JPH0689849A - ステンシル・マスク - Google Patents
ステンシル・マスクInfo
- Publication number
- JPH0689849A JPH0689849A JP23968092A JP23968092A JPH0689849A JP H0689849 A JPH0689849 A JP H0689849A JP 23968092 A JP23968092 A JP 23968092A JP 23968092 A JP23968092 A JP 23968092A JP H0689849 A JPH0689849 A JP H0689849A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- silicon
- stencil mask
- mask
- mesh
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Printing Plates And Materials Therefor (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】生産性の高いステンシル・マスクの構造と製造
方法を提供する。 【構成】投影型イオン・ビーム露光に用いるステンシル
・マスクを、メッシュ状のスクリーン１２にマスクパタ
ーン１３が引懸けて構成する。スクリーン１２は線幅
０．１μm，線間隔０．３μm〜０．５μm程度で厚さ
０．１μm程度のシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ダ
イヤモンド膜、アルミナ膜などの絶縁膜や、シリコン
膜、チタン膜、ニッケル膜、タンタル膜、タングステン
膜やモリブデン膜などの半導体膜や金属膜などをホト・
エッチングなどでメッシュ状に形成する。マスクパター
ン１３も０．３μm〜１μm厚のシリコン膜、チタン膜、
ニッケル膜、タンタル膜、タングステン膜やモリブデン
膜などの半導体膜や金属膜などを最小線幅０．３μm程
度にホト・エッチングで形成する。フレーム１１はシリ
コンやパイレックス・ガラスあるいは石英ガラスなどで
構成する。
方法を提供する。 【構成】投影型イオン・ビーム露光に用いるステンシル
・マスクを、メッシュ状のスクリーン１２にマスクパタ
ーン１３が引懸けて構成する。スクリーン１２は線幅
０．１μm，線間隔０．３μm〜０．５μm程度で厚さ
０．１μm程度のシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ダ
イヤモンド膜、アルミナ膜などの絶縁膜や、シリコン
膜、チタン膜、ニッケル膜、タンタル膜、タングステン
膜やモリブデン膜などの半導体膜や金属膜などをホト・
エッチングなどでメッシュ状に形成する。マスクパター
ン１３も０．３μm〜１μm厚のシリコン膜、チタン膜、
ニッケル膜、タンタル膜、タングステン膜やモリブデン
膜などの半導体膜や金属膜などを最小線幅０．３μm程
度にホト・エッチングで形成する。フレーム１１はシリ
コンやパイレックス・ガラスあるいは石英ガラスなどで
構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、投影型イオン・ビーム
露光に用いるステンシル・マスクの構造に関する。
露光に用いるステンシル・マスクの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、投影型イオン・ビーム露光に用い
るステンシル・マスクは、ＵＳＰ４８３５３９２にも示
されている如く、図５に鳥瞰図として示す様に少なくと
もスクリーンとマスクパターンとはシリコンやニッケル
などによる同一材料構成で、フレーム５１、メッシュ状
のスクリーン５２およびマスクパターン５３などで構成
され、マスクパターン５３はメッシュ状のスクリーン５
２にぶらさがって成り、フレーム５１はパイレックス・
ガラスやシリコンなどで構成されて成るのが通例であっ
た。
るステンシル・マスクは、ＵＳＰ４８３５３９２にも示
されている如く、図５に鳥瞰図として示す様に少なくと
もスクリーンとマスクパターンとはシリコンやニッケル
