JPH0689928A - ワイヤボンディングにおけるボール圧着方法 - Google Patents
ワイヤボンディングにおけるボール圧着方法Info
- Publication number
- JPH0689928A JPH0689928A JP4265399A JP26539992A JPH0689928A JP H0689928 A JPH0689928 A JP H0689928A JP 4265399 A JP4265399 A JP 4265399A JP 26539992 A JP26539992 A JP 26539992A JP H0689928 A JPH0689928 A JP H0689928A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- ball
- wire
- load
- connection electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/01—Manufacture or treatment
- H10W70/05—Manufacture or treatment of insulating or insulated package substrates, or of interposers, or of redistribution layers
- H10W70/093—Connecting or disconnecting other interconnections thereto or therefrom, e.g. connecting bond wires or bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
- H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07521—Aligning
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07531—Techniques
- H10W72/07532—Compression bonding, e.g. thermocompression bonding
- H10W72/07533—Ultrasonic bonding, e.g. thermosonic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ボール圧着径および密着強度のバラツキを小
さくできるワイヤボンディングにおけるボール圧着方法
を提供する。 【構成】 半導体チップ上の接続電極とインナリードと
をワイヤにて接続するワイヤボンディングにおいて、ま
ずボンディングツールから突出したワイヤの先端にボー
ルを形成する。次いでボンディングツールを所定速度で
降下させるとともに、そのボンディングツールに第１の
ボンディング荷重Ｇ１を加えてボールを接続電極または
インナリードに圧接する。続いてボンディングツールに
第１のボンディング荷重Ｇ１よりも小さい第２のボンデ
ィング荷重Ｇ２を加えてボールを接続電極またはインナ
リードに圧着する。
さくできるワイヤボンディングにおけるボール圧着方法
を提供する。 【構成】 半導体チップ上の接続電極とインナリードと
をワイヤにて接続するワイヤボンディングにおいて、ま
ずボンディングツールから突出したワイヤの先端にボー
ルを形成する。次いでボンディングツールを所定速度で
降下させるとともに、そのボンディングツールに第１の
ボンディング荷重Ｇ１を加えてボールを接続電極または
インナリードに圧接する。続いてボンディングツールに
第１のボンディング荷重Ｇ１よりも小さい第２のボンデ
ィング荷重Ｇ２を加えてボールを接続電極またはインナ
リードに圧着する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップ上の接続
電極とインナリードとをワイヤにて接続するワイヤボン
ディングに係わり、特に、ワイヤの先端に形成されるボ
ールを接続電極またはインナリードに圧着するためのワ
イヤボンディングにおけるボール圧着方法に関するもの
である。
電極とインナリードとをワイヤにて接続するワイヤボン
ディングに係わり、特に、ワイヤの先端に形成されるボ
ールを接続電極またはインナリードに圧着するためのワ
イヤボンディングにおけるボール圧着方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の組立工程の中には、半導体
チップ上の接続電極と、外部引き出し用として半導体チ
ップの周辺に配置されるインナリードとをワイヤにて接
続する、いわゆるワイヤボンディング工程と呼ばれるも
のがある。
チップ上の接続電極と、外部引き出し用として半導体チ
ップの周辺に配置されるインナリードとをワイヤにて接
続する、いわゆるワイヤボンディング工程と呼ばれるも
のがある。
【０００３】このワイヤボンディング工程では、まずボ
ンディングツールから突出したワイヤの先端に放電エネ
ルギーによってボールを形成する。次に、ボンディング
