JPH0682760A - 強誘電性液晶表示装置の駆動方法 - Google Patents
強誘電性液晶表示装置の駆動方法Info
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- JPH0682760A JPH0682760A JP23494392A JP23494392A JPH0682760A JP H0682760 A JPH0682760 A JP H0682760A JP 23494392 A JP23494392 A JP 23494392A JP 23494392 A JP23494392 A JP 23494392A JP H0682760 A JPH0682760 A JP H0682760A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 非選択電圧を印加した走査電極と書換え電圧
を印加した信号電極から構成される第１画素と、非選択
電圧を印加した走査電極と保持電圧を印加した信号電極
から構成される第２画素へ、正電圧と負電圧から構成さ
れる両極性パルスを複数回印加し、第１および第２画素
の透過光量の変化を等しくし、選択電圧を印加した走査
電極と保持電圧を印加した信号電極から構成される第３
画素へ、強誘電性液晶分子に働く誘電異方性負の効果が
大きな領域の正又は負電圧と、強誘電性液晶分子に働く
誘電異方性負の効果が小さな領域の負又は正電圧から構
成される両極性パルスを複数回印加し、第３画素の透過
光量の変化を第１及び第２画素の透過光量の変化に等し
くするか、またはそれより小さくすると共に、液晶パネ
ルを構成する強誘電性液晶分子の温度に合わせて、第
１、第２及び第３画素へ印加する両極性パルスの印加回
数を変化させることを特徴とする。 【効果】 通常使われる低温で良好な表示品位を与える
ことが可能である。
を印加した信号電極から構成される第１画素と、非選択
電圧を印加した走査電極と保持電圧を印加した信号電極
から構成される第２画素へ、正電圧と負電圧から構成さ
れる両極性パルスを複数回印加し、第１および第２画素
の透過光量の変化を等しくし、選択電圧を印加した走査
電極と保持電圧を印加した信号電極から構成される第３
画素へ、強誘電性液晶分子に働く誘電異方性負の効果が
大きな領域の正又は負電圧と、強誘電性液晶分子に働く
誘電異方性負の効果が小さな領域の負又は正電圧から構
成される両極性パルスを複数回印加し、第３画素の透過
光量の変化を第１及び第２画素の透過光量の変化に等し
くするか、またはそれより小さくすると共に、液晶パネ
ルを構成する強誘電性液晶分子の温度に合わせて、第
１、第２及び第３画素へ印加する両極性パルスの印加回
数を変化させることを特徴とする。 【効果】 通常使われる低温で良好な表示品位を与える
ことが可能である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置の駆動方法
に関し、特に強誘電性液晶（以下ＦＬＣと略称する）パ
ネルの表示装置の駆動方法に関する。
に関し、特に強誘電性液晶（以下ＦＬＣと略称する）パ
ネルの表示装置の駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＦＬＣパネルの構成は図３に概略的な断
面図で示されるものである。即ち、２枚のガラス基板５
a,５b は互いに対向させて配置され、一方のガラス基板
５a の表面にはインジウム錫酸化物（以下ＩＴＯと略称
する）等からなる透明な信号電極Ｓが複数本互いに平行
に配置されており、その上はＳｉＯ2 等からなる透明な
絶縁膜６a で被覆されている。信号電極Ｓと対向するも
う一方のガラス基板５bの表面にはＩＴＯ等からなる透
明な走査電極Ｌが信号電極Ｓと直交する向きに複数本互
いに平行に配置されており、その上はＳｉＯ2 からなる
透明な絶縁膜６bで被覆されている。
面図で示されるものである。即ち、２枚のガラス基板５
a,５b は互いに対向させて配置され、一方のガラス基板
５a の表面にはインジウム錫酸化物（以下ＩＴＯと略称
する）等からなる透明な信号電極Ｓが複数本互いに平行
に配置されており、その上はＳｉＯ2 等からなる透明な
絶縁膜６a で被覆されている。信号電極Ｓと対向するも
う一方のガラス基板５bの表面にはＩＴＯ等からなる透
明な走査電極Ｌが信号電極Ｓと直交する向きに複数本互
いに平行に配置されており、その上はＳｉＯ2 からなる
透明な絶縁膜６bで被覆されている。
【０００３】各絶縁膜６a,６b 上にはラビング処理など
施したポリビニルアルコール等からなる透明な配向膜７
a,７b が各々形成されている。この２枚のガラス基板５
a,５b は一部に注入口を残して封止剤８で貼り合わさ
れ、その注入口から配向膜７a,７b で挟まれる空間内に
真空注入によってＦＬＣ９が導入された後、上記注入口
は封止剤８で封止される。このようにして貼り合わせた
２枚のガラス基板５a,５b は、互いの偏光軸が直交する
よう配置した２枚の偏光板１０a,１０b で挟まれてい
る。
施したポリビニルアルコール等からなる透明な配向膜７
a,７b が各々形成されている。この２枚のガラス基板５
a,５b は一部に注入口を残して封止剤８で貼り合わさ
れ、その注入口から配向膜７a,７b で挟まれる空間内に
真空注入によってＦＬＣ９が導入された後、上記注入口
は封止剤８で封止される。このようにして貼り合わせた
２枚のガラス基板５a,５b は、互いの偏光軸が直交する
よう配置した２枚の偏光板１０a,１０b で挟まれてい
る。
【０００４】図４は、このＦＬＣパネル１の走査電極Ｌ
に走査側駆動回路２を接続し、信号電極Ｓに信号側駆動
回路３を接続したＦＬＣディスプレイ（以下ＦＬＣＤと
略称する）４の概略的な構成を示す平面図である。ここ
では説明を簡単にする為に走査電極Ｌが１６本で信号電
極Ｓが１６本の場合、つまり１６×１６の画素で構成さ
れているＦＬＣＤ４の場合について示しており、走査電
極Ｌの各々は符号Ｌに添字ｉ（ｉ＝０〜Ｆ）を付加して
区別し、信号電極Ｓの各々は符号Ｓに添字ｊ（ｊ＝０〜
Ｆ）を付加して区別している。また、以後の説明では、
任意の走査電極Ｌi と任意の信号電極Ｓj が交差する部
分の画素を符号Ａijで表すものとする。
に走査側駆動回路２を接続し、信号電極Ｓに信号側駆動
回路３を接続したＦＬＣディスプレイ（以下ＦＬＣＤと
略称する）４の概略的な構成を示す平面図である。ここ
では説明を簡単にする為に走査電極Ｌが１６本で信号電
極Ｓが１６本の場合、つまり１６×１６の画素で構成さ
れているＦＬＣＤ４の場合について示しており、走査電
極Ｌの各々は符号Ｌに添字ｉ（ｉ＝０〜Ｆ）を付加して
区別し、信号電極Ｓの各々は符号Ｓに添字ｊ（ｊ＝０〜
Ｆ）を付加して区別している。また、以後の説明では、
任意の走査電極Ｌi と任意の信号電極Ｓj が交差する部
分の画素を符号Ａijで表すものとする。
【０００５】この走査側駆動回路２は走査電極Ｌに電圧
を印加する為の回路であり、図示しないアドレス デコ
ーダーとラッチとアナログ スウィッチから構成され、
指定されたアドレスＡx に対応する走査電極Ｌi へ選択
電圧ＶC1を印加し、それ以外の走査電極Ｌｋ（ｋ≠ｉ）
へ非選択電圧ＶC0を印加する。また信号側駆動回路３は
信号電極Ｓに電圧を印加する為の回路であり、図示しな
いシフトレジスタとラッチとアナログ スウィッチから
構成され、データＤＡＴＡが「１」に対応する信号電極
Ｓへアクテブ電圧ＶS1を印加し、データＤＡＴＡが
「０」に対応する信号電極Ｓへノンアクテブ電圧ＶS0を
印加する。
を印加する為の回路であり、図示しないアドレス デコ
ーダーとラッチとアナログ スウィッチから構成され、
指定されたアドレスＡx に対応する走査電極Ｌi へ選択
電圧ＶC1を印加し、それ以外の走査電極Ｌｋ（ｋ≠ｉ）
へ非選択電圧ＶC0を印加する。また信号側駆動回路３は
信号電極Ｓに電圧を印加する為の回路であり、図示しな