などによる同一材料構成で、フレーム５１、メッシュ状
のスクリーン５２およびマスクパターン５３などで構成
され、マスクパターン５３はメッシュ状のスクリーン５
２にぶらさがって成り、フレーム５１はパイレックス・
ガラスやシリコンなどで構成されて成るのが通例であっ
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術
によると、ステンシル・マスクの生産性が低いという課
題があった。
によると、ステンシル・マスクの生産性が低いという課
題があった。
【０００４】本発明は、かかる従来技術の課題を解決
し、生産性の高いステンシル・マスクの構造を提供する
ことを目的とする。
し、生産性の高いステンシル・マスクの構造を提供する
ことを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し、上記
目的を達成するために、本発明は、ステンシル・マスク
に関し、第１の材料から成るスクリーン上に第２の材料
から成るマスクパターンを形成する手段をとる。
目的を達成するために、本発明は、ステンシル・マスク
に関し、第１の材料から成るスクリーン上に第２の材料
から成るマスクパターンを形成する手段をとる。
【０００６】
【作用】ステンシル・マスクを第１の材料から成るスク
リーン上に第２の材料から成るマスクパターンを形成す
ることにより、製作工程は第１の材料から成るスクリー
ン上に第２の材料から成る層を形成しマスクのブランク
スとなし、該ブランクスの第２の材料から成る層にパタ
ーン形成をすることと成るが、これは光露光におけるガ
ラスマスクのブランクスの製作とパターンの形成という
製作工程と同一と成り、分業化による生産性の向上をは
かることができる作用がある。
リーン上に第２の材料から成るマスクパターンを形成す
ることにより、製作工程は第１の材料から成るスクリー
ン上に第２の材料から成る層を形成しマスクのブランク
スとなし、該ブランクスの第２の材料から成る層にパタ
ーン形成をすることと成るが、これは光露光におけるガ
ラスマスクのブランクスの製作とパターンの形成という
製作工程と同一と成り、分業化による生産性の向上をは
かることができる作用がある。
【０００７】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳述する。
【０００８】図１は本発明の一実施例を示すステンシル
・マスクの鳥瞰図である。すなわち、第１の材料から成
るフレーム１１と該第１の材料から成るスクリーン１２
の表面には第２の材料から成るマスクパターン１３が形
成されて成る。すなわち、メッシュ状のスクリーン１２
にマスクパターン１３が引懸けられてステンシル・マス
クとして構成される。該ステンシル・マスクのメッシュ
状のスクリーン１２は線幅０．１μm，線間隔０．３μm
〜０．５μm程度で厚さ０．１μm程度のシリコン酸化
膜、シリコン窒化膜、ダイヤモンド膜、アルミナ膜など
の絶縁膜や、シリコン膜、チタン膜、ニッケル膜、タン
タル膜、タングステン膜やモリブデン膜などの半導体膜
や金属膜などをホト・エッチングなどでメッシュ状に成
形して形成でき、マスクパターンも０．３μm〜１μm厚
のシリコン膜、チタン膜、ニッケル膜、タンタル膜、タ
ングステン膜やモリブデン膜などの半導体膜や金属膜な
どを最小線幅０．３μm程度にホト・エッチングで成形
して形成し、投影型や縮小投影型のイオンビーム露光用
ステンシル・マスクとして供することができる。尚、フ
レーム１１はシリコンやパイレックス・ガラスあるいは
石英ガラスなどで構成することができる。
・マスクの鳥瞰図である。すなわち、第１の材料から成
るフレーム１１と該第１の材料から成るスクリーン１２
の表面には第２の材料から成るマスクパターン１３が形
成されて成る。すなわち、メッシュ状のスクリーン１２
にマスクパターン１３が引懸けられてステンシル・マス
クとして構成される。該ステンシル・マスクのメッシュ
状のスクリーン１２は線幅０．１μm，線間隔０．３μm
〜０．５μm程度で厚さ０．１μm程度のシリコン酸化
膜、シリコン窒化膜、ダイヤモンド膜、アルミナ膜など
の絶縁膜や、シリコン膜、チタン膜、ニッケル膜、タン
タル膜、タングステン膜やモリブデン膜などの半導体膜
や金属膜などをホト・エッチングなどでメッシュ状に成
形して形成でき、マスクパターンも０．３μm〜１μm厚
のシリコン膜、チタン膜、ニッケル膜、タンタル膜、タ
ングステン膜やモリブデン膜などの半導体膜や金属膜な
どを最小線幅０．３μm程度にホト・エッチングで成形
して形成し、投影型や縮小投影型のイオンビーム露光用
ステンシル・マスクとして供することができる。尚、フ
レーム１１はシリコンやパイレックス・ガラスあるいは
石英ガラスなどで構成することができる。
【０００９】図２は本発明のステンシル・マスクの製造
方法の一実施例を示す工程順の断面図である。すなわ
ち、ａ）シリコン・ウエーハの一主面から０．５μm深
さ程度のボロン拡散シリコン層から成るパターン層２１
形成後、０．１μm厚さ程度のシリコン酸化膜などから
成る絶縁膜２２を形成して、前記シリコン・ウエーハの
他の主面からＫＯＨ飽和水溶液などでホト・エッチング
して、前記ボロン拡散シリコン層から成るパターン層２
１をエッチング・ストッパー層として、シリコンから成
るフレーム２３を形成する。ｂ）次いで、前記シリコン
酸化膜などから成る絶縁膜２２を線幅０．１μm，線間
隔０．３μm〜０．５μm程度のメッシュ・パターン状に
ホト・エッチングによりシリコン酸化物などから成るメ
ッシュ２４を形成し、ステンシル・マスクのブランクス
と成す。ｃ）次ぎに、前記ブランクスのパターン層２１
を最小線幅０．３μm程度にホト・エッチングで成形し
てマスクパターン２５を形成し、投影型や縮小投影型の
イオンビーム露光用ステンシル・マスクと成す。
方法の一実施例を示す工程順の断面図である。すなわ
ち、ａ）シリコン・ウエーハの一主面から０．５μm深
さ程度のボロン拡散シリコン層から成るパターン層２１
形成後、０．１μm厚さ程度のシリコン酸化膜などから
成る絶縁膜２２を形成して、前記シリコン・ウエーハの
他の主面からＫＯＨ飽和水溶液などでホト・エッチング
して、前記ボロン拡散シリコン層から成るパターン層２
１をエッチング・ストッパー層として、シリコンから成
るフレーム２３を形成する。ｂ）次いで、前記シリコン
酸化膜などから成る絶縁膜２２を線幅０．１μm，線間
隔０．３μm〜０．５μm程度のメッシュ・パターン状に
ホト・エッチングによりシリコン酸化物などから成るメ
ッシュ２４を形成し、ステンシル・マスクのブランクス
と成す。ｃ）次ぎに、前記ブランクスのパターン層２１
を最小線幅０．３μm程度にホト・エッチングで成形し
てマスクパターン２５を形成し、投影型や縮小投影型の
イオンビーム露光用ステンシル・マスクと成す。
【００１０】図３は本発明のステンシル・マスクの製造
方法の他の実施例を示す工程順の断面図である。すなわ
ち、ａ）シリコン・ウエーハの一主面に０．１μm厚さ
程度のシリコン酸化膜やシリコン窒化膜あるいはダイヤ
モンド膜やアルミナ膜などから成る絶縁膜３２を形成
し、該絶縁膜３２の表面に厚さ０．５μm程度のシリコ
ン膜、チタン膜、ニッケル膜、タンタル膜、タングステ
ン膜やモリブデン膜などの半導体膜や金属膜などから成
るパターン層３３を形成して、前記シリコン・ウエーハ
の他の主面からＫＯＨ飽和水溶液などでホト・エッチン
グして、前記絶縁膜３２をエッチング・ストッパー層と
して、シリコンから成るフレーム３１を形成する。ｂ）
次いで、前記シリコン酸化膜などから成る絶縁膜３２を
線幅０．１μm，線間隔０．３μm〜０．５μm程度のメ
ッシュ・パターン状にホト・エッチングにより絶縁膜か
ら成るメッシュ３４を形成し、ステンシル・マスクのブ
ランクスと成す。ｃ）次ぎに、前記ブランクスのパター
ン層３３を最小線幅０．３μm程度にホト・エッチング
で成形してマスクパターン３５を形成し、投影型や縮小
投影型のイオンビーム露光用ステンシル・マスクと成
す。
方法の他の実施例を示す工程順の断面図である。すなわ
ち、ａ）シリコン・ウエーハの一主面に０．１μm厚さ
程度のシリコン酸化膜やシリコン窒化膜あるいはダイヤ
モンド膜やアルミナ膜などから成る絶縁膜３２を形成
し、該絶縁膜３２の表面に厚さ０．５μm程度のシリコ
ン膜、チタン膜、ニッケル膜、タンタル膜、タングステ
ン膜やモリブデン膜などの半導体膜や金属膜などから成
るパターン層３３を形成して、前記シリコン・ウエーハ
の他の主面からＫＯＨ飽和水溶液などでホト・エッチン
グして、前記絶縁膜３２をエッチング・ストッパー層と
して、シリコンから成るフレーム３１を形成する。ｂ）
次いで、前記シリコン酸化膜などから成る絶縁膜３２を
線幅０．１μm，線間隔０．３μm〜０．５μm程度のメ
ッシュ・パターン状にホト・エッチングにより絶縁膜か
ら成るメッシュ３４を形成し、ステンシル・マスクのブ
ランクスと成す。ｃ）次ぎに、前記ブランクスのパター
ン層３３を最小線幅０．３μm程度にホト・エッチング
で成形してマスクパターン３５を形成し、投影型や縮小
投影型のイオンビーム露光用ステンシル・マスクと成
す。
【００１１】図４は本発明のステンシル・マスクの製造
方法のその他の実施例を示す工程順の断面図である。す
なわち、ａ）シリコン・ウエーハなどから成る基板４１
の一主面に０．１μm厚さ程度のシリコン酸化膜やシリ
コン窒化膜あるいはダイヤモンド膜やアルミナ膜などか
ら成る絶縁膜４２を形成する。ｂ）次いで、前記絶縁膜
４２を線幅０．１μm，線間隔０．３μm〜０．５μm程
度のメッシュ・パターン状にホト・エッチングにより絶
縁膜から成るメッシュ４３を形成し、その上に厚さ０．
５μm程度のシリコン膜、チタン膜、ニッケル膜、タン
タル膜、タングステン膜やモリブデン膜などの半導体膜
や金属膜などから成るパターン層４４を形成して、前記
基板４１の他の主面からホト・エッチングして、前記メ
ッシュ４３やパターン層４４をエッチング・ストッパー
層として、シリコンなどから成るフレーム４５を形成
し、ステンシル・マスクのブランクスと成す。ｃ）次ぎ
に、前記ブランクスのパターン層４４を最小線幅０．３
μm程度にホト・エッチングで成形してマスクパターン
４６を形成し、投影型や縮小投影型のイオンビーム露光
用ステンシル・マスクと成す。
方法のその他の実施例を示す工程順の断面図である。す
なわち、ａ）シリコン・ウエーハなどから成る基板４１
の一主面に０．１μm厚さ程度のシリコン酸化膜やシリ
コン窒化膜あるいはダイヤモンド膜やアルミナ膜などか
ら成る絶縁膜４２を形成する。ｂ）次いで、前記絶縁膜
４２を線幅０．１μm，線間隔０．３μm〜０．５μm程
度のメッシュ・パターン状にホト・エッチングにより絶
縁膜から成るメッシュ４３を形成し、その上に厚さ０．
５μm程度のシリコン膜、チタン膜、ニッケル膜、タン
タル膜、タングステン膜やモリブデン膜などの半導体膜
や金属膜などから成るパターン層４４を形成して、前記
基板４１の他の主面からホト・エッチングして、前記メ
ッシュ４３やパターン層４４をエッチング・ストッパー
層として、シリコンなどから成るフレーム４５を形成
し、ステンシル・マスクのブランクスと成す。ｃ）次ぎ
に、前記ブランクスのパターン層４４を最小線幅０．３
μm程度にホト・エッチングで成形してマスクパターン
４６を形成し、投影型や縮小投影型のイオンビーム露光
用ステンシル・マスクと成す。
【００１２】なお、前記フレーム２３，３１および４５
などは必ずしもシリコンである必要はなく、前記フレー
ム２３，３１および４５などを全面除去し、代わりにパ
イレックス・ガラスや石英ガラスあるいは金属などから
成るフレームをステンシル・マスクのいずれかの主面に
貼りつけて形成しても良く、絶縁膜２２，３２および４
２などは必ずしもシリコン酸化膜やシリコン窒化膜ある
いはダイヤモンド膜やアルミナ膜などから成る絶縁膜で
ある必要はなく、他のセラミック膜や構成樹脂膜あるい
は耐蝕性の金属膜や合金膜であっても良い。。
などは必ずしもシリコンである必要はなく、前記フレー
ム２３，３１および４５などを全面除去し、代わりにパ
イレックス・ガラスや石英ガラスあるいは金属などから
成るフレームをステンシル・マスクのいずれかの主面に
貼りつけて形成しても良く、絶縁膜２２，３２および４
２などは必ずしもシリコン酸化膜やシリコン窒化膜ある
いはダイヤモンド膜やアルミナ膜などから成る絶縁膜で
ある必要はなく、他のセラミック膜や構成樹脂膜あるい
は耐蝕性の金属膜や合金膜であっても良い。。
【００１３】更に、より簡便なステンシル・マスクの製
