JPH0684985A - トランスファモ−ルド金型 - Google Patents
トランスファモ−ルド金型Info
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- JPH0684985A JPH0684985A JP23078292A JP23078292A JPH0684985A JP H0684985 A JPH0684985 A JP H0684985A JP 23078292 A JP23078292 A JP 23078292A JP 23078292 A JP23078292 A JP 23078292A JP H0684985 A JPH0684985 A JP H0684985A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- eject pin
- die
- lower die
- runner
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/26—Moulds
- B29C45/27—Sprue channels ; Runner channels or runner nozzles
- B29C45/2701—Details not specific to hot or cold runner channels
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 モ−ルド成型時に光学半導体装置受光面上へ
の樹脂バリ等の異物の流入を防止する。 【構成】 光学半導体用トランスファモ−ルド成型を行
う金型において、カル部およびランナ−部のエジェクト
ピン１０６ａ，１０７ａを主に樹脂が流動する筋道でな
い突起部１１０、１１０ａに配置する金型による。 【効果】 モ−ルド成型時の光学半導体装置の撮像不良
を低減し、歩留まりの向上が図れる。
の樹脂バリ等の異物の流入を防止する。 【構成】 光学半導体用トランスファモ−ルド成型を行
う金型において、カル部およびランナ−部のエジェクト
ピン１０６ａ，１０７ａを主に樹脂が流動する筋道でな
い突起部１１０、１１０ａに配置する金型による。 【効果】 モ−ルド成型時の光学半導体装置の撮像不良
を低減し、歩留まりの向上が図れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特に、光学半導体装置
の金型として有効なトランスファモ−ルド金型に関する
ものであり、主として光学半導体の透明樹脂によるモ−
ルド成型技術の分野において利用されるものである。
の金型として有効なトランスファモ−ルド金型に関する
ものであり、主として光学半導体の透明樹脂によるモ−
ルド成型技術の分野において利用されるものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の光学半導体用トランスファモ−ル
ド金型は、上金型、下金型より構成され、それぞれの平
面図を図１１（ａ）、（ｂ）に示す。金型平面図に示す
ように下金型カル部エジェクトピン２０６ａ、下金型ラ
ンナ−部エジェクトピン２０７ａが、下金型カル部２０
６および下金型ランナ−部２０７に、また、上金型ラン
ナ−部エジェクトピン２１３ａが上金型ランナ−部に、
それぞれ、主に樹脂が流動する筋道に配置されている。
なお、２０８はキャビティ、２０８ａはキャビティ部エ
ジェクトピン、２０９はゲ−トである。
ド金型は、上金型、下金型より構成され、それぞれの平
面図を図１１（ａ）、（ｂ）に示す。金型平面図に示す
ように下金型カル部エジェクトピン２０６ａ、下金型ラ
ンナ−部エジェクトピン２０７ａが、下金型カル部２０
６および下金型ランナ−部２０７に、また、上金型ラン
ナ−部エジェクトピン２１３ａが上金型ランナ−部に、
それぞれ、主に樹脂が流動する筋道に配置されている。
なお、２０８はキャビティ、２０８ａはキャビティ部エ
ジェクトピン、２０９はゲ−トである。
【０００３】図１２から図１８までは従来の上下金型断
面図及び工程概略図である。以下、従来の光学半導体装
置のトランスファモ−ルド成型工程について詳述する。
面図及び工程概略図である。以下、従来の光学半導体装
置のトランスファモ−ルド成型工程について詳述する。
【０００４】まず、型開きの状態での上下金型の構成を
図１２について説明する。上金型２１２の上金型エジェ
クトピン２１３ａは上金型エジェクトピンプレ−ト２１
２ａに固定されており、エジェクトピンプレ−トごとバ