ツールを高速で降下させ、サーチレベルに達すると同時
に低速（サーチスピード）に切り換えてボンディングツ
ールの先端を静かに半導体チップ上に着地させる。この
時、ボンディングツールには所定のボンディング荷重
（通常は５０〜６０ｇｆ）が加えられており、このボン
ディング荷重を一定に保持したまま上記ボールは接続電
極に圧接される。さらにボールと接続電極の接合部分に
は超音波や熱またはその両方が与えられ、これによって
ボールが接続電極に圧着される。以上述べたように従来
は、ワイヤ先端に形成したボールを一定のボンディング
荷重をもって接続電極に圧着していた。
ンディングツールから突出したワイヤの先端に放電エネ
ルギーによってボールを形成する。次に、ボンディング
ツールを高速で降下させ、サーチレベルに達すると同時
に低速（サーチスピード）に切り換えてボンディングツ
ールの先端を静かに半導体チップ上に着地させる。この
時、ボンディングツールには所定のボンディング荷重
（通常は５０〜６０ｇｆ）が加えられており、このボン
ディング荷重を一定に保持したまま上記ボールは接続電
極に圧接される。さらにボールと接続電極の接合部分に
は超音波や熱またはその両方が与えられ、これによって
ボールが接続電極に圧着される。以上述べたように従来
は、ワイヤ先端に形成したボールを一定のボンディング
荷重をもって接続電極に圧着していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来方法
においては、上記ボンディング荷重だけでワイヤの先端
に形成したボールを十分に押しつぶすことができず、そ
の後、超音波や熱を与えながらさらにボールを押しつぶ
すことになるため、これによって形成されるボールの圧
着径や、接続電極との密着強度に大きなバラツキが生じ
るといった問題があった。このような理由から従来で
は、端子数の増加に伴う接続電極の縮小化がきわめて困
難になり、また同時に半導体装置としての電気的信頼性
の低下を招いていた。
においては、上記ボンディング荷重だけでワイヤの先端
に形成したボールを十分に押しつぶすことができず、そ
の後、超音波や熱を与えながらさらにボールを押しつぶ
すことになるため、これによって形成されるボールの圧
着径や、接続電極との密着強度に大きなバラツキが生じ
るといった問題があった。このような理由から従来で
は、端子数の増加に伴う接続電極の縮小化がきわめて困
難になり、また同時に半導体装置としての電気的信頼性
の低下を招いていた。
【０００５】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたもので、ボール圧着径および密着強度のバラツキを
小さくできるワイヤボンディングにおけるボール圧着方
法を提供することを目的とする。
れたもので、ボール圧着径および密着強度のバラツキを
小さくできるワイヤボンディングにおけるボール圧着方
法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされたもので、半導体チップ上の接続電
極とその半導体チップの周辺に配置されたインナリード
とをワイヤにて接続するワイヤボンディングにおいて、
まずボンディングツールから突出したワイヤの先端にボ
ールを形成し、次いでボンディングツールを所定速度で
降下させるとともに、そのボンディングツールに第１の
ボンディング荷重を加えて上記ボールを接続電極または
インナリードに圧接し、続いてボンディングツールに第
１のボンディング荷重よりも小さい第２のボンディング
荷重を加えてボールを接続電極またはインナリードに圧
着するようにしたワイヤボンディングにおけるボール圧
着方法である。
成するためになされたもので、半導体チップ上の接続電
極とその半導体チップの周辺に配置されたインナリード
とをワイヤにて接続するワイヤボンディングにおいて、
まずボンディングツールから突出したワイヤの先端にボ
ールを形成し、次いでボンディングツールを所定速度で
降下させるとともに、そのボンディングツールに第１の
ボンディング荷重を加えて上記ボールを接続電極または
インナリードに圧接し、続いてボンディングツールに第
１のボンディング荷重よりも小さい第２のボンディング
荷重を加えてボールを接続電極またはインナリードに圧
着するようにしたワイヤボンディングにおけるボール圧
着方法である。
【０００７】
【作用】本発明のワイヤボンディングにおけるボール圧
着方法においては、第１のボンディング荷重をボンディ
ングツールに加えてワイヤ先端に形成したボールを接続
電極またはインナリードに圧接し、続いて上記第１のボ
ンディング荷重よりも小さい第２のボンディング荷重を
ボンディングツールに加えてボールを接続電極またはイ
ンナリードに圧着することにより、ボールは十分に押し
つぶされた状態で接続電極またはインナリードに圧着さ
れるようになるため、これによってボール圧着径および
密着強度のバラツキを小さくすることができる。
着方法においては、第１のボンディング荷重をボンディ
ングツールに加えてワイヤ先端に形成したボールを接続
電極またはインナリードに圧接し、続いて上記第１のボ
