JPH0687364B2 - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
- Publication number
- JPH0687364B2 JPH0687364B2 JP61104789A JP10478986A JPH0687364B2 JP H0687364 B2 JPH0687364 B2 JP H0687364B2 JP 61104789 A JP61104789 A JP 61104789A JP 10478986 A JP10478986 A JP 10478986A JP H0687364 B2 JPH0687364 B2 JP H0687364B2
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- Japan
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- dielectric constant
- mol
- high dielectric
- porcelain composition
- composition
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は粒界型半導体磁器コンデンサー用の高誘電率磁
器組成物に関する。
器組成物に関する。
従来より、チタン酸バリウム系の磁器組成物は高い誘電
率、小さい誘電体損失を有することが知られているが、
該組成物を粒界型半導体磁器コンデンサーとして使用し
た場合、誘電率が高ければ誘電体損失が大きかったり、
温度特性が悪かったり、絶縁抵抗が小さい等の問題点が
あり、また誘電体損失が小さければ誘電率が低い等の問
題点があった。
率、小さい誘電体損失を有することが知られているが、
該組成物を粒界型半導体磁器コンデンサーとして使用し
た場合、誘電率が高ければ誘電体損失が大きかったり、
温度特性が悪かったり、絶縁抵抗が小さい等の問題点が
あり、また誘電体損失が小さければ誘電率が低い等の問
題点があった。
本発明の目的は、粒界型半導体磁器コンデンサーとして
使用した場合、高い誘電率を有しながら小さい誘電体損
失、とくに良好な温度特性、高い絶縁抵抗と、バランス
のとれた電気特性を有する高誘電率磁器組成物を提供す
ることにある。
使用した場合、高い誘電率を有しながら小さい誘電体損
失、とくに良好な温度特性、高い絶縁抵抗と、バランス
のとれた電気特性を有する高誘電率磁器組成物を提供す
ることにある。
本発明の上記目的は、チタン酸バリウム83.5〜87モル
％、スズ酸バリウム12〜14モル％、およびチタン酸スト
ロンチウム１〜2.5モル％からなる主成分組成物に対し
半導体化剤0.05〜0.17モル％および鉱化剤少量を含有
し、かつ焼成が中性又は還元性雰囲気下で行われたこと
を特徴とする高誘電率磁器組成物によって達成される。
％、スズ酸バリウム12〜14モル％、およびチタン酸スト
ロンチウム１〜2.5モル％からなる主成分組成物に対し
半導体化剤0.05〜0.17モル％および鉱化剤少量を含有
し、かつ焼成が中性又は還元性雰囲気下で行われたこと
を特徴とする高誘電率磁器組成物によって達成される。
本発明で云う主成分組成物とは、チタン酸バリウム、ス
ズ酸バリウムおよびチタン酸ストロンチウムの三者の組
み合せを指し、組成物の製造に際してはこれら各成分を
そのまま使用してもよいし、あるいはTi,Ba,Sn,Srの酸
化物や加熱時に酸化物となる炭酸塩、修酸塩を適宜、選
択使用することもできる。
ズ酸バリウムおよびチタン酸ストロンチウムの三者の組
み合せを指し、組成物の製造に際してはこれら各成分を
そのまま使用してもよいし、あるいはTi,Ba,Sn,Srの酸
化物や加熱時に酸化物となる炭酸塩、修酸塩を適宜、選
択使用することもできる。
また本発明で云う半導体化剤としては、La,Ce,Pr,Nd,S
m,Gd,Dy,Hoなど希土類元素を挙げることができ、これら
は酸化物かもしくは加熱時に酸化物になるものであれば
よい。
m,Gd,Dy,Hoなど希土類元素を挙げることができ、これら
は酸化物かもしくは加熱時に酸化物になるものであれば
よい。
さらに本発明で使用する鉱化剤としては、公知のものな
らなんでもよいが、一般的にはSiO2,Al2O3,ZnOなどを挙
げることができる。
らなんでもよいが、一般的にはSiO2,Al2O3,ZnOなどを挙
げることができる。
上述した各成分は実質的に前記組成となるよう使用さ
れ、その範囲内では発明の目的を達成できるが、範囲外
では温度特性、誘電体損失、誘電率、絶縁抵抗など本発
明の特性のバランスが損なわれる。
れ、その範囲内では発明の目的を達成できるが、範囲外
では温度特性、誘電体損失、誘電率、絶縁抵抗など本発
明の特性のバランスが損なわれる。
すなわち、チタン酸バリウムが87モル％を越えた場合は
温度特性が損なわれ、83.5モル％を下回れば誘電率が低
下する。スズ酸バリウムは14モル％を超えて多量となる
と、誘電率が低下し、また12モル％を下回わる少量とな
ると、温度特性が損なわれる。チタン酸ストロンチウム
が2.5モル％を超えて多量となると、温度特性及び誘電
率が損なわれ、1.0モル％を下回わる少量となれば、誘
電体損失が大きくなる。
温度特性が損なわれ、83.5モル％を下回れば誘電率が低
下する。スズ酸バリウムは14モル％を超えて多量となる
と、誘電率が低下し、また12モル％を下回わる少量とな
ると、温度特性が損なわれる。チタン酸ストロンチウム
が2.5モル％を超えて多量となると、温度特性及び誘電
率が損なわれ、1.0モル％を下回わる少量となれば、誘
電体損失が大きくなる。
また半導体化剤も0.17モル％を越えると、温度特性が損
なわれ、0.05モル％を下回わると誘電率及び絶縁抵抗が
悪くなる。鉱化剤についてはたとえば１モル％と少量で
よい。
なわれ、0.05モル％を下回わると誘電率及び絶縁抵抗が
悪くなる。鉱化剤についてはたとえば１モル％と少量で
よい。
本発明の高誘電率磁器組成物の製法としてはとくに限定
する必要はなく、一般的には次の製法が実用的である。
する必要はなく、一般的には次の製法が実用的である。
すなわち、主成分、半導体化剤および鉱化剤が所定の組
成となるよう各成分の酸化物、炭酸塩等を秤量し、ボー
ルミルなどで湿式混合し、しかるのち900〜1400℃、好
ましくは1000〜1300℃で仮焼する。さらにこの仮焼物に
ポリビニルアルコールの如きバインダーを添加し、加圧
成型後、1300〜1500℃、好ましくは1400〜1450℃で中性
又は還元性雰囲気下で焼成すると、高誘電率磁器組成物
を得ることができる。
成となるよう各成分の酸化物、炭酸塩等を秤量し、ボー
ルミルなどで湿式混合し、しかるのち900〜1400℃、好
ましくは1000〜1300℃で仮焼する。さらにこの仮焼物に
ポリビニルアルコールの如きバインダーを添加し、加圧
成型後、1300〜1500℃、好ましくは1400〜1450℃で中性
又は還元性雰囲気下で焼成すると、高誘電率磁器組成物
を得ることができる。
本発明では該組成物を粒界型半導体磁器コンデンサー用
に用途限定するが、その製法としてはこれまで公知の方
法を採用することができる。
に用途限定するが、その製法としてはこれまで公知の方
法を採用することができる。
すなわち、上記組成物にCuO,Bi2O3,MnO2等の絶縁化剤を
塗布し、空気中で1200〜1500℃で加熱処理後、銀ペース
トなどを用いて電極を焼付けることによつて、粒界型半
導体磁器コンデンサーを得ることができる。
塗布し、空気中で1200〜1500℃で加熱処理後、銀ペース
トなどを用いて電極を焼付けることによつて、粒界型半
導体磁器コンデンサーを得ることができる。
表１に示す組成になるよう原料であるBaCO3,TiO2,SnO2,
SrCO3，半導体化剤および鉱化剤を所定量秤量し、ボー
ルミルで湿式混合を行なった。その後、乾燥、粉砕し、
空気雰囲気下で1000〜1300℃で仮焼した。この仮焼物を
粉砕したのち、ポリビニールアルコール等の有機バイン
ダーを添加混合して均質にし、乾燥、粉砕して約1000kg
/cm2の圧力で円板または角板状に加圧成形した。こうし
て加圧成型したものを窒素雰囲気または窒素と水素の混
合雰囲気下で1400〜1450℃で焼成した。次いでこの焼成
物にCuO,Bi2O3,MnO2などのうち少なくとも１種を塗布
し、空気雰囲気下で1200〜1500℃で拡散処理を行なっ
た。この表面に銀ペーストを塗布し、800℃で焼付ける
ことによって電極を形成した。
SrCO3，半導体化剤および鉱化剤を所定量秤量し、ボー
ルミルで湿式混合を行なった。その後、乾燥、粉砕し、
空気雰囲気下で1000〜1300℃で仮焼した。この仮焼物を
粉砕したのち、ポリビニールアルコール等の有機バイン
ダーを添加混合して均質にし、乾燥、粉砕して約1000kg
/cm2の圧力で円板または角板状に加圧成形した。こうし
て加圧成型したものを窒素雰囲気または窒素と水素の混
合雰囲気下で1400〜1450℃で焼成した。次いでこの焼成
物にCuO,Bi2O3,MnO2などのうち少なくとも１種を塗布
し、空気雰囲気下で1200〜1500℃で拡散処理を行なっ
た。この表面に銀ペーストを塗布し、800℃で焼付ける
ことによって電極を形成した。
表２に電気特性の結果を示す。同表において誘電率（ε
ｒ）、誘導体損失（tanδ）は温度を25℃とし周波数1kH
zで測定した値である。容量温度変化率（T.C）は25℃を
基準として、-25℃と85℃の値の変化で評価した。ま
た、絶縁抵抗（IR）は印加電圧を50Vの直流電圧とした
ときの値である。
ｒ）、誘導体損失（tanδ）は温度を25℃とし周波数1kH
zで測定した値である。容量温度変化率（T.C）は25℃を
基準として、-25℃と85℃の値の変化で評価した。ま
た、絶縁抵抗（IR）は印加電圧を50Vの直流電圧とした
ときの値である。
