JPH0727890B2 - ドライエツチング方法 - Google Patents
ドライエツチング方法Info
- Publication number
- JPH0727890B2 JPH0727890B2 JP61221092A JP22109286A JPH0727890B2 JP H0727890 B2 JPH0727890 B2 JP H0727890B2 JP 61221092 A JP61221092 A JP 61221092A JP 22109286 A JP22109286 A JP 22109286A JP H0727890 B2 JPH0727890 B2 JP H0727890B2
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- JP
- Japan
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- etching
- aluminum
- photoresist
- dry etching
- gas
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、アルミニウムあるいは、アルミニウ合金膜の
エッチングに関し、特に、エッチングマスクとなるフォ
トレジストのパターン面積が、半導体基板上の20％以下
の場合に異方性エッチングを行うことのできるドライエ
ッチング方法に関する。
エッチングに関し、特に、エッチングマスクとなるフォ
トレジストのパターン面積が、半導体基板上の20％以下
の場合に異方性エッチングを行うことのできるドライエ
ッチング方法に関する。
従来、アルミニウムあるいは、アルミニウム合金膜の異
方性エッチングは、BCl3,CCl4ガスにCl2を添加して行っ
ていた。
方性エッチングは、BCl3,CCl4ガスにCl2を添加して行っ
ていた。
また、マスクとなるフォトレジストのパターン面積も20
％より多いものがほとんどであった。
％より多いものがほとんどであった。
上述した従来のフォトレジストのパターン面積が20％以
上のアルミニウムあるいはアルミニウム合金膜のエッチ
ングにおいて用いていたBCl3,CCl4を中心とし、Cl2など
を添加したガス系を用いて、フォトレジストのパターン
面積が20％以下のアルミニウムあるいはアルミニウム合
金膜の異方性エッチングを行おうとしても、フォトレジ
ストのパターンが少ないのでサイドエッチングを抑制す
作用を持つ側壁付着物が少なくなり、サイドエッチング
が進み、等方性エッチングになってしまうという欠点が
あった。
上のアルミニウムあるいはアルミニウム合金膜のエッチ
ングにおいて用いていたBCl3,CCl4を中心とし、Cl2など
を添加したガス系を用いて、フォトレジストのパターン
面積が20％以下のアルミニウムあるいはアルミニウム合
金膜の異方性エッチングを行おうとしても、フォトレジ
ストのパターンが少ないのでサイドエッチングを抑制す
作用を持つ側壁付着物が少なくなり、サイドエッチング
が進み、等方性エッチングになってしまうという欠点が
あった。
上述した従来のエッチングガス系に対して、本発明は、
マスクとなるフォトレジストのパターン面積が20％以下
の場合にSiCl4ガスを添加するという独創的内容を有す
る。
マスクとなるフォトレジストのパターン面積が20％以下
の場合にSiCl4ガスを添加するという独創的内容を有す
る。
本発明のドライエッチング方法は、BCl3,CCl4あるいはC
l2ガスにSiCl4ガスを添加することを特徴とし、これに
より従来のガス系に比べ、マスクとなるフォトレジスト
の面積が20％以下の場合のアルミニウムあるいはアルミ
ニウム合金のエッチングにおいて、サイドエッチングを
抑制し、異方性エッチングを行うことができる。
l2ガスにSiCl4ガスを添加することを特徴とし、これに
より従来のガス系に比べ、マスクとなるフォトレジスト
の面積が20％以下の場合のアルミニウムあるいはアルミ
ニウム合金のエッチングにおいて、サイドエッチングを
抑制し、異方性エッチングを行うことができる。
次に、本発明について図面を参照にして説明する。
第１図は、本発明の一実施例の縦断面図である。（ａ）
は、半導体基板上に、4molPSG2を１μｍ成長し、（ｂ）
で１μｍ厚のAl−Si（１％）合金３をスパッタ法により
成長した。（ｃ）で、フェノール樹脂系ポジ型フォトレ
ジストをパターニングする。このときの、フォトレジス
トパターン４の面積は20％以下である。（ｄ）でフォト
レジストパターン４をマスクに、BCl3＋Cl2ガスにSiCl4
ガスを100sccm程添加した混合ガス５によりAl合金３を
エッチングする。この時、SiCl4は、フォトレジストのA
l合金３への側壁付着を増大させる作用があるので、パ
ターン面積が20％以下の場合、フォトレジストの量が少
なくても、十分な側壁付着をAl合金３に付着させること
ができる。その結果、Al合金３がサイドエッチングされ
るのを抑制できるので、異方性エッチングを行うことが
できる。尚、このSiCl4は、上述したように側壁付着を
増大させる作用があるので、異方性エッチングが十分得
られているフォトレジストの面積比が20％より多いとき
に添加すると、側壁付着が必要以上に増大し、エッチン
グ自体ができにくくなるので好ましくない。
は、半導体基板上に、4molPSG2を１μｍ成長し、（ｂ）
で１μｍ厚のAl−Si（１％）合金３をスパッタ法により
成長した。（ｃ）で、フェノール樹脂系ポジ型フォトレ
ジストをパターニングする。このときの、フォトレジス
