JPH06813A - ガリウム砒素単結晶の切断方法 - Google Patents
ガリウム砒素単結晶の切断方法Info
- Publication number
- JPH06813A JPH06813A JP18624092A JP18624092A JPH06813A JP H06813 A JPH06813 A JP H06813A JP 18624092 A JP18624092 A JP 18624092A JP 18624092 A JP18624092 A JP 18624092A JP H06813 A JPH06813 A JP H06813A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cutting
- wafer
- single crystal
- gallium arsenide
- ingot
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/02—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
- B28D5/022—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
- B28D5/028—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels with a ring blade having an inside cutting edge
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ガリウム砒素の単結晶の棒を切断してウェハ
を得るための切断方法に関し、ウェハの反りによる切断
の不安定性を除去することを目的とする。 【構成】 ガリウム砒素単結晶の棒を切断してウェハを
得る際に、ガリウム砒素単結晶の結晶異方性によるウェ
ハの反りを利用し、内周刃カッタの切り込み側が常に開
くように単結晶の棒と内周刃カッタとの間に相対的な動
きを与えながら切断する。
を得るための切断方法に関し、ウェハの反りによる切断
の不安定性を除去することを目的とする。 【構成】 ガリウム砒素単結晶の棒を切断してウェハを
得る際に、ガリウム砒素単結晶の結晶異方性によるウェ
ハの反りを利用し、内周刃カッタの切り込み側が常に開
くように単結晶の棒と内周刃カッタとの間に相対的な動
きを与えながら切断する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ガリウム砒素の単結晶
の棒を切断してウェハを得るための切断方法に関するも
のである。
の棒を切断してウェハを得るための切断方法に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】ガリウム砒素(GaAs)の単結晶は、
<100>方向を結晶成長方向としてLEC法などによ
って製造され、得られた単結晶の棒(以下、インゴッ
ト、という)は外周を円筒状に研削され、さらにオリエ
ンテーションフラット研削された後に内周刃カッタによ
ってウェハ状に切り出される。
<100>方向を結晶成長方向としてLEC法などによ
って製造され、得られた単結晶の棒(以下、インゴッ
ト、という)は外周を円筒状に研削され、さらにオリエ
ンテーションフラット研削された後に内周刃カッタによ
ってウェハ状に切り出される。
【0003】図2は、内周刃カッタ1によるGaAsイ
ンゴット2の切断状況を示す図である。内周刃カッタ1
は同心円の穴1aを有する円板で、穴1aの内周部が刃
先となっており、この刃先にダイヤモンド砥粒1bを電
鋳したものである。インゴット2からウェハ3を切り出
す際には、カッタ1の穴1a内にインゴット2を挿入
し、切断部にクーラント液4を注ぎ込みながらカーボン
ベース5を上昇させることにより切断する。
ンゴット2の切断状況を示す図である。内周刃カッタ1
は同心円の穴1aを有する円板で、穴1aの内周部が刃
先となっており、この刃先にダイヤモンド砥粒1bを電
鋳したものである。インゴット2からウェハ3を切り出
す際には、カッタ1の穴1a内にインゴット2を挿入
し、切断部にクーラント液4を注ぎ込みながらカーボン
ベース5を上昇させることにより切断する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】内周刃カッタ1でウェ
ハ3を切り出す場合、GaAs特有の結晶異方性を反映
して、図3に示すように、(100)面はインゴット側
(図中で向こう側)に反り、斜線で示す(0 -1 -1)面
(ここで、−1は「上バーつき1」を表す、以下同様)
はインゴットと反対側(図中で手前側)に反り、全体と
してウェハ3が鞍型に反ってしまうという不都合があ
る。
ハ3を切り出す場合、GaAs特有の結晶異方性を反映
して、図3に示すように、(100)面はインゴット側
(図中で向こう側)に反り、斜線で示す(0 -1 -1)面
(ここで、−1は「上バーつき1」を表す、以下同様)
はインゴットと反対側(図中で手前側)に反り、全体と
してウェハ3が鞍型に反ってしまうという不都合があ
る。
【0005】ウェハ3の反りが、図4に示すように、切
断部を上方から見た場合に内周刃の入口側Aでインゴッ
ト2側に反ったときには、クーラント液4がせき止めら
れて切断部にまで届かず、ソウマーク、割れ等の不良を