〔発明の効果〕 本発明の磁器組成物は52000以上と高い誘電率を示し、
粒界型半導体磁器コンデンサーとした場合、１〜1.9％
と小さい誘電体損失、17000〜62400MΩcmの高い絶縁抵
抗、そして特に-3〜-20％という良好な温度特性を有す
るため、たとえば音響機器や通信機器など粒界半導体磁
器コンデンサー用としてバランスのとれた特性を発揮す
ることができる。
粒界型半導体磁器コンデンサーとした場合、１〜1.9％
と小さい誘電体損失、17000〜62400MΩcmの高い絶縁抵
抗、そして特に-3〜-20％という良好な温度特性を有す
るため、たとえば音響機器や通信機器など粒界半導体磁
器コンデンサー用としてバランスのとれた特性を発揮す
ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高杉 充教 山口県宇部市大字小串1978番地の５ 宇部 興産株式会社宇部研究所内 (72)発明者 菊澤 将長 千葉県市川市田尻３−９−15 (56)参考文献 特開 昭57−167617（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】チタン酸バリウム83.5〜87モル％、スズ酸
バリウム12〜14モル％、およびチタン酸ストロンチウム
１〜2.5モル％の組合せからなる主成分組成物に対し半
導体化剤0.05〜0.17モル％および鉱化剤少量を含有し、
かつ焼成が中性又は還元性雰囲気下で行われたことを特
徴とする粒界型半導体磁器コンデンサー用の高誘電率磁
器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61104789A JPH0687364B2 (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 | 高誘電率磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61104789A JPH0687364B2 (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62262303A JPS62262303A (ja) | 1987-11-14 |
| JPH0687364B2 true JPH0687364B2 (ja) | 1994-11-02 |
Family
ID=14390226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61104789A Expired - Lifetime JPH0687364B2 (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0687364B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01104173A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-21 | Agency Of Ind Science & Technol | アミラーゼの安定化法 |
| JPH01104171A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-21 | Agency Of Ind Science & Technol | α−１・６−グルコシダーゼの安定化法 |
| JPH01104174A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-21 | Agency Of Ind Science & Technol | セルラーゼの安定化法 |
| US6514895B1 (en) | 2000-06-15 | 2003-02-04 | Paratek Microwave, Inc. | Electronically tunable ceramic materials including tunable dielectric and metal silicate phases |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57167617A (en) * | 1981-04-08 | 1982-10-15 | Murata Manufacturing Co | Grain boundary insulating type semiconductor porcelain composition |
-
1986
- 1986-05-09 JP JP61104789A patent/JPH0687364B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62262303A (ja) | 1987-11-14 |
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