いシフトレジスタとラッチとアナログ スウィッチから
構成され、データＤＡＴＡが「１」に対応する信号電極
Ｓへアクテブ電圧ＶS1を印加し、データＤＡＴＡが
「０」に対応する信号電極Ｓへノンアクテブ電圧ＶS0を
印加する。
【０００６】この画素Ａijを構成するＦＬＣ分子１１
は、図５（Ｂ）に示すように分子の長軸方向と垂直に自
発分極Ｐs を持ち、走査電極Ｌの電圧と信号電極Ｓの電
圧から作られる電界Ｅと自発分極Ｐs のベクトル積に比
例した力を受け２倍のチルト角２θの頂角を持った円錐
１２の表面上を移動する。ＦＬＣ分子１１は２つの安定
状態を持ち、電界ＥによりＦＬＣ分子１１が図５（Ａ）
に示す軸１７まで移動させられると安定状態１５とな
り、電界ＥによりＦＬＣ分子１１が軸１６まで移動させ
られると安定状態１４となる性質を持つ。ＦＬＣ分子１
１をその与えられた安定状態から電界Ｅにより動かす
と、その安定状態が替わらない限り元の安定状態へ戻ろ
うとする復元力がＦＬＣ分子１１へ働く。
は、図５（Ｂ）に示すように分子の長軸方向と垂直に自
発分極Ｐs を持ち、走査電極Ｌの電圧と信号電極Ｓの電
圧から作られる電界Ｅと自発分極Ｐs のベクトル積に比
例した力を受け２倍のチルト角２θの頂角を持った円錐
１２の表面上を移動する。ＦＬＣ分子１１は２つの安定
状態を持ち、電界ＥによりＦＬＣ分子１１が図５（Ａ）
に示す軸１７まで移動させられると安定状態１５とな
り、電界ＥによりＦＬＣ分子１１が軸１６まで移動させ
られると安定状態１４となる性質を持つ。ＦＬＣ分子１
１をその与えられた安定状態から電界Ｅにより動かす
と、その安定状態が替わらない限り元の安定状態へ戻ろ
うとする復元力がＦＬＣ分子１１へ働く。
【０００７】一般に、ある温度Ｔ°において自発分極Ｐ
s と電界ＥとＦＬＣ分子１１の回転粘度ηと応答速度τ
との間には τ＝ｋ2 （Ｔ）×η／（Ｐs ×Ｅ） （１） の関係があると言われている。また、電界ＥによりＦＬ
Ｃ分子１１を軸１６から軸１７または軸１７から軸１６
へ移動させ、ＦＬＣ分子１１を一方の安定状態からもう
一方の安定状態へ変化させるのに必要なメモリパルス幅
τm と応答速度τとの間には τm ＝ｋ3 （Ｔ，Ｅ）×τ （２） の関係があると言われている。
s と電界ＥとＦＬＣ分子１１の回転粘度ηと応答速度τ
との間には τ＝ｋ2 （Ｔ）×η／（Ｐs ×Ｅ） （１） の関係があると言われている。また、電界ＥによりＦＬ
Ｃ分子１１を軸１６から軸１７または軸１７から軸１６
へ移動させ、ＦＬＣ分子１１を一方の安定状態からもう
一方の安定状態へ変化させるのに必要なメモリパルス幅
τm と応答速度τとの間には τm ＝ｋ3 （Ｔ，Ｅ）×τ （２） の関係があると言われている。
【０００８】実際、チッソ社製の以下の相転移温度を持
つ液晶組成物Ａ Ｋ Ｓｃ Ｓa Ｎ Ｉ 液晶組成物Ａ ・＜−２０°・ ５５° ・６７°・７３°・ について、温度Ｔ＝０°〜４０°の範囲で応答速度τと
メモリパルス幅τm を測定したのが図６である。
つ液晶組成物Ａ Ｋ Ｓｃ Ｓa Ｎ Ｉ 液晶組成物Ａ ・＜−２０°・ ５５° ・６７°・７３°・ について、温度Ｔ＝０°〜４０°の範囲で応答速度τと
メモリパルス幅τm を測定したのが図６である。
【０００９】図６から判るように、ＦＬＣの応答速度τ
とメモリパルス幅τm の温度依存性は非常に大きい。そ
こで、ＦＬＣパネル１に温度センサなどを付け、パネル
の温度に合わせて印加電圧Ｖやメモリパルス幅τm を変
えていくという特許出願が、例えば特開昭６２−１１８
３２６等でなされている。
とメモリパルス幅τm の温度依存性は非常に大きい。そ
こで、ＦＬＣパネル１に温度センサなどを付け、パネル
の温度に合わせて印加電圧Ｖやメモリパルス幅τm を変
えていくという特許出願が、例えば特開昭６２−１１８
３２６等でなされている。
【００１０】しかし、ＦＬＣ分子には自発分極Ｐs と電
界Ｅに比例した力の他に、ＦＬＣ分子の長軸方向と短軸
方向の誘電率の差Δεと電界Ｅの２乗に比例した力が働
く。つまりＦＬＣ分子に働く力Ｆは Ｆ＝ｋ0 ×Ｐs ×Ｅ＋ｋ1 ×Δε×Ｅ2 （３） となる。そこで誘電異方性Δεが負のＦＬＣ材料をパネ
ルへ封止すれば、ＦＬＣ分子へ働く力は、ある電界Ｅe
で最大値Ｆe を持つ。
界Ｅに比例した力の他に、ＦＬＣ分子の長軸方向と短軸
方向の誘電率の差Δεと電界Ｅの２乗に比例した力が働
く。つまりＦＬＣ分子に働く力Ｆは Ｆ＝ｋ0 ×Ｐs ×Ｅ＋ｋ1 ×Δε×Ｅ2 （３） となる。そこで誘電異方性Δεが負のＦＬＣ材料をパネ
ルへ封止すれば、ＦＬＣ分子へ働く力は、ある電界Ｅe
で最大値Ｆe を持つ。
【００１１】特願平３−２９３１７９の駆動方法は、誘
電異方性Δεが負のＦＬＣＤにおいて、ＦＬＣ分子へ電
界Ｅe を与える電圧Ｖe に対して、 Ｖ0 ／２＜Ｖe （４） なる電圧Ｖ0 ／２のときＦＬＣ分子に働く力Ｆ0 Ｆ0 ＝ｋ0 ×Ｐs ×（Ｅ0 ／２）＋ｋ1 ×Δε×（Ｅ0 ／２）2 （５） と、 Ｖ0 ＋Ｖ1 ＞Ｖe （６） なる電圧Ｖ0 ＋Ｖ1 のときＦＬＣ分子に働く力Ｆ1 Ｆ1 ＝ｋ0 ×Ｐs ×（Ｅ0 ＋Ｅ1 ）＋ｋ1 ×Δε×（Ｅ0 ＋Ｅ1 ）2 （７） との間に、 Ｆ0 ＝Ｆ1 （８） なる関係が成立する電圧Ｖ0 ／２，Ｖ0 ＋Ｖ1 が存在す
ることを利用し、図１の（Ａ）と（Ｂ）の電圧波形の組
合せ使って、以下の３つの場合 １）画素を構成するＦＬＣ分子を一方の安定状態からも
う一方の安定状態へ書き換える場合、 ２）画素を構成するＦＬＣ分子をもう一方の安定状態か
ら一方の安定状態へ書き換える場合、 ３）画素を構成するＦＬＣ分子の安定状態を書き換えな
い場合、を区別し、 １）画素をもう一方の安定状態へ書き換えるときには、
図１（Ａ）の５）の電圧と図１（Ｂ）の６）の電圧を画
素に印加し、 ２）画素を一方の安定状態へ書き換えるときには、図１
（Ａ）の６）の電圧と図１（Ｂ）の５）の電圧を画素に
印加し、 ３）画素の安定状態を書き換えないときには、図１
（Ａ）の６）の電圧と図１（Ｂ）の６）の電圧を画素に
印加する駆動方法である。
電異方性Δεが負のＦＬＣＤにおいて、ＦＬＣ分子へ電
界Ｅe を与える電圧Ｖe に対して、 Ｖ0 ／２＜Ｖe （４） なる電圧Ｖ0 ／２のときＦＬＣ分子に働く力Ｆ0 Ｆ0 ＝ｋ0 ×Ｐs ×（Ｅ0 ／２）＋ｋ1 ×Δε×（Ｅ0 ／２）2 （５） と、 Ｖ0 ＋Ｖ1 ＞Ｖe （６） なる電圧Ｖ0 ＋Ｖ1 のときＦＬＣ分子に働く力Ｆ1 Ｆ1 ＝ｋ0 ×Ｐs ×（Ｅ0 ＋Ｅ1 ）＋ｋ1 ×Δε×（Ｅ0 ＋Ｅ1 ）2 （７） との間に、 Ｆ0 ＝Ｆ1 （８） なる関係が成立する電圧Ｖ0 ／２，Ｖ0 ＋Ｖ1 が存在す
ることを利用し、図１の（Ａ）と（Ｂ）の電圧波形の組
合せ使って、以下の３つの場合 １）画素を構成するＦＬＣ分子を一方の安定状態からも
う一方の安定状態へ書き換える場合、 ２）画素を構成するＦＬＣ分子をもう一方の安定状態か
ら一方の安定状態へ書き換える場合、 ３）画素を構成するＦＬＣ分子の安定状態を書き換えな
い場合、を区別し、 １）画素をもう一方の安定状態へ書き換えるときには、
図１（Ａ）の５）の電圧と図１（Ｂ）の６）の電圧を画
素に印加し、 ２）画素を一方の安定状態へ書き換えるときには、図１
（Ａ）の６）の電圧と図１（Ｂ）の５）の電圧を画素に
印加し、 ３）画素の安定状態を書き換えないときには、図１
（Ａ）の６）の電圧と図１（Ｂ）の６）の電圧を画素に
印加する駆動方法である。
【００１２】図１（Ａ）の１）に示す波形は走査電極Ｌ
i へ印加され、その走査電極Ｌi 上の画素Ａijを構成す
るＦＬＣ分子をもう一方の安定状態へ書き換えることが
できるようにする選択電圧ＶCAであり、図１（Ａ）の
２）に示す波形は走査電極Ｌk（ｉ≠ｋ）へ印加され、
その走査電極Ｌk 上の画素Ａkjを構成するＦＬＣ分子の
安定状態を書き換えないようにする非選択電圧ＶCBであ
り、図１（Ａ）の３）に示す波形は信号電極Ｓj へ印加
され、選択電圧ＶCAが印加されている走査電極Ｌi 上の