ンディング荷重よりも小さい第２のボンディング荷重を
ボンディングツールに加えてボールを接続電極またはイ
ンナリードに圧着することにより、ボールは十分に押し
つぶされた状態で接続電極またはインナリードに圧着さ
れるようになるため、これによってボール圧着径および
密着強度のバラツキを小さくすることができる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。図１は本発明のワイヤボンディングにおけ
るボール圧着方法を説明するための図であり、図２およ
び図３はワイヤボンディングの工程説明図である。本実
施例においては、ワイヤボンディングの工程を順に述べ
ながらボール圧着方法についての説明を加える。
に説明する。図１は本発明のワイヤボンディングにおけ
るボール圧着方法を説明するための図であり、図２およ
び図３はワイヤボンディングの工程説明図である。本実
施例においては、ワイヤボンディングの工程を順に述べ
ながらボール圧着方法についての説明を加える。
【０００９】まず第１の工程では、図２（ａ）に示すよ
うに半導体チップ１の上方に所定の距離を隔てて配置さ
れたボンディングツール、すなわちキャピラリ２の先端
に極細のワイヤ３を繰り出す。次いで、ボール形成用の
装置例えば電気トーチの放電エネルギーによって、キャ
ピラリ２から突出したワイヤ３の先端に所定の大きさの
ボール３ａを形成する。
うに半導体チップ１の上方に所定の距離を隔てて配置さ
れたボンディングツール、すなわちキャピラリ２の先端
に極細のワイヤ３を繰り出す。次いで、ボール形成用の
装置例えば電気トーチの放電エネルギーによって、キャ
ピラリ２から突出したワイヤ３の先端に所定の大きさの
ボール３ａを形成する。
【００１０】次に第２の工程では、図２（ｂ）に示すよ
うにキャピラリ３を高速で降下させていき、半導体チッ
プ１を基準としたキャピラリ２の高さがサーチレベルＨ
（通常５０〜２００μｍ）に達すると同時にキャピラリ
２の降下速度を高速から低速に切り換える。キャピラリ
２の降下速度が高速から低速に切り換わるまではキャピ
ラリ２自体にかなり大きな荷重（例えば２００〜３００
ｇｆ）が加えられており、降下速度が低速に切り換わっ
た時点で第１のボンディング荷重（例えば１００〜１２
０ｇｆ）がキャピラリ２に加えられる。このようにすれ
ば降下速度の切り換わりに伴うキャピラリ２の振動が抑
えられる。
うにキャピラリ３を高速で降下させていき、半導体チッ
プ１を基準としたキャピラリ２の高さがサーチレベルＨ
（通常５０〜２００μｍ）に達すると同時にキャピラリ
２の降下速度を高速から低速に切り換える。キャピラリ
２の降下速度が高速から低速に切り換わるまではキャピ
ラリ２自体にかなり大きな荷重（例えば２００〜３００
ｇｆ）が加えられており、降下速度が低速に切り換わっ
た時点で第１のボンディング荷重（例えば１００〜１２
０ｇｆ）がキャピラリ２に加えられる。このようにすれ
ば降下速度の切り換わりに伴うキャピラリ２の振動が抑
えられる。
【００１１】続いて第３の工程では、図３（ａ）に示す
ようにキャピラリ２を低速で降下させながら静かにキャ
ピラリ２の先端を半導体チップ１上に着地させ、同時
に、上記第１のボンディング荷重をもってワイヤ３先端
のボール３ａを半導体チップ１上の図示せぬ接続電極に
圧接する。本実施例では、第１のボンディング荷重（例
えば１００〜１２０ｇｆ）が通常のボンディング荷重
（例えば５０〜６０ｇｆ）よりも大きく設定されてお
り、これによってワイヤ３先端のボール３ａが接続電極
上において十分に押しつぶされる。
ようにキャピラリ２を低速で降下させながら静かにキャ
ピラリ２の先端を半導体チップ１上に着地させ、同時
に、上記第１のボンディング荷重をもってワイヤ３先端
のボール３ａを半導体チップ１上の図示せぬ接続電極に
圧接する。本実施例では、第１のボンディング荷重（例
えば１００〜１２０ｇｆ）が通常のボンディング荷重
（例えば５０〜６０ｇｆ）よりも大きく設定されてお
り、これによってワイヤ３先端のボール３ａが接続電極
上において十分に押しつぶされる。
【００１２】次いで第４の工程では、図３（ａ）に示す
状態のまま上記第１のボンディング荷重よりも小さい第
２のボンディング荷重（例えば５０〜６０ｇｆ）をキャ
ピラリ２に加えるとともに、その接合部分に例えば超音
波や熱を与えてボール３ａを接続電極（不図示）に圧着
する。
状態のまま上記第１のボンディング荷重よりも小さい第
２のボンディング荷重（例えば５０〜６０ｇｆ）をキャ
ピラリ２に加えるとともに、その接合部分に例えば超音
波や熱を与えてボール３ａを接続電極（不図示）に圧着
する。
【００１３】ここで、上記第３及び第４の工程につい
て、さらに図１を参照しながら説明を加える。まず、キ
ャピラリ２が半導体チップ１上に着地した時間Ｔ１にお
いては、ボンディングツールであるキャピラリ２に第１
のボンディング荷重Ｇ１が加えられる。この第１のボン
ディング荷重Ｇ１が加えられたまま一定時間（通常は数
ｍｓｅｃ）が経過して時間Ｔ２になると、キャピラリ２
に加えられるボンディング荷重は第１のボンディング荷
重Ｇ１よりも小さい第２のボンディング荷重Ｇ２に切り
換えられる。さらに、第２のボンディング荷重Ｇ２に保
持される時間Ｔ２から時間Ｔ３までの間はその接合部分
に超音波や熱などが与えられてボール３ａが接続電極に
圧着される。
て、さらに図１を参照しながら説明を加える。まず、キ
ャピラリ２が半導体チップ１上に着地した時間Ｔ１にお
いては、ボンディングツールであるキャピラリ２に第１
のボンディング荷重Ｇ１が加えられる。この第１のボン
ディング荷重Ｇ１が加えられたまま一定時間（通常は数
ｍｓｅｃ）が経過して時間Ｔ２になると、キャピラリ２
に加えられるボンディング荷重は第１のボンディング荷
重Ｇ１よりも小さい第２のボンディング荷重Ｇ２に切り
換えられる。さらに、第２のボンディング荷重Ｇ２に保
持される時間Ｔ２から時間Ｔ３までの間はその接合部分
に超音波や熱などが与えられてボール３ａが接続電極に
圧着される。
【００１４】以降の工程では、キャピラリ２が図３
（ｂ）に示すようにループポジションＰまで上昇し、次
いで図３（ｃ）に示すようにインナリード４に向けて移
動する。ここで所定のループ形状を描いたキャピラリ２
はさらに図３（ｄ）に示すように降下してワイヤ３の他
端をインナリード４上に接合する。以上の工程によって
半導体チップ１上の接続電極（不図示）とインナリード
４とがワイヤ３によって接続（結線）される。なお、ボ
ンディング荷重の可変手段としては、既存のワイヤボン
ディング装置の中にボンディング荷重の可変機能を備え
たものが各種メーカから提供されているため、これを用
いるようにすればよい。
（ｂ）に示すようにループポジションＰまで上昇し、次
いで図３（ｃ）に示すようにインナリード４に向けて移
動する。ここで所定のループ形状を描いたキャピラリ２
はさらに図３（ｄ）に示すように降下してワイヤ３の他
端をインナリード４上に接合する。以上の工程によって
半導体チップ１上の接続電極（不図示）とインナリード
４とがワイヤ３によって接続（結線）される。なお、ボ
ンディング荷重の可変手段としては、既存のワイヤボン
ディング装置の中にボンディング荷重の可変機能を備え
たものが各種メーカから提供されているため、これを用
いるようにすればよい。
【００１５】このように本実施例のボール圧着方法にお
いては、まず第１のボンディング荷重Ｇ１をキャピラリ
２に加えてワイヤ３先端に形成したボール３ａを接続電
極（不図示）に圧接し、続いて第１のボンディング荷重
Ｇ１よりも小さい第２のボンディング荷重Ｇ２をキャピ
ラリ２に加えてボール３ａを接続電極に圧着することに
より、ボール３ａは十分に押しつぶされた状態で接続電
極に圧着されるようになるため、これによってボール圧
着径および密着強度のバラツキを従来よりも小さくする
ことができる。
いては、まず第１のボンディング荷重Ｇ１をキャピラリ
２に加えてワイヤ３先端に形成したボール３ａを接続電
極（不図示）に圧接し、続いて第１のボンディング荷重
Ｇ１よりも小さい第２のボンディング荷重Ｇ２をキャピ
ラリ２に加えてボール３ａを接続電極に圧着することに
より、ボール３ａは十分に押しつぶされた状態で接続電
極に圧着されるようになるため、これによってボール圧
着径および密着強度のバラツキを従来よりも小さくする
ことができる。
【００１６】ここで、本発明による方法（ボンディング
荷重２段階切り換え）と従来方法（ボンディング荷重一
定）との比較データを表１および表２に示す。
荷重２段階切り換え）と従来方法（ボンディング荷重一
定）との比較データを表１および表２に示す。
【表１】
【表２】 表１は圧着後のボールサイズの比較データである。表１
に示す通り、ボールサイズの縦幅、横幅とも従来は偏差
４．５μｍ、７．３μｍとかなりバラツキが大きくなっ
ているのに対して、本発明の場合は偏差２．２μｍ、
２．１μｍと非常にバラツキが小さくなっている。ま
た、縦幅と横幅の値についても従来は平均値で１４μｍ
の差があるのに対して、本発明の場合は平均値が同値と
なっていることからボール全体のつぶれ方も非常に均一
になっている。さらに、ボールの厚みについても従来は
偏差１．８μｍであるのに対して、本発明では偏差０．
８μｍと非常にバラツキが小さくなっている。
に示す通り、ボールサイズの縦幅、横幅とも従来は偏差
４．５μｍ、７．３μｍとかなりバラツキが大きくなっ
ているのに対して、本発明の場合は偏差２．２μｍ、
２．１μｍと非常にバラツキが小さくなっている。ま
た、縦幅と横幅の値についても従来は平均値で１４μｍ
の差があるのに対して、本発明の場合は平均値が同値と
なっていることからボール全体のつぶれ方も非常に均一
になっている。さらに、ボールの厚みについても従来は
偏差１．８μｍであるのに対して、本発明では偏差０．
８μｍと非常にバラツキが小さくなっている。
【００１７】一方、表２は密着強度の比較データであ
る。表２に示す通り、圧着強度においても従来は偏差
５．２８ｇｆとなっているのに対して、本発明では偏差
３．３８ｇｆとバラツキが小さくなっている。また、圧
着強度の大きさを比べた場合、最大、最小、平均のいず
れをとっても本発明の方が上回っている。因みに、表１
および表２に記載されたデータは、圧着時間約１５ｍｓ
ｅｃ、超音波設定値７０、ワイヤ径３０μｍの条件下で
行ったものであり、これらの条件または他の条件（加熱
温度、ワイヤ材質など）によっては変動する値である。
る。表２に示す通り、圧着強度においても従来は偏差
５．２８ｇｆとなっているのに対して、本発明では偏差
３．３８ｇｆとバラツキが小さくなっている。また、圧
着強度の大きさを比べた場合、最大、最小、平均のいず
れをとっても本発明の方が上回っている。因みに、表１
および表２に記載されたデータは、圧着時間約１５ｍｓ
ｅｃ、超音波設定値７０、ワイヤ径３０μｍの条件下で
行ったものであり、これらの条件または他の条件（加熱
温度、ワイヤ材質など）によっては変動する値である。
【００１８】なお、本実施例の説明では、半導体チップ
１上の接続電極側を第１ボンドとして説明したが、本発
明はこれに限定されることなく、インナリード４側を第
１ボンドとした、いわゆる逆ボンド方式の場合にも同様
に適用することができる。
１上の接続電極側を第１ボンドとして説明したが、本発
明はこれに限定されることなく、インナリード４側を第
１ボンドとした、いわゆる逆ボンド方式の場合にも同様
に適用することができる。
【００１９】また、ボール３ａが設けられない第２ボン
ド側においても本実施例の場合と同様に第１のボンディ
ング荷重を加えた後に第２のボンディング荷重をボンデ
ィングツール（キャピラリ２）に加えてワイヤ３の他端
を接合するようにしてもよい。因みに、通常は第２ボン
ド（ステッチボンド）側のボンディング荷重が第１ボン
ド（ボールボンド）側よりも若干大きめに設定される。
ド側においても本実施例の場合と同様に第１のボンディ
ング荷重を加えた後に第２のボンディング荷重をボンデ
ィングツール（キャピラリ２）に加えてワイヤ３の他端
を接合するようにしてもよい。因みに、通常は第２ボン
ド（ステッチボンド）側のボンディング荷重が第１ボン
ド（ボールボンド）側よりも若干大きめに設定される。
【００２０】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
ボール圧着径および密着強度のバラツキを従来よりも小
さくすることができるため、その分、より適正なボンデ
ィング条件の設定を行うことが可能となる。その結果、
接続電極が小さくなってもそこからはみ出すことなくボ
ールを圧着できるようになるため、端子数の増加に伴う
接続電極の縮小化が容易に実現可能となる。さらに、圧
着強度のバラツキが小さくなることからワイヤの接続強
度がより安定したものとなり、半導体装置としての電気
的信頼性の向上が期待できる。
ボール圧着径および密着強度のバラツキを従来よりも小
さくすることができるため、その分、より適正なボンデ
ィング条件の設定を行うことが可能となる。その結果、
接続電極が小さくなってもそこからはみ出すことなくボ
ールを圧着できるようになるため、端子数の増加に伴う
接続電極の縮小化が容易に実現可能となる。さらに、圧
着強度のバラツキが小さくなることからワイヤの接続強
度がより安定したものとなり、半導体装置としての電気
的信頼性の向上が期待できる。
【図１】本発明のワイヤボンディングにおけるボール圧
着方法を説明するための図である。
着方法を説明するための図である。
【図２】ワイヤボンディングの工程説明図（その１）で
ある。
ある。
【図３】ワイヤボンディングの工程説明図（その２）で
ある。
ある。
１ 半導体チップ ２ キャピラリ（ボンディングツール） ３ ワイヤ ４ インナリード
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体チップ上の接続電極と該半導体チ
ップの周辺に配置されたインナリードとをワイヤにて接
続するワイヤボンディングにおいて、 まずボンディングツールから突出したワイヤの先端にボ
ールを形成し、次いで前記ボンディングツールを所定速
度で降下させるとともに、そのボンディングツールに第
１のボンディング荷重を加えて前記ボールを前記接続電
極または前記インナリードに圧接し、続いて前記ボンデ
ィングツールに前記第１のボンディング荷重よりも小さ
い第２のボンディング荷重を加えて前記ボールを前記接
続電極または前記インナリードに圧着することを特徴と
するワイヤボンディングにおけるボール圧着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26539992A JP3277564B2 (ja) | 1992-09-07 | 1992-09-07 | ワイヤボンディング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26539992A JP3277564B2 (ja) | 1992-09-07 | 1992-09-07 | ワイヤボンディング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0689928A true JPH0689928A (ja) | 1994-03-29 |
| JP3277564B2 JP3277564B2 (ja) | 2002-04-22 |