トパターン４の面積は20％以下である。（ｄ）でフォト
レジストパターン４をマスクに、BCl3＋Cl2ガスにSiCl4
ガスを100sccm程添加した混合ガス５によりAl合金３を
エッチングする。この時、SiCl4は、フォトレジストのA
l合金３への側壁付着を増大させる作用があるので、パ
ターン面積が20％以下の場合、フォトレジストの量が少
なくても、十分な側壁付着をAl合金３に付着させること
ができる。その結果、Al合金３がサイドエッチングされ
るのを抑制できるので、異方性エッチングを行うことが
できる。尚、このSiCl4は、上述したように側壁付着を
増大させる作用があるので、異方性エッチングが十分得
られているフォトレジストの面積比が20％より多いとき
に添加すると、側壁付着が必要以上に増大し、エッチン
グ自体ができにくくなるので好ましくない。
以上説明したように本発明は、BCl3,CCl4とCl2の混合ガ
スに、SiCl4ガスを添加することにより、エッチングの
マスクとなるフォトレジストのパターン面積が20％以下
でもサイドエッチングのない異方性エッチングできると
いう効果がある。
スに、SiCl4ガスを添加することにより、エッチングの
マスクとなるフォトレジストのパターン面積が20％以下
でもサイドエッチングのない異方性エッチングできると
いう効果がある。
第１図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の工程を示す縦断面図
である。 １……半導体基板、２……PSG膜、３……Al−Si（１
％）合金膜、４……ポジ型フォトレジスト、５……BCl3
＋Cl2＋SiCl4ガス、６……再付着物。
である。 １……半導体基板、２……PSG膜、３……Al−Si（１
％）合金膜、４……ポジ型フォトレジスト、５……BCl3
＋Cl2＋SiCl4ガス、６……再付着物。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板上に成長されたアルミニウム、
あるいはアルミニウムとSi,Ti,Cuなどとの合金膜を、半
導体基板上に面積比で20％以下しか存在しないフォトレ
ジストパターンをマスクに、該アルミニウムあるいはア
ルミニウム合金膜をドライエッチングする際、エッチン
グガスとして、SiCl4を添加することを特徴とするドラ
イエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61221092A JPH0727890B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | ドライエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61221092A JPH0727890B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | ドライエツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6376437A JPS6376437A (ja) | 1988-04-06 |
| JPH0727890B2 true JPH0727890B2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=16761364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61221092A Expired - Lifetime JPH0727890B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | ドライエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0727890B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5034092A (en) * | 1990-10-09 | 1991-07-23 | Motorola, Inc. | Plasma etching of semiconductor substrates |
| DE10237249B4 (de) * | 2002-08-14 | 2014-12-18 | Excelitas Technologies Singapore Pte Ltd | Verfahren zum selektiven Abtragen von Material aus der Oberfläche eines Substrats |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2087315B (en) * | 1980-10-14 | 1984-07-18 | Branson Int Plasma | Plasma etching of aluminum |
| JPH061770B2 (ja) * | 1984-01-30 | 1994-01-05 | 株式会社日立製作所 | ドライエツチング方法 |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP61221092A patent/JPH0727890B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6376437A (ja) | 1988-04-06 |
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