JPH0682777B2 - 熱保護回路 - Google Patents
熱保護回路Info
- Publication number
- JPH0682777B2 JPH0682777B2 JP60254126A JP25412685A JPH0682777B2 JP H0682777 B2 JPH0682777 B2 JP H0682777B2 JP 60254126 A JP60254126 A JP 60254126A JP 25412685 A JP25412685 A JP 25412685A JP H0682777 B2 JPH0682777 B2 JP H0682777B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- thermal protection
- current source
- constant current
- protection circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は熱保護回路に関し、特に半導体集積回路に組み
込まれた熱保護回路に関するものである。
込まれた熱保護回路に関するものである。
従来の技術 従来、この種の熱保護回路は、第２図に示すような構成
であった。第２図において、１は基準電圧源、２は温度
検出装置、３はヒステリシスコンパレータ、４は出力回
路であり、温度検出装置２の発生する電圧が温度により
変化するのを利用し、さらにヒステリシスコンパレータ
３でヒステリシスを作り出すという構成であった。
であった。第２図において、１は基準電圧源、２は温度
検出装置、３はヒステリシスコンパレータ、４は出力回
路であり、温度検出装置２の発生する電圧が温度により
変化するのを利用し、さらにヒステリシスコンパレータ
３でヒステリシスを作り出すという構成であった。
発明が解決しようとする問題点 このような従来の構成では、部品点数が多く、半導体集
積回路にこの熱保護回路を導入すると、マスクパターン
が大きくなってしまうといった問題があった。
積回路にこの熱保護回路を導入すると、マスクパターン
が大きくなってしまうといった問題があった。
本発明はこのような問題点を解決するもので、部品点数
の削減をはかり、マスクパターンの小型化をもたらす熱
保護回路を提供することを目的とするものである。
の削減をはかり、マスクパターンの小型化をもたらす熱
保護回路を提供することを目的とするものである。
問題点を解決するための手段 前記の問題点を解決するために、本発明は、エミッタ接
地の第１のトランジスタのベースに、一端を接地した第
１の抵抗の他端と第１の定電流源の出力端とダイオード
の前記第１のトランジスタのベースと反対導電型の一端
とを接続し、前記第１のトランジスタのコレクタに、第
２及び第３の抵抗の一端と第２の定電流源の出力端とを
接続し、前記第１のトランジスタと同一極性のエミッタ
接地の第２及び第３のトランジスタのベースに、夫々前
記第２及び第３の抵抗の他端を接続し、前記第２のトラ
ンジスタのコレクタに、前記ダイオードの他端と第３の
定電流源の出力端とを接続し、前記第３のトランジスタ
のコレクタに、前記第１のトランジスタと同一極性のエ
ミッタ接地の第４のトランジスタのベースと第４の定電
流源の出力端とを接続し、前記第４のトランジスタのコ
レクタを出力端子としたことを特徴とする熱保護回路を
提供する。
地の第１のトランジスタのベースに、一端を接地した第
１の抵抗の他端と第１の定電流源の出力端とダイオード
の前記第１のトランジスタのベースと反対導電型の一端
とを接続し、前記第１のトランジスタのコレクタに、第
２及び第３の抵抗の一端と第２の定電流源の出力端とを
接続し、前記第１のトランジスタと同一極性のエミッタ
接地の第２及び第３のトランジスタのベースに、夫々前
記第２及び第３の抵抗の他端を接続し、前記第２のトラ
ンジスタのコレクタに、前記ダイオードの他端と第３の
定電流源の出力端とを接続し、前記第３のトランジスタ
のコレクタに、前記第１のトランジスタと同一極性のエ
ミッタ接地の第４のトランジスタのベースと第４の定電
流源の出力端とを接続し、前記第４のトランジスタのコ
レクタを出力端子としたことを特徴とする熱保護回路を
提供する。
作用 この構成により、第１の抵抗に昇温時には第１の定電流
源のみから電流を供給し、かつ降温時には第１及び第３
の定電流源から電流を供給する事により発生する基準電
圧のヒステリシスを利用して、熱保護回路のオン・オフ
を制御する。従って従来の熱保護回路におけるヒステリ
シスコンパレータが省略でき、部品点数を大巾に減少で
きるうえにマスクパターンも縮小出来る。