Family
ID=17416633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26539992A Expired - Lifetime JP3277564B2 (ja) | 1992-09-07 | 1992-09-07 | ワイヤボンディング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3277564B2 (ja) |
-
1992
- 1992-09-07 JP JP26539992A patent/JP3277564B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3277564B2 (ja) | 2002-04-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6774494B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| US7044357B2 (en) | Bump formation method and wire bonding method | |
| TWI518814B (zh) | 半導體裝置以及半導體裝置的製造方法 | |
| JP2005039192A (ja) | 半導体装置及びワイヤボンディング方法 | |
| JP4021378B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| JPH04294552A (ja) | ワイヤーボンディング方法 | |
| JPH0689928A (ja) | ワイヤボンディングにおけるボール圧着方法 | |
| JPS63244633A (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
| JP2005167178A (ja) | 半導体装置及びワイヤボンディング方法 | |
| JP3322642B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05267385A (ja) | ワイヤーボンディング装置 | |
| JPH1116934A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| JPH0428241A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04255237A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3202193B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| JP2928590B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| JPS6379331A (ja) | ワイヤボンデイング装置 | |
| JPH10199913A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| JPH01225340A (ja) | 半導体金属突起電極の製造方法 | |
| JPH0536697A (ja) | バンプ電極形成装置 | |
| JPS63219131A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01297834A (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
| JP2567512B2 (ja) | バンプ電極の形成方法 | |
| JPH02122530A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| JP4547405B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080215 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090215 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100215 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100215 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110215 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120215 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130215 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130215 Year of fee payment: 11 |