生じる。逆に、ウェハ3の反りが、図5に示すように、
内周刃の入口側Aでインゴット2と反対側に反ったとき
には、クーラント液4の流れがよくなり、安定した切断
が行える。
断部を上方から見た場合に内周刃の入口側Aでインゴッ
ト2側に反ったときには、クーラント液4がせき止めら
れて切断部にまで届かず、ソウマーク、割れ等の不良を
生じる。逆に、ウェハ3の反りが、図5に示すように、
内周刃の入口側Aでインゴット2と反対側に反ったとき
には、クーラント液4の流れがよくなり、安定した切断
が行える。
【0006】ところが、従来の切断方法では、切断方向
が一定方向に定められているため、切断全体にわたって
内周刃の入口側Aでウェハ3の反りが内周刃カッタ1か
ら離れるように切断することが出来ず、部分的に切断が
不安定になるという不都合が生じる。
が一定方向に定められているため、切断全体にわたって
内周刃の入口側Aでウェハ3の反りが内周刃カッタ1か
ら離れるように切断することが出来ず、部分的に切断が
不安定になるという不都合が生じる。
【0007】そこで、本発明はインゴットからウェハを
切り出す際に、ウェハの反りによる切断の不安定性を除
去することを目的とする。
切り出す際に、ウェハの反りによる切断の不安定性を除
去することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、ガリウム砒素
単結晶の棒を切断してウェハを得る際に、ガリウム砒素
単結晶の結晶異方性によるウェハの反りを利用し、内周
刃カッタの切り込み側が常に開くように単結晶の棒と内
周刃カッタとの間に相対的な動きを与えながら切断する
ことを特徴とする。
単結晶の棒を切断してウェハを得る際に、ガリウム砒素
単結晶の結晶異方性によるウェハの反りを利用し、内周
刃カッタの切り込み側が常に開くように単結晶の棒と内
周刃カッタとの間に相対的な動きを与えながら切断する
ことを特徴とする。
【0009】
【作用】本発明は、ガリウム砒素単結晶の棒(インゴッ
ト)を一方向に移動して切断するのではなく、ウェハが
ブロードから離れる部分に常に内周刃が入るように内周
刃カッタとインゴットホルダに任意の相対運動をさせな
がら切断することを特徴とする。このようにすれば、ク
ーラント液が常に切断部に供給され安定した切断が行え
る。
ト)を一方向に移動して切断するのではなく、ウェハが
ブロードから離れる部分に常に内周刃が入るように内周
刃カッタとインゴットホルダに任意の相対運動をさせな
がら切断することを特徴とする。このようにすれば、ク
ーラント液が常に切断部に供給され安定した切断が行え
る。
【0010】
【実施例】図1は、本発明による切断方法の一実施例を
示す概略図で、図2〜図5と同一部分には同一符号を付
して説明する。同図において、GaAs単結晶インゴッ
ト2は、内周刃カッタ1に対して上下方向に移動し、か
つ中心点Oを中心にして回転するようにインゴットホル
ダ(不図示)に保持されている。
示す概略図で、図2〜図5と同一部分には同一符号を付
して説明する。同図において、GaAs単結晶インゴッ
ト2は、内周刃カッタ1に対して上下方向に移動し、か
つ中心点Oを中心にして回転するようにインゴットホル
ダ(不図示)に保持されている。
【0011】切断開始時には、カーボンベース5が側面
に来るようにインゴット2をセットしておき、切断開始
と同時にインゴット2を上昇させ、かつ中心点Oを中心
にして内周刃カッタ1の回転方向と逆に反時計方向に回
転させる(図a)。
に来るようにインゴット2をセットしておき、切断開始
と同時にインゴット2を上昇させ、かつ中心点Oを中心
にして内周刃カッタ1の回転方向と逆に反時計方向に回
転させる(図a)。
【0012】そして、GaAsの(0 -1 -1)面がイン
ゴット2と反対側に反ることを利用し、(0 -1 -1)面
が内周刃の入口側Aに来るようにインゴット2を回転制
御し、クーラント液4が常に切断部に届くようにして切
断する(図b)。そして、最終的にはカーボンベース5
がインゴット2の下部に来る位置で切断し、ウェハ3を
切り離す(図c)。
ゴット2と反対側に反ることを利用し、(0 -1 -1)面
が内周刃の入口側Aに来るようにインゴット2を回転制
御し、クーラント液4が常に切断部に届くようにして切
断する(図b)。そして、最終的にはカーボンベース5
がインゴット2の下部に来る位置で切断し、ウェハ3を
切り離す(図c)。
【0013】
【発明の効果】本発明によれば、切断中にインゴットを
回転させ、切断全体にわたり内周刃がインゴットに入る
側で常にウェハが内周刃から離れる方向に反るようにし
て切断するので、クーランド液の流れがよくなり、切断
による不良を除去することが可能となる。
回転させ、切断全体にわたり内周刃がインゴットに入る
側で常にウェハが内周刃から離れる方向に反るようにし
て切断するので、クーランド液の流れがよくなり、切断
による不良を除去することが可能となる。
【図1】本発明による切断方法の一実施例を示す概略図
である。
である。
【図2】内周刃カッタによるインゴットの切断状況を示
す図である。
す図である。
【図3】ウェハの反りを説明するための図である。
【図4】切断部を上方から見た場合のウェハの反りを示
す図である。
す図である。
【図5】切断部を上方から見た場合のウェハの反りを示
す図である。
す図である。
1 内周刃カッタ 2 インゴット 3 ウェハ 4 クーラント液 5 カーボンベース
Claims (1)