源のみから電流を供給し、かつ降温時には第１及び第３
の定電流源から電流を供給する事により発生する基準電
圧のヒステリシスを利用して、熱保護回路のオン・オフ
を制御する。従って従来の熱保護回路におけるヒステリ
シスコンパレータが省略でき、部品点数を大巾に減少で
きるうえにマスクパターンも縮小出来る。
実施例 以下に、本発明の一実施例を第１図に従って説明する。
まず回路構成について記す。エミッタ接地のNPNトラン
ジスタ７のベースに、一端を接地した抵抗８の他端と、
定電流源９の出力端と、ダイオード10のカソード端子と
を接続する。前記トランジスタ７のコレクタには抵抗11
及び12の一端と、定電流源13の出力端とを接続する。エ
ミッタ接地のNPNトランジスタ14及び15のベースに、そ
れぞれ前記抵抗11及び12の他端を接続し、前記トランジ
スタ14のコレクタには前記ダイオード10のアノード端子
と定電流源16の出力端とを接続する。前記トランジスタ
15のコレクタにはエミッタ接地のNPNトランジスタ17の
ベースと定電流源18の出力端とを接続し、前記トランジ
スタ17のコレクタを被保護回路に接続する。
まず回路構成について記す。エミッタ接地のNPNトラン
ジスタ７のベースに、一端を接地した抵抗８の他端と、
定電流源９の出力端と、ダイオード10のカソード端子と
を接続する。前記トランジスタ７のコレクタには抵抗11
及び12の一端と、定電流源13の出力端とを接続する。エ
ミッタ接地のNPNトランジスタ14及び15のベースに、そ
れぞれ前記抵抗11及び12の他端を接続し、前記トランジ
スタ14のコレクタには前記ダイオード10のアノード端子
と定電流源16の出力端とを接続する。前記トランジスタ
15のコレクタにはエミッタ接地のNPNトランジスタ17の
ベースと定電流源18の出力端とを接続し、前記トランジ
スタ17のコレクタを被保護回路に接続する。
次に本回路の動作について記す。トランジスタ７がオフ
している時、トランジスタ14及び15はオンし、出力トラ
ンジスタ17はオフしている。この時、定電流源16の電流
I3はトランジスタ14に流れ、ダイオード10には流れな
い。
している時、トランジスタ14及び15はオンし、出力トラ
ンジスタ17はオフしている。この時、定電流源16の電流
I3はトランジスタ14に流れ、ダイオード10には流れな
い。
トランジスタ７のベース電位VBは、定電流源９の電流I1
と抵抗８により次に示す式（１）で表わされる。
と抵抗８により次に示す式（１）で表わされる。
VB＝I1・R1 …（１） 但し、R1…抵抗８の抵抗値 この時、トランジスタ７がオンする電圧をVBE1(ON)をと
すると、室温で VB＜VBE1(ON) …（２） となるように抵抗値R1と電流I1を選ぶ。
すると、室温で VB＜VBE1(ON) …（２） となるように抵抗値R1と電流I1を選ぶ。
この状態で温度を上げていくと、ある温度で、 VB＝VBE1(ON) …（３） となるような温度TC(ON)が存在する。これを熱保護動作
温度と呼ぶ。
温度と呼ぶ。
いま、トランジスタ７ガオンする電圧VBE1(ON)は、次の
式（４）の関係にあると近似する。
式（４）の関係にあると近似する。
VBE1(ON)＝VBE1(RT)−Ｋ・（Ｔ−TRT） …（４） 但し、VBE1(RT)…トランジスタ７が室温でオンする電圧 Ｋ …比例定数（普通約2mV/℃） Ｔ …周囲温度 TRT …室温 すると、先のTC(ON)は次式（５）で表わされる。
トランジスタ７がオンすると、トランジスタ14及び15は
オフし、出力トランジスタ17がオンして熱保護がかか
る。この時、トランジスタ14がオフしているため、電流
源16の電流I3は、ダイオード10を通ってトランジスタ７
と抵抗８に流れる。
オフし、出力トランジスタ17がオンして熱保護がかか
る。この時、トランジスタ14がオフしているため、電流
源16の電流I3は、ダイオード10を通ってトランジスタ７
と抵抗８に流れる。
次に温度が下がり、トランジスタ７がオフする時を考え
る。この時のトランジスタ７のベース電位VB′は式
（１）とは異なり、式（６）で表わされる。
る。この時のトランジスタ７のベース電位VB′は式
（１）とは異なり、式（６）で表わされる。
VB′＝R1・（I1＋I3） …（６） この電位VB′が VB′＝VBE1(ON) …（７） となる温度を熱保護解除温度TC(OFF)と呼び、式（８）
で表わされる。
で表わされる。
この温度以下になると再びトランジスタ７はオフとな
り、熱保護が解除される。
り、熱保護が解除される。
適切なI1，I3，R1を設定してやれば、希望する熱保護動
作温度TC(ON)、熱保護解除温度TC(OFF)が得られる。