造方法として、ニッケルやガラスあるいは合成樹脂など
から成るメッシュ・シートにシリコン膜、チタン膜、ニ
ッケル膜、タンタル膜、タングステン膜やモリブデン膜
などの半導体膜や金属膜などから成るパターン層シート
を接着剤で貼りつけ、更にパイレックス・ガラスや石英
ガラスあるいは金属などから成るフレームを貼りつけて
型取りし、ステンシル・マスクと成すこともできる。
造方法として、ニッケルやガラスあるいは合成樹脂など
から成るメッシュ・シートにシリコン膜、チタン膜、ニ
ッケル膜、タンタル膜、タングステン膜やモリブデン膜
などの半導体膜や金属膜などから成るパターン層シート
を接着剤で貼りつけ、更にパイレックス・ガラスや石英
ガラスあるいは金属などから成るフレームを貼りつけて
型取りし、ステンシル・マスクと成すこともできる。
【００１４】
【発明の効果】本発明により、ステンシル・マスクの製
作工程の分業化などによる生産性の向上をはかることが
できる効果がある。
作工程の分業化などによる生産性の向上をはかることが
できる効果がある。
【図１】本発明の一実施例を示すステンシル・マスクの
鳥瞰図である。
鳥瞰図である。
【図２】本発明のステンシル・マスクの製造方法の一実
施例を示す工程順の断面図である。
施例を示す工程順の断面図である。
【図３】本発明のステンシル・マスクの製造方法の他の
実施例を示す工程順の断面図である。
実施例を示す工程順の断面図である。
【図４】本発明のステンシル・マスクの製造方法のその
他の実施例を示す工程順の断面図である。
他の実施例を示す工程順の断面図である。
【図５】従来のステンシル・マスクの鳥瞰図である。
１１，２３，３１，４５，５１・・・フレーム １２，２４，３４，４３，５２・・・メッシュ １３，２５，３５，４６，５３・・・マスクパターン ２１，３３，４４・・・パターン層 ２２，３２，４２・・・絶縁膜 ４１・・・基板
Claims (1)
- 【請求項１】第１の材料から成るスクリーン上には第２
の材料から成るマスクパターンが形成されて成ることを
特徴とするステンシル・マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23968092A JPH0689849A (ja) | 1992-09-08 | 1992-09-08 | ステンシル・マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23968092A JPH0689849A (ja) | 1992-09-08 | 1992-09-08 | ステンシル・マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0689849A true JPH0689849A (ja) | 1994-03-29 |
Family
ID=17048317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23968092A Pending JPH0689849A (ja) | 1992-09-08 | 1992-09-08 | ステンシル・マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0689849A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003007590A (ja) * | 2001-06-20 | 2003-01-10 | Toppan Printing Co Ltd | ステンシルマスク、その製造方法及び露光方法 |
-
1992
- 1992-09-08 JP JP23968092A patent/JPH0689849A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003007590A (ja) * | 2001-06-20 | 2003-01-10 | Toppan Printing Co Ltd | ステンシルマスク、その製造方法及び露光方法 |
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