- 【請求項1】 ガリウム砒素単結晶の棒を切断してウェ
ハを得る際に、前記ガリウム砒素単結晶の結晶異方性に
よる前記ウェハの反りを利用し、内周刃カッタの切り込
み側が常に開くように前記単結晶の棒と前記内周刃カッ
タとの間に相対的な動きを与えながら切断することを特
徴とするガリウム砒素単結晶の切断方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18624092A JPH06813A (ja) | 1992-06-19 | 1992-06-19 | ガリウム砒素単結晶の切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18624092A JPH06813A (ja) | 1992-06-19 | 1992-06-19 | ガリウム砒素単結晶の切断方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06813A true JPH06813A (ja) | 1994-01-11 |
Family
ID=16184809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18624092A Pending JPH06813A (ja) | 1992-06-19 | 1992-06-19 | ガリウム砒素単結晶の切断方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06813A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6574752B1 (en) | 1999-07-15 | 2003-06-03 | International Business Machines Corporation | Method and system for error isolation during PCI bus configuration cycles |
-
1992
- 1992-06-19 JP JP18624092A patent/JPH06813A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6574752B1 (en) | 1999-07-15 | 2003-06-03 | International Business Machines Corporation | Method and system for error isolation during PCI bus configuration cycles |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6595845B1 (en) | Outer-diameter blade, inner-diameter blade, core drill and processing machines using same ones | |
| JPS6135330A (ja) | 超ミクロトーム用工具の加工方法 | |
| JPH11320356A (ja) | 薄板ワークの平面研削方法およびその研削装置 | |
| JP3580311B1 (ja) | 表裏識別した矩形窒化物半導体基板 | |
| JP2513477B2 (ja) | 半導体材料のウエ−ハを製造する方法 | |
| JPS631508A (ja) | 硬い非金属材料の切断方法及びその装置 | |
| JP2003236735A (ja) | ウエハ研削方法 | |
| US4488930A (en) | Process for producing circular gallium arsenide wafer | |
| JPH06813A (ja) | ガリウム砒素単結晶の切断方法 | |
| JPH03177023A (ja) | エピタキシャル・ウェーハの調製方法 | |
| US20260090298A1 (en) | Silicon wafer with laser mark and manufacturing method of the same | |
| JPH06776A (ja) | 内周刃カッタ | |
| JP2006203071A (ja) | Iii−v族化合物半導体単結晶基板 | |
| US6367467B1 (en) | Holding unit for semiconductor wafer sawing | |
| JPH071341A (ja) | 内周刃カッタ | |
| JPH08118104A (ja) | バイト | |
| JPH06188308A (ja) | ダイシングブレード | |
| JPS5981063A (ja) | カツタ刃 | |
| JP4371853B2 (ja) | 基板の切断方法 | |
| JPH0663261U (ja) | シリンダヘッドのバルブシート擦合せ工具 | |
| JPH06112310A (ja) | 裏面チッピングを防止したダイシング方法及びそのブレード | |
| JPS5820772B2 (ja) | ぜい性材料の加工方法 | |
| JPH0458546A (ja) | 半導体ウェーハの切断方法 | |
| JPS59179308A (ja) | 高精度切断機 | |
| JP3006536B2 (ja) | スライシング用内周刃 |