ネ２１２ｂにより下方に押し下げられている。従って、
型開きの状態では、上金型エジェクトピン２１３ａは上
金型パ−ティング面２１３より突き出ている。下金型２
１１の下金型カル部エジェクトピン２０６ａ、及び、下
金型ランナ−部エジェクトピン２０７ａは、下金型エジ
ェクトピンプレ−ト２１１ａに固定されているが、バネ
は入っておらず、型開きの状態では下金型カル部２０
６、下金型ランナ−部２０７底面から突き出ていない。
図１２について説明する。上金型２１２の上金型エジェ
クトピン２１３ａは上金型エジェクトピンプレ−ト２１
２ａに固定されており、エジェクトピンプレ−トごとバ
ネ２１２ｂにより下方に押し下げられている。従って、
型開きの状態では、上金型エジェクトピン２１３ａは上
金型パ−ティング面２１３より突き出ている。下金型２
１１の下金型カル部エジェクトピン２０６ａ、及び、下
金型ランナ−部エジェクトピン２０７ａは、下金型エジ
ェクトピンプレ−ト２１１ａに固定されているが、バネ
は入っておらず、型開きの状態では下金型カル部２０
６、下金型ランナ−部２０７底面から突き出ていない。
【０００５】次に、図１３で示すように型締めすること
により、上金型エジェクトピン柱２１３ｂが下金型パ−
ティング面２１４に接地するためエジェクトピンプレ−
ト２１２ａごと持ち上がる。従って型締めの状態では、
上金型エジェクトピン２１３ａは上金型パ−ティング面
２１３と同一面まで引っ込む。下金型カル部エジェクト
ピン２０６ａ、及び、下金型ランナ−部エジェクトピン
２０７ａは型開き状態と変わらず、下金型カル部２０
６、及び、下金型ランナ−部２０７底より突き出ていな
い。
により、上金型エジェクトピン柱２１３ｂが下金型パ−
ティング面２１４に接地するためエジェクトピンプレ−
ト２１２ａごと持ち上がる。従って型締めの状態では、
上金型エジェクトピン２１３ａは上金型パ−ティング面
２１３と同一面まで引っ込む。下金型カル部エジェクト
ピン２０６ａ、及び、下金型ランナ−部エジェクトピン
２０７ａは型開き状態と変わらず、下金型カル部２０
６、及び、下金型ランナ−部２０７底より突き出ていな
い。
【０００６】図１４、図１５で示すように、型締め状態
のポット部２１５から透明樹脂タブレット２１６を投入
しトランスファ２１７により、ランナ−、ゲ−ト、キャ
ビティの隅々まで注入され、一定時間型締めキュアを行
った後、型開きを行う。図１６で示すように、上金型エ
ジェクトピン２１３ａは、バネ２１２ｂにより上金型エ
ジェクトピンプレ−ト２１２ａごと押し下げられ、上金
型パ−ティング面２１３より突き出る。その結果、成型
品２１８と上金型２１２との離型が行われる。最後に、
図１７で示すように、下金型カル部エジェクトピン２０
６ａ、及び、下金型ランナ−部エジェクトピン２０７ａ
を下金型エジェクトピンプレ−ト２１１ａごと油圧機構
２１９により持ち上げ、成型品２１８を下金型２１１よ
り突き上げて離型される。図１８で示すように、成型品
２１８を取り除いた後は、油圧を解除し下金型カル部エ
ジェクトピン２０６ａ、及び、下金型ランナ−部エジェ
クトピン２０７ａを元の位置まで下げ、圧縮空気による
エアブロ−にて金型表面に付着している樹脂バリを除去
する。
のポット部２１５から透明樹脂タブレット２１６を投入
しトランスファ２１７により、ランナ−、ゲ−ト、キャ
ビティの隅々まで注入され、一定時間型締めキュアを行
った後、型開きを行う。図１６で示すように、上金型エ
ジェクトピン２１３ａは、バネ２１２ｂにより上金型エ
ジェクトピンプレ−ト２１２ａごと押し下げられ、上金
型パ−ティング面２１３より突き出る。その結果、成型
品２１８と上金型２１２との離型が行われる。最後に、
図１７で示すように、下金型カル部エジェクトピン２０
６ａ、及び、下金型ランナ−部エジェクトピン２０７ａ
を下金型エジェクトピンプレ−ト２１１ａごと油圧機構
２１９により持ち上げ、成型品２１８を下金型２１１よ
り突き上げて離型される。図１８で示すように、成型品
２１８を取り除いた後は、油圧を解除し下金型カル部エ
ジェクトピン２０６ａ、及び、下金型ランナ−部エジェ
クトピン２０７ａを元の位置まで下げ、圧縮空気による
エアブロ−にて金型表面に付着している樹脂バリを除去
する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】これら一連のモ−ルド
成型工程において、図１１に示す従来金型を使用した場
合、型締め時に上金型ランナ−直上に設けられたエジェ
