JPH0680754B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0680754B2 JPH0680754B2 JP15597285A JP15597285A JPH0680754B2 JP H0680754 B2 JPH0680754 B2 JP H0680754B2 JP 15597285 A JP15597285 A JP 15597285A JP 15597285 A JP15597285 A JP 15597285A JP H0680754 B2 JPH0680754 B2 JP H0680754B2
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- JP
- Japan
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- semiconductor device
- resin
- coupling agent
- epoxy
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は耐湿性に優れた半導体装置に係り、特に密着性
と耐湿性に優れた保護被覆を施された封止型半導体装置
に関する。
と耐湿性に優れた保護被覆を施された封止型半導体装置
に関する。
半導体装置の耐湿信頼性等の向上あるいは高密度化のた
めに、半導体素子の表面にポリイミド樹脂やシリコーン
ゲルなどの保護被覆を施された半導体装置、並びにポリ
イミドなどの樹脂材料を配線導体層間に絶縁膜として用
いた多層配線構造を有する半導体装置は、従来から知ら
れている。
めに、半導体素子の表面にポリイミド樹脂やシリコーン
ゲルなどの保護被覆を施された半導体装置、並びにポリ
イミドなどの樹脂材料を配線導体層間に絶縁膜として用
いた多層配線構造を有する半導体装置は、従来から知ら
れている。
しかし、保護被覆としてのポリイミド樹脂やシリコーン
ゲルには一般に、吸湿率や透湿率が大きく、その上、素
子との接着性が悪いという問題があつた。特に、ポリイ
ミド樹脂は、吸湿するとはく難しやすくなり耐湿性の低
下を来すために、本質的には水の透過を避けられないの
で、樹脂封止型半導体装置における弱点となつていた。
また、多層配線構造を有する半導体装置においては、そ
れが高温高湿雰囲気中に放置された場合に、パツシベー
シヨン膜（二酸化ケイ素，リン入り二酸化ケイ素，窒化
ケイ素など）とポリイミド樹脂膜との接着強度が、著る
しく減少する。その結果、侵入した湿気によつて、例え
ばアルミニウムなどの配線導体金属が腐食されて、終に
は断線し装置故障を来す。
ゲルには一般に、吸湿率や透湿率が大きく、その上、素
子との接着性が悪いという問題があつた。特に、ポリイ
ミド樹脂は、吸湿するとはく難しやすくなり耐湿性の低
下を来すために、本質的には水の透過を避けられないの
で、樹脂封止型半導体装置における弱点となつていた。
また、多層配線構造を有する半導体装置においては、そ
れが高温高湿雰囲気中に放置された場合に、パツシベー
シヨン膜（二酸化ケイ素，リン入り二酸化ケイ素，窒化
ケイ素など）とポリイミド樹脂膜との接着強度が、著る
しく減少する。その結果、侵入した湿気によつて、例え
ばアルミニウムなどの配線導体金属が腐食されて、終に
は断線し装置故障を来す。
本発明の目的は、前記した従来技術におけるような欠点
のない、耐湿信頼性の向上した封止型特に樹脂封止型半
導体装置を提供することにある。
のない、耐湿信頼性の向上した封止型特に樹脂封止型半
導体装置を提供することにある。
本発明を概説すれば、本発明は半導体装置に関する発明
であつて、封止型半導体装置において、その回路の表面
の少なくとも一部が、下記一般式I: 〔式中、Ｄはエチレン性不飽和二重結合を有する基、Ｘ
は式CH2ｍ、CH2ｍ−NHCH2 １、−CONHCH2
ｍ、 （式中、ｍ及び１は同一又は異なり１〜８の数を示す）
で表される２価の基、R1及びR2は同一又は異なりアルキ
ル基そしてｎは０、１又は２の数を示す〕で表される不
飽和イミドアルコキシシラン系化合物なるカツプリング
剤を含有する処理剤を用いて形成された被覆層を介して
封止されていることを特徴とする。
であつて、封止型半導体装置において、その回路の表面
の少なくとも一部が、下記一般式I: 〔式中、Ｄはエチレン性不飽和二重結合を有する基、Ｘ
は式CH2ｍ、CH2ｍ−NHCH2 １、−CONHCH2
ｍ、 （式中、ｍ及び１は同一又は異なり１〜８の数を示す）
で表される２価の基、R1及びR2は同一又は異なりアルキ
ル基そしてｎは０、１又は２の数を示す〕で表される不
飽和イミドアルコキシシラン系化合物なるカツプリング
剤を含有する処理剤を用いて形成された被覆層を介して
封止されていることを特徴とする。
本発明において、前記一般式〔Ｉ〕で表される化合物
は、下記一般式II: （式中R1、R2、Ｘ及びｎは式Ｉと同義である）で表され
るアミノアルコキシシラン系化合物と、不飽和カルボン
酸又はその反応性誘導体との脱水閉環等の反応によつて
得ることができる。
は、下記一般式II: （式中R1、R2、Ｘ及びｎは式Ｉと同義である）で表され
るアミノアルコキシシラン系化合物と、不飽和カルボン
酸又はその反応性誘導体との脱水閉環等の反応によつて
得ることができる。
前記一般式〔II〕で表される化合物の例としては、 Ｎ−（β−アミノエチル）γ−アミノプロピル メチル
ジメトキシシラン Ｎ−（β−アミノエチル）γ−アミノプロピル トリメ
トキシシラン H2N−（CH2）２−NH−（CH2）３−Si−（OCH3）３ γ−アミノプロピル トリエトキシシラン H2N−（CH2）３−Si−（OC2H5）３ γ−ウレイドプロピル トリエトキシシラン H2N−CO−NH−（CH2）３−Si−（OC2H5）３ ｐ−（β−アミノエチル）アミノメチルフエネチル ト
リメトキシシラン γ−アミノプロピル メチルジエトキシシラン γ−アミノプロピル トリメトキシシラン H2N−（CH2）３−Si−（OCH3）３ １−トリメトキシシリル ２−（p,m−アミノメチル）
フエニル エタン N1−γ−（トリメトキシシリル）−プロピルジエチレン
トリアミン H2N−（CH2CH2NH）２−（CH2）３−Si−（OCH3）３ ｐ−アミノフエニル トリメトキシシラン などが挙げられ、これらの１種以上を併用して用いても
よい。
ジメトキシシラン Ｎ−（β−アミノエチル）γ−アミノプロピル トリメ
トキシシラン H2N−（CH2）２−NH−（CH2）３−Si−（OCH3）３ γ−アミノプロピル トリエトキシシラン H2N−（CH2）３−Si−（OC2H5）３ γ−ウレイドプロピル トリエトキシシラン H2N−CO−NH−（CH2）３−Si−（OC2H5）３ ｐ−（β−アミノエチル）アミノメチルフエネチル ト
リメトキシシラン γ−アミノプロピル メチルジエトキシシラン γ−アミノプロピル トリメトキシシラン H2N−（CH2）３−Si−（OCH3）３ １−トリメトキシシリル ２−（p,m−アミノメチル）
フエニル エタン N1−γ−（トリメトキシシリル）−プロピルジエチレン
トリアミン H2N−（CH2CH2NH）２−（CH2）３−Si−（OCH3）３ ｐ−アミノフエニル トリメトキシシラン などが挙げられ、これらの１種以上を併用して用いても
よい。
また、本発明における、不飽和カルボン酸系化合物成分
としては、無水マレイン酸、無水シトラコン酸、無水イ
タコン酸、テトラヒドロフタル酸、メチルテトラヒドロ
フタル酸、エンドメチレンテトラヒドロフタル酸などが
ある。
としては、無水マレイン酸、無水シトラコン酸、無水イ
タコン酸、テトラヒドロフタル酸、メチルテトラヒドロ
フタル酸、エンドメチレンテトラヒドロフタル酸などが
ある。
本発明において、カツプリング剤を含有する処理剤によ
つて被覆層を形成する方法の例としては、カツプリング
剤を加熱焼付け処理することによつて行う方法、及びカ
ツプリング剤及び成膜材料によつて行う方法などがあ
る。
つて被覆層を形成する方法の例としては、カツプリング
剤を加熱焼付け処理することによつて行う方法、及びカ
ツプリング剤及び成膜材料によつて行う方法などがあ
る。
また、本発明において用いられる一般式〔Ｉ〕で表され
るカツプリング剤は、その加熱焼付けの条件を特に限定
されることはないが、一般に約100〜300℃の温度で、30
〜60分程度加熱処理することによつて、所望の効果を発
揮することが出来る。