画素Ａijを構成するＦＬＣ分子をもう一方の安定状態へ
書き換えるアクテブ電圧ＶSCであり、図１（Ａ）の４）
に示す波形は信号電極Ｓl へ印加され、選択電圧ＶCAが
印加されている走査電極Ｌi 上の画素Ａilを構成するＦ
ＬＣ分子の安定状態を書き換えないノンアクテブ電圧Ｖ
SDである。
i へ印加され、その走査電極Ｌi 上の画素Ａijを構成す
るＦＬＣ分子をもう一方の安定状態へ書き換えることが
できるようにする選択電圧ＶCAであり、図１（Ａ）の
２）に示す波形は走査電極Ｌk（ｉ≠ｋ）へ印加され、
その走査電極Ｌk 上の画素Ａkjを構成するＦＬＣ分子の
安定状態を書き換えないようにする非選択電圧ＶCBであ
り、図１（Ａ）の３）に示す波形は信号電極Ｓj へ印加
され、選択電圧ＶCAが印加されている走査電極Ｌi 上の
画素Ａijを構成するＦＬＣ分子をもう一方の安定状態へ
書き換えるアクテブ電圧ＶSCであり、図１（Ａ）の４）
に示す波形は信号電極Ｓl へ印加され、選択電圧ＶCAが
印加されている走査電極Ｌi 上の画素Ａilを構成するＦ
ＬＣ分子の安定状態を書き換えないノンアクテブ電圧Ｖ
SDである。
【００１３】図１（Ａ）の５）に示す波形は走査電極Ｌ
i へ選択電圧ＶCAが印加され、信号電極Ｓj へアクテブ
電圧ＶSCが印加されたとき、画素Ａijを構成するＦＬＣ
分子をもう一方の安定状態へ書き換える電圧Ａ−Ｃであ
り、図１（Ａ）の６）に示す波形は走査電極Ｌi へ選択
電圧ＶCAが印加され、信号電極Ｓl へノンアクテブ電圧
ＶSDが印加されたとき、画素Ａilを構成するＦＬＣ分子
の安定状態を書き換えない電圧Ａ−Ｄであり、図１
（Ａ）の７）に示す波形は走査電極Ｌｋへ非選択電圧Ｖ
CBが印加され、信号電極Ｓj へアクテブ電圧ＶSCが印加
されたとき、画素Ａkjを構成するＦＬＣ分子へ印加され
る電圧Ｂ−Ｃであり、図１（Ａ）の８）に示す波形は走
査電極Ｌｋへ非選択電圧ＶCBが印加され、信号電極Ｓl
へノンアクテブ電圧ＶSDが印加されたとき、画素Ａklを
構成するＦＬＣ分子へ印加される電圧Ｂ−Ｄである。
i へ選択電圧ＶCAが印加され、信号電極Ｓj へアクテブ
電圧ＶSCが印加されたとき、画素Ａijを構成するＦＬＣ
分子をもう一方の安定状態へ書き換える電圧Ａ−Ｃであ
り、図１（Ａ）の６）に示す波形は走査電極Ｌi へ選択
電圧ＶCAが印加され、信号電極Ｓl へノンアクテブ電圧
ＶSDが印加されたとき、画素Ａilを構成するＦＬＣ分子
の安定状態を書き換えない電圧Ａ−Ｄであり、図１
（Ａ）の７）に示す波形は走査電極Ｌｋへ非選択電圧Ｖ
CBが印加され、信号電極Ｓj へアクテブ電圧ＶSCが印加
されたとき、画素Ａkjを構成するＦＬＣ分子へ印加され
る電圧Ｂ−Ｃであり、図１（Ａ）の８）に示す波形は走
査電極Ｌｋへ非選択電圧ＶCBが印加され、信号電極Ｓl
へノンアクテブ電圧ＶSDが印加されたとき、画素Ａklを
構成するＦＬＣ分子へ印加される電圧Ｂ−Ｄである。
【００１４】図１（Ｂ）の１）に示す波形は走査電極Ｌ
i へ印加され、その走査電極Ｌi 上の画素Ａijを構成す
るＦＬＣ分子を一方の安定状態へ書き換えることができ
るようにする選択電圧ＶCAであり、図１（Ｂ）の２）に
示す波形は走査電極Ｌk （ｉ≠ｋ）へ印加され、その走
査電極Ｌk 上の画素Ａkjを構成するＦＬＣ分子の安定状
態を書き換えないようにする非選択電圧ＶCBであり、図
１（Ｂ）の３）に示す波形は信号電極Ｓj へ印加され、
選択電圧ＶCAが印加されている走査電極Ｌi 上の画素Ａ
ijを構成するＦＬＣ分子を一方の安定状態へ書き換える
アクテブ電圧ＶSCであり、図１（Ｂ）の４）に示す波形
は信号電極Ｓl へ印加され、選択電圧ＶCAが印加されて
いる走査電極Ｌi 上の画素Ａilを構成するＦＬＣ分子の
安定状態を書き換えないノンアクテブ電圧ＶSDである。
i へ印加され、その走査電極Ｌi 上の画素Ａijを構成す
るＦＬＣ分子を一方の安定状態へ書き換えることができ
るようにする選択電圧ＶCAであり、図１（Ｂ）の２）に
示す波形は走査電極Ｌk （ｉ≠ｋ）へ印加され、その走
査電極Ｌk 上の画素Ａkjを構成するＦＬＣ分子の安定状
態を書き換えないようにする非選択電圧ＶCBであり、図
１（Ｂ）の３）に示す波形は信号電極Ｓj へ印加され、
選択電圧ＶCAが印加されている走査電極Ｌi 上の画素Ａ
ijを構成するＦＬＣ分子を一方の安定状態へ書き換える
アクテブ電圧ＶSCであり、図１（Ｂ）の４）に示す波形
は信号電極Ｓl へ印加され、選択電圧ＶCAが印加されて
いる走査電極Ｌi 上の画素Ａilを構成するＦＬＣ分子の
安定状態を書き換えないノンアクテブ電圧ＶSDである。
【００１５】図１（Ｂ）の５）に示す波形は走査電極Ｌ
i へ選択電圧ＶCAが印加され、信号電極Ｓj へアクテブ
電圧ＶSCが印加されたとき、画素Ａijを構成するＦＬＣ
分子を一方の安定状態へ書き換える電圧Ａ−Ｃであり、
図１（Ｂ）の６）に示す波形は走査電極Ｌi へ選択電圧
ＶCAが印加され、信号電極Ｓl へノンアクテブ電圧ＶSD
が印加されたとき、画素Ａilを構成するＦＬＣ分子の安
定状態を書き換えない電圧Ａ−Ｄであり、図１（Ｂ）の
７）に示す波形は走査電極Ｌk へ非選択電圧ＶCBが印加
され、信号電極Ｓj へアクテブ電圧ＶSCが印加されたと
き、画素Ａkjを構成するＦＬＣ分子へ印加される電圧Ｂ
−Ｃであり、図１（Ｂ）の８）に示す波形は走査電極Ｌ
k へ非選択電圧ＶCBが印加され、信号電極Ｓl へノンア
クテブ電圧ＶSDが印加されたとき、画素Ａklを構成する
ＦＬＣ分子へ印加される電圧Ｂ−Ｄである。
i へ選択電圧ＶCAが印加され、信号電極Ｓj へアクテブ
電圧ＶSCが印加されたとき、画素Ａijを構成するＦＬＣ
分子を一方の安定状態へ書き換える電圧Ａ−Ｃであり、
図１（Ｂ）の６）に示す波形は走査電極Ｌi へ選択電圧
ＶCAが印加され、信号電極Ｓl へノンアクテブ電圧ＶSD
が印加されたとき、画素Ａilを構成するＦＬＣ分子の安
定状態を書き換えない電圧Ａ−Ｄであり、図１（Ｂ）の
７）に示す波形は走査電極Ｌk へ非選択電圧ＶCBが印加
され、信号電極Ｓj へアクテブ電圧ＶSCが印加されたと
き、画素Ａkjを構成するＦＬＣ分子へ印加される電圧Ｂ
−Ｃであり、図１（Ｂ）の８）に示す波形は走査電極Ｌ
k へ非選択電圧ＶCBが印加され、信号電極Ｓl へノンア
クテブ電圧ＶSDが印加されたとき、画素Ａklを構成する
ＦＬＣ分子へ印加される電圧Ｂ−Ｄである。
【００１６】このように画素へ印加する電圧波形を決め
れば、特願平３−２９３１７９の駆動方法において、画
素を書き換えない限り、画素へは図１（Ａ）または
（Ｂ）の６）の電圧波形や図１（Ａ）の７）か８）また
は図１（Ｂ）の７）か８）の電圧波形が印加される。
れば、特願平３−２９３１７９の駆動方法において、画
素を書き換えない限り、画素へは図１（Ａ）または
（Ｂ）の６）の電圧波形や図１（Ａ）の７）か８）また
は図１（Ｂ）の７）か８）の電圧波形が印加される。
【００１７】予め、電圧Ｖ0 ／２のときＦＬＣ分子に働
く力Ｆ0 と電圧Ｖ0 ＋Ｖ1 のときＦＬＣ分子に働く力Ｆ
1 がほぼ等しくなるよう電圧Ｖ0 ／２とＶ0 ＋Ｖ1 を決
めているので、図１（Ａ）または（Ｂ）の６）の電圧波
形を画素を構成するＦＬＣ分子に印加したときの画素の
透過光量の変化と、図１（Ａ）の７）か８）または図１
（Ｂ）の７）か８）の電圧波形を画素を構成するＦＬＣ
分子に印加したときの画素の透過光量の変化はほぼ等し
いはずであり、画素を書き換えるない限り書換え周波数
に依らずフリッカのない画像表示が得られる。
く力Ｆ0 と電圧Ｖ0 ＋Ｖ1 のときＦＬＣ分子に働く力Ｆ
1 がほぼ等しくなるよう電圧Ｖ0 ／２とＶ0 ＋Ｖ1 を決
めているので、図１（Ａ）または（Ｂ）の６）の電圧波
形を画素を構成するＦＬＣ分子に印加したときの画素の
透過光量の変化と、図１（Ａ）の７）か８）または図１
（Ｂ）の７）か８）の電圧波形を画素を構成するＦＬＣ
分子に印加したときの画素の透過光量の変化はほぼ等し