クトピン２１３ａとエジェクトピン穴内壁の隙間から樹
脂バリが押し出され、熔融樹脂に巻き込まれてゲ−ト２
０９を通りキャビティ２０８内へ流入してしまう。ま
た、下金型カル部２０６、下金型ランナ−部２０７につ
いても同様、前ショットの下金型カル部エジェクトピン
２０６ａ、あるいは、下金型ランナ−部エジェクトピン
２０７ａ動作時にエジェクトピンとエジェクトピン穴内
壁の隙間から押し出された樹脂バリをエアブロ−で充分
除去できていないと、熔融樹脂にまきこまれてゲ−ト２
０９を通りキャビティ２０８へ流入してしまう。
成型工程において、図１１に示す従来金型を使用した場
合、型締め時に上金型ランナ−直上に設けられたエジェ
クトピン２１３ａとエジェクトピン穴内壁の隙間から樹
脂バリが押し出され、熔融樹脂に巻き込まれてゲ−ト２
０９を通りキャビティ２０８内へ流入してしまう。ま
た、下金型カル部２０６、下金型ランナ−部２０７につ
いても同様、前ショットの下金型カル部エジェクトピン
２０６ａ、あるいは、下金型ランナ−部エジェクトピン
２０７ａ動作時にエジェクトピンとエジェクトピン穴内
壁の隙間から押し出された樹脂バリをエアブロ−で充分
除去できていないと、熔融樹脂にまきこまれてゲ−ト２
０９を通りキャビティ２０８へ流入してしまう。
【０００８】その結果、キャビティ２０８へ流入した樹
脂バリは、光学チップ受光面上へ流れ込む可能性が非常
に大きく、そのまま硬化すると撮像テスト時に黒キズ不
良となり歩留まりを低下させるという問題があった。
脂バリは、光学チップ受光面上へ流れ込む可能性が非常
に大きく、そのまま硬化すると撮像テスト時に黒キズ不
良となり歩留まりを低下させるという問題があった。
【０００９】なお、上下金型のキャビティ部エジェクト
ピン２０８ａ穴内壁からも、同様に樹脂バリが発生する
が、この樹脂バリはゲ−ト２０９から注入される熔融樹
脂によりキャビティ２０８の隅に流され硬化するため問
題とならない。
ピン２０８ａ穴内壁からも、同様に樹脂バリが発生する
が、この樹脂バリはゲ−ト２０９から注入される熔融樹
脂によりキャビティ２０８の隅に流され硬化するため問
題とならない。
【００１０】本発明は、この従来金型における上記問題
点を解決したトランスファモ−ルド金型を提供するもの
である。
点を解決したトランスファモ−ルド金型を提供するもの
である。
【００１１】
【課題を解決するための手段】従来金型ではカル部、ラ
ンナ−部の主に樹脂が流動する筋道に配置していたエジ
ェクトピンを、カル部、ランナ−部にエジェクトピンを
配置できるだけの突起部を設け、その突起部で成型品を
エジェクトするように金型を改良する。
ンナ−部の主に樹脂が流動する筋道に配置していたエジ
ェクトピンを、カル部、ランナ−部にエジェクトピンを
配置できるだけの突起部を設け、その突起部で成型品を
エジェクトするように金型を改良する。
【００１２】すなわち、本発明はカル部、ランナ−部及
びキャビティ部を有すると共に、樹脂成型品との離型を
補助するエジェクトピンを有するトランスファモ−ルド
金型において、上記カル部及びランナ−部に突起部を設
け、該突起部に上記エジェクトピンを配置させる構成と
したことを特徴とするトランスファモ−ルド金型による
ものである。
びキャビティ部を有すると共に、樹脂成型品との離型を
補助するエジェクトピンを有するトランスファモ−ルド
金型において、上記カル部及びランナ−部に突起部を設
け、該突起部に上記エジェクトピンを配置させる構成と
したことを特徴とするトランスファモ−ルド金型による
ものである。
【００１３】
【作用】本発明によるトランスファモ−ルド金型によれ
ば、熔融樹脂がカル部、ランナ−部を通過しても、エジ
ェクトピンが、熔融樹脂が主に流動する筋道になく、カ
ル部、ランナ−部に設けた突起部にあるためエジェクト
ピン内壁から発生した樹脂バリは該突起部で滞留し、キ
ャビティ部の光学チップ受光面上へ流入しない。
ば、熔融樹脂がカル部、ランナ−部を通過しても、エジ
ェクトピンが、熔融樹脂が主に流動する筋道になく、カ
ル部、ランナ−部に設けた突起部にあるためエジェクト
ピン内壁から発生した樹脂バリは該突起部で滞留し、キ
ャビティ部の光学チップ受光面上へ流入しない。
【００１４】
【実施例】光学半導体装置の製造工程のアセンブリ−フ
ロ−チャ−トを図２に、トランスファモ−ルド金型にて
成型された光学半導体装置の断面図を図３に示す。
ロ−チャ−トを図２に、トランスファモ−ルド金型にて
成型された光学半導体装置の断面図を図３に示す。