作温度TC(ON)、熱保護解除温度TC(OFF)が得られる。
発明の効果 以上のように本発明によれば、少ない素子数で、高精度
なヒステリシスをもつ熱保護回路が得られる。
なヒステリシスをもつ熱保護回路が得られる。
第１図は本発明の一実施例による熱保護回路を示す回路
図、第２図は従来の熱保護回路を示す回路図である。 7,14,15,17……トランジスタ、10……ダイオード、8,1
1,12……抵抗、9,13,16,18……電流源
図、第２図は従来の熱保護回路を示す回路図である。 7,14,15,17……トランジスタ、10……ダイオード、8,1
1,12……抵抗、9,13,16,18……電流源
Claims (1)
- 【請求項１】エミッタ接地の第１のトランジスタのベー
スに、一端を接地した第１の抵抗の他端と第１の定電流
源の出力端とダイオードの前記第１のトランジスタのベ
ースと反対導電型の一端とを接続し、前記第１のトラン
ジスタのコレクタに、第２及び第３の抵抗の一端と第２
の定電流源の出力端とを接続し、前記第１のトランジス
タと同一極性のエミッタ接地の第２及び第３のトランジ
スタのベースに、夫々前記第２及び第３の抵抗の他端を
接続し、前記第２のトランジスタのコレクタに、前記ダ
イオードの他端と第３の定電流源の出力端とを接続し、
前記第３のトランジスタのコレクタに、前記第１のトラ
ンジスタと同一極性のエミッタ接地の第４のトランジス
タのベースと第４の定電流源の出力端とを接続し、前記
第４のトランジスタのコレクタを出力端子としたことを
特徴とする熱保護回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60254126A JPH0682777B2 (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | 熱保護回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60254126A JPH0682777B2 (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | 熱保護回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62113460A JPS62113460A (ja) | 1987-05-25 |
| JPH0682777B2 true JPH0682777B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=17260583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60254126A Expired - Lifetime JPH0682777B2 (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | 熱保護回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682777B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02268513A (ja) * | 1989-04-11 | 1990-11-02 | New Japan Radio Co Ltd | 熱遮断回路 |
| EP0481105A1 (de) * | 1990-10-15 | 1992-04-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Schaltungsanordnung zum Erfassen der Übertemperatur eines elektronischen Bauelements |
| US5484013A (en) * | 1993-05-27 | 1996-01-16 | Nippon Densan Corporation | Heat sink fan |
| JPH07161920A (ja) * | 1993-12-08 | 1995-06-23 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
-
1985
- 1985-11-13 JP JP60254126A patent/JPH0682777B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62113460A (ja) | 1987-05-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |