JPH0449508B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0449508B2 JPH0449508B2 JP61308349A JP30834986A JPH0449508B2 JP H0449508 B2 JPH0449508 B2 JP H0449508B2 JP 61308349 A JP61308349 A JP 61308349A JP 30834986 A JP30834986 A JP 30834986A JP H0449508 B2 JPH0449508 B2 JP H0449508B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric constant
- mmol
- present
- strontium
- high dielectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
［産業上の利用分野］
本発明は、粒界型半導体磁器コンデンサ用とし
て好適な高誘電体磁器組成物に関する。 ［従来の技術およびその問題点］ 従来より、チタン酸バリウム系、チタン酸スト
ロンチウム系等の誘電体磁器組成物はよく知られ
ている。しかしながら、これら組成物を粒界型半
導体磁器コンデンサとして使用した場合、チタン
酸バリウム系は高い誘電率を有しているものの、
容量温度変化率が大きいという問題点があり、ま
たチタン酸ストロンチウム系も種々検討されてい
るが、音響機器や通信機器等に使用した場合、未
だ電気的特性は十分ではなく、誘電率が高ければ
誘電体損失が大きかつたり、温度特性が悪かつた
り、絶縁抵抗が小さい等の問題点があり、また誘
電体損失が小さければ優電率が低い等の問題点が
あり、このため特に優電率が高く、且つ良好な温
度特性を有するようなバランスのとれた電気的特
性を有する誘電率磁器組成物の開発が望まれてい
た。 ［問題点を解決する為の手段］ 本発明の目的は、粒界型半導体磁器コンデンサ
として使用した場合、特に高い誘電率を有し、且
つ良好な温度特性を有し、しかも小さな誘電体損
失、高い絶縁抵抗と、バランスのとれた電気的特
性を有する高誘電率磁器組成物を提供することで
ある。 本発明は、チタン酸ストロンチウム１モルに対
して、スズ酸ストロンチウムを５〜28ミリモル、
半導体化剤を0.5〜3.5ミリモルおよび二酸化マン
ガンを2.5ミリモル以下（但し、０を含まず）含
有することを特徴とする高誘電率磁器組成物に関
するものである。 上述した各成分には、実質的に前記組成となる
ように使用され、その範囲内では目的を達成でき
るが、範囲外では温度特性、誘電体損失、誘電
率、絶縁抵抗など本発明の特性のバランスが損な
われる。 すなわち、チタン酸ストロンチウム１モルに対
し、スズ酸ストロンチウムの量が28ミリモルを超
えて多量となると誘電率が低下し、また５ミリモ
ルを下回る少量となると容量温度変化率が大きく
なる。また半導体化剤の量が3.5ミリモルを超え
ると誘電率が低下し、0.5ミリモルを下回ると誘
電率および絶縁抵抗が低下する。二酸化マンガン
の量が2.5ミリモルを超えると容量温度変化率が
大きくなる。 本発明の高誘電率磁器組成物の製法としては特
に限定する必要はなく、一般的には次の製法が実
用的である。すなわちチタン酸ストロンチウム、
スズ酸ストロンチウム、半導体化剤、二酸化マン
ガン、および場合により鉱化剤を所定の組成にな
るように各成分の酸化物、炭酸塩等を秤量し、ボ
ールミルなどで湿式混合する。 本発明に使用するチタン酸ストロンチウムおよ
びスズ酸ストロンチウムの原料としては上記各成
分をそのまま使用してもよいし、あるいはTi、
Si、Snの酸化物や加熱時に酸化物となる炭酸塩、
蓚酸塩を適宜選択使用することができる。 また本発明で使用する半導体化剤としては、酸
化ランタン、酸化ニオブ、酸化イツトリウム、酸
化タンタル、酸化タングステン等の酸化物、もし
くは加熱時に酸化物になるものであればよい。 また本発明で使用する二酸化マンガンの原料と
しては、そのまま使用しもよく、あるいは加熱時
に酸化物となるような炭酸塩等を適宜選択使用す
ることができる。 更に本発明においては従来公知の鉱化剤を少量
使用してもよく、例えばSiO2、Al2O3、ZnO等を
挙げることができる。鉱化剤の使用に当たつて
は、過度に多いと温度特性が損なわれることもあ
るので、通常その使用量はチタン酸ストロンチウ
ム１モルに対して15ミリモル以下が好ましい。 前記各成分を湿式混合した後、900〜1400℃、
好ましくは1000〜1300℃で仮焼する。さらにこの
仮焼物にポリビニールアルコールの如きバインダ
を添加し、加圧成型後、1300〜1500℃、好ましく
は1400〜1450℃で中性または還元性雰囲気下で焼
成すると、高誘電率磁器組成物を得ることができ
る。 本発明の高誘電率磁器組成物は、粒界型半導体
磁器コンデンサとして好適に使用されるが、該コ
ンデンサの製法としてはこれまで公知の方法を採
用することができる。 すなわち、上記組成物にCuO、Bi2O3、MnO2
等の絶縁化剤と塗布し、空気中で1000〜1300℃で
加熱処理後、銀ペーストなどを用いて電極を焼付
けることによつて粒界型半導体磁器コンデンサを
得ることができる。 ［実施例］ チタン酸ストロンチウム１モルに対して第１表
に示すようにスズ酸ストロンチウム、半導体化剤
Nb2O5、MnO2、および鉱化剤等を所定量取り、
ボールミルで湿式混合を行つた（表中各成分はミ
リモルで示す）。その後、乾燥、粉砕、空気雰囲
気下で1000〜1300で仮焼した。この仮焼物を粉砕
した後、ポリビニールアルコール等の有機バイン
ダを添加混合して均質にし、乾燥、粉砕して焼く
1000Kg／cm2の圧力で円板または角板状に加圧成型
した。こうして加圧成型したものを窒素雰囲気下
で1400〜1450℃で焼成した。次いでこの焼成物に
CuO、Bi2O3、MnO2等のうち少なくとも１種を
塗布し、空気雰囲気下で1000〜1300℃で拡散処理
を行つた。この表面に銀ペーストを塗布し、800
℃で焼付けることによつて電極を形成した。 第２表に電気特性、温度特性の結果を示す。同
表において誘電率（εrと示す。）、誘電体損失
（tanδと示す。）は温度を25℃とし周波数1KHzで
測定した値である。また温度特性を表す容量温度
変化率（T.Cと示す。）は25℃を基準として、−25
℃と＋85℃の値の変化で評価した。 また、絶縁抵抗（IRと示す。）は印加電圧50V
の直流電圧としたときの値である。
て好適な高誘電体磁器組成物に関する。 ［従来の技術およびその問題点］ 従来より、チタン酸バリウム系、チタン酸スト
ロンチウム系等の誘電体磁器組成物はよく知られ
ている。しかしながら、これら組成物を粒界型半
導体磁器コンデンサとして使用した場合、チタン
酸バリウム系は高い誘電率を有しているものの、
容量温度変化率が大きいという問題点があり、ま
たチタン酸ストロンチウム系も種々検討されてい
るが、音響機器や通信機器等に使用した場合、未
だ電気的特性は十分ではなく、誘電率が高ければ
誘電体損失が大きかつたり、温度特性が悪かつた
り、絶縁抵抗が小さい等の問題点があり、また誘
電体損失が小さければ優電率が低い等の問題点が
あり、このため特に優電率が高く、且つ良好な温
度特性を有するようなバランスのとれた電気的特
性を有する誘電率磁器組成物の開発が望まれてい
た。 ［問題点を解決する為の手段］ 本発明の目的は、粒界型半導体磁器コンデンサ
として使用した場合、特に高い誘電率を有し、且
つ良好な温度特性を有し、しかも小さな誘電体損
失、高い絶縁抵抗と、バランスのとれた電気的特
性を有する高誘電率磁器組成物を提供することで
ある。 本発明は、チタン酸ストロンチウム１モルに対
して、スズ酸ストロンチウムを５〜28ミリモル、
半導体化剤を0.5〜3.5ミリモルおよび二酸化マン
ガンを2.5ミリモル以下（但し、０を含まず）含
有することを特徴とする高誘電率磁器組成物に関
するものである。 上述した各成分には、実質的に前記組成となる
ように使用され、その範囲内では目的を達成でき
るが、範囲外では温度特性、誘電体損失、誘電
率、絶縁抵抗など本発明の特性のバランスが損な
われる。 すなわち、チタン酸ストロンチウム１モルに対
し、スズ酸ストロンチウムの量が28ミリモルを超
えて多量となると誘電率が低下し、また５ミリモ
ルを下回る少量となると容量温度変化率が大きく
なる。また半導体化剤の量が3.5ミリモルを超え
ると誘電率が低下し、0.5ミリモルを下回ると誘
電率および絶縁抵抗が低下する。二酸化マンガン
の量が2.5ミリモルを超えると容量温度変化率が
大きくなる。 本発明の高誘電率磁器組成物の製法としては特