るカツプリング剤は、その加熱焼付けの条件を特に限定
されることはないが、一般に約100〜300℃の温度で、30
〜60分程度加熱処理することによつて、所望の効果を発
揮することが出来る。
他方、本発明において使用する成膜材料の例としては、
例えばポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポ
リエステルイミド、ポリエーテルイミド、ポリイミド−
イソインドロキナゾリンジオン、ホリベンズイミダゾー
ル、ポリベンズオキサゾール、ポリベンズチアゾール、
ポリオキサチアゾール、ポリビラゾール、ポリキノキサ
リン、ポリキナゾリンジオン、ポリインドロン、ポリキ
ナゾロン、ポリインドキシル、ポリシロキサン、ポリパ
ーフルオロライドなどがある。
例えばポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポ
リエステルイミド、ポリエーテルイミド、ポリイミド−
イソインドロキナゾリンジオン、ホリベンズイミダゾー
ル、ポリベンズオキサゾール、ポリベンズチアゾール、
ポリオキサチアゾール、ポリビラゾール、ポリキノキサ
リン、ポリキナゾリンジオン、ポリインドロン、ポリキ
ナゾロン、ポリインドキシル、ポリシロキサン、ポリパ
ーフルオロライドなどがある。
本発明において、所要のカツプリング剤保護皮膜を形成
された半導体装置は、その外側から例えば有機樹脂組成
物を用いて封止成形される。使用可能な樹脂組成物とし
ては例えばエポキシ樹脂、フエノール樹脂、不飽和ポリ
エステル樹脂、ウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹
脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、付加型イミド樹脂、ポリ
サルフアイド樹脂などの組成物などが挙げられる。
された半導体装置は、その外側から例えば有機樹脂組成
物を用いて封止成形される。使用可能な樹脂組成物とし
ては例えばエポキシ樹脂、フエノール樹脂、不飽和ポリ
エステル樹脂、ウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹
脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、付加型イミド樹脂、ポリ
サルフアイド樹脂などの組成物などが挙げられる。
なかでもエポキシ樹脂組成物は、封止用として特に好ま
しい。エポキシ樹脂としては、例えばビスフエノールＡ
のジグリシジルエーテル、ブタジエンエポキシド、3,4
−エポキシシクロヘキシルメチル−（3,4−エポキシ）
シクロヘキサンカルボキシレート、ビニルシクロヘキサ
ンジオキシド、4,4′−ジ（1,2−エポキシエチル）ジフ
エニルエーテル、4,4′−（1,2−エポキシエチル）ビフ
エニル、2,2−ビス3,4−エポキシシクロヘキシル）プロ
パン、レゾルシンのグリシジルエーテル、フロログルシ
ンのジグリシジルエーテル、メチルフロログルシンのジ
グリシジルエーテル、ビス−（2,3′−エポキシシクロ
ペンチル）エーテル、２−（3,4−エポキシ）シクロヘ
キサン−5,5−スピロ（3,4−エポキシ）−シクロヘキサ
ン−ｍ−ジオキサン、ビス−（3,4−エポキシ−６−メ
チルシクロヘキシル）アジペート、N,N′−ｍ−フエニ
レンビス（4,5−エポキシ−1,2−シクロヘキサン）ジカ
ルボキシイミドなどの２官能性のエポキシ化合物、パラ
アミノフエノールのトリグリシジルエーテル、ポリアリ
ルグリシジルエーテル、1,3,5−トリ（1,2−エポキシエ
チル）ベンゼン、2,2′,4,4′−テトラグリシドキシベ
ンゾフエノン、フエノールホルムアルデヒドノボラツク
のポリグリシジルエーテル、グリセリンのトリグリシジ
ルエーテル、トリメチロールプロパンのトリグリシジル
エーテルなど３官能性以上のエポキシ化合物が用いられ
る。
しい。エポキシ樹脂としては、例えばビスフエノールＡ
のジグリシジルエーテル、ブタジエンエポキシド、3,4
−エポキシシクロヘキシルメチル−（3,4−エポキシ）
シクロヘキサンカルボキシレート、ビニルシクロヘキサ
ンジオキシド、4,4′−ジ（1,2−エポキシエチル）ジフ
エニルエーテル、4,4′−（1,2−エポキシエチル）ビフ
