JPH0680696B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0680696B2 JPH0680696B2 JP60049787A JP4978785A JPH0680696B2 JP H0680696 B2 JPH0680696 B2 JP H0680696B2 JP 60049787 A JP60049787 A JP 60049787A JP 4978785 A JP4978785 A JP 4978785A JP H0680696 B2 JPH0680696 B2 JP H0680696B2
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- H01R43/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors for soldered or welded connections
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体チップの電極とリードとを金属細線
によって結線して構成される半導体装置に関するもので
ある。
によって結線して構成される半導体装置に関するもので
ある。
従来この種の半導体装置においては、ボンディング用金
属細線として金線が使用されているが、この場合コスト
が高くつくことと、シリコンチップ上のアルミ電極との
接合部の長期信頼性が低いという欠点を有するため、金
代わる材料及びそれらのボンディング技術等が種々検討
されている。
属細線として金線が使用されているが、この場合コスト
が高くつくことと、シリコンチップ上のアルミ電極との
接合部の長期信頼性が低いという欠点を有するため、金
代わる材料及びそれらのボンディング技術等が種々検討
されている。
ここで材料原価低減及び素子の長期信頼性向上という観
点から、金属細線を金から銅に代える場合について考え
る。金属細線を電極にボンディングする場合、良好な接
合状態を得るためには金属細線の硬さと電極の硬さとが
近似しているのが望ましい。従来の金線を用いる場合に
は半導体チップのアルミ電極の硬さはビッカース硬さで
Hv35〜40であるが、一般の銅線の硬さはビッカース硬さ
でHv60以上であり、従って一般の銅線をそのまま従来の
アルミ電極にボンディングしようとすると、ボンディン
グ性が悪いという問題が生じることとなる。
点から、金属細線を金から銅に代える場合について考え
る。金属細線を電極にボンディングする場合、良好な接
合状態を得るためには金属細線の硬さと電極の硬さとが
近似しているのが望ましい。従来の金線を用いる場合に
は半導体チップのアルミ電極の硬さはビッカース硬さで
Hv35〜40であるが、一般の銅線の硬さはビッカース硬さ
でHv60以上であり、従って一般の銅線をそのまま従来の
アルミ電極にボンディングしようとすると、ボンディン
グ性が悪いという問題が生じることとなる。
この発明は以上のような問題点を解消するためになされ
たもので、銅線と電極との良好なボンディング性を得る
ことのできる半導体装置を提供することを目的としてい
る。
たもので、銅線と電極との良好なボンディング性を得る
ことのできる半導体装置を提供することを目的としてい
る。
この発明に係る半導体装置は、金属細線として純度99.9
9%以上の銅線を用い、一方半導体チップのアルミ電極
に極微量の金属,ガス等の不純物を混入するようにした
ものである。
9%以上の銅線を用い、一方半導体チップのアルミ電極
に極微量の金属,ガス等の不純物を混入するようにした
ものである。
この発明においては、99.99%以上の銅線はビッカース
硬さでHv50〜60の硬さを有し、極微量の不純物を混入し
たアルミ電極はビッカース硬さでHv45〜60の硬さを有す
るから、両者の硬さがほぼ近似することとなる。
硬さでHv50〜60の硬さを有し、極微量の不純物を混入し
たアルミ電極はビッカース硬さでHv45〜60の硬さを有す
るから、両者の硬さがほぼ近似することとなる。
以下、本発明の実施例を図について説明する。
図面は本発明の一実施例による半導体装置を示す。図に
おいて、1は99.99%以上の高純度の銅線、2は半導体
チップ、3は半導体チップ2の表面に形成され、極微
量、例えば10ppm〜5000ppm(原子数ppm)の金属,ガス
等の不純物が混入されたアルミニウム電極、4はリード
であり、上記アルミニウム電極3とリード4とは例えば
超音波併用熱圧着方式により銅線1でもって相互に結線
されている。
おいて、1は99.99%以上の高純度の銅線、2は半導体
チップ、3は半導体チップ2の表面に形成され、極微
量、例えば10ppm〜5000ppm(原子数ppm)の金属,ガス
等の不純物が混入されたアルミニウム電極、4はリード
であり、上記アルミニウム電極3とリード4とは例えば
超音波併用熱圧着方式により銅線1でもって相互に結線
されている。
次に作用効果について説明する。
本装置においては、硬度がビッカー硬さでHv50〜60であ
る純度99.99%の銅ワイヤ1を用い、又アルミニウム電
極3に極微量の不純物を混入してその硬さをビッカース
硬さでHv45〜60としたので、両者の硬さが近似し、低い
超音波振動条件でもって充分な接合強度のボンディング
を安定に実現でき、これは本件発明者の実験によって確
認された。このことは、純度99.99%の銅線1が従来用
いられていた金線よりわずかに硬いことに対応してアル
