JPS6367738A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPS6367738A
JPS6367738A JP61213128A JP21312886A JPS6367738A JP S6367738 A JPS6367738 A JP S6367738A JP 61213128 A JP61213128 A JP 61213128A JP 21312886 A JP21312886 A JP 21312886A JP S6367738 A JPS6367738 A JP S6367738A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
wire
bonding pad
semiconductor device
pad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61213128A
Other languages
English (en)
Inventor
Taizo Ejima
江島 泰蔵
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP61213128A priority Critical patent/JPS6367738A/ja
Publication of JPS6367738A publication Critical patent/JPS6367738A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711—Apparatus therefor
    • H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/59—Bond pads specially adapted therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/931—Shapes of bond pads
    • H10W72/934—Cross-sectional shape, i.e. in side view

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に杵シ、特にICチップ上に形匡さ
れた配線パターンのボンディングパッドに金属細線をワ
イヤポンドする際にその接着性を良好ならしめたボンデ
ィングパッド構造に関するものでちる。
〔従来の技術〕
従来、この種の半導体装置は、そのボンディングパッド
部の平面および断面図をそれぞれ第4図(2L) 、 
(blに示すように、半導体基体つまりIC’チップ1
上の表面KA t (アルミニウム)配線2が配線パタ
ーンとして形成され、その一端側に、とのkl配線2と
外部リードフレームのリード(図示せず)とを連結する
ためのワイヤボンド用のAt膜からなるボンディングパ
ッド(アルミパッドともいう)3が形成されている。そ
して、このボンディングパッド3上に、第5図に示すよ
うに、金属細線つまりAuiやAt線などのワイヤ11
を支持するキャピラリ12によってそのワイヤ11をワ
イヤポンドし超音波等によシ図示する入方向、B方向へ
揺って接着することにより、前記パッド3と外部リード
フレームのリード間金ワイヤ11にて電気的に接続する
ものとなっている。なお、第4図中。
5は絶縁保護膜、6−はこの絶縁保護膜5に設けられた
ボンディングパッド用の開孔部である。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、上記した従来の半導体装置は、ボンディングパ
ッド3が平らな面でmgされているので、そのアルミパ
ッドとワイヤの間に合金ができなかったシ、あるいは接
着強度が弱くなったりして、安定したボンディング強度
が得られないなどの問題点があつ九。
本発明は上記のような問題点を解消するためになされた
もので、その目的は、ワイヤボンドにおけるボンディン
グ強度を安定にして得ることができる半導体装置を提供
することKある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明に係る半導体装置は、金属細線と接着可能な配線
パターン上のボンディングパッドの面を凹凸形状にして
、その面に金属細線をワイヤボンドにより接着するよう
Kしたものである。
〔作 用〕
本発明K>いては、ボンディングパッドの面を凹凸形状
に形成することによシ、その凹凸形状の部分が、ワイヤ
ボンド特にキャピラリの前後運動に対し抵抗となり、こ
れKよって、前記パッドと金属細線間の合金反応が早く
起こシ、接着強度が増すことになる。
〔実施例〕
以上、本発明を図面に示す実施例に基づいて説明する。
第1図ト)および伽)は本発明の一実施例による半導体
装置のボンディングパッド部の平面図および断面図であ
る。この実施例が第4図の従来のものと異なる点は、ワ
イヤボンド用のボンディングパッドとして、その面の中
央部分に直線状の凸(突起)部4が形成されたボンディ
ングパッド3を設け、このパッド3の面に、第2図に示
すようK。
キャピラリ12によってそのワイヤ11をワイヤボンド
せしめて接着するようにしたことである。
なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示してい
る。
このように上記実施例によると、ボンディングパッド3
の中央部分に凸部4を設けることにより、この凸部4は
、ワイヤボンドの際にそのキャピラリ120前後運動に
対し抵抗として作用することとなり、ワイヤ11との間
で合金反応が早く起こる。しかも、前記凸部4はそのパ
ッドの強度を増す機能を持つので、接着強度を十分得る
ことができるとともに、ボンディング条件にあまり影響
されず、安定したボンディング状態を得ることができる
。
なか、上記実施例ではボンディングパッド3の面に直線
状の凸部4を設けた場合について示したが、本発明はこ
れに限らず、第3図に示すごとく十字形の凸部4−1を
形成したり、あるいは波形状や三角形状などの任意の凹
凸形状のものでもよく、上記実施例と同様の効果を奏す
る。
〔発明の効果〕
以上のように本発明によれば、ボンディングパッドの面
を凹凸形状にしてそのパッドの強度を増すように構成し
たので、接着強度が増して安定したボンディング強度が
得られ、これによって、良品なICが得られる効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図(a) 、 (b)は本発明の一実施例による半
導体装置のボンディングパッド部の概略平面図およびそ
の断面図、第2図は第1図の実施例におけるボンディン
グ状況を示す一部断面図、第3図(a) 、 E)は本
発明の別の実施例を示すボンディングパッド部の概略平
面図およびその断面図、第4図(a) 、 (b)は従
来例によるボンディングパッド部の概略平面図およびそ
の断面図、第5図は第4図の従来例におけるボンディン
グ状況を示す一部断面図である。 1−−−−ICチップ、2−−−−At配線、3・・・
・ボンディングパッド、411・・−凸部、4−1  
・・・・十字形の凸部、5・・・拳絶縁保護膜、11・
・・・ワイヤ(金属細線)、12・・・・キャピラリ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基体上に、金属細線と接着可能な配線パターンの
    ボンディングパッドを具備する半導体装置において、前
    記ボンディングパッドの面を凹凸形状にしてその面に金
    属細線を接着してなることを特徴とする半導体装置。
JP61213128A 1986-09-09 1986-09-09 半導体装置 Pending JPS6367738A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61213128A JPS6367738A (ja) 1986-09-09 1986-09-09 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61213128A JPS6367738A (ja) 1986-09-09 1986-09-09 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6367738A true JPS6367738A (ja) 1988-03-26

Family

ID=16634040

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61213128A Pending JPS6367738A (ja) 1986-09-09 1986-09-09 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6367738A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4607276A (en) Tape packages
JP2569939B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH0582977B2 (ja)
JP2908350B2 (ja) 半導体装置
JPS6232622B2 (ja)
JPH01134958A (ja) 半導体装置
KR19980064438A (ko) 집적 회로용 극미세 피치 리드 프레임
JP2589520B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPS63283053A (ja) 半導体装置のリ−ドフレ−ム
JPH01286342A (ja) 面実装超薄形半導体装置
JPH05251494A (ja) 半導体装置および半導体装置製造用キャピラリー
JPH06252329A (ja) 半導体装置
JPS60154643A (ja) 半導体装置
JPH02106061A (ja) 半導体リードフレームのテーピング方法
JPS635253Y2 (ja)
JPS6378555A (ja) 半導体装置
JPH02275655A (ja) 混成集積回路
JP2516704B2 (ja) 複合リ―ドフレ―ム
JPH0310670Y2 (ja)
JPH03256352A (ja) 半導体装置
JPH0366150A (ja) 半導体集積回路装置
JPH04174548A (ja) リードフレーム
JPH06163801A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS6060743A (ja) リ−ドフレ−ム
JPH0245945A (ja) 回路基板