JPH0691038B2 - ガス供給装置 - Google Patents
ガス供給装置Info
- Publication number
- JPH0691038B2 JPH0691038B2 JP63201191A JP20119188A JPH0691038B2 JP H0691038 B2 JPH0691038 B2 JP H0691038B2 JP 63201191 A JP63201191 A JP 63201191A JP 20119188 A JP20119188 A JP 20119188A JP H0691038 B2 JPH0691038 B2 JP H0691038B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- valve
- gas supply
- supply device
- gas
- inert gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はガス供給装置に関し、特にパージ機能を有する
ガス供給装置に関する。
ガス供給装置に関する。
従来、この種の蒸気圧の低いプロセスガスを用いる半導
体製造装置では第２図に示すようにマスフローコントロ
ーラ（以下、MFCという）３、ガスバルブ４、圧力調整
用バルブ、アイソレーションバルブ８、真空処理室９、
ターボポンプ10、ロータリポンプ11等を有しており、MF
C3の前後にバルブが設けてあり、MFCの前のバルブを閉
めることによりMFC3内は排気したり、また真空処理室９
を通して不活性ガスでパージする作業を行っていた。
体製造装置では第２図に示すようにマスフローコントロ
ーラ（以下、MFCという）３、ガスバルブ４、圧力調整
用バルブ、アイソレーションバルブ８、真空処理室９、
ターボポンプ10、ロータリポンプ11等を有しており、MF
C3の前後にバルブが設けてあり、MFCの前のバルブを閉
めることによりMFC3内は排気したり、また真空処理室９
を通して不活性ガスでパージする作業を行っていた。
上述したように従来のガス供給装置では、パージを頻繁
に行えないため、バルブ閉鎖時に残留した気体が徐々に
MFC3内にある流量測定用のセンサ管内で液化し、結果と
して測定誤差が増大し、流量制御が行われなくなるとい
う欠点がある。
に行えないため、バルブ閉鎖時に残留した気体が徐々に
MFC3内にある流量測定用のセンサ管内で液化し、結果と
して測定誤差が増大し、流量制御が行われなくなるとい
う欠点がある。
本発明の目的は前記課題を解決したガス供給装置を提供
することにある。
することにある。
上述した従来のガス供給装置に対し、本発明でのガス供
給装置では、MFC直後にパージ用のバイパスを設け、エ
ッチング処理後、毎回センサ管内に残留するガスを不活
性ガスを用い、一掃することができるという相違点を有
する。
給装置では、MFC直後にパージ用のバイパスを設け、エ
ッチング処理後、毎回センサ管内に残留するガスを不活
性ガスを用い、一掃することができるという相違点を有
する。
前記目的を達成するため、本発明はマスフローコントロ
ーラを用いる半導体製造装置において、蒸気圧の低いプ
ロセスガスを用いる場合に、装置にプロセスガスが流れ
ていない間、分枝したバイパス管を通して前記マスフロ
ーコントローラを不活性ガスでパージする機能を有する
ものである。
ーラを用いる半導体製造装置において、蒸気圧の低いプ
ロセスガスを用いる場合に、装置にプロセスガスが流れ
ていない間、分枝したバイパス管を通して前記マスフロ
ーコントローラを不活性ガスでパージする機能を有する
ものである。
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図は本発明の一実施例を示すブロック図である。
図において、不活性ガスラインG1、プロセスガスライン
G2を不活性ガス供給用バルブ１、プロセスガス供給用バ
ルブ２をそれぞれ介してプロセスガス用MFC3の流入側に
接続し、該MFC3の流出側をガスバルブ４を介して真空処
理室９に接続する。一方、真空処理室９には圧力調整用
バルブ７、アイソレーションバルブ８を介してターボポ
ンプ10、ロータリポンプ11を接続する。
G2を不活性ガス供給用バルブ１、プロセスガス供給用バ
ルブ２をそれぞれ介してプロセスガス用MFC3の流入側に
接続し、該MFC3の流出側をガスバルブ４を介して真空処
理室９に接続する。一方、真空処理室９には圧力調整用
バルブ７、アイソレーションバルブ８を介してターボポ
ンプ10、ロータリポンプ11を接続する。
さらに、プロセスガス用MFC3の流出側をバイパスバルブ
５、不活性ガス用MFC6を介してターボポンプ10側にバイ
パスさせる。
５、不活性ガス用MFC6を介してターボポンプ10側にバイ
パスさせる。
半導体製造装置において、処理終了後、バルブ２を閉
じ、真空処理室９を介してポンプ10,11で真空に引く。
次にバルブ４と８を閉じ、バルブ１と５を開く。このと
き、MFC6で不活性ガスが過大に流れないように流量を調
節する。一定時間不活性ガスを流した後、バルブ１を閉
じ、真空引きを行う。次に、バルブ５を閉じ、バルブ
８、バルブ４、バルブ２の順に開くことにより、処理動
作可能とし、再び処理を継続させる。
じ、真空処理室９を介してポンプ10,11で真空に引く。
次にバルブ４と８を閉じ、バルブ１と５を開く。このと
き、MFC6で不活性ガスが過大に流れないように流量を調
節する。一定時間不活性ガスを流した後、バルブ１を閉
じ、真空引きを行う。次に、バルブ５を閉じ、バルブ
８、バルブ４、バルブ２の順に開くことにより、処理動
作可能とし、再び処理を継続させる。
以上説明したように本発明は不活性ガスを半導体製造装
置処理終了後、一度MFC内のセンサ管に流すことによ
り、従来の方法で多くみられたセンサ管内の目づまりに
よる故障を皆無にすることができる効果を有する。
置処理終了後、一度MFC内のセンサ管に流すことによ
り、従来の方法で多くみられたセンサ管内の目づまりに
よる故障を皆無にすることができる効果を有する。
第１図は本発明の不活性ガス供給装置を示すブロック
図、また第２図は従来のガス供給装置を示すブロック図
である。 １……不活性ガス供給用バルブ ２……プロセスガス供給用バルブ ３……プロセスガス供給MFC、４……ガスバルブ ５……バイパスバルブ、６……不活性ガス用MFC ７……圧力調整用バルブ ８……アイソレーションバルブ、９……真空処理室 10……ターボポンプ、11……ロータリポンプ
図、また第２図は従来のガス供給装置を示すブロック図
である。 １……不活性ガス供給用バルブ ２……プロセスガス供給用バルブ ３……プロセスガス供給MFC、４……ガスバルブ ５……バイパスバルブ、６……不活性ガス用MFC ７……圧力調整用バルブ ８……アイソレーションバルブ、９……真空処理室 10……ターボポンプ、11……ロータリポンプ
Claims (1)
- 【請求項１】マスフローコントローラを用いる半導体製
造装置において、蒸気圧の低いプロセスガスを用いる場
合に、装置にプロセスガスが流れていない間、分枝した
バイパス管を通して前記マスフローコントローラを不活
性ガスでパージする機能を有することを特徴とするガス
供給装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63201191A JPH0691038B2 (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | ガス供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63201191A JPH0691038B2 (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | ガス供給装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0250421A JPH0250421A (ja) | 1990-02-20 |
| JPH0691038B2 true JPH0691038B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=16436858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63201191A Expired - Lifetime JPH0691038B2 (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | ガス供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0691038B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7373968B2 (ja) | 2019-11-01 | 2023-11-06 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給システム |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5980777A (ja) * | 1982-10-29 | 1984-05-10 | Hitachi Ltd | ガス制御装置 |
| JPS6082668A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-10 | Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd | ガス流量制御装置 |
| JPS63118073A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-23 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 反応ガスパ−ジシステム |
| JPS6447872A (en) * | 1987-08-19 | 1989-02-22 | Matsushita Electronics Corp | Thin film forming device |
-
1988
- 1988-08-12 JP JP63201191A patent/JPH0691038B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0250421A (ja) | 1990-02-20 |
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