ミニウム電極3の硬さを適度に高めたことにより、ボン
ディングの基本メカニズムである凝着現象がより促進さ
れたためであると考えられる。
る純度99.99%の銅ワイヤ1を用い、又アルミニウム電
極3に極微量の不純物を混入してその硬さをビッカース
硬さでHv45〜60としたので、両者の硬さが近似し、低い
超音波振動条件でもって充分な接合強度のボンディング
を安定に実現でき、これは本件発明者の実験によって確
認された。このことは、純度99.99%の銅線1が従来用
いられていた金線よりわずかに硬いことに対応してアル
ミニウム電極3の硬さを適度に高めたことにより、ボン
ディングの基本メカニズムである凝着現象がより促進さ
れたためであると考えられる。
以上のように、本発明に係る半導体装置によれば、金属
細線として純度99.99%以上の銅線を用い、半導体チッ
プのアルミ電極に極微量の金属,ガス等の不純物を混入
し、両者の硬さを近似させるようにしたので、良好なボ
ンディング性を確保でき、金線に代えて銅線を使用する
ことが可能となる効果がある。
細線として純度99.99%以上の銅線を用い、半導体チッ
プのアルミ電極に極微量の金属,ガス等の不純物を混入
し、両者の硬さを近似させるようにしたので、良好なボ
ンディング性を確保でき、金線に代えて銅線を使用する
ことが可能となる効果がある。
図面は本発明の一実施例による半導体装置の概略構成図
である。 1…銅線、2…半導体チップ、3…電極、4…リード。
である。 1…銅線、2…半導体チップ、3…電極、4…リード。
Claims (1)
- 【請求項1】半導体チップの電極とリードとを金属細線
によって結線して構成される半導体装置において、上記
金属細線に99.99%以上の高純度の銅線を、上記半導体
チップ上の電極に極微量の金属,ガス等の不純物を混入
したアルミニウム薄膜を用いたことを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60049787A JPH0680696B2 (ja) | 1985-03-13 | 1985-03-13 | 半導体装置 |
| KR1019860000462A KR910005701B1 (ko) | 1985-03-01 | 1986-01-24 | 와이어본딩용 볼의 형성방법 |
| US06/824,744 US4705204A (en) | 1985-03-01 | 1986-01-31 | Method of ball forming for wire bonding |
| GB8602740A GB2174032B (en) | 1985-03-01 | 1986-02-04 | Ball-type bonding wires for semiconductor devices and method for producing same |
| DE19863606224 DE3606224A1 (de) | 1985-03-01 | 1986-02-26 | Kugeltyp-bond-draehte fuer halbleitervorrichtungen und verfahren zu ihrer herstellung |
| DE3645066A DE3645066C2 (ja) | 1985-03-01 | 1986-02-26 | |
| KR1019900000620A KR900007053B1 (ko) | 1985-03-01 | 1990-01-19 | 반도체장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60049787A JPH0680696B2 (ja) | 1985-03-13 | 1985-03-13 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61208231A JPS61208231A (ja) | 1986-09-16 |
| JPH0680696B2 true JPH0680696B2 (ja) | 1994-10-12 |
Family
ID=12840868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60049787A Expired - Lifetime JPH0680696B2 (ja) | 1985-03-01 | 1985-03-13 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0680696B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04150044A (ja) * | 1990-10-12 | 1992-05-22 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JP6455109B2 (ja) * | 2014-12-04 | 2019-01-23 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-03-13 JP JP60049787A patent/JPH0680696B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61208231A (ja) | 1986-09-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |