JPH0680189B2 - ドライエツチング方法 - Google Patents
ドライエツチング方法Info
- Publication number
- JPH0680189B2 JPH0680189B2 JP61213156A JP21315686A JPH0680189B2 JP H0680189 B2 JPH0680189 B2 JP H0680189B2 JP 61213156 A JP61213156 A JP 61213156A JP 21315686 A JP21315686 A JP 21315686A JP H0680189 B2 JPH0680189 B2 JP H0680189B2
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- Japan
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- dry etching
- gas
- etching
- aluminum
- etching method
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- Expired - Lifetime
Links
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
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Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ドライエッチング方法に関し、特にアルミニ
ウムあるいは、アルミニウム合金膜のドライエッチング
方法に関するものである。
ウムあるいは、アルミニウム合金膜のドライエッチング
方法に関するものである。
従来、アルミニウムあるいはアルミニウム合金膜のエッ
チングには、BCl3,SiCl4などの塩素系化合物とCl2の混
合ガスを用いてドライエッチングされているが、オーバ
ーエッチングもこのガスで行っている。
チングには、BCl3,SiCl4などの塩素系化合物とCl2の混
合ガスを用いてドライエッチングされているが、オーバ
ーエッチングもこのガスで行っている。
上述した従来のアルミニウムあるいはアルミニウム合金
膜のドライエッチング方法では、オーバーエッチング時
にClの供給量が多くなり、サイドエッチングが入るとい
う欠点がある。特に、マスクとなるフォトレジストパタ
ーンの面積が20％以下しかない様なエッチングでは非常
に大きいサイドエッチングが入る。
膜のドライエッチング方法では、オーバーエッチング時
にClの供給量が多くなり、サイドエッチングが入るとい
う欠点がある。特に、マスクとなるフォトレジストパタ
ーンの面積が20％以下しかない様なエッチングでは非常
に大きいサイドエッチングが入る。
上述した従来のドライエッチング方法に対して、本発明
はエッチングの終点までは、BCl3,SiCl4などの塩素系化
合物にCl2を混合したガスを用い、オーバーエッチング
時には、Cl2を添加しないガスでエッチングを行うとい
う独創的内容を有する。
はエッチングの終点までは、BCl3,SiCl4などの塩素系化
合物にCl2を混合したガスを用い、オーバーエッチング
時には、Cl2を添加しないガスでエッチングを行うとい
う独創的内容を有する。
本発明によれば、半導体基板上に成長したアルミニウム
あるいはアルミニウム合金膜を、BCl3,SiCl4,CCl4,CHCl
3などの塩素系化合物とCl2との混合ガスを用いて、フォ
トレジストをマスクに高速ドライエッチングを行う第１
のステップと、アルミニウムあるいはアルミニウム合金
膜のドライエッチングの終点検出後Cl2ガスを添加せず
塩素系化合物のガスでオーバーエッチングのためのドラ
イエッチングを行う第２のステップとの２ステップのエ
ッチングを有するドライエッチング方法を得る。
あるいはアルミニウム合金膜を、BCl3,SiCl4,CCl4,CHCl
3などの塩素系化合物とCl2との混合ガスを用いて、フォ
トレジストをマスクに高速ドライエッチングを行う第１
のステップと、アルミニウムあるいはアルミニウム合金
膜のドライエッチングの終点検出後Cl2ガスを添加せず
塩素系化合物のガスでオーバーエッチングのためのドラ
イエッチングを行う第２のステップとの２ステップのエ
ッチングを有するドライエッチング方法を得る。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
（ａ）〜（ｅ）は、本発明の一実施例の縦断面図であ
る。
（ａ）〜（ｅ）は、本発明の一実施例の縦断面図であ
る。
まず第１図（ａ）の半導体基板１上に形成されたCVD-Si
O2膜２上に、第１図（ｂ）のようにAl-Si（１％）膜３
をスパッタ法で1,1μｍ成長する。次に第１図（ｃ）の
ようにマスクとなるフォトレジスト４をパターニングし
た後、SiCl4＋Cl2ガス５を用いて、Al-Si（１％）膜３
の高速エッチングを行う。次に第１図（ｄ）のように、
Al-Si（１％）膜３のエッチング終点検出後、Cl2を添加
せず、SiCl4ガス６の単独ガスでオーバーエッチングを
行う。
O2膜２上に、第１図（ｂ）のようにAl-Si（１％）膜３