いはずであり、画素を書き換えるない限り書換え周波数
に依らずフリッカのない画像表示が得られる。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】誘電異方性Δεが負の
ＦＬＣ分子へ働く力が最大となる電界Ｅe は、パネルへ
印加する電圧ＶとＦＬＣの応答速度τまたはメモリパル
ス幅τm の関係を調べ、その応答速度τまたはメモリパ
ルス幅τm が最小となる電圧Ｖe とパネルのセル厚から
判る。
ＦＬＣ分子へ働く力が最大となる電界Ｅe は、パネルへ
印加する電圧ＶとＦＬＣの応答速度τまたはメモリパル
ス幅τm の関係を調べ、その応答速度τまたはメモリパ
ルス幅τm が最小となる電圧Ｖe とパネルのセル厚から
判る。
【００１９】そこで、ＢＤＨ社の液晶組成物ＳＣＥ−８
に誘電異方性が負の化合物Ｂを添加した以下の転移温度
を示す液晶組成物Ｂ について、温度Ｔ＝２５°〜５０°の範囲で印加電圧Ｖ
とメモリパルス幅τm の関係を調べたのが図７である。
に誘電異方性が負の化合物Ｂを添加した以下の転移温度
を示す液晶組成物Ｂ について、温度Ｔ＝２５°〜５０°の範囲で印加電圧Ｖ
とメモリパルス幅τm の関係を調べたのが図７である。
【００２０】図７からメモリパルス幅τm の温度依存性
は非常に大きが、メモリパルス幅τm が最小となる電圧
Ｖe の温度依存性は非常に小さいことが判る。この結果
から、特願平３−２９３１７９の駆動方法においては、
パネルの温度が変化しても電圧Ｖ0 ／２とＶ0 ＋Ｖ1 は
あまり変化させる必要はないが、メモリパルス幅τm は
温度により大きく変化させる必要があることが判る。こ
のような誘電異方性が負の駆動方法において、特開昭６
２−１１８３２６等のように、パネルの温度に合わせて
印加電圧Ｖやメモリパルス幅τm を変えていては、温度
が高くなるほど（電圧Ｖはほぼ一定なのだから）メモリ
パルス幅τmを小さくしなければならない。
は非常に大きが、メモリパルス幅τm が最小となる電圧
Ｖe の温度依存性は非常に小さいことが判る。この結果
から、特願平３−２９３１７９の駆動方法においては、
パネルの温度が変化しても電圧Ｖ0 ／２とＶ0 ＋Ｖ1 は
あまり変化させる必要はないが、メモリパルス幅τm は
温度により大きく変化させる必要があることが判る。こ
のような誘電異方性が負の駆動方法において、特開昭６
２−１１８３２６等のように、パネルの温度に合わせて
印加電圧Ｖやメモリパルス幅τm を変えていては、温度
が高くなるほど（電圧Ｖはほぼ一定なのだから）メモリ
パルス幅τmを小さくしなければならない。
【００２１】ところが、液晶パネルは電気的にコンデン
サと同様に扱えるから、液晶パネルへ印加される電圧ｖ
を ｖ＝Ｖa ×sin （２πｆｔ） （９） とすると、容量Ｃの液晶パネルへ供給される電流ｉは ｉ＝Ｃ×ｄｖ／ｄｔ＝２πｆＣＶa ×cos （２πｆｔ） （１０） となり、周波数ｆが高いほど多くの電流が必要となる。
サと同様に扱えるから、液晶パネルへ印加される電圧ｖ
を ｖ＝Ｖa ×sin （２πｆｔ） （９） とすると、容量Ｃの液晶パネルへ供給される電流ｉは ｉ＝Ｃ×ｄｖ／ｄｔ＝２πｆＣＶa ×cos （２πｆｔ） （１０） となり、周波数ｆが高いほど多くの電流が必要となる。
【００２２】つまり、誘電異方性が負の駆動方法におい
て、従来のように温度が高くなるに従いメモリパルス幅
τm を小さくする考えでは、温度が高くなるほど走査側
駆動回路２と信号側駆動回路３から大きな電流を供給す
る必要がある。
て、従来のように温度が高くなるに従いメモリパルス幅
τm を小さくする考えでは、温度が高くなるほど走査側
駆動回路２と信号側駆動回路３から大きな電流を供給す
る必要がある。
【００２３】しかし、一般に半導体内での発熱量は電流
供給量に比例して大きくなり、半導体からの放熱量は周
囲温度が高くなるほど小さくなる。その結果、半導体の
電流供給能力は周囲温度が高くなるほど小さくなる。例
えばＮＥＣ社製のオペアンプμＰＣ１５７Ｄの出力電流
はカタログにおいて図８のように示されている。
供給量に比例して大きくなり、半導体からの放熱量は周
囲温度が高くなるほど小さくなる。その結果、半導体の
電流供給能力は周囲温度が高くなるほど小さくなる。例
えばＮＥＣ社製のオペアンプμＰＣ１５７Ｄの出力電流
はカタログにおいて図８のように示されている。
【００２４】このような半導体の出力電流特性を考える
と、誘電異方性が負の駆動方法において、温度が高くな
るに従いメモリパルス幅τm を小さくする為には、逆に
最初に動作最高温度での印加電圧の周期２ｔ0 を決め、
その温度でのメモリパルス幅τm から図１のパルスの印
加回数Ｎを決めなければならない。しかし、図８の半導
体の電流供給能力の温度変化に較べ、図６に示すＦＬＣ
パネルのメモリパルス幅τm の温度変化は非常に大きい
ので、動作最高温度での印加電圧の周期２ｔ0とメモリ
パルス幅τm の比は小さく、印加回数Ｎが小さくなるの
で、動作温度が低くなっても（印加回数Ｎが大きくでき
るのに）印加回数Ｎが一定だとコントラストが悪いまま
であるという問題がある。本発明はこのような問題点に
対してなされたものである。
と、誘電異方性が負の駆動方法において、温度が高くな
るに従いメモリパルス幅τm を小さくする為には、逆に
最初に動作最高温度での印加電圧の周期２ｔ0 を決め、
その温度でのメモリパルス幅τm から図１のパルスの印
加回数Ｎを決めなければならない。しかし、図８の半導
体の電流供給能力の温度変化に較べ、図６に示すＦＬＣ
パネルのメモリパルス幅τm の温度変化は非常に大きい
ので、動作最高温度での印加電圧の周期２ｔ0とメモリ
パルス幅τm の比は小さく、印加回数Ｎが小さくなるの
で、動作温度が低くなっても（印加回数Ｎが大きくでき
るのに）印加回数Ｎが一定だとコントラストが悪いまま
であるという問題がある。本発明はこのような問題点に
対してなされたものである。
【００２５】
【課題を解決するための手段】この発明は、互いに交差
する方向に配列した複数の走査電極と複数の信号電極と
の間に誘電異方性が負の強誘電性液晶を介在させ、走査
電極に選択電圧又は非選択電圧を選択的に印加すると共
に、信号電極に書換え電圧又は保持電圧を選択的に印加
して走査電極と信号電極とが交差する領域の各画素の表
示を変化させるようにした液晶表示装置の駆動方法であ
って、非選択電圧を印加した走査電極と書換え電圧を印
加した信号電極から構成される第１画素と、非選択電圧
を印加した走査電極と保持電圧を印加した信号電極から
構成される第２画素へ、正電圧と負電圧から構成される
両極性パルスを複数回印加し、第１および第２画素の透
過光量の変化をほぼ等しくし、選択電圧を印加した走査
電極と保持電圧を印加した信号電極から構成される第３
画素へ、強誘電性液晶分子に働く誘電異方性負の効果が
大きな領域の正又は負電圧と、強誘電性液晶分子に働く
誘電異方性負の効果が小さな領域の負又は正電圧から構
成される両極性パルスを複数回印加し、第３画素の透過
光量の変化を第１及び第２画素の透過光量の変化にほぼ
等しくするか、またはそれより小さくすると共に、液晶
パネルを構成する強誘電性液晶分子の温度に合わせて、
第１、第２及び第３画素へ印加する両極性パルスの印加
回数を変化させることにより、前述の問題点を解決する
ことを特徴とする液晶表示装置の駆動方法を与えるもの
である。
する方向に配列した複数の走査電極と複数の信号電極と
の間に誘電異方性が負の強誘電性液晶を介在させ、走査
電極に選択電圧又は非選択電圧を選択的に印加すると共
に、信号電極に書換え電圧又は保持電圧を選択的に印加
して走査電極と信号電極とが交差する領域の各画素の表
示を変化させるようにした液晶表示装置の駆動方法であ
って、非選択電圧を印加した走査電極と書換え電圧を印
加した信号電極から構成される第１画素と、非選択電圧
を印加した走査電極と保持電圧を印加した信号電極から
