JPH0687365B2 - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
- Publication number
- JPH0687365B2 JPH0687365B2 JP61104790A JP10479086A JPH0687365B2 JP H0687365 B2 JPH0687365 B2 JP H0687365B2 JP 61104790 A JP61104790 A JP 61104790A JP 10479086 A JP10479086 A JP 10479086A JP H0687365 B2 JPH0687365 B2 JP H0687365B2
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- JP
- Japan
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- mol
- dielectric constant
- high dielectric
- porcelain composition
- composition
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は粒界型半導体磁器コンデンサー用の高誘電率磁
器組成物に関する。
器組成物に関する。
従来より、チタン酸バリウム系の磁器組成物は高い誘電
率、小さい誘電体損失を有することが知られているが、
該組成物を粒界型半導体磁器コンデンサーとして使用し
た場合、誘電率が高ければ誘電体損失が大きかったり、
温度特性が悪かったり、絶縁抵抗が小さい等の問題点が
あり、また誘電体損失が小さければ誘電率が低い等の問
題点があった。
率、小さい誘電体損失を有することが知られているが、
該組成物を粒界型半導体磁器コンデンサーとして使用し
た場合、誘電率が高ければ誘電体損失が大きかったり、
温度特性が悪かったり、絶縁抵抗が小さい等の問題点が
あり、また誘電体損失が小さければ誘電率が低い等の問
題点があった。
本発明の目的は、粒界型半導体磁器コンデンサーとして
使用した場合、とくに高い誘電率を有しながら小さい誘
電体損失、良好な温度特性、高い絶縁抵抗と、バランス
のとれた電気特性を有する高誘電率磁器組成物を提供す
ることにある。
使用した場合、とくに高い誘電率を有しながら小さい誘
電体損失、良好な温度特性、高い絶縁抵抗と、バランス
のとれた電気特性を有する高誘電率磁器組成物を提供す
ることにある。
本発明の上記目的は、チタン酸バリウム83〜94モル％、
スズ酸バリウム５〜11モル％、およびチタン酸ストロン
チウム１〜６モル％からなる主成分組成物に対し半導体
化剤0.05〜0.2モル％および鉱化剤0.5〜４モル％を含有
し、かつ焼成が中性又は還元性雰囲気下で行われたこと
を特徴とする高誘電率磁器組成物によって、達成され
る。
スズ酸バリウム５〜11モル％、およびチタン酸ストロン
チウム１〜６モル％からなる主成分組成物に対し半導体
化剤0.05〜0.2モル％および鉱化剤0.5〜４モル％を含有
し、かつ焼成が中性又は還元性雰囲気下で行われたこと
を特徴とする高誘電率磁器組成物によって、達成され
る。
本発明で使用する主成分組成物は、チタン酸バリウム、
スズ酸バリウムおよびチタン酸ストロンチウムの三者の
組み合せを指し、組成物の製造に際してはこれら各成分
をそのまま使用してもよいし、あるいはTi,Ba,Sn,Srの
酸化物や加熱時に酸化物となる炭酸塩、修酸塩を適宜、
選択使用することもできる。
スズ酸バリウムおよびチタン酸ストロンチウムの三者の
組み合せを指し、組成物の製造に際してはこれら各成分
をそのまま使用してもよいし、あるいはTi,Ba,Sn,Srの
酸化物や加熱時に酸化物となる炭酸塩、修酸塩を適宜、
選択使用することもできる。
また本発明で云う半導体化剤としては、La,Ce,Pr,Nd,S
m,Gd,Dy,Hoなど稀土類元素を挙げることができ、これら
は酸化物かもしくは加熱時に酸化物になるものであれば
よい。
m,Gd,Dy,Hoなど稀土類元素を挙げることができ、これら
は酸化物かもしくは加熱時に酸化物になるものであれば
よい。
さらに本発明で使用する鉱化剤としては、公知のものな
らなんでもよいが、一般的にはSiO2,Al2O3,ZnOなどを挙
げることができる。
らなんでもよいが、一般的にはSiO2,Al2O3,ZnOなどを挙
げることができる。
上述した各成分は実質的に前記組成となるよう使用さ
れ、その範囲内では発明の目的を達成できるが、範囲外
では温度特性、誘電体損失、誘電率絶縁抵抗など本発明
の特性のバランスが損なわれる。
れ、その範囲内では発明の目的を達成できるが、範囲外
では温度特性、誘電体損失、誘電率絶縁抵抗など本発明
の特性のバランスが損なわれる。
すなわち、チタン酸バリウムが94モル％を越えた場合は
誘電体損失が大きくなり、83モル％を下回れば誘電率が
低下する。スズ酸バリウムは11モル％を越えて多量とな
ると、誘電率が低下し、また５モル％を下回わる少量と
なると、誘電体損失が大きくなる。チタン酸ストロンチ
ウムが６モル％を越えて多量となると、絶縁抵抗が低下
し1.0モル％を下回わる少量となれば、温度特性が損な
われる。また半導体化剤も0.2モル％を越えると、誘電
率が低下し、0.05モル％を下回わると絶縁抵抗が低下す
る。鉱化剤は0.5モル％を下回っても４モル％を上回っ
ても誘電率が低下する。
誘電体損失が大きくなり、83モル％を下回れば誘電率が
低下する。スズ酸バリウムは11モル％を越えて多量とな
ると、誘電率が低下し、また５モル％を下回わる少量と
なると、誘電体損失が大きくなる。チタン酸ストロンチ
ウムが６モル％を越えて多量となると、絶縁抵抗が低下
し1.0モル％を下回わる少量となれば、温度特性が損な
われる。また半導体化剤も0.2モル％を越えると、誘電
率が低下し、0.05モル％を下回わると絶縁抵抗が低下す
る。鉱化剤は0.5モル％を下回っても４モル％を上回っ
ても誘電率が低下する。
本発明の高誘電率磁器組成物の製法としてはとくに限定
する必要はなく、一般的には次の製法が実用的である。
すなわち、主成分、半導体化剤および鉱化剤が所定の組
成となるよう各成分の酸化物、炭酸塩等を秤量し、ボー
ルミルなどで湿式混合し、しかるのち900〜1400℃、好
ましくは1000〜1300℃で仮焼する。さらにこの仮焼物に
ポリビニルアルコールの如きバインダーを添加し、加圧
成型後、1300〜1500℃、好ましくは1400〜1450℃で中性
又は還元性雰囲気下で焼成すると、高誘電率磁器組成物
を得ることができる。
する必要はなく、一般的には次の製法が実用的である。
すなわち、主成分、半導体化剤および鉱化剤が所定の組
成となるよう各成分の酸化物、炭酸塩等を秤量し、ボー
ルミルなどで湿式混合し、しかるのち900〜1400℃、好
ましくは1000〜1300℃で仮焼する。さらにこの仮焼物に
ポリビニルアルコールの如きバインダーを添加し、加圧
成型後、1300〜1500℃、好ましくは1400〜1450℃で中性
又は還元性雰囲気下で焼成すると、高誘電率磁器組成物
を得ることができる。
本発明では該組成物を粒界型半導体磁器コンデンサー用
に用途限定するが、その製法としてはこれまで公知の方
法を採用することができる。
に用途限定するが、その製法としてはこれまで公知の方
法を採用することができる。
すなわち、上記組成物にCuO,Bi2O3,MnO2等の絶縁化剤を
塗布し、空気中で1200〜1500℃で加熱処理後、銀ペース
トなどを用いて電極を焼付けることによって、粒界型半
導体磁器コンデンサーを得ることができる。
塗布し、空気中で1200〜1500℃で加熱処理後、銀ペース
トなどを用いて電極を焼付けることによって、粒界型半
導体磁器コンデンサーを得ることができる。
表１に示す組成になるよう原料であるBaCO3,TiO2,SnO2,
SrCO3，半導体化剤La2O3および鉱化剤SiO2を所定量秤量
し、ボールミルで湿式混合を行なった。その後、乾燥、
粉砕し、空気雰囲気下で1000〜1300℃で仮焼した。この
仮焼物を粉砕したのち、ポリビニールアルコール等の有
機バインダーを添加混合して均質にし、乾燥，粉砕して
約1000kg/cm2の圧力で円板または角板状に加圧成形し
た。こうして加圧成型したものを窒素雰囲気または窒素
と水素の混合雰囲気下で1400〜1450℃で焼成した。次い
でこの焼成物にCuO,Bi2O3,MnO2などのうち少なくとも１
種を塗布し、空気雰囲気下で1200〜1500℃で拡散処理を
行なった。この表面に銀ペーストを塗布し、800℃で焼
付けることによって電極を形成した。
SrCO3，半導体化剤La2O3および鉱化剤SiO2を所定量秤量
し、ボールミルで湿式混合を行なった。その後、乾燥、
粉砕し、空気雰囲気下で1000〜1300℃で仮焼した。この
仮焼物を粉砕したのち、ポリビニールアルコール等の有
機バインダーを添加混合して均質にし、乾燥，粉砕して
約1000kg/cm2の圧力で円板または角板状に加圧成形し
た。こうして加圧成型したものを窒素雰囲気または窒素
と水素の混合雰囲気下で1400〜1450℃で焼成した。次い
でこの焼成物にCuO,Bi2O3,MnO2などのうち少なくとも１
種を塗布し、空気雰囲気下で1200〜1500℃で拡散処理を
行なった。この表面に銀ペーストを塗布し、800℃で焼
付けることによって電極を形成した。
表２に電気特性、温度特性の結果を示す。同表において
誘電率（εｒ）、誘電体損失（tanδ）は温度を25℃と
し周波数1kHzで測定した値である。容量温度変化率（T.
C）は25℃を基準として、-25℃と85℃の値の変化で評価
した。また、絶縁抵抗（IR）は印加電圧を50Vの直流電
圧としたときの値である。
誘電率（εｒ）、誘電体損失（tanδ）は温度を25℃と
し周波数1kHzで測定した値である。容量温度変化率（T.
C）は25℃を基準として、-25℃と85℃の値の変化で評価
した。また、絶縁抵抗（IR）は印加電圧を50Vの直流電
圧としたときの値である。
〔発明の効果〕 本発明の磁器組成物は56000以上と高い誘電率を示し、
粒界型半導体磁器コンデンサーとした場合、1.4〜3.8％
と小さい誘電体損失、6200〜55600MΩ・cmの高い絶縁抵
抗、そして良好な温度特性を有するため、たとえば音響
機器や通信機器など粒界型半導体磁器コンデンサー用と
してバランスのとれた特性を発揮することができる。
粒界型半導体磁器コンデンサーとした場合、1.4〜3.8％
と小さい誘電体損失、6200〜55600MΩ・cmの高い絶縁抵
抗、そして良好な温度特性を有するため、たとえば音響
機器や通信機器など粒界型半導体磁器コンデンサー用と
してバランスのとれた特性を発揮することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高杉 充教 山口県宇部市大字小串1978番地の５ 宇部 興産株式会社宇部研究所内 (72)発明者 菊澤 将長 千葉県市川市田尻３−９−15 (56)参考文献 特開 昭57−167617（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】チタン酸バリウム83〜94モル％、スズ酸バ
リウム５〜11モル％、およびチタン酸ストロンチウム１
〜６モル％の組合せからなる主成分組成物に対し半導体
化剤0.05〜0.2モル％および鉱化剤0.5〜４モル％を含有
し、かつ焼成が中性又は還元性雰囲気下で行われたこと
を特徴とする粒界型半導体磁器コンデンサー用の高誘電
率磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61104790A JPH0687365B2 (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 | 高誘電率磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61104790A JPH0687365B2 (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62262304A JPS62262304A (ja) | 1987-11-14 |
| JPH0687365B2 true JPH0687365B2 (ja) | 1994-11-02 |
Family
ID=14390252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61104790A Expired - Lifetime JPH0687365B2 (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0687365B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01104172A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-21 | Agency Of Ind Science & Technol | 酵素の安定化法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57167617A (en) * | 1981-04-08 | 1982-10-15 | Murata Manufacturing Co | Grain boundary insulating type semiconductor porcelain composition |
-
1986
- 1986-05-09 JP JP61104790A patent/JPH0687365B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62262304A (ja) | 1987-11-14 |
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