に限定する必要はなく、一般的には次の製法が実
用的である。すなわちチタン酸ストロンチウム、
スズ酸ストロンチウム、半導体化剤、二酸化マン
ガン、および場合により鉱化剤を所定の組成にな
るように各成分の酸化物、炭酸塩等を秤量し、ボ
ールミルなどで湿式混合する。 本発明に使用するチタン酸ストロンチウムおよ
びスズ酸ストロンチウムの原料としては上記各成
分をそのまま使用してもよいし、あるいはTi、
Si、Snの酸化物や加熱時に酸化物となる炭酸塩、
蓚酸塩を適宜選択使用することができる。 また本発明で使用する半導体化剤としては、酸
化ランタン、酸化ニオブ、酸化イツトリウム、酸
化タンタル、酸化タングステン等の酸化物、もし
くは加熱時に酸化物になるものであればよい。 また本発明で使用する二酸化マンガンの原料と
しては、そのまま使用しもよく、あるいは加熱時
に酸化物となるような炭酸塩等を適宜選択使用す
ることができる。 更に本発明においては従来公知の鉱化剤を少量
使用してもよく、例えばSiO2、Al2O3、ZnO等を
挙げることができる。鉱化剤の使用に当たつて
は、過度に多いと温度特性が損なわれることもあ
るので、通常その使用量はチタン酸ストロンチウ
ム１モルに対して15ミリモル以下が好ましい。 前記各成分を湿式混合した後、900〜1400℃、
好ましくは1000〜1300℃で仮焼する。さらにこの
仮焼物にポリビニールアルコールの如きバインダ
を添加し、加圧成型後、1300〜1500℃、好ましく
は1400〜1450℃で中性または還元性雰囲気下で焼
成すると、高誘電率磁器組成物を得ることができ
る。 本発明の高誘電率磁器組成物は、粒界型半導体
磁器コンデンサとして好適に使用されるが、該コ
ンデンサの製法としてはこれまで公知の方法を採
用することができる。 すなわち、上記組成物にCuO、Bi2O3、MnO2
等の絶縁化剤と塗布し、空気中で1000〜1300℃で
加熱処理後、銀ペーストなどを用いて電極を焼付
けることによつて粒界型半導体磁器コンデンサを
得ることができる。 ［実施例］ チタン酸ストロンチウム１モルに対して第１表
に示すようにスズ酸ストロンチウム、半導体化剤
Nb2O5、MnO2、および鉱化剤等を所定量取り、
ボールミルで湿式混合を行つた（表中各成分はミ
リモルで示す）。その後、乾燥、粉砕、空気雰囲
気下で1000〜1300で仮焼した。この仮焼物を粉砕
した後、ポリビニールアルコール等の有機バイン
ダを添加混合して均質にし、乾燥、粉砕して焼く
1000Kg／cm2の圧力で円板または角板状に加圧成型
した。こうして加圧成型したものを窒素雰囲気下
で1400〜1450℃で焼成した。次いでこの焼成物に
CuO、Bi2O3、MnO2等のうち少なくとも１種を
塗布し、空気雰囲気下で1000〜1300℃で拡散処理
を行つた。この表面に銀ペーストを塗布し、800
℃で焼付けることによつて電極を形成した。 第２表に電気特性、温度特性の結果を示す。同
表において誘電率（εrと示す。）、誘電体損失
（tanδと示す。）は温度を25℃とし周波数1KHzで
測定した値である。また温度特性を表す容量温度
変化率（T.Cと示す。）は25℃を基準として、−25
℃と＋85℃の値の変化で評価した。 また、絶縁抵抗（IRと示す。）は印加電圧50V
の直流電圧としたときの値である。
【表】
【表】
【表】
【表】
［発明の効果］
本発明の磁器組成物は、60000以上と高い誘電
率を示し、粒界型半導体磁器コンデンサとした場
合、１〜3.5％と小さい誘電体損失、6500〜
62400MΩ−cmの高い絶縁抵抗、そして特に＋5.0
〜−4.9％という良好な温度特性を有するため、
例えば音響機器や通信機器など粒界型半導体磁器
コンデンサ用としてバランスのとれた電気的特性
を発揮することができる。
率を示し、粒界型半導体磁器コンデンサとした場
合、１〜3.5％と小さい誘電体損失、6500〜
62400MΩ−cmの高い絶縁抵抗、そして特に＋5.0
〜−4.9％という良好な温度特性を有するため、
例えば音響機器や通信機器など粒界型半導体磁器
コンデンサ用としてバランスのとれた電気的特性
を発揮することができる。
Claims (1)
- １ チタン酸ストロンチウム１モルに対して、ス
ズ酸ストロンチウムを５〜28ミリモル、半導体化
剤を0.5〜3.5ミリモルおよび二酸化マンガンを2.5
ミリモル以下（但し、０を含まず）含有すること