構成される第２画素へ、正電圧と負電圧から構成される
両極性パルスを複数回印加し、第１および第２画素の透
過光量の変化をほぼ等しくし、選択電圧を印加した走査
電極と保持電圧を印加した信号電極から構成される第３
画素へ、強誘電性液晶分子に働く誘電異方性負の効果が
大きな領域の正又は負電圧と、強誘電性液晶分子に働く
誘電異方性負の効果が小さな領域の負又は正電圧から構
成される両極性パルスを複数回印加し、第３画素の透過
光量の変化を第１及び第２画素の透過光量の変化にほぼ
等しくするか、またはそれより小さくすると共に、液晶
パネルを構成する強誘電性液晶分子の温度に合わせて、
第１、第２及び第３画素へ印加する両極性パルスの印加
回数を変化させることにより、前述の問題点を解決する
ことを特徴とする液晶表示装置の駆動方法を与えるもの
である。
【００２６】
【作用】ＦＬＣ分子のメモリパルス幅τm や応答速度τ
の温度依存性が非常に大きいのは、一般に（１）式から
自発分極Ｐs か回転粘度ηの温度依存性が非常に大きい
為と予想できる。ところが、従来例の液晶組成物Ａのメ
モリパルス幅τm や応答速度τの温度依存性は図４のよ
うに数倍以上のオーダーで変化するのに対し、自発分極
Ｐs の温度依存性を調べると図９のように数割のオーダ
ーでしか変化しかない。
の温度依存性が非常に大きいのは、一般に（１）式から
自発分極Ｐs か回転粘度ηの温度依存性が非常に大きい
為と予想できる。ところが、従来例の液晶組成物Ａのメ
モリパルス幅τm や応答速度τの温度依存性は図４のよ
うに数倍以上のオーダーで変化するのに対し、自発分極
Ｐs の温度依存性を調べると図９のように数割のオーダ
ーでしか変化しかない。
【００２７】このことから、ＦＬＣ分子のメモリパルス
幅τm や応答速度τの温度依存性が非常に大きいのは回
転粘度ηの温度依存性が非常に大きい為と結論づけられ
る。また、従来例の液晶組成物Ｂの電圧Ｖ−メモリパル
ス幅τm 特性の温度依存性は図７のようになり、ＦＬＣ
分子へ働く力が最小となる電圧Ｖe の温度依存性があま
り見られない。この事と、ＦＬＣ分子に働く力が（３）
式で表され、図９のようにＦＬＣ分子の自発分極Ｐs の
温度依存性が小さい事から、誘電異方性Δεの温度依存
性も小さいはずであり、（８）式を満たす電圧Ｖ0 ／２
と電圧Ｖ0 ＋Ｖ1 の温度依存性も小さいはずだというこ
とが予想できる。
幅τm や応答速度τの温度依存性が非常に大きいのは回
転粘度ηの温度依存性が非常に大きい為と結論づけられ
る。また、従来例の液晶組成物Ｂの電圧Ｖ−メモリパル
ス幅τm 特性の温度依存性は図７のようになり、ＦＬＣ
分子へ働く力が最小となる電圧Ｖe の温度依存性があま
り見られない。この事と、ＦＬＣ分子に働く力が（３）
式で表され、図９のようにＦＬＣ分子の自発分極Ｐs の
温度依存性が小さい事から、誘電異方性Δεの温度依存
性も小さいはずであり、（８）式を満たす電圧Ｖ0 ／２
と電圧Ｖ0 ＋Ｖ1 の温度依存性も小さいはずだというこ
とが予想できる。
【００２８】そこで、ＦＬＣパネル１の動作温度をＴ0
°〜Ｔ1 °とし電圧Ｖ0 ／２と電圧Ｖ0 ＋Ｖ1 をパネル
温度に依らず一定とする。まず、両極性パルスのパルス
幅ｔ0 を決める。動作最高温度Ｔ1 °をＦＬＣに与える
周囲温度Ｔ3 °において、走査側駆動回路２と信号側駆
動回路３から供給できる電流ｉ0 により、ＦＬＣパネル
１の１本の走査電極上の全画素を電圧Ｖ0／２から電圧
−（Ｖ0 ＋Ｖ1 ）へ、または電圧−（Ｖ0 ＋Ｖ1 ）から
電圧Ｖ0 ／２へ充電するのに必要な時間をｔ1 とする
と、時間ｔ0 は ｔ0 ＞ｔ1 （１１） であれば良い。
°〜Ｔ1 °とし電圧Ｖ0 ／２と電圧Ｖ0 ＋Ｖ1 をパネル
温度に依らず一定とする。まず、両極性パルスのパルス
幅ｔ0 を決める。動作最高温度Ｔ1 °をＦＬＣに与える
周囲温度Ｔ3 °において、走査側駆動回路２と信号側駆
動回路３から供給できる電流ｉ0 により、ＦＬＣパネル
１の１本の走査電極上の全画素を電圧Ｖ0／２から電圧
−（Ｖ0 ＋Ｖ1 ）へ、または電圧−（Ｖ0 ＋Ｖ1 ）から
電圧Ｖ0 ／２へ充電するのに必要な時間をｔ1 とする
と、時間ｔ0 は ｔ0 ＞ｔ1 （１１） であれば良い。
【００２９】時間ｔ0 をパネル温度に依らず一定とし、
あるパネル温度Ｔp °における両極性パルスの印加回数
をＰとすると、図１（Ａ）または図１（Ｂ）の５）の書
き換える画素へ印加する電圧波形Ａ−Ｃの絶対値の時間
積Ｗp は Ｗp ＝（Ｖ1 ＋Ｖ0 ／２）×Ｐ×ｔ0 （１２） となる。
あるパネル温度Ｔp °における両極性パルスの印加回数
をＰとすると、図１（Ａ）または図１（Ｂ）の５）の書
き換える画素へ印加する電圧波形Ａ−Ｃの絶対値の時間
積Ｗp は Ｗp ＝（Ｖ1 ＋Ｖ0 ／２）×Ｐ×ｔ0 （１２） となる。
【００３０】その温度Ｔp °での両極性パルスの最小印
加回数Ｐは、その温度Ｔp °における印加電圧Ｖm とメ
モリパルス幅τm の関係より Ｗp ＞Ｖm ×τm ＞（Ｖ0 ／２）×ｔ0 （１３） なる整数の最小値である。
加回数Ｐは、その温度Ｔp °における印加電圧Ｖm とメ
モリパルス幅τm の関係より Ｗp ＞Ｖm ×τm ＞（Ｖ0 ／２）×ｔ0 （１３） なる整数の最小値である。
【００３１】温度Ｔp °においては、両極性パルスの印
加回数ＮはＰ以上であれば問題がなく、 Ｔp ＜Ｔr （１４） なる温度Ｔr でも、（時間積は温度と共に減少するのだ
から）両極性パルスの印加回数ＮはＰ以上であれば問題
がない。
加回数ＮはＰ以上であれば問題がなく、 Ｔp ＜Ｔr （１４） なる温度Ｔr でも、（時間積は温度と共に減少するのだ
から）両極性パルスの印加回数ＮはＰ以上であれば問題
がない。
【００３２】そこで、パネルの温度が下がっているとき
は、 Ｔp ≦Ｔ （１５） なる温度Ｔで両極性パルスの印加回数ＮはＰとし、 Ｔ＜Ｔp （１６） なる温度Ｔで両極性パルスの印加回数ＮはＰ＋１とし、
パネルの温度が上がっているときは、 Ｔ＜Ｔr （１７） なる温度Ｔで両極性パルスの印加回数ＮはＰ＋１とし、 Ｔr ≦Ｔ （１８） なる温度Ｔで両極性パルスの印加回数ＮはＰとする。
は、 Ｔp ≦Ｔ （１５） なる温度Ｔで両極性パルスの印加回数ＮはＰとし、 Ｔ＜Ｔp （１６） なる温度Ｔで両極性パルスの印加回数ＮはＰ＋１とし、
パネルの温度が上がっているときは、 Ｔ＜Ｔr （１７） なる温度Ｔで両極性パルスの印加回数ＮはＰ＋１とし、 Ｔr ≦Ｔ （１８） なる温度Ｔで両極性パルスの印加回数ＮはＰとする。
【００３３】このようにすれば、ＦＬＣ分子に温度Ｔ0
°〜Ｔ1 °を与える周囲温度Ｔ2 °〜Ｔ3 °において、
その温度で走査側駆動回路２と信号側駆動回路３から供
給できる電流ｉにより、ＦＬＣパネル１へ図１の（Ａ）
や（Ｂ）の電圧波形の組合せが印加可能となり、ＦＬＣ
パネル１は正常な動作が保証される。また、ＦＬＣパネ
ルの選択期間の変化を両極性パルスの印加時間の変化よ
り小さくすれば、温度が高くなるほど０ｖ印加の期間が
長くなり走査側駆動回路２と信号側駆動回路３の発熱量
を抑え、駆動回路からの電流供給能力を向上できる。
°〜Ｔ1 °を与える周囲温度Ｔ2 °〜Ｔ3 °において、
その温度で走査側駆動回路２と信号側駆動回路３から供
給できる電流ｉにより、ＦＬＣパネル１へ図１の（Ａ）
や（Ｂ）の電圧波形の組合せが印加可能となり、ＦＬＣ
パネル１は正常な動作が保証される。また、ＦＬＣパネ
ルの選択期間の変化を両極性パルスの印加時間の変化よ
り小さくすれば、温度が高くなるほど０ｖ印加の期間が
長くなり走査側駆動回路２と信号側駆動回路３の発熱量
を抑え、駆動回路からの電流供給能力を向上できる。
【００３４】
【実施例】本実施例で用いられるＦＬＣパネル１の構成
は図３に示す従来例と同じであるので、ここではその説
明は省略する。なお本実施例のＦＬＣパネル１では配向
膜としてチッソ社製の配向膜ＰＳＩ−Ｘ７３５５を用