【００１５】以下、アセンブリ−フロ−チャ−トに基づ
いて、本発明の実施例を詳細に説明する。
いて、本発明の実施例を詳細に説明する。
【００１６】まず、所望のパタ−ンが形成されたウエハ
−をダイシングし（図示せず）、チップ１状態にする
（ステップＴ１）。
−をダイシングし（図示せず）、チップ１状態にする
（ステップＴ１）。
【００１７】次に、切り離されたチップ１をダイボンド
接着剤を用いてリ−ドフレ−ム２にダイボンディングを
行う（ステップＴ２）。
接着剤を用いてリ−ドフレ−ム２にダイボンディングを
行う（ステップＴ２）。
【００１８】ダイボンディングされたリ−ドフレ−ム２
に、Ａｕワイヤ−３をボンディングする（ステップＴ
３）。
に、Ａｕワイヤ−３をボンディングする（ステップＴ
３）。
【００１９】ダイボンド及びワイヤ−ボンドされたリ−
ドフレ−ム２を洗浄し、チップやリ−ドフレ−ムに付着
した異物を除去する（ステップＴ４）。
ドフレ−ム２を洗浄し、チップやリ−ドフレ−ムに付着
した異物を除去する（ステップＴ４）。
【００２０】リ−ドフレ−ム２を洗浄した後、トランス
ファモ−ルド金型を使用し、透明モ−ルド樹脂４にてモ
−ルド成型を行う（ステップＴ５）。
ファモ−ルド金型を使用し、透明モ−ルド樹脂４にてモ
−ルド成型を行う（ステップＴ５）。
【００２１】そして、モ−ルド成型（ステップＴ５）し
た後は、成型パッケ−ジの裏面に社名や製造番号をマ−
クする（ステップＴ６）。マ−クが終了したら、リ−ド
５を所定の寸法に切断し折り曲げるフォ−ミングを行う
（ステップＴ７）。フォ−ミングが終了したら、電気特
性および撮像特性が仕様に適合しているか否かをテスト
し（ステップＴ８）光学半導体装置が完成する。ただ
し、撮像テスト時に、光学チップ受光面上４ａに樹脂バ
リ等の異物が存在すると、黒キズ不良となる。
た後は、成型パッケ−ジの裏面に社名や製造番号をマ−
クする（ステップＴ６）。マ−クが終了したら、リ−ド
５を所定の寸法に切断し折り曲げるフォ−ミングを行う
（ステップＴ７）。フォ−ミングが終了したら、電気特
性および撮像特性が仕様に適合しているか否かをテスト
し（ステップＴ８）光学半導体装置が完成する。ただ
し、撮像テスト時に、光学チップ受光面上４ａに樹脂バ
リ等の異物が存在すると、黒キズ不良となる。
【００２２】以下、本発明の金型を使用するモ−ルド成
型工程（ステップＴ５）について詳述する。
型工程（ステップＴ５）について詳述する。
【００２３】本実施例での光学半導体用トランスファモ
−ルド金型は、上金型、下金型より構成され、それぞれ
の平面図を図１（ａ）、（ｂ）に示す。
−ルド金型は、上金型、下金型より構成され、それぞれ
の平面図を図１（ａ）、（ｂ）に示す。
【００２４】金型平面図に示すように下金型カル部エジ
ェクトピン１０６ａ、下金型ランナ−部エジェクトピン
１０７ａを、下金型カル部１０６および下金型ランナ−
部１０７に設けた突起部１１０、１１０ａに設け、ま
た、上金型のランナ−部エジェクトピン１１３ａを、上
金型ランナ−部に設けた突起部１１０ｂに設け、突起部
１１０、１１０ａ、１１０ｂで成型品をエジェクトする
ように上下金型は改良されている。突起部１１０、１１
０ａ、１１０ｂは主に樹脂が流動する筋道に配置されて
いない。なお、１０８はキャビティ、１０８ａはキャビ
ティ部エジェクトピン、１０９はゲ−トである。
ェクトピン１０６ａ、下金型ランナ−部エジェクトピン
１０７ａを、下金型カル部１０６および下金型ランナ−
部１０７に設けた突起部１１０、１１０ａに設け、ま
た、上金型のランナ−部エジェクトピン１１３ａを、上
金型ランナ−部に設けた突起部１１０ｂに設け、突起部
１１０、１１０ａ、１１０ｂで成型品をエジェクトする
ように上下金型は改良されている。突起部１１０、１１
０ａ、１１０ｂは主に樹脂が流動する筋道に配置されて
いない。なお、１０８はキャビティ、１０８ａはキャビ
ティ部エジェクトピン、１０９はゲ−トである。
【００２５】図４から図１０までは本発明の上下金型断
面図及びトランスファモ−ルド工程概略図である。以
下、光学半導体装置のトランスファモ−ルド成型工程に
ついて詳述する。
面図及びトランスファモ−ルド工程概略図である。以
下、光学半導体装置のトランスファモ−ルド成型工程に
ついて詳述する。
【００２６】まず、型開きの状態での上下金型の構成を
図４について説明する。上金型１１２の上金型エジェク
トピン１１３ａは上金型エジェクトピンプレ−ト１１２
ａに固定されており、エジェクトピンプレ−トごとバネ