を特徴とする高誘電率磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61308349A JPS63162569A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 高誘電率磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61308349A JPS63162569A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63162569A JPS63162569A (ja) | 1988-07-06 |
| JPH0449508B2 true JPH0449508B2 (ja) | 1992-08-11 |
Family
ID=17979991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61308349A Granted JPS63162569A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63162569A (ja) |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP61308349A patent/JPS63162569A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63162569A (ja) | 1988-07-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0524646B2 (ja) | ||
| JPS623569B2 (ja) | ||
| JPH0687364B2 (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPH0449508B2 (ja) | ||
| JP2614228B2 (ja) | セラミック形成組成物及びこれを用いた半導体磁器基体と誘電体磁器基体並びにコンデンサー | |
| JPH0687365B2 (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPS6048895B2 (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ | |
| JP2681981B2 (ja) | 還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成物 | |
| JP2576973B2 (ja) | セラミツク形成組成物及びこれを用いた半導体磁器基体と誘電体磁器基体並びにコンデンサ− | |
| JP2734910B2 (ja) | 半導体磁器組成物の製造方法 | |
| JPH0571538B2 (ja) | ||
| JPH0828128B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0734415B2 (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器組成物 | |
| JP2934388B2 (ja) | 半導体磁器の製造方法 | |
| JPS6249976B2 (ja) | ||
| JP2936876B2 (ja) | 半導体磁器組成物及びその製造方法 | |
| JP2734888B2 (ja) | 半導体磁器組成物の製造方法 | |
| JP2900687B2 (ja) | 半導体磁器組成物及びその製造方法 | |
| JP2605314B2 (ja) | 半導体磁器物質 | |
| JPS6126207B2 (ja) | ||
| JPH03285870A (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器組成物及びその製造方法 | |
| JPH0521265A (ja) | コンデンサの製造方法 | |
| JPH05345663A (ja) | 半導体セラミックスおよびその製造方法 | |
| JPH0332009A (ja) | コンデンサとその製造方法 | |
| JPS6044816B2 (ja) | 半導体磁器コンデンサ用組成物 |