い、液晶としてＢＤＨ社の液晶組成物ＳＣＥ−８に誘電
異方性が負の化合物Ｂを８：２の割合で混合した液晶組
成物Ｂを用いている。
は図３に示す従来例と同じであるので、ここではその説
明は省略する。なお本実施例のＦＬＣパネル１では配向
膜としてチッソ社製の配向膜ＰＳＩ−Ｘ７３５５を用
い、液晶としてＢＤＨ社の液晶組成物ＳＣＥ−８に誘電
異方性が負の化合物Ｂを８：２の割合で混合した液晶組
成物Ｂを用いている。
【００３５】本実施例で用いる１つの温度検出手段は、
図１０ののように出力電圧Ｖt の定電圧源１８とサーミ
スタ１９と抵抗値Ｒt の定抵抗２２とオペアンプ２０と
アナログ／デジタル変換器２１より構成されており、サ
ーミスタ１９をＦＬＣパネル１へ接触させ、そのサーミ
スタ１９の抵抗値Ｒs が例えば図１１に示すダイオード
型サーミスタのように温度に依って変化することによ
り、オペアンプ２０の出力電圧Ｖが Ｖ＝Ｖt ×Ｒs ／（Ｒs ＋Ｒt ） （１９） と変化することで検出するものである。
図１０ののように出力電圧Ｖt の定電圧源１８とサーミ
スタ１９と抵抗値Ｒt の定抵抗２２とオペアンプ２０と
アナログ／デジタル変換器２１より構成されており、サ
ーミスタ１９をＦＬＣパネル１へ接触させ、そのサーミ
スタ１９の抵抗値Ｒs が例えば図１１に示すダイオード
型サーミスタのように温度に依って変化することによ
り、オペアンプ２０の出力電圧Ｖが Ｖ＝Ｖt ×Ｒs ／（Ｒs ＋Ｒt ） （１９） と変化することで検出するものである。
【００３６】本実施例で用いる別の温度検出手段は、図
１２に示すように光／電圧変換器２３とアンプ２４とロ
ーパスフィルタ２５とデジタル化回路２６と検出回路２
７と電圧制御回路２８と電圧制御発振器２９とカウンタ
３０と電圧発生器３１と減衰器３２から構成される検出
器である。
１２に示すように光／電圧変換器２３とアンプ２４とロ
ーパスフィルタ２５とデジタル化回路２６と検出回路２
７と電圧制御回路２８と電圧制御発振器２９とカウンタ
３０と電圧発生器３１と減衰器３２から構成される検出
器である。
【００３７】この検出器は、電圧制御回路２８から入力
された電圧によって電圧制御発振器２９からクロックＣ
Ｐを発生させ、カウンタ回路３０でクロックＣＰの周期
の一定倍数の時間２×ｔk をつくり、この時間２×ｔk
の複数倍の時間をフィールド周期Ｔf とし、偶数番目の
フィールドでは電圧Ｖthをｔk 時間出力後、電圧−Ｖth
をｔk 時間出力し、その後は電圧０を出力しする。奇数
番目のフィールドでは電圧−Ｖthをｔk 時間出力後、電
圧Ｖthをｔk 時間出力し、その後は電圧０を出力する。
この電圧波形は減衰器３１で減衰されＦＬＣパネル１の
図示しない専用電極に印加される。なお、減衰器３１の
減衰率は実際にパネル全体が書換えられるかを見ながら
決められる。
された電圧によって電圧制御発振器２９からクロックＣ
Ｐを発生させ、カウンタ回路３０でクロックＣＰの周期
の一定倍数の時間２×ｔk をつくり、この時間２×ｔk
の複数倍の時間をフィールド周期Ｔf とし、偶数番目の
フィールドでは電圧Ｖthをｔk 時間出力後、電圧−Ｖth
をｔk 時間出力し、その後は電圧０を出力しする。奇数
番目のフィールドでは電圧−Ｖthをｔk 時間出力後、電
圧Ｖthをｔk 時間出力し、その後は電圧０を出力する。
この電圧波形は減衰器３１で減衰されＦＬＣパネル１の
図示しない専用電極に印加される。なお、減衰器３１の
減衰率は実際にパネル全体が書換えられるかを見ながら
決められる。
【００３８】このようにして、パネルの一部の画素を周
期的に「明」「暗」の状態にして、この時のパネルの透
過光量を光／電圧変換器２３で検値してアナログ電圧に
変え、アンプ２４でこの電圧を増幅し、このフィールド
周期Ｔf に近い周波数を取り出すためのローパスフィル
タ２５を通して、デジタル化回路２６に入力する。デジ
タル化回路２６では数フィールドに渡る入力電圧の平均
値を基準にして、その電圧より入力電圧が高いか低いか
により入力電圧をデジタル信号に変換する。この信号は
検出回路２７に入力され、検出回路２７では入力された
信号を１フィールドに１回サンプリングし、前後のフィ
ールドで値が違えば電圧制御回路２８の出力電圧を少し
低くして電圧制御発振器２９の出力クロックＣＰの周波
数を高くし、前後のフィールドで値が同じならば電圧制
御回路２８の出力電圧を少し高くして電圧制御発振器２
９の出力クロックＣＰの周波数を低くする。
期的に「明」「暗」の状態にして、この時のパネルの透
過光量を光／電圧変換器２３で検値してアナログ電圧に
変え、アンプ２４でこの電圧を増幅し、このフィールド
周期Ｔf に近い周波数を取り出すためのローパスフィル
タ２５を通して、デジタル化回路２６に入力する。デジ
タル化回路２６では数フィールドに渡る入力電圧の平均
値を基準にして、その電圧より入力電圧が高いか低いか
により入力電圧をデジタル信号に変換する。この信号は
検出回路２７に入力され、検出回路２７では入力された
信号を１フィールドに１回サンプリングし、前後のフィ
ールドで値が違えば電圧制御回路２８の出力電圧を少し
低くして電圧制御発振器２９の出力クロックＣＰの周波
数を高くし、前後のフィールドで値が同じならば電圧制
御回路２８の出力電圧を少し高くして電圧制御発振器２
９の出力クロックＣＰの周波数を低くする。
【００３９】この時の、パネルへの印加電圧を示したの
が図１３の１），３）であり、図１３の１），３）に対
応する予想される透過光量を示したのが図１３の２），
４）である。図１３の１）ではパネルに電圧Ｖthが印加
される時間がパネルの閾値を越え、図１３の３）に示す
ようにパネルの透過光量は十分変化するが、図１３の
３）ではパネルに電圧Ｖthが印加される時間がパネルの
閾値を越えず、図１３の４）に示すようにパネルの透過
光量は十分変化しない。減衰器３２から出力される電圧
Ｖthの印加時間は図１３の１）と３）の間を行ったり来
たりするが、その中心となる時間は電圧Ｖthでのパネル
のメモリパルス幅τm 自体であり、パネル内の液晶の温
度を正確に示す。
が図１３の１），３）であり、図１３の１），３）に対
応する予想される透過光量を示したのが図１３の２），
４）である。図１３の１）ではパネルに電圧Ｖthが印加
される時間がパネルの閾値を越え、図１３の３）に示す
ようにパネルの透過光量は十分変化するが、図１３の
３）ではパネルに電圧Ｖthが印加される時間がパネルの
閾値を越えず、図１３の４）に示すようにパネルの透過
光量は十分変化しない。減衰器３２から出力される電圧
Ｖthの印加時間は図１３の１）と３）の間を行ったり来
たりするが、その中心となる時間は電圧Ｖthでのパネル
のメモリパルス幅τm 自体であり、パネル内の液晶の温
度を正確に示す。
【００４０】つまり、このフィールド周期Ｔf をＦＬＣ
Ｄのシステムクロックでカウントすれば、パネル内の液
晶の温度を検出できる。本実施例のＦＬＣパネル１の電
圧Ｖ−メモリパルス幅τm 特性は図７の通りなので、電
圧Ｖ0 ／２とＶ0 ＋Ｖ1 は Ｖ0 ／２＝１２ｖ Ｖ1 ＋Ｖ0 ＝３０ｖ と決まった。ＦＬＣパネル１の動作温度を２５°〜５０
°とすれば、パネル温度が５０°のとき走査側駆動回路
２と信号側駆動回路３からＦＬＣパネル１に供給される
電圧波形の立ち上がり観測し、時間ｔ0 はｔ0 ＝３０μ
ｓと決まった。また、５°刻みの各温度における両極性
パルスの最小印加回数Ｐは図７より、 温度Ｔp ２５° ３０° ３５° ４０° ４５° ５０° 最小印加回数Ｐ １２ ８ ５ ４ ３ ２ となる。
Ｄのシステムクロックでカウントすれば、パネル内の液
晶の温度を検出できる。本実施例のＦＬＣパネル１の電
圧Ｖ−メモリパルス幅τm 特性は図７の通りなので、電
圧Ｖ0 ／２とＶ0 ＋Ｖ1 は Ｖ0 ／２＝１２ｖ Ｖ1 ＋Ｖ0 ＝３０ｖ と決まった。ＦＬＣパネル１の動作温度を２５°〜５０
°とすれば、パネル温度が５０°のとき走査側駆動回路