１１２ｂにより下方に押し下げられている。従って、型
開きの状態では、上金型エジェクトピン１１３ａは上金
型パ−ティング面１１３より突き出ている。下金型１１
１の下金型カル部エジェクトピン１０６ａ、及び、下金
型ランナ−部エジェクトピン１０７ａは、下金型エジェ
クトピンプレ−ト１１１ａに固定されているが、バネは
入っておらず、型開きの状態では下金型カル部１０６、
下金型ランナ−部１０７底面から突き出ていない。
図４について説明する。上金型１１２の上金型エジェク
トピン１１３ａは上金型エジェクトピンプレ−ト１１２
ａに固定されており、エジェクトピンプレ−トごとバネ
１１２ｂにより下方に押し下げられている。従って、型
開きの状態では、上金型エジェクトピン１１３ａは上金
型パ−ティング面１１３より突き出ている。下金型１１
１の下金型カル部エジェクトピン１０６ａ、及び、下金
型ランナ−部エジェクトピン１０７ａは、下金型エジェ
クトピンプレ−ト１１１ａに固定されているが、バネは
入っておらず、型開きの状態では下金型カル部１０６、
下金型ランナ−部１０７底面から突き出ていない。
【００２７】次に、図５で示すように型締めすることに
より、上金型エジェクトピン柱１１３ｂが下金型パ−テ
ィング面１１４に接地するため上金型エジェクトピンプ
レ−ト１１２ａごと持ち上がる。従って型締めの状態で
は、上金型エジェクトピン１１３ａは上金型パ−ティン
グ面１１３と同一面まで引っ込む。下金型カル部エジェ
クトピン１０６ａ、及び、下金型ランナ−部エジェクト
ピン１０７ａは型開き状態と変わらず、下金型カル部２
０６、及び、下金型ランナ−部２０７底面より突き出て
いない。
より、上金型エジェクトピン柱１１３ｂが下金型パ−テ
ィング面１１４に接地するため上金型エジェクトピンプ
レ−ト１１２ａごと持ち上がる。従って型締めの状態で
は、上金型エジェクトピン１１３ａは上金型パ−ティン
グ面１１３と同一面まで引っ込む。下金型カル部エジェ
クトピン１０６ａ、及び、下金型ランナ−部エジェクト
ピン１０７ａは型開き状態と変わらず、下金型カル部２
０６、及び、下金型ランナ−部２０７底面より突き出て
いない。
【００２８】図６、図７で示すように、型締め状態のポ
ット部１１５から透明樹脂タブレット１１６を投入しト
ランスファ１１７により、ランナ−、ゲ−ト、キャビテ
ィの隅々まで注入され、一定時間型締めキュアを行った
後、型開きを行う。図８で示すように、上金型エジェク
トピン１１３ａは、バネ１１２ｂにより上金型エジェク
トピンプレ−ト１１２ａごと押し下げられ、上金型パ−
ティング面１１３より突き出る。その結果、成型品１１
８と上金型１１２との離型が行われる。
ット部１１５から透明樹脂タブレット１１６を投入しト
ランスファ１１７により、ランナ−、ゲ−ト、キャビテ
ィの隅々まで注入され、一定時間型締めキュアを行った
後、型開きを行う。図８で示すように、上金型エジェク
トピン１１３ａは、バネ１１２ｂにより上金型エジェク
トピンプレ−ト１１２ａごと押し下げられ、上金型パ−
ティング面１１３より突き出る。その結果、成型品１１
８と上金型１１２との離型が行われる。
【００２９】本発明の上下金型を使用すれば、型締め時
に上金型エジェクトピン１１３ａとエジェクトピン穴内
壁の隙間から樹脂バリが押し出され、熔融樹脂が注入さ
れても、樹脂バリは突起部１１０ｂに滞留し、キャビテ
ィ１０８内に流入することがない。また、下金型カル
部、ランナ−部についても同様、前ショットの下金型エ
ジェクトピン動作時に下金型カル部エジェクトピン１０
６ａ，及び、下金型ランナ−部エジェクトピン１０７ａ
とエジェクトピン穴内壁の隙間から押し出された樹脂バ
リを、エアブロ−で充分除去できていなくても、樹脂バ
リは突起部１１０、１１０ａに滞留し、キャビティ１０
８内に流入することがない。その結果、良好なモ−ルド
成型品が得られる。
に上金型エジェクトピン１１３ａとエジェクトピン穴内
壁の隙間から樹脂バリが押し出され、熔融樹脂が注入さ
れても、樹脂バリは突起部１１０ｂに滞留し、キャビテ
ィ１０８内に流入することがない。また、下金型カル
部、ランナ−部についても同様、前ショットの下金型エ
ジェクトピン動作時に下金型カル部エジェクトピン１０
６ａ，及び、下金型ランナ−部エジェクトピン１０７ａ
とエジェクトピン穴内壁の隙間から押し出された樹脂バ
リを、エアブロ−で充分除去できていなくても、樹脂バ
リは突起部１１０、１１０ａに滞留し、キャビティ１０
８内に流入することがない。その結果、良好なモ−ルド
成型品が得られる。
【００３０】最後に、図９で示すように、下金型カル部
エジェクトピン１０６ａ、及び、下金型ランナ−部エジ
ェクトピン１０７ａをエジェクトピンプレ−ト１１１ａ
ごと油圧機構１１９により持ち上げ、成型品１１８を下
金型１１１より突き上げて離型される。図１０で示すよ
うに、成型品１１８を取り除いた後は、油圧を解除し下
金型カル部エジェクトピン１０６ａ、及び、下金型ラン
ナ−部エジェクトピン１０７ａを元の位置まで下げ、圧
縮空気によるエアブロ−にて金型表面に付着している樹
脂バリを除去する。
エジェクトピン１０６ａ、及び、下金型ランナ−部エジ
ェクトピン１０７ａをエジェクトピンプレ−ト１１１ａ
ごと油圧機構１１９により持ち上げ、成型品１１８を下
金型１１１より突き上げて離型される。図１０で示すよ
うに、成型品１１８を取り除いた後は、油圧を解除し下
金型カル部エジェクトピン１０６ａ、及び、下金型ラン
ナ−部エジェクトピン１０７ａを元の位置まで下げ、圧
縮空気によるエアブロ−にて金型表面に付着している樹
脂バリを除去する。
【００３１】なお、本発明は上記実施例に限定されな
い。
い。
【００３２】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明よる
金型であれば、モ−ルド成型時の光学チップ受光面上へ
の異物流入が防止され、テスト時の撮像不良を低減し、
光学半導体装置の歩留まりを向上させることができる。
金型であれば、モ−ルド成型時の光学チップ受光面上へ
の異物流入が防止され、テスト時の撮像不良を低減し、
光学半導体装置の歩留まりを向上させることができる。
【図１】（ａ）は本発明の一実施例における上金型の平
面図である。（ｂ）は本発明の一実施例における下金型
の平面図である。
面図である。（ｂ）は本発明の一実施例における下金型
の平面図である。
【図２】光学半導体のアセンブリ−フロ−チャ−トであ
る。
る。
【図３】光学半導体装置の断面図である。
【図４】本発明の一実施例で上下金型の型開きした状態
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図５】同実施例で上下金型の型締めした状態を示す断
面図である。
面図である。
【図６】同実施例でポット部に透明樹脂タブレットを投
入した状態を示す断面図である。
入した状態を示す断面図である。
【図７】同実施例で透明樹脂を注入した状態を示す断面
図である。
図である。
【図８】同実施例でモ−ルド後に上下金型の型開きした
状態を示す断面図である。
状態を示す断面図である。
【図９】同実施例で下金型エジェクトピンにより成型品
を突き上げた状態を示す断面図である。
を突き上げた状態を示す断面図である。
【図１０】同実施例で下金型エジェクトピンを元位置ま
で下げた状態を示す断面図である。
で下げた状態を示す断面図である。
【図１１】（ａ）は従来の上金型の平面図である。
（ｂ）は従来の下金型の平面図である。
（ｂ）は従来の下金型の平面図である。
【図１２】従来技術で上下金型の型開きした状態を示す
断面図である。
断面図である。
【図１３】従来技術で上下金型の型締めした状態を示す
断面図である。
断面図である。
【図１４】従来技術でポット部に透明樹脂タブレットを
投入した状態を示す断面図である。
投入した状態を示す断面図である。
【図１５】従来技術で透明樹脂を注入した状態を示す断
面図である。
面図である。
【図１６】従来技術でモ−ルド後に上下金型の型開きし
た状態を示す断面図である。
た状態を示す断面図である。
【図１７】従来技術で下金型エジェクトピンにより成型
品を突き上げた状態を示す断面図である。
品を突き上げた状態を示す断面図である。
【図１８】従来技術で下金型エジェクトピンを元位置ま
で下げた状態を示す断面図である。
で下げた状態を示す断面図である。
１ 光学半導体チップ ２ リ−ドフレ−ム ３ Ａｕワイヤ− ４ 透明モ−ルド樹脂 ４ａ 光学半導体チップ受光面 ５ リ−ド １０６ 下金型カル部 １０６ａ 下金型カル部エジェクトピン １０７ 下金型ランナ−部 １０７ａ 下金型ランナ−部エジェクトピン １０８ キャビティ １０８ａ キャビティ部エジェクトピン １０９ ゲ−ト １１０，１１０ａ，１１０ｂ 突起部 １１１ 下金型 １１１ａ 下金型エジェクトピンプレ−ト １１２ 上金型 １１２ａ 上金型エジェクトピンプレ−ト １１２ｂ バネ １１３ 上金型パ−ティング面 １１３ａ 上金型エジェクトピン １１３ｂ 上金型エジェクトピン柱 １１４ 下金型パ−ティング面 １１５ ポット部 １１６ 透明樹脂タブレット １１７ トランスファ １１８ 成型品 １１９ 油圧機構
