショットキバリア半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24875492A JPH0677467A (ja) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | ショットキバリア半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677467A true JPH0677467A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=17182882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24875492A Pending JPH0677467A (ja) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | ショットキバリア半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677467A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011146753A (ja) * | 2011-05-06 | 2011-07-28 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| WO2013024837A1 (ja) * | 2011-08-16 | 2013-02-21 | 株式会社アルバック | 部品の製造方法及び部品 |
| CN115332362A (zh) * | 2022-09-05 | 2022-11-11 | 桑德斯微电子器件（南京）有限公司 | 一种具有钛钨层的肖特基势垒二极管及其制造方法 |
-
1992
- 1992-08-25 JP JP24875492A patent/JPH0677467A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011146753A (ja) * | 2011-05-06 | 2011-07-28 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| WO2013024837A1 (ja) * | 2011-08-16 | 2013-02-21 | 株式会社アルバック | 部品の製造方法及び部品 |
| CN103534795A (zh) * | 2011-08-16 | 2014-01-22 | 株式会社爱发科 | 部件的制造方法及部件 |
| JPWO2013024837A1 (ja) * | 2011-08-16 | 2015-03-05 | 株式会社アルバック | 部品の製造方法及び部品 |
| TWI495739B (zh) * | 2011-08-16 | 2015-08-11 | 愛發科股份有限公司 | 零件之製造方法及零件 |
| CN103534795B (zh) * | 2011-08-16 | 2016-09-21 | 株式会社爱发科 | 部件的制造方法及部件 |
| CN115332362A (zh) * | 2022-09-05 | 2022-11-11 | 桑德斯微电子器件（南京）有限公司 | 一种具有钛钨层的肖特基势垒二极管及其制造方法 |
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