２と信号側駆動回路３からＦＬＣパネル１に供給される
電圧波形の立ち上がり観測し、時間ｔ0 はｔ0 ＝３０μ
ｓと決まった。また、５°刻みの各温度における両極性
パルスの最小印加回数Ｐは図７より、 温度Ｔp ２５° ３０° ３５° ４０° ４５° ５０° 最小印加回数Ｐ １２ ８ ５ ４ ３ ２ となる。
【００４１】そこで、温度Ｔp °にパネルの温度が低下
したときの両極性パルスの印加回数を、温度Ｔp −５°
における両極性パルスの最小印加回数Ｐと決め、温度Ｔ
p ＋２°にパネルの温度が上昇したときの両極性パルス
の印加回数を温度Ｔp °における両極性パルスの最小印
加回数Ｐと決める。つまり、各温度における両極性パル
スの許容印加回数Ｑは、 温度Ｔp ２５°３０° ３２°３５° ３７°４０° ４２° 許容印加回数Ｑ ・１２・１２〜８・ ８・８〜５・ ５・５〜４・ ４ 温度Ｔp ４２°４５° ４７°５０° 許容印加回数Ｑ ・ ４・４〜３・ ３・ となる。
したときの両極性パルスの印加回数を、温度Ｔp −５°
における両極性パルスの最小印加回数Ｐと決め、温度Ｔ
p ＋２°にパネルの温度が上昇したときの両極性パルス
の印加回数を温度Ｔp °における両極性パルスの最小印
加回数Ｐと決める。つまり、各温度における両極性パル
スの許容印加回数Ｑは、 温度Ｔp ２５°３０° ３２°３５° ３７°４０° ４２° 許容印加回数Ｑ ・１２・１２〜８・ ８・８〜５・ ５・５〜４・ ４ 温度Ｔp ４２°４５° ４７°５０° 許容印加回数Ｑ ・ ４・４〜３・ ３・ となる。
【００４２】温度検出手段により検出した温度データＤ
T を、図１４に示す入力制御回路３３と出力制御回路３
４と表示メモリ回路３５と識別メモリ回路３６と同異メ
モリ回路３７と駆動制御回路３８から構成されるコント
ロール回路３９のうち、図１５に示す駆動信号回路４０
とＲＯＭ４１と駆動電圧回路４２から構成される駆動制
御回路３８へ入力する。図１５の駆動制御回路３８で
は、現在の両極性パルスの印加回数Ｎが検出した温度デ
ータＤT における印加許容回数Ｑと違えば、ＮとＤT に
より駆動信号回路４０からＲＯＭ４１へ新たな電圧波形
の組合せのアドレスが出力され、新たな電圧波形の組合
せがＦＬＣＤ４へ出力される。
T を、図１４に示す入力制御回路３３と出力制御回路３
４と表示メモリ回路３５と識別メモリ回路３６と同異メ
モリ回路３７と駆動制御回路３８から構成されるコント
ロール回路３９のうち、図１５に示す駆動信号回路４０
とＲＯＭ４１と駆動電圧回路４２から構成される駆動制
御回路３８へ入力する。図１５の駆動制御回路３８で
は、現在の両極性パルスの印加回数Ｎが検出した温度デ
ータＤT における印加許容回数Ｑと違えば、ＮとＤT に
より駆動信号回路４０からＲＯＭ４１へ新たな電圧波形
の組合せのアドレスが出力され、新たな電圧波形の組合
せがＦＬＣＤ４へ出力される。
【００４３】例えば、図７の特性を示すＦＬＣパネル１
の場合、温度検出手段により検出した温度データＤT が
４１°で現在の両極性パルスの印加回数Ｎが４のとき、
４１°における印加許容回数は５〜４なので駆動信号回
路４０からＲＯＭ４１へは従来のＮ＝４の電圧波形の組
合せのアドレスが出力される。また、温度検出手段によ
り検出した温度データＤT が４３°で現在の両極性パル
スの印加回数Ｎが４のとき、４３°における印加許容回
数は４なので駆動信号回路４０からＲＯＭ４１へは従来
のＮ＝４の電圧波形の組合せのアドレスが出力される。
の場合、温度検出手段により検出した温度データＤT が
４１°で現在の両極性パルスの印加回数Ｎが４のとき、
４１°における印加許容回数は５〜４なので駆動信号回
路４０からＲＯＭ４１へは従来のＮ＝４の電圧波形の組
合せのアドレスが出力される。また、温度検出手段によ
り検出した温度データＤT が４３°で現在の両極性パル
スの印加回数Ｎが４のとき、４３°における印加許容回
数は４なので駆動信号回路４０からＲＯＭ４１へは従来
のＮ＝４の電圧波形の組合せのアドレスが出力される。
【００４４】しかし、温度検出手段により検出した温度
データＤT が３９°で現在の両極性パルスの印加回数Ｎ
が４のとき、３９°における印加許容回数は５なので駆
動信号回路４０からＲＯＭ４１へは新たにＮ＝５の電圧
波形の組合せのアドレスが出力される。また、温度検出
手段により検出した温度データＤT が４１°で現在の両
極性パルスの印加回数Ｎが５のとき、４１°における印
加許容回数は５〜４なので駆動信号回路４０からＲＯＭ
４１へは従来のＮ＝５の電圧波形の組合せのアドレスが
出力される。
データＤT が３９°で現在の両極性パルスの印加回数Ｎ
が４のとき、３９°における印加許容回数は５なので駆
動信号回路４０からＲＯＭ４１へは新たにＮ＝５の電圧
波形の組合せのアドレスが出力される。また、温度検出
手段により検出した温度データＤT が４１°で現在の両
極性パルスの印加回数Ｎが５のとき、４１°における印
加許容回数は５〜４なので駆動信号回路４０からＲＯＭ
４１へは従来のＮ＝５の電圧波形の組合せのアドレスが
出力される。
【００４５】この場合は選択期間ｔを２５ｔ0 で固定し
た。選択期間を固定して両極性パルスの印加回数を変え
るというのは、例えば選択期間ｔ＝１１ｔ0 で両極性パ
ルスの印加回数Ｎが５の図１の電圧波形の組合せの１両
極性パルスを０電圧で置き換え、両極性パルスの印加回
数Ｎが４の図２の電圧波形の組合せにするということで
ある。なお、図２は図１とパルス印加回数以外は同じで
あるのでその説明は省略する。
た。選択期間を固定して両極性パルスの印加回数を変え
るというのは、例えば選択期間ｔ＝１１ｔ0 で両極性パ
ルスの印加回数Ｎが５の図１の電圧波形の組合せの１両
極性パルスを０電圧で置き換え、両極性パルスの印加回
数Ｎが４の図２の電圧波形の組合せにするということで
ある。なお、図２は図１とパルス印加回数以外は同じで
あるのでその説明は省略する。
【００４６】しかし、半導体の電流供給能力はパネルの
温度が低いときには問題がないので、パネルの温度が低
いときは両極性パルスの印加回数を変えながら選択期間
も変えられる。即ち、通常ＦＬＣＤ４が使われる最低温
度（１５〜２０°）で選択期間を例えば１７ｔ0 に固定
し、たまたま低温でＦＬＣＤ４を使う為に両極性パルス
の印加回数を１２としなければならなくなったときは、
選択時間を変化させて２５ｔ0とすることもできる。こ
のとき、１選択期間のデータＤＡＴＡの転送時間を１７
ｔ0 より早くしておけば、選択期間が２５ｔ0 になって
問題はない。
温度が低いときには問題がないので、パネルの温度が低
いときは両極性パルスの印加回数を変えながら選択期間
も変えられる。即ち、通常ＦＬＣＤ４が使われる最低温
度（１５〜２０°）で選択期間を例えば１７ｔ0 に固定
し、たまたま低温でＦＬＣＤ４を使う為に両極性パルス
の印加回数を１２としなければならなくなったときは、
選択時間を変化させて２５ｔ0とすることもできる。こ
のとき、１選択期間のデータＤＡＴＡの転送時間を１７
ｔ0 より早くしておけば、選択期間が２５ｔ0 になって
問題はない。
【００４７】
【発明の効果】この発明によれば、ＦＬＣパネルの温度
に対応し、滅多に使われない高温では表示品位はあまり
良くないが、通常使われる低温で良好な表示品位を与え
ることができる。
に対応し、滅多に使われない高温では表示品位はあまり
良くないが、通常使われる低温で良好な表示品位を与え
ることができる。
【図１】本実施例でＦＬＣパネルの駆動に用いられる各
印加電圧を示す波形図である。
印加電圧を示す波形図である。
【図２】本実施例でＦＬＣパネルの駆動に用いられる各
印加電圧を示す波形図である。
印加電圧を示す波形図である。
【図３】ＦＬＣＤで用いられるＦＬＣパネルの構成を示
す断面図である。
す断面図である。
【図４】ＦＬＣＤに「ＡＢＣＤ」の文字を表示した状態
を示す図である。
を示す図である。
【図５】ＦＬＣ分子を示す説明図であり、（Ａ）はスメ
クチックＣ相におけるＦＬＣ分子の状態を示す図であ
る。（Ｂ）はスメクチックＣ相におけるＦＬＣ分子の様
子を基板側からみた図である。
クチックＣ相におけるＦＬＣ分子の状態を示す図であ
る。（Ｂ）はスメクチックＣ相におけるＦＬＣ分子の様
子を基板側からみた図である。
【図６】液晶組成物Ａの温度−応答速度・メモリパルス
幅の特性を示すグラフである。
幅の特性を示すグラフである。
【図７】液晶組成物Ｂの温度を変えた電圧−メモリパル
ス幅の特性を示すグラフである。
ス幅の特性を示すグラフである。
【図８】オペアンプの温度を変えた出力電圧−出力電流
の特性を示すグラフである。
の特性を示すグラフである。
【図９】液晶組成物Ｂの温度を変えたチルト角の特性を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図１０】本実施例で使われる温度検出回路の概略的な
構成を示すブロック図である。
構成を示すブロック図である。
【図１１】ダイオード型サーミスタの温度ー抵抗値特性
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図１２】本実施例で使われる温度検出回路の概略的な
構成を示すブロック図である。
構成を示すブロック図である。
【図１３】図１２の温度検出器の動作を説明する為の波
形図である。
形図である。
【図１４】本実施例で使用する表示制御装置の概略的な
構成を示すブロック図である。
構成を示すブロック図である。
【図１５】本実施例で使用する駆動制御回路の概略的な
構成を示すブロック図である。
構成を示すブロック図である。
１ ＦＬＣパネル ２ 走査側駆動回路 ３ 信号側駆動回路 ４ ＦＬＣＤ ５ ガラス ６ 絶縁膜 ７ 配向膜 ８ 封止剤 ９ ＦＬＣ １０ 偏光版 １８ 定電圧源 １９ サーミスタ ２０ オペアンプ ２１、２６ アナログ／デジタル変換器 ２２ 抵抗 ２３ フオトダイオード ２４ アンプ ２５ ローパスフィルタ ２７ 検出器 ２８ 制御電圧発生器 ２９ 電圧制御発振器 ３０ カウンタ ３１ 印加電圧発生器 ３２ 減衰器 ３３ 入力制御回路 ３４ 出力制御回路 ３５ 表示メモリ回路 ３６ 群メモリ回路 ３７ 同異メモリ回路 ３８ 駆動制御回路 ３９ 表示制御装置回路 ４０ 駆動信号回路 ４１ ＲＯＭ ４２ 駆動電圧回路 Ｌ 走査電極 Ｓ 信号電極
Claims (1)
- 【請求項１】 互いに交差する方向に配列した複数の走
査電極と複数の信号電極との間に誘電異方性が負の強誘
電性液晶を介在させ、走査電極に選択電圧又は非選択電
圧を選択的に印加すると共に、信号電極に書換え電圧又
は保持電圧を選択的に印加して走査電極と信号電極とが
交差する領域の各画素の表示を変化させるようにした液
晶表示装置の駆動方法であって、 非選択電圧を印加した走査電極と書換え電圧を印加した
信号電極から構成される第１画素と、非選択電圧を印加
した走査電極と保持電圧を印加した信号電極から構成さ
れる第２画素へ、正電圧と負電圧から構成される両極性
パルスを複数回印加し、第１および第２画素の透過光量
の変化をほぼ等しくし、 選択電圧を印加した走査電極と保持電圧を印加した信号
電極から構成される第３画素へ、強誘電性液晶分子に働
く誘電異方性負の効果が大きな領域の正又は負電圧と、
強誘電性液晶分子に働く誘電異方性負の効果が小さな領
域の負又は正電圧から構成される両極性パルスを複数回
印加し、第３画素の透過光量の変化を第１及び第２画素
の透過光量の変化にほぼ等しくするか、またはそれより
小さくすると共に、 液晶パネルを構成する強誘電性液晶分子の温度に合わせ
て、第１、第２及び第３画素へ印加する両極性パルスの
印加回数を変化させることを特徴とする液晶表示装置の
駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23494392A JPH0682760A (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | 強誘電性液晶表示装置の駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23494392A JPH0682760A (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | 強誘電性液晶表示装置の駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0682760A true JPH0682760A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=16978703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23494392A Pending JPH0682760A (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | 強誘電性液晶表示装置の駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682760A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5929833A (en) * | 1995-09-11 | 1999-07-27 | Nippondenso Co., Ltd. | Matrix liquid crystal display having temperature-dependent element drive timing and method of driving the same |
| US5966111A (en) * | 1995-10-26 | 1999-10-12 | Denso Corporation | Matrix type liquid crystal display device |
| US6676459B2 (en) | 2001-05-31 | 2004-01-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Conductor connection method, conductor connection structure, and solar cell module having connection structure |
-
1992
- 1992-09-02 JP JP23494392A patent/JPH0682760A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5929833A (en) * | 1995-09-11 | 1999-07-27 | Nippondenso Co., Ltd. | Matrix liquid crystal display having temperature-dependent element drive timing and method of driving the same |
| US5966111A (en) * | 1995-10-26 | 1999-10-12 | Denso Corporation | Matrix type liquid crystal display device |
| US6676459B2 (en) | 2001-05-31 | 2004-01-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Conductor connection method, conductor connection structure, and solar cell module having connection structure |
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