をスパッタ法で1,1μｍ成長する。次に第１図（ｃ）の
ようにマスクとなるフォトレジスト４をパターニングし
た後、SiCl4＋Cl2ガス５を用いて、Al-Si（１％）膜３
の高速エッチングを行う。次に第１図（ｄ）のように、
Al-Si（１％）膜３のエッチング終点検出後、Cl2を添加
せず、SiCl4ガス６の単独ガスでオーバーエッチングを
行う。
そして第１図（ｅ）のようなオーバーエッチング終了後
のAl-Si（１％）パターン７ができる。このように２ス
テップのエッチングを有している。
のAl-Si（１％）パターン７ができる。このように２ス
テップのエッチングを有している。
以上説明したように本発明は、アルミニウムあるいはア
ルミニウム合金膜のエッチングにおいて、２スッテプの
ガス系を用い、特にオーバーエッチング時のCl供給をな
くすことで、高速かつサイドエッチイングがなくかつエ
ッチング残りがないという３つの効果を兼ね備えたドラ
イエッチング方法を提供できる。
ルミニウム合金膜のエッチングにおいて、２スッテプの
ガス系を用い、特にオーバーエッチング時のCl供給をな
くすことで、高速かつサイドエッチイングがなくかつエ
ッチング残りがないという３つの効果を兼ね備えたドラ
イエッチング方法を提供できる。
第１図（ａ）〜（ｅ）は、本発明の実施例の縦断面図で
ある。 １……半導体基板、２……CVD-SiO2膜、３……Al-Si
（１％）膜、４……フォトレジスト、５……SiCl4＋Cl2
ガス、６……SiCl4ガス、７……エッチング後のAl-Si
（１％）パターン
ある。 １……半導体基板、２……CVD-SiO2膜、３……Al-Si
（１％）膜、４……フォトレジスト、５……SiCl4＋Cl2
ガス、６……SiCl4ガス、７……エッチング後のAl-Si
（１％）パターン
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板上に成長したアルミニウムある
いはアルミニウム合金膜を、BCl3,SiCl4,CCl4,CHCl3な
どの塩素系化合物とCl2との混合ガスを用いて、フォト
レジストをマスクにドライエッチングを行う第１のステ
ップと、前記アルミニウムあるいはアルミニウム合金膜
のドライエッチングの終点検出後Cl2ガスを添加せず前
記塩素系化合物のガスでオーバーエッチングのためのド
ライエッチングを行う第２のステップとを有することを
特徴とするドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61213156A JPH0680189B2 (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | ドライエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61213156A JPH0680189B2 (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | ドライエツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6369988A JPS6369988A (ja) | 1988-03-30 |
| JPH0680189B2 true JPH0680189B2 (ja) | 1994-10-12 |
Family
ID=16634493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61213156A Expired - Lifetime JPH0680189B2 (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | ドライエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0680189B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5034092A (en) * | 1990-10-09 | 1991-07-23 | Motorola, Inc. | Plasma etching of semiconductor substrates |
| JP2009188038A (ja) * | 2008-02-04 | 2009-08-20 | Sharp Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60153130A (ja) * | 1984-01-23 | 1985-08-12 | Toshiba Corp | アルミニウムのドライエツチング装置 |
| JPS61147531A (ja) * | 1984-12-21 | 1986-07-05 | Toshiba Corp | 反応性イオンエツチング方法 |
-
1986
- 1986-09-09 JP JP61213156A patent/JPH0680189B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6369988A (ja) | 1988-03-30 |
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