Claims (1)
- 【請求項１】 カル部、ランナ−部及びキャビティ部を
有すると共に、樹脂成型品との離型を補助するエジェク
トピンを有するトランスファモ−ルド金型において、 上記カル部及びランナ−部に突起部を設け、該突起部に
上記エジェクトピンを配置させる構成としたことを特徴
とするトランスファモ−ルド金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23078292A JPH0684985A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | トランスファモ−ルド金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23078292A JPH0684985A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | トランスファモ−ルド金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0684985A true JPH0684985A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=16913185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23078292A Pending JPH0684985A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | トランスファモ−ルド金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0684985A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010037252A (ko) * | 1999-10-15 | 2001-05-07 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체패키지 제조용 금형 |
| US6562272B1 (en) * | 2000-12-05 | 2003-05-13 | Cypress Semiconductor Corporation | Apparatus and method for delamination-resistant, array type molding of increased mold cap size laminate packages |
| US6923632B2 (en) * | 1995-05-19 | 2005-08-02 | Denso Corporation | Method and apparatus for forming a casting which includes an insert |
| US7008575B2 (en) | 1999-12-16 | 2006-03-07 | Dai-Ichi Seiko Co., Ltd. | Resin sealing mold and resin sealing method |
| JP2007273551A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Fujitsu Ltd | 樹脂封止用金型、樹脂封止装置及び半導体装置の製造方法 |
| DE10326794B4 (de) * | 2002-06-26 | 2012-07-26 | Eichsfelder Schraubenwerk Gmbh | Verfahren zum Umspritzen eines Formteiles |
-
1992
- 1992-08-31 JP JP23078292A patent/JPH0684985A/ja active Pending
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| JP2007273551A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Fujitsu Ltd | 樹脂封止用金型、樹脂封止装置及び半導体装置の製造方法 |
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