エニル、2,2−ビス3,4−エポキシシクロヘキシル）プロ
パン、レゾルシンのグリシジルエーテル、フロログルシ
ンのジグリシジルエーテル、メチルフロログルシンのジ
グリシジルエーテル、ビス−（2,3′−エポキシシクロ
ペンチル）エーテル、２−（3,4−エポキシ）シクロヘ
キサン−5,5−スピロ（3,4−エポキシ）−シクロヘキサ
ン−ｍ−ジオキサン、ビス−（3,4−エポキシ−６−メ
チルシクロヘキシル）アジペート、N,N′−ｍ−フエニ
レンビス（4,5−エポキシ−1,2−シクロヘキサン）ジカ
ルボキシイミドなどの２官能性のエポキシ化合物、パラ
アミノフエノールのトリグリシジルエーテル、ポリアリ
ルグリシジルエーテル、1,3,5−トリ（1,2−エポキシエ
チル）ベンゼン、2,2′,4,4′−テトラグリシドキシベ
ンゾフエノン、フエノールホルムアルデヒドノボラツク
のポリグリシジルエーテル、グリセリンのトリグリシジ
ルエーテル、トリメチロールプロパンのトリグリシジル
エーテルなど３官能性以上のエポキシ化合物が用いられ
る。
上記化合物は、用途、目的に応じて１種以上併用して使
用することも出来る。これらのエポキシ樹脂には硬化剤
が併用される。それらは、垣内弘著：エポキシ樹脂（昭
和45年９月、昭晃堂発行）第109〜149頁、リー，ネビル
（Lee,Neville）著：エポキシ レジンス（Epoxy Resin
s）ニユーヨーク市、マツグロウーヒル ブツク カン
パニー インコーポレーテツド（Mc Graw−Hill Book C
ompany Inc）（1957年発行）第63〜141頁、P.E.ブルニ
ス（Brunis）著：エポキシ レジンス テクノロジー
（Epoxy Resins Technology）ニユーヨーク市、インタ
ーサイエンス パブリツシヤース（Interscience Publi
shere）（1968年発行）第45〜111頁などに記載の化合物
であり、例えば脂肪族ポリアミン、芳香族ポリアミン、
第２及び第３級アミンを含むアミン類、カルボン酸類、
カルボン酸無水物類、脂肪族及び芳香族ポリアミドオリ
ゴマー及びポリマー類、三フツ化ホウ素−アミンコンプ
レツクス類、フエノール樹脂、メラミン樹脂、ウレア樹
脂、ウレタン樹脂などの合成樹脂初期縮合物類、その
他、ジシアンジアミド、カルボン酸ヒドラジド、ポリア
ミノマレイミド類などがある。
用することも出来る。これらのエポキシ樹脂には硬化剤
が併用される。それらは、垣内弘著：エポキシ樹脂（昭
和45年９月、昭晃堂発行）第109〜149頁、リー，ネビル
（Lee,Neville）著：エポキシ レジンス（Epoxy Resin
s）ニユーヨーク市、マツグロウーヒル ブツク カン
パニー インコーポレーテツド（Mc Graw−Hill Book C
ompany Inc）（1957年発行）第63〜141頁、P.E.ブルニ
ス（Brunis）著：エポキシ レジンス テクノロジー
（Epoxy Resins Technology）ニユーヨーク市、インタ
ーサイエンス パブリツシヤース（Interscience Publi
shere）（1968年発行）第45〜111頁などに記載の化合物
であり、例えば脂肪族ポリアミン、芳香族ポリアミン、
第２及び第３級アミンを含むアミン類、カルボン酸類、
カルボン酸無水物類、脂肪族及び芳香族ポリアミドオリ
ゴマー及びポリマー類、三フツ化ホウ素−アミンコンプ
レツクス類、フエノール樹脂、メラミン樹脂、ウレア樹
脂、ウレタン樹脂などの合成樹脂初期縮合物類、その
他、ジシアンジアミド、カルボン酸ヒドラジド、ポリア
ミノマレイミド類などがある。
上記硬化剤は、用途、目的に応じて１種以上使用するこ
とが出来る。
とが出来る。
特に、フエノールノボラツク樹脂は、硬化樹脂の金属イ
ンサートに対する密着性、成形時の作業性などの点か
ら、上記半導体封止用材料の硬化剤成分として、好適で
ある。
ンサートに対する密着性、成形時の作業性などの点か
ら、上記半導体封止用材料の硬化剤成分として、好適で
ある。
該樹脂組成物には、エポキシ化合物とノボラツク型フエ
ノール樹脂の硬化反応を促進する効果が知られている公
知の触媒を使用することが出来る。
ノール樹脂の硬化反応を促進する効果が知られている公
知の触媒を使用することが出来る。
かかる触媒としては、例えば、トリエタノールアミン、
テトラメチルブタンジアミン、テトラメチルペンタンジ
アミン、テトラメチルヘキサンジアミン、トリエチレン
ジアミン、ジメチルアニリンなどの第３級アミン、ジメ
チルアミノエタノール、ジメチルアミノペンタノールな
どのオキシアルキルアミンやトリス（ジメチルアミノメ
チル）フエノール、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ−エチル
モルホリンなどのアミン類がある。
テトラメチルブタンジアミン、テトラメチルペンタンジ
アミン、テトラメチルヘキサンジアミン、トリエチレン
ジアミン、ジメチルアニリンなどの第３級アミン、ジメ
チルアミノエタノール、ジメチルアミノペンタノールな
どのオキシアルキルアミンやトリス（ジメチルアミノメ
チル）フエノール、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ−エチル
モルホリンなどのアミン類がある。
また、セチルトリメチルアンモニウムプロマイド、セチ
ルトリメチルアンモニウムクロライド、ドデシルトリメ
チルアンモニウムアイオダイド、トリメチルドデシルア
ンモニウムクロライド、ベンジルジメチルテトラデシル
アンモニウムクロライド、ベンジルジメチルバルミチル
アンモニウムクロライド、アリルドデシルトリメチルア
ンモニウムプロマイド、ベンジルジメチルステアリルア
ンモニウムブロマイド、ステアリルトリメチルアンモニ
ウムクロライド、ベンジルジメチルテトラデシルアンモ
ニウムアセテートなどの第４級アンモニウム塩がある。
ルトリメチルアンモニウムクロライド、ドデシルトリメ
チルアンモニウムアイオダイド、トリメチルドデシルア
ンモニウムクロライド、ベンジルジメチルテトラデシル
アンモニウムクロライド、ベンジルジメチルバルミチル
アンモニウムクロライド、アリルドデシルトリメチルア
ンモニウムプロマイド、ベンジルジメチルステアリルア
ンモニウムブロマイド、ステアリルトリメチルアンモニ
ウムクロライド、ベンジルジメチルテトラデシルアンモ
ニウムアセテートなどの第４級アンモニウム塩がある。
また、２−エチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダ
ゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−メチル−
４−エチルイミダゾール、１−ブチルイミダゾール、１
−プロピル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−
２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチ
ルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイ
ミダゾール、１−シアノエチル−２−フエニルイミダゾ
ール、１−アジン−２−メチルイミダゾール、１−アジ
ン−２−ウンデシルイミダゾールなどのイミダゾール
類、トリフエニルホスフインテトラフエニルボレート、
テトラフエニルホスホニウムテトラフエニルボレート、
トリエチルアミンテトラフエニルボレート、Ｎ−メチル
モルホリンテトラフエニルボレート、２−エチル−４−
メチルイミダゾールテトラフエニルボレート、２−エチ
ル−1,4−ジメチルイミダゾールテトラフエニルボレー
トなどのテトラフエニルボロン塩などがある。
ゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−メチル−
４−エチルイミダゾール、１−ブチルイミダゾール、１
−プロピル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−
２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチ
ルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイ
ミダゾール、１−シアノエチル−２−フエニルイミダゾ
ール、１−アジン−２−メチルイミダゾール、１−アジ
ン−２−ウンデシルイミダゾールなどのイミダゾール
類、トリフエニルホスフインテトラフエニルボレート、
テトラフエニルホスホニウムテトラフエニルボレート、
トリエチルアミンテトラフエニルボレート、Ｎ−メチル
モルホリンテトラフエニルボレート、２−エチル−４−
メチルイミダゾールテトラフエニルボレート、２−エチ
ル−1,4−ジメチルイミダゾールテトラフエニルボレー
トなどのテトラフエニルボロン塩などがある。
本発明においては樹脂組成物に、目的と用途に応じて、
各種の無機物質や添加剤を配合して用いることが出来
る。それらの具体例を挙げればジルコン、シリカ、溶融
石英ガラス、アルミナ、水酸化アルミニウム、ガラス、
石英ガラス、ケイ酸カルシウム、石コウ、炭酸カルシウ
ム、マグネサイト、クレー、カオリン、タルク、鉄粉、
銅粉、マイカ、アスベスト、炭化ケイ素、窒化ホウ素、
二硫化モリブデン、鉛化合物、鉛酸化物、亜鉛華、チタ
ン白、カーボンブラツクなどの充てん剤、あるいは、高
級脂肪酸、ワツクス類などの離型剤、エポキシシラン、
ビニルシラン、アミノシラン、ボラン系化合物、アルコ
キシチタネート系化合物、アルミニウムキレート化合物
などのカツプリング剤などである。更に、アンチモン、
リン化合物、臭素や塩素を含む公知の難燃化剤を用いる
ことが出来る。
各種の無機物質や添加剤を配合して用いることが出来
る。それらの具体例を挙げればジルコン、シリカ、溶融
石英ガラス、アルミナ、水酸化アルミニウム、ガラス、
石英ガラス、ケイ酸カルシウム、石コウ、炭酸カルシウ
ム、マグネサイト、クレー、カオリン、タルク、鉄粉、
銅粉、マイカ、アスベスト、炭化ケイ素、窒化ホウ素、
二硫化モリブデン、鉛化合物、鉛酸化物、亜鉛華、チタ
ン白、カーボンブラツクなどの充てん剤、あるいは、高
級脂肪酸、ワツクス類などの離型剤、エポキシシラン、
ビニルシラン、アミノシラン、ボラン系化合物、アルコ
キシチタネート系化合物、アルミニウムキレート化合物
などのカツプリング剤などである。更に、アンチモン、
リン化合物、臭素や塩素を含む公知の難燃化剤を用いる
ことが出来る。
本発明においては、半導体装置を封止するための装置、
方法は特に限定されず、例えば前記したような成分から
なる組成物をもつて、注型、トランスフア成形など公知
の方法が適用できる。
方法は特に限定されず、例えば前記したような成分から
なる組成物をもつて、注型、トランスフア成形など公知
の方法が適用できる。
なお、本発明に使用される不飽和イミドアルコキシシラ
ン系化合物と成膜材料から形成された保護皮膜は、脂脂
封止型のみでなく、ガラス融着セラミツク封止や半田融
着セラミツク封止など他の型の封止方式による半導体装
置にも、同様に適用できる。
ン系化合物と成膜材料から形成された保護皮膜は、脂脂
封止型のみでなく、ガラス融着セラミツク封止や半田融
着セラミツク封止など他の型の封止方式による半導体装
置にも、同様に適用できる。
以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、
本発明はこれら実施例に限定されない。
本発明はこれら実施例に限定されない。
実施例１〜３ γ−アミノプロピル トリエトキシシラン:H2NC3H6Si
（OC2H5）３（KBE903:信越化学社製）120重量部に、無
水マレイン酸20重量部を加え、100〜140℃、40分間加熱
反応させた。第１図に、当該反応生成物の赤外線吸収ス
ペクトルを、波数（cm-1、横軸）と透過率（％、縦軸）
との関係でグラフとして示す。第１図から明らかなよう
に、1710cm-1、1780cm-1にイミド結合に基づく特性吸収
が認められる。
（OC2H5）３（KBE903:信越化学社製）120重量部に、無
水マレイン酸20重量部を加え、100〜140℃、40分間加熱
反応させた。第１図に、当該反応生成物の赤外線吸収ス
ペクトルを、波数（cm-1、横軸）と透過率（％、縦軸）
との関係でグラフとして示す。第１図から明らかなよう
に、1710cm-1、1780cm-1にイミド結合に基づく特性吸収
が認められる。
上記反応生成物（マレイミドシラン）を２重量％含有す
るトルエン−イソプロピルアルコールの等量混合溶液
を、300個の256kbit−Ｄ・RAMメモリLSIチツプ上に塗布
した後、100〜150℃、60分間加熱処理した。
るトルエン−イソプロピルアルコールの等量混合溶液
を、300個の256kbit−Ｄ・RAMメモリLSIチツプ上に塗布
した後、100〜150℃、60分間加熱処理した。
次いで、前記LSIチツプの100個については、ポリイミド
前駆体（ポリアミツク酸の15％Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドンワニス）による150℃、１時間＋250℃、２時間の加
熱処理を行つた。
前駆体（ポリアミツク酸の15％Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドンワニス）による150℃、１時間＋250℃、２時間の加
熱処理を行つた。
また、前記LSIチツプの100個については、シリコーンゲ
ルで200℃、２時間加熱処理して80〜130μｍの処理膜を
設けた。
ルで200℃、２時間加熱処理して80〜130μｍの処理膜を
設けた。
更に、残りの100個のLSIチツプについては、ポリマーコ
ートをせずに、次のエポキシ樹脂系封止材料を用いて、
180℃、70kg/cm2、1.5分間の条件でトランスフア成形し
て、レジンパツケージ型メモリ用LSI（16pin、256kbit
メモリLSI）を作製した。
ートをせずに、次のエポキシ樹脂系封止材料を用いて、
180℃、70kg/cm2、1.5分間の条件でトランスフア成形し
て、レジンパツケージ型メモリ用LSI（16pin、256kbit
メモリLSI）を作製した。
上記のモールド品は、121℃、２気圧過飽和水蒸気中に
所定時間放置した後、素子上のパツド部Al電極が腐食し
て断線するか否かをチエツクした〔プレツシヤー クツ
カー テスト（Pressure Cooker Test）〕。
所定時間放置した後、素子上のパツド部Al電極が腐食し
て断線するか否かをチエツクした〔プレツシヤー クツ
カー テスト（Pressure Cooker Test）〕。
その結果を、後記各例と共に、後記第１表に示す。
参考例１ ノボラツク型のオルトクレゾール−ホルムアルデヒド樹
脂とエピクロロヒドリンとの反応により得られるエポキ
シ樹脂（軟化点:78〜83℃、エポキシ当量:195）100重量
部、硬化剤としてノボラツク型フエノール樹脂（日立化
成社製）を55重量部、触媒としてトリエチルアミンテト
ラフエニルボレート（TEA−Ｋ）2.5重量部、カツプリン
グ剤としてエポキシシランKBM303（信越化学社製）2.0
重量部、難燃化剤として赤リン2.5重量部、三酸化アン
チモン2.0重量部、ヘキストワツクスＥ（ヘキストジヤ
パン社製）2.0重量部、フイラーとして溶融石英ガラス
粉480重量部、着色剤としてカーボンブラツクCM−800
（キヤボツト社製）2.0重量部を配合した。
脂とエピクロロヒドリンとの反応により得られるエポキ
シ樹脂（軟化点:78〜83℃、エポキシ当量:195）100重量
部、硬化剤としてノボラツク型フエノール樹脂（日立化
成社製）を55重量部、触媒としてトリエチルアミンテト
ラフエニルボレート（TEA−Ｋ）2.5重量部、カツプリン
グ剤としてエポキシシランKBM303（信越化学社製）2.0
重量部、難燃化剤として赤リン2.5重量部、三酸化アン
チモン2.0重量部、ヘキストワツクスＥ（ヘキストジヤ
パン社製）2.0重量部、フイラーとして溶融石英ガラス
粉480重量部、着色剤としてカーボンブラツクCM−800
（キヤボツト社製）2.0重量部を配合した。
次いで、75〜80℃に加熱された２本ロール（８インチ
径）で８分間混練した後、冷却、粗粉砕して半導体封止
用の樹脂組成物を得た。
径）で８分間混練した後、冷却、粗粉砕して半導体封止
用の樹脂組成物を得た。
実施例４〜６ Ｎ−（β−アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメ
トキシシラン120重量部に、テトラヒドロフタル酸無水
物20重量部を加え、100〜140℃で30分間加熱反応させ
た。
トキシシラン120重量部に、テトラヒドロフタル酸無水
物20重量部を加え、100〜140℃で30分間加熱反応させ
た。
反応の結果得られたフタルイミドシランを2.0重量％含
有するトルエン−イソプロピルアルコールの等量混合溶
液を、前記実施例と同様にして、256kbit−Ｄ・RAMメモ
リLSI上に塗布した後、100〜150℃、60分間加熱処理し
た。
有するトルエン−イソプロピルアルコールの等量混合溶
液を、前記実施例と同様にして、256kbit−Ｄ・RAMメモ
リLSI上に塗布した後、100〜150℃、60分間加熱処理し
た。
次に、前記実施例と同様なエポキシ樹脂系封止材料を用
いて、同じ成形条件でトランスフア成形して、レジンパ
ツケージ型メモリ用LSIを作成した。
いて、同じ成形条件でトランスフア成形して、レジンパ
ツケージ型メモリ用LSIを作成した。
これらの耐湿信頼性の結果を第１表に示した。
〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明の封止型半導体装置は、耐
湿及び耐熱性に優れており、それに伴い、水の侵入が防
止され、信頼性の高い動作が可能であるという顕著な効
果が奏せられる。
湿及び耐熱性に優れており、それに伴い、水の侵入が防
止され、信頼性の高い動作が可能であるという顕著な効
果が奏せられる。
第１図は、本発明で使用するカツプリング剤の１例の化
合物の赤外線吸収スペクトルを示すグラフである。
合物の赤外線吸収スペクトルを示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 阿部 英俊 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 金城 徳幸 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】封止型半導体装置において、その回路の表
面の少なくとも一部が、下記一般式I: 〔式中、Ｄはエチレン性不飽和二重結合を有する基、Ｘ
は式CH2ｍ、CH2mNHCH2 １、−CONHCH2
ｍ、 （式中、ｍ及び１は同一又は異なり１〜８の数を示す）
で表される２価の基、R1及びR2は同一又は異なりアルキ
ル基そしてｎは０、１又は２の数を示す〕で表される不
飽和イミドアルコキシシラン系化合物なるカツプリング
剤を含有する処理剤を用いて形成された被覆層を介して
封止されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】該処理剤が、該カツプリング剤と成膜材料
とからなるものである特許請求の範囲第１項記載の半導
体装置。 - 【請求項３】該被覆層が、該カツプリング剤を加熱焼付
けした層である特許請求の範囲第１項記載の半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15597285A JPH0680754B2 (ja) | 1985-07-17 | 1985-07-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15597285A JPH0680754B2 (ja) | 1985-07-17 | 1985-07-17 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6218055A JPS6218055A (ja) | 1987-01-27 |
| JPH0680754B2 true JPH0680754B2 (ja) | 1994-10-12 |
Family
ID=15617557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15597285A Expired - Lifetime JPH0680754B2 (ja) | 1985-07-17 | 1985-07-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0680754B2 (ja) |
-
1985
- 1985-07-17 JP JP15597285A patent/JPH0680754B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6218055A (ja) | 1987-01-27 |
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